JPH0493780A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH0493780A JPH0493780A JP2211216A JP21121690A JPH0493780A JP H0493780 A JPH0493780 A JP H0493780A JP 2211216 A JP2211216 A JP 2211216A JP 21121690 A JP21121690 A JP 21121690A JP H0493780 A JPH0493780 A JP H0493780A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- output
- terminal
- input
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 26
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関する。
近年、半導体集積回路の高集積化、製造技術の進歩は目
ざましく、LSIは大規模になる一方である。高集積化
にともないメガマクロと呼ばれる機能単位の集積回路群
を1チツプ上に集積することにより、システムオンチッ
プを実現することが可能となる。しかし、その一方で高
集積化に伴い1チップ当りのビン数が増大し、パッケー
ジの肥大化、ビンピッチの縮小によるリフロー半田付け
の困難化が生じることが懸念されている。才な製造され
たLSIの機能テストが複雑になり、テスト時間が長く
な・って、1チップ当りのコストが上昇してし跋うとい
う問題点が生じている。
ざましく、LSIは大規模になる一方である。高集積化
にともないメガマクロと呼ばれる機能単位の集積回路群
を1チツプ上に集積することにより、システムオンチッ
プを実現することが可能となる。しかし、その一方で高
集積化に伴い1チップ当りのビン数が増大し、パッケー
ジの肥大化、ビンピッチの縮小によるリフロー半田付け
の困難化が生じることが懸念されている。才な製造され
たLSIの機能テストが複雑になり、テスト時間が長く
な・って、1チップ当りのコストが上昇してし跋うとい
う問題点が生じている。
以下、従来の半導体集積回路について、第3図を用いて
説明する。
説明する。
第3図において、半導体集積回路は、入力信号端子64
.65と、これらに接続されチップセレクト信号端子6
6.67がらの入力信号により、それぞれ選択されイネ
ーブル状態となるメガマクロ14.15と、メガマクロ
14.15の出力側に接続されている信号線108,1
09の一方を選択して、出力信号端子69と電気的に接
続するマルチプレクサ16と、マルチプレクサ16を制
御するための信号を入力する切替信号入力端子68を有
する。なお、ここでメガマクロ14゜15は同一の回路
を有するメガマクロである。
.65と、これらに接続されチップセレクト信号端子6
6.67がらの入力信号により、それぞれ選択されイネ
ーブル状態となるメガマクロ14.15と、メガマクロ
14.15の出力側に接続されている信号線108,1
09の一方を選択して、出力信号端子69と電気的に接
続するマルチプレクサ16と、マルチプレクサ16を制
御するための信号を入力する切替信号入力端子68を有
する。なお、ここでメガマクロ14゜15は同一の回路
を有するメガマクロである。
メガマクロ14の動作時においては、チップセレクト信
号端子66の入力信号がアクティブ状態となり、メガマ
クロ14が選択される。通常、チップセレクト信号端子
66の入力信号がアクティブの場合、チップセレクト信
号端子37の入力信号はアンアクティブであり、メガマ
クロ15はマスクされ動作しない。選択されたメガマク
ロ14は、入力信号端子64の入力信号に従い出力信号
を信号線106に出力する。チップセレクト信号端子6
6の入力信号がアクティブのときは、マルチプレクサ1
6の内部回路は、信号線106と出力信号端子69とを
電気的に接続してメガマクロ14の出力信号を外部に出
力する。
号端子66の入力信号がアクティブ状態となり、メガマ
クロ14が選択される。通常、チップセレクト信号端子
66の入力信号がアクティブの場合、チップセレクト信
号端子37の入力信号はアンアクティブであり、メガマ
クロ15はマスクされ動作しない。選択されたメガマク
ロ14は、入力信号端子64の入力信号に従い出力信号
を信号線106に出力する。チップセレクト信号端子6
6の入力信号がアクティブのときは、マルチプレクサ1
6の内部回路は、信号線106と出力信号端子69とを
電気的に接続してメガマクロ14の出力信号を外部に出
力する。
また、メガマクロ15が動作をする場合には、チップセ
レクト信号端子67の入力信号がアクティブに、チップ
セレクト信号端子66の入力信号がアンアクティブにな
る。メガマクロ15は入力信号端子65の入力信号に従
い、出力信号を信号線107に出力する。信号線107
と半導体集積回路の出力信号端子69とを電気的に接続
するように、切替信号入力端子68からの切替信号によ
り、マルチプレクサ16の内部回路の切替えが行われる
。
レクト信号端子67の入力信号がアクティブに、チップ
セレクト信号端子66の入力信号がアンアクティブにな
る。メガマクロ15は入力信号端子65の入力信号に従
い、出力信号を信号線107に出力する。信号線107
と半導体集積回路の出力信号端子69とを電気的に接続
するように、切替信号入力端子68からの切替信号によ
り、マルチプレクサ16の内部回路の切替えが行われる
。
LSIのテスト時には、チップセレクト信号端子67の
入力信号のみをアクティブ状態にし、チ。
入力信号のみをアクティブ状態にし、チ。
ツブセレクト信号端子66の入力信号をアンアクティブ
にして、メガマクロ14をマスクし、メガマクロ15の
テストを行う。次にメガマクロ14のテスト時は、チッ
プセレクト信号端子66の入力信号のみをアクティブに
して、メガマクロ15をマスクし、メガマクロ14のテ
ストを行う。このように、各マクロは、分離して個別に
テストが実施される。
にして、メガマクロ14をマスクし、メガマクロ15の
テストを行う。次にメガマクロ14のテスト時は、チッ
プセレクト信号端子66の入力信号のみをアクティブに
して、メガマクロ15をマスクし、メガマクロ14のテ
ストを行う。このように、各マクロは、分離して個別に
テストが実施される。
上述した従来の半導体集積回路では、内部に同じメガマ
クロをN(正整数)個持つ場合、そのメガマクロに対し
LSIのテストをN回おこなう必要があるという欠点が
ある。また、そのメガマクロの信号線は、基本的には半
導体集積回路の信号端子に接続されるため、ビン数が冗
長に多くなるという欠点がある。
クロをN(正整数)個持つ場合、そのメガマクロに対し
LSIのテストをN回おこなう必要があるという欠点が
ある。また、そのメガマクロの信号線は、基本的には半
導体集積回路の信号端子に接続されるため、ビン数が冗
長に多くなるという欠点がある。
本発明の半導体集積回路は、共通の入力信号端子を有し
、且つ、それぞれ個別にチップセレクト信号端子を有す
る、同一の回路構成より成る複数のメガマクロ群と、前
記メガマクロ群の同機能の出力信号を相互比較する比較
回路と、前記メガマクロ群の出力信号の切替えを行う第
1の切替回路と、前記比較回路の出力端子と前記第1の
切替回路の出力信号とを入力し、切譬作用を介して、何
れか一方の信号を所定の出力信号として出力する第2の
切替回路と、を備えて構成される。
、且つ、それぞれ個別にチップセレクト信号端子を有す
る、同一の回路構成より成る複数のメガマクロ群と、前
記メガマクロ群の同機能の出力信号を相互比較する比較
回路と、前記メガマクロ群の出力信号の切替えを行う第
1の切替回路と、前記比較回路の出力端子と前記第1の
切替回路の出力信号とを入力し、切譬作用を介して、何
れか一方の信号を所定の出力信号として出力する第2の
切替回路と、を備えて構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明を行う。
第1図は本発明の第1の実施例を示すブロック図である
6 半導体集積回路は、共通の入力信号端子51を有し、そ
れぞれチップセレクト信号端子5253の入力信号によ
り選択されるメガマクロ1゜2と、メガマクロ1,2の
それぞれの出力側とマルチプレクサ3およびEXOR回
路4を接続する信号線101,102と、切替信号入力
端子55から入力される切替信号により内部回路の切り
替えが行われるマルチプレクサ3と、メガマクロ1.2
の出力信号を比較するためのEXOR回路4と、テスト
モード信号端子54の入力信号に従い、マルチプレクサ
3の出力信号あるいはEXOR回路4の出力信号を選択
して、出力信号端子56と電気的に接続するための制御
回路群であるトランスファーゲート5,6およびインバ
ータ7を有する。ただしメガマクロ1,2は同一の回路
構成をなしている。
6 半導体集積回路は、共通の入力信号端子51を有し、そ
れぞれチップセレクト信号端子5253の入力信号によ
り選択されるメガマクロ1゜2と、メガマクロ1,2の
それぞれの出力側とマルチプレクサ3およびEXOR回
路4を接続する信号線101,102と、切替信号入力
端子55から入力される切替信号により内部回路の切り
替えが行われるマルチプレクサ3と、メガマクロ1.2
の出力信号を比較するためのEXOR回路4と、テスト
モード信号端子54の入力信号に従い、マルチプレクサ
3の出力信号あるいはEXOR回路4の出力信号を選択
して、出力信号端子56と電気的に接続するための制御
回路群であるトランスファーゲート5,6およびインバ
ータ7を有する。ただしメガマクロ1,2は同一の回路
構成をなしている。
通常動作時には、テストモード信号端子54からの入力
信号は“L′”レベルである。メガマクロ1の動作時に
は、チップセレクト信号端子52からの入力はアクティ
ブとなり、メガマクロ1は入力信号端子51の入力信号
に従い、出力信号を信号線101に出力する。チップセ
レクト信号端子53の入力信号は、アンアクティブ状態
なのでメガマクロ2は動作しない。つぎに、マルチプレ
クサ3が信号線101と出力信号端子56とを電気的に
接続するように、切替信号入力端子55より切替信号が
マルチプレクサ3に入力される。テストモード信号端子
54の入力信号は“L”レベルであるが、インバータ7
を介して入力信号は反転され、トランスファーゲート5
には“H″レベル信号が入力される。トランスファーゲ
ート5は電気的に閉じるので、マルチプレクサ3の出力
信号はトランスファーゲート5を通過し、出力信号端子
56に出力される。
信号は“L′”レベルである。メガマクロ1の動作時に
は、チップセレクト信号端子52からの入力はアクティ
ブとなり、メガマクロ1は入力信号端子51の入力信号
に従い、出力信号を信号線101に出力する。チップセ
レクト信号端子53の入力信号は、アンアクティブ状態
なのでメガマクロ2は動作しない。つぎに、マルチプレ
クサ3が信号線101と出力信号端子56とを電気的に
接続するように、切替信号入力端子55より切替信号が
マルチプレクサ3に入力される。テストモード信号端子
54の入力信号は“L”レベルであるが、インバータ7
を介して入力信号は反転され、トランスファーゲート5
には“H″レベル信号が入力される。トランスファーゲ
ート5は電気的に閉じるので、マルチプレクサ3の出力
信号はトランスファーゲート5を通過し、出力信号端子
56に出力される。
また、メガマクロ2の動作時においては、チ・ンプセレ
クト信号端子53の入力信号のみがアクティブになりメ
ガマクロ2が選択され、イネーブル状態となったメガマ
クロ2は、入力信号端子51の入力信号に従い信号線1
02に出力信号を出力する。チップセレクト信号端子5
2の入力信号は、アンアクティブ状態となるのでメガマ
クロ1はマスクされる。切替信号入力端子55の切替信
号により、信号線102と出力信号端子56を電気的に
接続するように、マルチプレクサ3の内部回路が切替え
られる。メガマクロ2の出力信号はマルチプレクサ3に
入力され、トランスアーゲート5を通過し、出力信号端
子56を介して出力される。
クト信号端子53の入力信号のみがアクティブになりメ
ガマクロ2が選択され、イネーブル状態となったメガマ
クロ2は、入力信号端子51の入力信号に従い信号線1
02に出力信号を出力する。チップセレクト信号端子5
2の入力信号は、アンアクティブ状態となるのでメガマ
クロ1はマスクされる。切替信号入力端子55の切替信
号により、信号線102と出力信号端子56を電気的に
接続するように、マルチプレクサ3の内部回路が切替え
られる。メガマクロ2の出力信号はマルチプレクサ3に
入力され、トランスアーゲート5を通過し、出力信号端
子56を介して出力される。
次にテスト時には、まずテストモード信号端子54から
の入力信号を°゛H”レベルにし、チップセレクト信号
端子52.53からの入力信号を共にアクティブにする
。その状態で半導体集積回路に対し、入力信号端子51
から信号を入力する。
の入力信号を°゛H”レベルにし、チップセレクト信号
端子52.53からの入力信号を共にアクティブにする
。その状態で半導体集積回路に対し、入力信号端子51
から信号を入力する。
チップセレクト信号端子52.53の入力信号はアクテ
ィブなので、メガマクロ1.2は共通の入力信号端子5
1の入力信号に従って、ある出力値が信号線101,1
02に出力され、EXOR回路4に入力される。EXO
R回路の論理は下記の表1の通りになるので、メガマク
ロ1,2の出力値が一致していれば“H”レベル、そう
でなければ” L ”レベルが出力される。テストモー
ド信号端子54の入力信号は“H″ルベルので、トラン
スファーゲート13は電気的に接続されていて、EXO
R回路4の出力は出力信号端子56に出力される。この
様に複数の同一のメガマクロを互いに比較、確認するこ
とにより、メガマクロ1.2の正常な動作が確認される
。このテスト方法を用いれば、テスト時間が通常の二分
の−になるという長所がある。
ィブなので、メガマクロ1.2は共通の入力信号端子5
1の入力信号に従って、ある出力値が信号線101,1
02に出力され、EXOR回路4に入力される。EXO
R回路の論理は下記の表1の通りになるので、メガマク
ロ1,2の出力値が一致していれば“H”レベル、そう
でなければ” L ”レベルが出力される。テストモー
ド信号端子54の入力信号は“H″ルベルので、トラン
スファーゲート13は電気的に接続されていて、EXO
R回路4の出力は出力信号端子56に出力される。この
様に複数の同一のメガマクロを互いに比較、確認するこ
とにより、メガマクロ1.2の正常な動作が確認される
。このテスト方法を用いれば、テスト時間が通常の二分
の−になるという長所がある。
なお、動作を各メガマクロ別に個別にテストするときは
、テストモード信号端子54からの入力信号を“L″レ
ベルして、チップセレクト信号端子ら2の入力信号ある
いはチップセレクト信号端子53の入力信号のどちらか
をアクティブにすることにより、通常動作での個別の選
別テストも行うことができる。
、テストモード信号端子54からの入力信号を“L″レ
ベルして、チップセレクト信号端子ら2の入力信号ある
いはチップセレクト信号端子53の入力信号のどちらか
をアクティブにすることにより、通常動作での個別の選
別テストも行うことができる。
表1
次に、本発明の第2の実施例について説明する。
第2図は本発明の第2の実施例を示すブロック図である
。
。
半導体集積回路は、共通の入力信号端子57を有し、そ
れぞれチップセレクト信号端子58゜59.60の入力
信号により選択されるメガマクロ8,9.10と、メガ
マクロ8,9.10のそれぞれの出力側とマルチプレク
サ11、EXOR回路12を接続する信号線103,1
04,105と、切替信号入力端子61の切替信号によ
り内部回路の切り替えが行われるマルチプレクサ11と
、メガマクロ8,9.10の出力信号を比較するための
EXOR回路12と、テストモード信号端子62の入力
信号に従い、マルチプレクサ11の出力信号あるいはE
XOR回路12の出力信号を選択して、出力信号端子6
3と電気的に接続するための制御回路群であるトランス
ファーゲート14.15およびインバータ13を有する
。ただし、メガマクロ8,9.10の内部回路は同一の
回路構成をなしている。
れぞれチップセレクト信号端子58゜59.60の入力
信号により選択されるメガマクロ8,9.10と、メガ
マクロ8,9.10のそれぞれの出力側とマルチプレク
サ11、EXOR回路12を接続する信号線103,1
04,105と、切替信号入力端子61の切替信号によ
り内部回路の切り替えが行われるマルチプレクサ11と
、メガマクロ8,9.10の出力信号を比較するための
EXOR回路12と、テストモード信号端子62の入力
信号に従い、マルチプレクサ11の出力信号あるいはE
XOR回路12の出力信号を選択して、出力信号端子6
3と電気的に接続するための制御回路群であるトランス
ファーゲート14.15およびインバータ13を有する
。ただし、メガマクロ8,9.10の内部回路は同一の
回路構成をなしている。
次に動作について説明を行う。動作の説明を行うにあた
って、前記第1の実施例と重複する部分は省略する。
って、前記第1の実施例と重複する部分は省略する。
通常動作時、あるいはメガマクロ8,9.10の分離テ
スト時は、テストモード信号端子62の入力信号は″L
″レベルである。トランスファーゲート14のゲート入
力は” H”レベルとなるので、マルチプレクサ11と
出力信号端子63は電気的に接続される。チップセレク
ト信号端子58.59.60のうち一つを選択すれば、
動作するメガマクロが、メガマクロ8,9.10のうち
の一つより決定する6選択されたメガマクロ8,9.1
0のうちの一つは、入力信号端子57からの入力信号に
従い、出力信号を信号線103.104,105のうち
のいずれかに出力し、これが出力信号端子63に対する
出力信号となる。
スト時は、テストモード信号端子62の入力信号は″L
″レベルである。トランスファーゲート14のゲート入
力は” H”レベルとなるので、マルチプレクサ11と
出力信号端子63は電気的に接続される。チップセレク
ト信号端子58.59.60のうち一つを選択すれば、
動作するメガマクロが、メガマクロ8,9.10のうち
の一つより決定する6選択されたメガマクロ8,9.1
0のうちの一つは、入力信号端子57からの入力信号に
従い、出力信号を信号線103.104,105のうち
のいずれかに出力し、これが出力信号端子63に対する
出力信号となる。
次に比較テスト時について説明する。
テストモード信号端子62の入力信号はH”レベルであ
り、EXOR回路12の圧力側と出力信号端子63は、
トランスファーゲート11を介して電気的に接続される
。チップセレクト信号端子58,59.60からの入力
信号は共にアクティブ状態となり、メガマクロ8,9.
10はいずれもイネーブル状態となる。メガマクロ8゜
9.10は、共通の入力信号端子57からの入力信号に
従い、出力値をそれぞれ信号線103゜104.105
に出力する。信号線103,104.105の状態はE
XOR回路12において比較される。3本の信号線の状
態が同じ場合は” H”レベル、一つでも違う場合は“
L”レベルを出力し、この出力レベルは、トランスファ
ーゲート11を介して出力信号端子63の出力信号とな
る。
り、EXOR回路12の圧力側と出力信号端子63は、
トランスファーゲート11を介して電気的に接続される
。チップセレクト信号端子58,59.60からの入力
信号は共にアクティブ状態となり、メガマクロ8,9.
10はいずれもイネーブル状態となる。メガマクロ8゜
9.10は、共通の入力信号端子57からの入力信号に
従い、出力値をそれぞれ信号線103゜104.105
に出力する。信号線103,104.105の状態はE
XOR回路12において比較される。3本の信号線の状
態が同じ場合は” H”レベル、一つでも違う場合は“
L”レベルを出力し、この出力レベルは、トランスファ
ーゲート11を介して出力信号端子63の出力信号とな
る。
以上説明したように本発明は、同一の回路構成よりなる
メガマクロの入力ビン、出力ビンおよび入出力ビンを、
それぞれ端子機能毎に共通化することによりビン数を減
らすことができ、また複数の同じメガマクロに同時に信
号を入力し、その出力信号を比較して両メガマクロのテ
ストを行うことにより、テスト時間の短縮を行うことが
できるという効果がある。
メガマクロの入力ビン、出力ビンおよび入出力ビンを、
それぞれ端子機能毎に共通化することによりビン数を減
らすことができ、また複数の同じメガマクロに同時に信
号を入力し、その出力信号を比較して両メガマクロのテ
ストを行うことにより、テスト時間の短縮を行うことが
できるという効果がある。
フサ、4,12・・・EXOR回路、5,6,14゜1
5・・・トランスファーゲート、7,13・・・インバ
ータ。
5・・・トランスファーゲート、7,13・・・インバ
ータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 共通の入力信号端子を有し、且つ、それぞれ個別にチ
ップセレクト信号端子を有する、同一の回路構成より成
る複数のメガマクロ群と、 前記メガマクロ群の同機能の出力信号を相互比較する比
較回路と、 前記メガマクロ群の出力信号の切替えを行う第1の切替
回路と、 前記比較回路の出力端子と前記第1の切替回路の出力信
号とを入力し、切替作用を介して、何れか一方の信号を
所定の出力信号として出力する第2の切替回路と、 を備えることを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211216A JPH0493780A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211216A JPH0493780A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0493780A true JPH0493780A (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=16602224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2211216A Pending JPH0493780A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0493780A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5382144A (en) * | 1993-02-23 | 1995-01-17 | Daido Metal Company Ltd. | Oldham ring of scroll type compressor |
-
1990
- 1990-08-09 JP JP2211216A patent/JPH0493780A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5382144A (en) * | 1993-02-23 | 1995-01-17 | Daido Metal Company Ltd. | Oldham ring of scroll type compressor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6861866B2 (en) | System on chip (SOC) and method of testing and/or debugging the system on chip | |
| EP0602973A2 (en) | Mixed signal integrated circuit architecture and test methodology | |
| JPH0691140B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| US6694463B2 (en) | Input/output continuity test mode circuit | |
| US6363505B1 (en) | Programmable control circuit for grounding unused outputs | |
| JPH0493780A (ja) | 半導体集積回路 | |
| KR20040067602A (ko) | 통합 디큐 모드 테스트시 에스디알 또는 디디알 모드로테스트 가능한 반도체 메모리 장치 | |
| CN101111776A (zh) | 半导体集成电路和系统lsi | |
| US5363381A (en) | Integrated circuit device having macro isolation test function | |
| US20040188853A1 (en) | Semiconductor device | |
| US5754561A (en) | Large scale integrated circuit equipped with a normal internal logic testing circuit and unconnected/substandard solder testing circuit | |
| JPS62116271A (ja) | テスト回路 | |
| US20070168799A1 (en) | Dynamically configurable scan chain testing | |
| JPH1038977A (ja) | 統合化集積回路 | |
| JPH02112777A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH04170065A (ja) | 半導体集積回路 | |
| TW202530990A (zh) | 具有記憶體輸出遮蔽機制的記憶體裝置 | |
| JP2874248B2 (ja) | 診断用スキャンパス付き電子回路 | |
| WO2003102963A1 (en) | An integrated circuit having a memory device, and a method of testing such an integrated circuit | |
| JP3868623B2 (ja) | 出力バッファ回路、半導体集積回路、および出力バッファのテスト方法 | |
| JPS59191339A (ja) | テスト容易化回路 | |
| JP2000009800A (ja) | スキャンテスト回路およびそれを備えた半導体装置ならびにスキャンテスト方法 | |
| JPH03115873A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS63236976A (ja) | テスト回路 | |
| JPH0599987A (ja) | テスト回路 |