JPH0493926A - 無電解めっき被膜のパターニング方法及び液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
無電解めっき被膜のパターニング方法及び液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH0493926A JPH0493926A JP20766590A JP20766590A JPH0493926A JP H0493926 A JPH0493926 A JP H0493926A JP 20766590 A JP20766590 A JP 20766590A JP 20766590 A JP20766590 A JP 20766590A JP H0493926 A JPH0493926 A JP H0493926A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/184—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は無電解めっき被膜のパターニング方法及びその
方法によって製造される液晶表示素子の製造方法に関す
る。
方法によって製造される液晶表示素子の製造方法に関す
る。
［従来の技術］
従来無電解めっき方法により基板上に選択的にめっき層
を形成する際は全面に無電解めっきを施し、その上にめ
っき必要な部分を光レジスト剤等のマスク剤で被覆し、
めっき不要な部分はエツチングでめっきを除去すること
により行なうのが通常であった。
を形成する際は全面に無電解めっきを施し、その上にめ
っき必要な部分を光レジスト剤等のマスク剤で被覆し、
めっき不要な部分はエツチングでめっきを除去すること
により行なうのが通常であった。
具体的な例を液晶表示素子等の電気光学装置に使用する
基板の例で説明する。
基板の例で説明する。
液晶表示セル等の基板には、電極として酸化インジウム
や酸化スズあるいは酸化インジウム、錫（ＩＴＯ＋等を
主成分とする透明導電膜が用いられている。この透明導
電膜上に、しばしば半田付けを行なったり、ソケット類
の接続端子として用いる際の、強度の補強や抵抗値の低
減の目的で、該透明導電膜上のリード端子にあたる部分
等の所要部分に金属被膜を形成することが行なわれる。
や酸化スズあるいは酸化インジウム、錫（ＩＴＯ＋等を
主成分とする透明導電膜が用いられている。この透明導
電膜上に、しばしば半田付けを行なったり、ソケット類
の接続端子として用いる際の、強度の補強や抵抗値の低
減の目的で、該透明導電膜上のリード端子にあたる部分
等の所要部分に金属被膜を形成することが行なわれる。
この金属被膜の形成方法として、Ｎｉ陽イオンの原料と
して硫酸ニッケル又は塩化ニッケルを含み、次亜リン酸
塩を還元剤として含むメツキ液にて無電解めっき法によ
り透明電極上にＮ１−Ｐめっき被膜を施す方法や、還元
剤として水素化ホウ素ナトリウムを含むめっき液を用い
、透明導電膜上にＮ１−Ｂめっき被膜を形成する方法が
提案されており、またこれらのめっきの上に更に金めつ
き等の層を形成することも多い。
して硫酸ニッケル又は塩化ニッケルを含み、次亜リン酸
塩を還元剤として含むメツキ液にて無電解めっき法によ
り透明電極上にＮ１−Ｐめっき被膜を施す方法や、還元
剤として水素化ホウ素ナトリウムを含むめっき液を用い
、透明導電膜上にＮ１−Ｂめっき被膜を形成する方法が
提案されており、またこれらのめっきの上に更に金めつ
き等の層を形成することも多い。
これらのめっきを施すときは従来法によれば、まず基板
の透明溝！膜全体の上にＮ１−Ｐ等のめっき被膜を形成
し、本当にめっき被膜の必要なリード端子等にはレジス
ト被膜等のマスク剤をスクリーン印刷、フォトリソグラ
フィー等の方法で形成した後、その他のめっきの不要な
部分のめっきをエツチングにより取り除く。
の透明溝！膜全体の上にＮ１−Ｐ等のめっき被膜を形成
し、本当にめっき被膜の必要なリード端子等にはレジス
ト被膜等のマスク剤をスクリーン印刷、フォトリソグラ
フィー等の方法で形成した後、その他のめっきの不要な
部分のめっきをエツチングにより取り除く。
このような従来のめっき被膜のバターニング方法の代表
例を第２図を参照しながら説明する。
例を第２図を参照しながら説明する。
ｌ）まず基板１上にＩＴＯ膜２を形成する。
２）無電解ＮｉめっきによりＩＴＯ全面にＮｉめっき３
を施す。
を施す。
３）次にＮ１めっき３の必要部分を残すためフォトリソ
グラフィーを下記の手順で行なう。
グラフィーを下記の手順で行なう。
■まずレジスト４を塗布する。
■プリベーク後所定のパターンの露光をする。
■現像をして、めっき不要部分のフォトレジストを除去
する。
する。
■ボストベーク後エツチングをして、めっき不要部分の
めつき被膜を除去する。
めつき被膜を除去する。
■残りのフォトレジスト４を剥離する。
これによりパターン化された無電解Ｎｉめつきが出来上
がる。
がる。
［発明の解決しようとする課題］
従来の全面めっきを行なった後に必要部分を残してめっ
きを除去する方法は、めっき除去の際のマスク形成にお
けるピンホール発生によるめっきピンホール発生、工程
増加に伴うコストアップ等の欠点があった。
きを除去する方法は、めっき除去の際のマスク形成にお
けるピンホール発生によるめっきピンホール発生、工程
増加に伴うコストアップ等の欠点があった。
さらにマスク印刷をスクリーン印刷で行なう場合、スク
リーン印刷の境界部付近にピンホールが発生する等の欠
点があった。
リーン印刷の境界部付近にピンホールが発生する等の欠
点があった。
またマスク印刷をフォトリソグラフィーで行なう場合、
Ｎｉ等の金属表面が酸化することによりマスクとの濡れ
が悪くなり、欠陥が発生する問題点があった。
Ｎｉ等の金属表面が酸化することによりマスクとの濡れ
が悪くなり、欠陥が発生する問題点があった。
［課題を解決するための手段］
本発明は前記の問題点を解決すべくなされたものであり
、基板上にパターン化された無電解めっき被膜を形成す
る方法であって、基板上のめっき不要部にフォトレジス
ト膜を形成し、基板全面に無電解めっき被膜を施し、次
いで、めっき不要部の無電解めっき被膜をフォトレジス
ト膜ごと剥離することを特徴とする無電解めっき被膜の
バターニング方法を提供するものである。
、基板上にパターン化された無電解めっき被膜を形成す
る方法であって、基板上のめっき不要部にフォトレジス
ト膜を形成し、基板全面に無電解めっき被膜を施し、次
いで、めっき不要部の無電解めっき被膜をフォトレジス
ト膜ごと剥離することを特徴とする無電解めっき被膜の
バターニング方法を提供するものである。
本発明における無電解めっき被膜のバターニング方法を
ＩＴＯからなる透明電極上にバターニングされたＮ１め
っき被膜を形成する方法を例にとって、第１図を参照し
ながら説明する。
ＩＴＯからなる透明電極上にバターニングされたＮ１め
っき被膜を形成する方法を例にとって、第１図を参照し
ながら説明する。
■）まず、ＩＴＯ１の付いた基板２にレジスト４を塗布
する。ＩＴＯをバターニングするためのレジストがＩＴ
Ｏを被覆している場合はこれを用いることができる。
する。ＩＴＯをバターニングするためのレジストがＩＴ
Ｏを被覆している場合はこれを用いることができる。
２）フォトマスク５を通してめっき必要部のレジスト４
にのみ選択的にＵＶ照射する。
にのみ選択的にＵＶ照射する。
３）低濃度アルカリ等の現像液でレジストを選択剥離し
てめっき必要部のレジスト４を部分的に除去する。
てめっき必要部のレジスト４を部分的に除去する。
４）めっき必要部に無電解Ｎ１めつき３を施す。
５）その後レジスト上の不要めっきをレジストごと部分
的に現像により除去する。
的に現像により除去する。
これによりパターン化された無電解めっきが出来上がる
。
。
本発明による無電解めっき方法は、様々な応用、利用が
可能である。例えば、液晶表示素子等の電気光学素子用
の基板として用いるためには特に有用なめっき何基板を
得ることができる。
可能である。例えば、液晶表示素子等の電気光学素子用
の基板として用いるためには特に有用なめっき何基板を
得ることができる。
かかる応用においては、通常、ガラス等の基板上に酸化
インジウム錫（Ｉｎ２０３−５ｎＯ□）等の透明導電膜
からなるパターン化された電極が形成され、そのリード
端子部に選択的に導電体膜がめっきにより形成される。
インジウム錫（Ｉｎ２０３−５ｎＯ□）等の透明導電膜
からなるパターン化された電極が形成され、そのリード
端子部に選択的に導電体膜がめっきにより形成される。
かかる導電体の例としてＮ１−ＰめっきやＮ１−Ｐめつ
き上にＮ１−Ｂめつきをさらに形成したもの、或いは、
これらのめっき上に金めつきを形成したもの等が挙げら
れる。
き上にＮ１−Ｂめつきをさらに形成したもの、或いは、
これらのめっき上に金めつきを形成したもの等が挙げら
れる。
金めつきについては二層とすること、特に基板に近い方
から置換型金めっき、自己触媒型金めっきの二層とする
と、簡単に１０００Å以上の金めつき被膜を得られるの
で好ましい。
から置換型金めっき、自己触媒型金めっきの二層とする
と、簡単に１０００Å以上の金めつき被膜を得られるの
で好ましい。
以下、液晶表示素子の基板等の構成について説明する。
液晶表示セルの構成は、基板の上に電極及びカラーフィ
ルターを形成し、更に配向膜を設けて配向膜面を相対向
させて、周辺部をシール材でシールし内側に液晶を封入
したものであり、通常は、セルの両側に偏光膜を配置し
、電極に電圧を印加する手段を設けて使用する。
ルターを形成し、更に配向膜を設けて配向膜面を相対向
させて、周辺部をシール材でシールし内側に液晶を封入
したものであり、通常は、セルの両側に偏光膜を配置し
、電極に電圧を印加する手段を設けて使用する。
この基板としてはガラス、プラスチック等の透明基板が
使用でき、その表面には酸化インジウム錫（ＩＴＯＩ
、 ５ｎ０２等の透明電極が形成されている。もちろん
、この透明電極に低抵抗の金属ノードを併設したり、絶
縁膜等を形成してあっても良い。カラーフィルターは、
必要に応じて設けられ、電極の上に配置しても、電極の
下に配置しても良い。
使用でき、その表面には酸化インジウム錫（ＩＴＯＩ
、 ５ｎ０２等の透明電極が形成されている。もちろん
、この透明電極に低抵抗の金属ノードを併設したり、絶
縁膜等を形成してあっても良い。カラーフィルターは、
必要に応じて設けられ、電極の上に配置しても、電極の
下に配置しても良い。
この電極付き基板の表面には、配向膜が形成されるが、
この配向制御方法としてはポリイミド、ポリアミド、ポ
リビニルアルコール等の有機高分子膜を印刷法やスピン
ナー法で形成し、これをラビングする方法、斜め蒸着法
等公知の配向制御法が使用できる。
この配向制御方法としてはポリイミド、ポリアミド、ポ
リビニルアルコール等の有機高分子膜を印刷法やスピン
ナー法で形成し、これをラビングする方法、斜め蒸着法
等公知の配向制御法が使用できる。
また、この配向膜とセル内面の遮光膜又は電極との間の
絶縁性を向上させる為に、Ｓｉｎｇ。
絶縁性を向上させる為に、Ｓｉｎｇ。
ＴｉＯ□等の絶縁膜な挟持するようにしても良い。
シール材は、通常のエポキシ樹脂、シリコン樹脂等のシ
ール材でよく、通常はその一部に開口部を形成しておき
、セル化して後、その開口部から液晶を注入し、その開
口部を封止すればよい。
ール材でよく、通常はその一部に開口部を形成しておき
、セル化して後、その開口部から液晶を注入し、その開
口部を封止すればよい。
その一対の偏光膜の偏光軸は、通常のネガ型表示の液晶
表示素子の場合と同様にほぼ平行に配置されてもよいし
、通常のポジ型表示の液晶表示素子の場合と同様にほぼ
直交するように配置されても良い。
表示素子の場合と同様にほぼ平行に配置されてもよいし
、通常のポジ型表示の液晶表示素子の場合と同様にほぼ
直交するように配置されても良い。
電極に電圧を印加する駆動手段としては、通常の液晶表
示装置に使用される駆動手段が使用でき、通常しきい値
以上の交流電圧を供給できる駆動手段が用いられる。
示装置に使用される駆動手段が使用でき、通常しきい値
以上の交流電圧を供給できる駆動手段が用いられる。
このような駆動手段を液晶表示セルの基板上の電極に導
電接続する場合、電極のリード端子部にＮ１−Ｐ、 Ｎ
１−Ｂ、金等のめっきを施し強度補強や抵抗値の低減を
行なう。かかるめっきに本発明のめっき方法を適用する
ことはきわめて有効である。
電接続する場合、電極のリード端子部にＮ１−Ｐ、 Ｎ
１−Ｂ、金等のめっきを施し強度補強や抵抗値の低減を
行なう。かかるめっきに本発明のめっき方法を適用する
ことはきわめて有効である。
本発明は本発明の効果を損しない範囲で、Ｎ１めっきに
限らず、種々の応用が可能なものである。
限らず、種々の応用が可能なものである。
［実施例］
実施例１
ソーダガラス上にＩＴＯからなる透明導電膜を膜厚５０
０人に形成した後、フォトプロセスにより所定のパター
ンを持つレジスト剥離前のＩＴＯ基板を得た。この基板
のめつき必要部にのみ部分的にＵＶ照射し、その後低濃
度アルカリにより選択レジスト剥離をしてめっき必要部
のレジストを部分的に除去する。この基板を前処理して
酸処理、増感処理、促進処理を施した。次に次亜リン酸
塩を還元剤しとして含むＮ１−Ｐめっき溶液８０℃に約
２分浸漬し、めっき必要部に膜厚４５００人のＮ１−Ｐ
部分めっきをし、水洗後さらに水素化ホウ素塩を還元剤
として含むＮ１−Ｂめっき溶液６０℃に約３分浸漬し、
めっき必要部に膜厚２５００人のＮ１−Ｂ部分めっきを
施した。その後レジスト上の不要Ｎ１−Ｐめっき及びＮ
１−Ｂめっきをレジストごと選択的に除去し、ブラシ洗
浄、通常洗浄を行なった。これにより変色、ピンホール
の発生や、付着強度、半田濡れ性の問題のないめっき何
基板が得られた。
０人に形成した後、フォトプロセスにより所定のパター
ンを持つレジスト剥離前のＩＴＯ基板を得た。この基板
のめつき必要部にのみ部分的にＵＶ照射し、その後低濃
度アルカリにより選択レジスト剥離をしてめっき必要部
のレジストを部分的に除去する。この基板を前処理して
酸処理、増感処理、促進処理を施した。次に次亜リン酸
塩を還元剤しとして含むＮ１−Ｐめっき溶液８０℃に約
２分浸漬し、めっき必要部に膜厚４５００人のＮ１−Ｐ
部分めっきをし、水洗後さらに水素化ホウ素塩を還元剤
として含むＮ１−Ｂめっき溶液６０℃に約３分浸漬し、
めっき必要部に膜厚２５００人のＮ１−Ｂ部分めっきを
施した。その後レジスト上の不要Ｎ１−Ｐめっき及びＮ
１−Ｂめっきをレジストごと選択的に除去し、ブラシ洗
浄、通常洗浄を行なった。これにより変色、ピンホール
の発生や、付着強度、半田濡れ性の問題のないめっき何
基板が得られた。
［発明の効果］
本発明は無電解めっきの部分化の際に必要とされるマス
ク印刷をスクリーン印刷やフォトリソグラフィーで行な
わずにＵＶ照射、レジストの選択剥離及びめっき不要部
の無電解めっき被膜をフォトレジスト膜ごと剥離するこ
とにより部分無電解めっきを行なうことでピンホール等
の欠陥が発生せずの如き優れた効果を有し、また全体の
工程液によるコストダウンという効果も認められる。
ク印刷をスクリーン印刷やフォトリソグラフィーで行な
わずにＵＶ照射、レジストの選択剥離及びめっき不要部
の無電解めっき被膜をフォトレジスト膜ごと剥離するこ
とにより部分無電解めっきを行なうことでピンホール等
の欠陥が発生せずの如き優れた効果を有し、また全体の
工程液によるコストダウンという効果も認められる。
第１図は本発明の実施例を示す側面図であり、第２図は
従来法の例を示す側面図である。 図において、１はガラス基板、２はＩＴＯ透明導電膜、
３は無電解Ｎｉめつき、４はレジスト、５はフォトマス
クを示している。
従来法の例を示す側面図である。 図において、１はガラス基板、２はＩＴＯ透明導電膜、
３は無電解Ｎｉめつき、４はレジスト、５はフォトマス
クを示している。
Claims (2)
- （１）基板上にパターン化された無電解めっき被膜を形
成する方法であって、 基板上のめっき不要部にフォトレジスト膜を形成し、 基板全面に無電解めっき被膜を施し、 次いで、めっき不要部の無電解めっき被膜をフォトレジ
スト膜ごと剥離することを特徴とする無電解めっき被膜
のパターニング方法。 - （２）少くとも一方はパターン化された金属被膜を有す
る透明導電膜が形成された基板である一対の基板間に液
晶層を挟持してなる液晶表示素子の製造方法において、 基板上に透明導電膜を形成し、 さらに、基板上のめっき不要部にフォトレジスト膜を形
成し、 その上に基板全面に無電解めっきにより金属被膜を形成
し、 次いでめっき不要部の無電解めっき被膜をフォトレジス
ト膜ごと剥離することにより、パターン化された金属被
膜を有する透明導電膜が形成された基板を形成すること
を特徴とする液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2207665A JP2945727B2 (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 無電解めっき被膜のパターニング方法及び液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2207665A JP2945727B2 (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 無電解めっき被膜のパターニング方法及び液晶表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0493926A true JPH0493926A (ja) | 1992-03-26 |
| JP2945727B2 JP2945727B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=16543530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2207665A Expired - Fee Related JP2945727B2 (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 無電解めっき被膜のパターニング方法及び液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2945727B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100470340C (zh) | 2004-12-06 | 2009-03-18 | 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会 | 薄膜晶体管印刷制程方法 |
| CN113795080A (zh) * | 2021-08-18 | 2021-12-14 | 景旺电子科技(珠海)有限公司 | 印刷电路板的表面处理方法及印刷电路板 |
| CN114235622A (zh) * | 2021-12-15 | 2022-03-25 | 生益电子股份有限公司 | 一种半固化片的剥离强度测试图形的制作方法及pcb |
-
1990
- 1990-08-07 JP JP2207665A patent/JP2945727B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100470340C (zh) | 2004-12-06 | 2009-03-18 | 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会 | 薄膜晶体管印刷制程方法 |
| CN113795080A (zh) * | 2021-08-18 | 2021-12-14 | 景旺电子科技(珠海)有限公司 | 印刷电路板的表面处理方法及印刷电路板 |
| CN114235622A (zh) * | 2021-12-15 | 2022-03-25 | 生益电子股份有限公司 | 一种半固化片的剥离强度测试图形的制作方法及pcb |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2945727B2 (ja) | 1999-09-06 |
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