JPH0216529A - 透明電極の低抵抗化方法 - Google Patents
透明電極の低抵抗化方法Info
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- JPH0216529A JPH0216529A JP63168037A JP16803788A JPH0216529A JP H0216529 A JPH0216529 A JP H0216529A JP 63168037 A JP63168037 A JP 63168037A JP 16803788 A JP16803788 A JP 16803788A JP H0216529 A JPH0216529 A JP H0216529A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- transparent electrode
- photoresist
- substrate
- transparent electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶パネル、ＥＬパネル等のガラス基板上に形
成された透明電極の金属アシストによる低抵抗化の方法
に関するものである。
成された透明電極の金属アシストによる低抵抗化の方法
に関するものである。
〔従来の技術ａ
表示素子のパターン密度の増加、駆動周波数の増加によ
り透明電極の低抵抗化が増々望まれている。透明電極は
各種の材料、製膜方法の改善により、２ Ｘ １ （ｆ
”’Ω・α程度が量産的に得られるようになっているが
、低抵抗化に対する要求はさらに厳しくこれより１０％
以下にする必要性がある。
り透明電極の低抵抗化が増々望まれている。透明電極は
各種の材料、製膜方法の改善により、２ Ｘ １ （ｆ
”’Ω・α程度が量産的に得られるようになっているが
、低抵抗化に対する要求はさらに厳しくこれより１０％
以下にする必要性がある。
そのために金属配線を透明電極に重ねて得ようとする試
みがなされている。一般には、パターン化された透明電
極基板上に金属（Ｏｒ、Ｔｉ、Ｎｉ−０ｒ 、Ｎｉ等）
を全面被覆し、フォト法により一部の金属を残す方法が
とられているが、数ミクロン以下の線巾で金属を断線な
く配することは非常に困難であり、又巾広く残すと開口
率がさがり表示全体の暗さをもたらすといった欠点を有
していた。
みがなされている。一般には、パターン化された透明電
極基板上に金属（Ｏｒ、Ｔｉ、Ｎｉ−０ｒ 、Ｎｉ等）
を全面被覆し、フォト法により一部の金属を残す方法が
とられているが、数ミクロン以下の線巾で金属を断線な
く配することは非常に困難であり、又巾広く残すと開口
率がさがり表示全体の暗さをもたらすといった欠点を有
していた。
［発明が解決しようとする課題］
本発明はかかる金属配線上の欠点を解決するための方法
を提供するものであり、透明電極の両側エツジのみを選
択的に金属化することを考え、それを特別なフォトマス
クを必要とすることなく得ることを目的としたものであ
る。
を提供するものであり、透明電極の両側エツジのみを選
択的に金属化することを考え、それを特別なフォトマス
クを必要とすることなく得ることを目的としたものであ
る。
［課題を解決するための手段］
本発明の透明電極の低抵抗化方法は、透明電極の抵抗を
金属被覆により低抵抗化する方法において （ａ）ガラス基板上にパターン化された透明電極を形成
する工程 Ｃｂ）透明電極上にのみ選択的に化学メッキ又は電気メ
ッキにて金属を被覆する工程 （ｃ）ネガ型光レジストにより該金属被覆透明電極基板
表面を被覆する工程 （ｄ）基板の裏側から紫外線を照射し、現像により金属
上の光レジストをストリップする工程（ｔ）ＩＩ出した
金属をエツチング除去する工程（ｆ）残された光レジス
トを全てストリップする工程 （ａ）〜（ｆ）を少なくとも含むことを特徴とする。
金属被覆により低抵抗化する方法において （ａ）ガラス基板上にパターン化された透明電極を形成
する工程 Ｃｂ）透明電極上にのみ選択的に化学メッキ又は電気メ
ッキにて金属を被覆する工程 （ｃ）ネガ型光レジストにより該金属被覆透明電極基板
表面を被覆する工程 （ｄ）基板の裏側から紫外線を照射し、現像により金属
上の光レジストをストリップする工程（ｔ）ＩＩ出した
金属をエツチング除去する工程（ｆ）残された光レジス
トを全てストリップする工程 （ａ）〜（ｆ）を少なくとも含むことを特徴とする。
本発明を第１図を用いて説明する。
第１図（ａ）において１はガラス基板であり、ソーダガ
ラス、ホウクイ酸ガラス、石英ガラス等が用いられ、必
要に応じてＳｉｎ、、Ａｔ、０゜等のパシペイション処
理がなされる。２は透明電極であり、工Ｔｏ、ＡＴＯ，
ＺｎＯ，Ａｔ、Ｏ。
ラス、ホウクイ酸ガラス、石英ガラス等が用いられ、必
要に応じてＳｉｎ、、Ａｔ、０゜等のパシペイション処
理がなされる。２は透明電極であり、工Ｔｏ、ＡＴＯ，
ＺｎＯ，Ａｔ、Ｏ。
等が用いられるが、現在までのところ工ＴＯが最も小い
低抵抗を有しており２ Ｘ ｉ Ｏ−’ΩｍがＭＩＮ値
である。スパッタリング、蒸着、ＰＶＤ等の手段で被覆
され、所定のフォト工程を経て第１図のようにパターニ
ングされる。
低抵抗を有しており２ Ｘ ｉ Ｏ−’ΩｍがＭＩＮ値
である。スパッタリング、蒸着、ＰＶＤ等の手段で被覆
され、所定のフォト工程を経て第１図のようにパターニ
ングされる。
次に工程Ｃｂ）において３は金属であり、透明電極上に
選択的に被覆する手段により形成される。電気メッキ、
化学メッキはその手段であり、特に化学メッキは有効な
手段である。化学メッキにより選択的に透明電極上に金
属化する方法は本発明者らによりすでに知られた手段で
ある。Ｎ１−Ｐ又はＮ ｉ −Ｐ ／ Ａ ｕ 、 Ｍ
ｉ −Ｐ ／ Ｏｕ 、 Ｍ ｉ −Ｐ ／ Ｎ ｉ
−Ｂ ＊ Ｎ ｉ−Ｐ ／ Ｍ ｉ−Ｂ ／ Ａ ｕ等
の単−金属又は積層メッキを用いることができる。複層
メッキの場合は工程（ｆ）後に二層目以後を行なっても
よい。又必要により熱処理等の密着性向上手段を追加す
ることも可能である。
選択的に被覆する手段により形成される。電気メッキ、
化学メッキはその手段であり、特に化学メッキは有効な
手段である。化学メッキにより選択的に透明電極上に金
属化する方法は本発明者らによりすでに知られた手段で
ある。Ｎ１−Ｐ又はＮ ｉ −Ｐ ／ Ａ ｕ 、 Ｍ
ｉ −Ｐ ／ Ｏｕ 、 Ｍ ｉ −Ｐ ／ Ｎ ｉ
−Ｂ ＊ Ｎ ｉ−Ｐ ／ Ｍ ｉ−Ｂ ／ Ａ ｕ等
の単−金属又は積層メッキを用いることができる。複層
メッキの場合は工程（ｆ）後に二層目以後を行なっても
よい。又必要により熱処理等の密着性向上手段を追加す
ることも可能である。
次に工程（ｃ）において４はフォトレジストであり、ネ
ガ型のみが適用でき、スピンコード法。
ガ型のみが適用でき、スピンコード法。
ロールフート法等により被覆される。
次に工程（ｄ）は基板の裏側からＵＶ光を照射する工程
と原像工程を示したものである。本発明の目的からして
平行光線でない方がより望ましい次に工程（ｅ）は露出
した金属のエツチングであり透明電極のエツチングと選
択比の大きなものを選択する必要がある。
と原像工程を示したものである。本発明の目的からして
平行光線でない方がより望ましい次に工程（ｅ）は露出
した金属のエツチングであり透明電極のエツチングと選
択比の大きなものを選択する必要がある。
次に工程（ｆ）はレジストの剥離工程であり、この工程
により透明電極の両エツジが金属化された電極が完成す
る。
により透明電極の両エツジが金属化された電極が完成す
る。
［実施例］
Ｓ１０．パシベイシコンヲ施シた１、２ｍ厚ソーダガラ
ス上に１５００Ｘの工ＴＯをスパッタリングで被覆し所
定の方法でパターニングした。・・・・・・工程（ａ） シート抵抗は１５Ω／口であった。
ス上に１５００Ｘの工ＴＯをスパッタリングで被覆し所
定の方法でパターニングした。・・・・・・工程（ａ） シート抵抗は１５Ω／口であった。
次に基板をｐ ａ ｏ ｔ、 ・Ｓ ｎ Ｏｔ、混合
アクチベーターである日立化成社製Ｈｉ９１０１Ｂに５
分間浸漬し、さらに水洗した。次にカニゼン社製無電解
Ｎ１−ＰメッキＳ−６８０でｓｏｏｏＸｍｔ−Ｐメッキ
した。次に無電解Ｍｉ−Ｂメッキ（奥野製薬製ナイクラ
ッド７０４）を２μメッキした・・・・・・工程（ｂ） 次にロールコータにより電極面にネガ型フォトレジスト
である東京応化製ＯＭＲ−８５を１μ塗布した。・・・
・・・工程（ｃ） 次に基板の裏側から紫外線により露光現像を行なった。
アクチベーターである日立化成社製Ｈｉ９１０１Ｂに５
分間浸漬し、さらに水洗した。次にカニゼン社製無電解
Ｎ１−ＰメッキＳ−６８０でｓｏｏｏＸｍｔ−Ｐメッキ
した。次に無電解Ｍｉ−Ｂメッキ（奥野製薬製ナイクラ
ッド７０４）を２μメッキした・・・・・・工程（ｂ） 次にロールコータにより電極面にネガ型フォトレジスト
である東京応化製ＯＭＲ−８５を１μ塗布した。・・・
・・・工程（ｃ） 次に基板の裏側から紫外線により露光現像を行なった。
・・・・・・工程（ｄ）
次にＨＮＯ，、Ｈ，３０４，０１（，０ＯＯＨから残る
エツチング液でＮ１−Ｂ、Ｎ１−Ｐをエツチング除去し
た。・・・・・・工程（ｄ）次に残されたフォトレジス
トを除去した。・・・・・・工程（ｆ） 体電極として用いられる。
エツチング液でＮ１−Ｂ、Ｎ１−Ｐをエツチング除去し
た。・・・・・・工程（ｄ）次に残されたフォトレジス
トを除去した。・・・・・・工程（ｆ） 体電極として用いられる。
第１図（ａ）〜（ｆ
−を示す基板断面図。
１・・・・・・・・・ガラス基板
２・・・・・・・・・透明電極
３・・・・・・・・・メッキされた金属４・・・・・・
・・・ネガ型フォトレジスト）ｌ’！、本発明のプロセ
スフロ ［発明の効果コ
・・・ネガ型フォトレジスト）ｌ’！、本発明のプロセ
スフロ ［発明の効果コ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明電極の抵抗を金属被覆により低抵抗化する方法にお
いて、 （ａ）ガラス基板上にパターン化された透明電極を形成
する工程 （ｂ）透明電極上にのみ選択的に化学メッキ又は電気メ
ッキにて金属を被覆する工程 （ｃ）ネガ型光レジストにより該金属被覆透明電極基板
表面を被覆する工程 （ｄ）基板の裏側から紫外線を照射し、現像により金属
上の光レジストをストリップする工程 （ｅ）露出した金属をエッチング除去する工程 （ｆ）残された光レジストを全てストリップする工程 （ａ）〜（ｆ）を少なくとも含むことを特徴とする透明
電極の低抵抗化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63168037A JPH0216529A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 透明電極の低抵抗化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63168037A JPH0216529A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 透明電極の低抵抗化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0216529A true JPH0216529A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15860649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63168037A Pending JPH0216529A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 透明電極の低抵抗化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0216529A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997034447A1 (en) * | 1996-03-12 | 1997-09-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display |
| JPH10106751A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Nec Corp | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置の電極構造 |
| WO1999059024A3 (en) * | 1998-05-12 | 2000-01-13 | Minnesota Mining & Mfg | Display substrate electrodes with auxiliary metal layers for enhanced conductivity |
| JP2006162732A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Bridgestone Corp | 情報表示用パネル及び情報表示装置 |
| JP2007065260A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Seiko Epson Corp | 電気泳動装置の製造方法、電気泳動装置、および電子機器 |
| JP2009525583A (ja) * | 2006-01-31 | 2009-07-09 | トーマス・アンド・ベッツ・インターナショナル・インコーポレーテッド | 真空開閉装置 |
-
1988
- 1988-07-05 JP JP63168037A patent/JPH0216529A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997034447A1 (en) * | 1996-03-12 | 1997-09-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display |
| EP1555856A3 (en) * | 1996-03-12 | 2010-09-22 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescence element and organic electroluminescence display device |
| JPH10106751A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Nec Corp | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置の電極構造 |
| WO1999059024A3 (en) * | 1998-05-12 | 2000-01-13 | Minnesota Mining & Mfg | Display substrate electrodes with auxiliary metal layers for enhanced conductivity |
| US6037005A (en) * | 1998-05-12 | 2000-03-14 | 3M Innovative Properties Company | Display substrate electrodes with auxiliary metal layers for enhanced conductivity |
| JP2006162732A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Bridgestone Corp | 情報表示用パネル及び情報表示装置 |
| JP2007065260A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Seiko Epson Corp | 電気泳動装置の製造方法、電気泳動装置、および電子機器 |
| JP2009525583A (ja) * | 2006-01-31 | 2009-07-09 | トーマス・アンド・ベッツ・インターナショナル・インコーポレーテッド | 真空開閉装置 |
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