JPH0493943A - レティクル - Google Patents
レティクルInfo
- Publication number
- JPH0493943A JPH0493943A JP2208526A JP20852690A JPH0493943A JP H0493943 A JPH0493943 A JP H0493943A JP 2208526 A JP2208526 A JP 2208526A JP 20852690 A JP20852690 A JP 20852690A JP H0493943 A JPH0493943 A JP H0493943A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask material
- groove
- mask
- reticule
- edge parts
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレティクルに関し、特に半導体装置の製造工程
において用いられるレティクルに関する。
において用いられるレティクルに関する。
従来、この種のレティクルは、第３図に示すように、ガ
ラス基板ＩＢの片側にスパッタされた金属や金属酸化物
からなるマスク材２Ｂをリソグラフィ技術によりパター
ン形成グして形成していなために、パターンの形成され
た面は平面では無かった。
ラス基板ＩＢの片側にスパッタされた金属や金属酸化物
からなるマスク材２Ｂをリソグラフィ技術によりパター
ン形成グして形成していなために、パターンの形成され
た面は平面では無かった。
上述した従来のレティクルは、パターン形成された面が
平坦となっていないのでレティクルの洗浄、とくにブラ
シスクラブ等でパターンのエツジ部にごみが付着したり
、洗浄回数が多くなるにつれてパターンのエツジ部にか
けが生じ、転写されるパターンの精度が低下するという
欠点がある。
平坦となっていないのでレティクルの洗浄、とくにブラ
シスクラブ等でパターンのエツジ部にごみが付着したり
、洗浄回数が多くなるにつれてパターンのエツジ部にか
けが生じ、転写されるパターンの精度が低下するという
欠点がある。
本発明のレティクルは、透明基板と、この透明基板に埋
め込まれたパターン形成用のマスク材とを含んで構成さ
れる。
め込まれたパターン形成用のマスク材とを含んで構成さ
れる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の第１の実施例の断面図である。
は本発明の第１の実施例の断面図である。
第１図において、ガラス基板１には溝３が形成され、こ
の溝３の中にクロムや酸化クロム等のマスク材２が埋め
込まれてレティクルが構成されている。
の溝３の中にクロムや酸化クロム等のマスク材２が埋め
込まれてレティクルが構成されている。
このレティクルの形成は、ガラス基板１上にフォトレジ
ストからなるマスクを形成し、このマスクを用いてガラ
ス基板１をエツチングして？１！３を形成したのち、そ
のままの状態でマスク材２をバイアススパッタリング法
にて堆積させて溝を埋め、次でマスクをはくすすること
により不要のマスク材を除去する方法を用いる。
ストからなるマスクを形成し、このマスクを用いてガラ
ス基板１をエツチングして？１！３を形成したのち、そ
のままの状態でマスク材２をバイアススパッタリング法
にて堆積させて溝を埋め、次でマスクをはくすすること
により不要のマスク材を除去する方法を用いる。
このように構成された第１の実施例によれば、渭３内に
マスク材２が埋め込まれているため、洗浄によってマス
ク材２からなるパターンのエツジ部にごみが付着したり
、エツジ部がかけたりすることはない。
マスク材２が埋め込まれているため、洗浄によってマス
ク材２からなるパターンのエツジ部にごみが付着したり
、エツジ部がかけたりすることはない。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
この第２の実施例では、パターンを構成するマスク材２
Ａがガラス基板ＩＡ内に完全に埋め込まれているもので
あり、第１の実施例と同様の効果を有する他に、レティ
クル表面に付着したごみや汚れ等が露光の際デフォーカ
スとなり、ペリクルと同様な効果をもならすという利点
がある。
Ａがガラス基板ＩＡ内に完全に埋め込まれているもので
あり、第１の実施例と同様の効果を有する他に、レティ
クル表面に付着したごみや汚れ等が露光の際デフォーカ
スとなり、ペリクルと同様な効果をもならすという利点
がある。
この第２の実施例を形成するには、例えば第１の実施例
と同様にガラス基板ＩＡに溝を形成し、この溝の中にマ
スク材２Ａを埋め込んだのち、このマスク材２Ａの表面
にＳｉ膜４を気相成長させればよい。Ｓｉ膜４が厚すぎ
たり完全に平坦面とならない場合は、Ｓｉ膜４をラッピ
ングして調整する。
と同様にガラス基板ＩＡに溝を形成し、この溝の中にマ
スク材２Ａを埋め込んだのち、このマスク材２Ａの表面
にＳｉ膜４を気相成長させればよい。Ｓｉ膜４が厚すぎ
たり完全に平坦面とならない場合は、Ｓｉ膜４をラッピ
ングして調整する。
以上説明したように本発明は、透明基板にマスク材を埋
め込んでレティクルの両面を平坦化することにより、パ
ターンのエツジ部に付着するごみや汚れを防止出来ると
共に、エツジ部のがけをなくすことができるため、リソ
グラフィ工程における露光の際のウェハー上に転写され
るパターン欠陥を無すことが出来るという効果がある。
め込んでレティクルの両面を平坦化することにより、パ
ターンのエツジ部に付着するごみや汚れを防止出来ると
共に、エツジ部のがけをなくすことができるため、リソ
グラフィ工程における露光の際のウェハー上に転写され
るパターン欠陥を無すことが出来るという効果がある。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第１の実施例の断
面図、第３図は従来例の断面図である。 １．１Ａ、ＩＢ・・・ガラス基板、２．２Ａ、２Ｂ・・
・マスク材、３・・・溝、４・・・Ｓｉ膜。
面図、第３図は従来例の断面図である。 １．１Ａ、ＩＢ・・・ガラス基板、２．２Ａ、２Ｂ・・
・マスク材、３・・・溝、４・・・Ｓｉ膜。
Claims (1)
- 透明基板と、この透明基板に埋め込まれたパターン形
成用のマスク材とを含むことを特徴とするレティクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208526A JPH0493943A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | レティクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208526A JPH0493943A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | レティクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0493943A true JPH0493943A (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=16557646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2208526A Pending JPH0493943A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | レティクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0493943A (ja) |
-
1990
- 1990-08-07 JP JP2208526A patent/JPH0493943A/ja active Pending
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