JPH05265179A - フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
フォトマスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05265179A JPH05265179A JP6076692A JP6076692A JPH05265179A JP H05265179 A JPH05265179 A JP H05265179A JP 6076692 A JP6076692 A JP 6076692A JP 6076692 A JP6076692 A JP 6076692A JP H05265179 A JPH05265179 A JP H05265179A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- light
- shielding film
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトマスク（レチクルを含む。以下同様）
の構造及び製造方法に関し、フォトマスクの透光部への
塵埃の付着を減らすことを目的とする。 【構成】 遮光膜パターン３上にガラス膜パターン７を
積層した構造とする。透明基板１表面に遮光膜パターン
３が埋没するようにネガ型レジストを塗布し、これを透
明基板１裏面側から露光したのち現像して遮光膜パター
ン３上のレジストを除去し、次に遮光膜パターン３と残
されたレジスト（レジストパターン５）の上にSiO2（ガ
ラス膜６）を被着したのち、リフトオフ法によりガラス
膜６のレジストパターン５直上部分をレジストパターン
５と共に除去する方法で、遮光膜パターン３上にガラス
膜パターン７を形成する。
の構造及び製造方法に関し、フォトマスクの透光部への
塵埃の付着を減らすことを目的とする。 【構成】 遮光膜パターン３上にガラス膜パターン７を
積層した構造とする。透明基板１表面に遮光膜パターン
３が埋没するようにネガ型レジストを塗布し、これを透
明基板１裏面側から露光したのち現像して遮光膜パター
ン３上のレジストを除去し、次に遮光膜パターン３と残
されたレジスト（レジストパターン５）の上にSiO2（ガ
ラス膜６）を被着したのち、リフトオフ法によりガラス
膜６のレジストパターン５直上部分をレジストパターン
５と共に除去する方法で、遮光膜パターン３上にガラス
膜パターン７を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造等に使
用するフォトマスク（レチクルを含む。以下同様）の構
造及び製造方法に関する。
用するフォトマスク（レチクルを含む。以下同様）の構
造及び製造方法に関する。
【０００２】半導体装置の製造においてはフォトマスク
のパターンをウェーハに転写する工程が繰り返される。
近年、半導体装置は高密度・高集積化の要求に対応して
パターンの微細化が進行しているため、フォトマスク上
に付着した微小な塵埃でも転写パターンに欠陥を生じる
ことが多くなって来た。そのためフォトマスクへの塵埃
付着を極力防止する必要がある。
のパターンをウェーハに転写する工程が繰り返される。
近年、半導体装置は高密度・高集積化の要求に対応して
パターンの微細化が進行しているため、フォトマスク上
に付着した微小な塵埃でも転写パターンに欠陥を生じる
ことが多くなって来た。そのためフォトマスクへの塵埃
付着を極力防止する必要がある。
【０００３】
【従来の技術】従来のフォトマスクは、石英ガラス等の
透明基板の片面にクロム( Cr )等の金属や金属酸化物等
のマスクパターンを形成したものであった。
透明基板の片面にクロム( Cr )等の金属や金属酸化物等
のマスクパターンを形成したものであった。
【０００４】このような従来のフォトマスクの製造方法
は、先ず透明基板の片面全面に遮光膜が被着されたマス
クブランクの遮光膜上にレジストを塗布してこれを電子
ビーム露光法等によりパターニングし、次にこのレジス
トパターンをエッチングマスクとして遮光膜をエッチン
グしてマスクパターンを形成し、その後レジストパター
ンを除去するものであった。
は、先ず透明基板の片面全面に遮光膜が被着されたマス
クブランクの遮光膜上にレジストを塗布してこれを電子
ビーム露光法等によりパターニングし、次にこのレジス
トパターンをエッチングマスクとして遮光膜をエッチン
グしてマスクパターンを形成し、その後レジストパター
ンを除去するものであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】フォトマスクは通常、
一枚で大量のウェーハを露光するから、フォトマスクの
透光部に塵埃が付着していると、大量のウェーハの転写
パターンに欠陥を生じるそれがある。そのため、フォト
マスクは使用前に洗浄を行う。ところが、従来のフォト
マスクでは、洗浄を行っても、しばしば塵埃による転写
パターンの欠陥が生じる、という問題があった。これ
は、フォトマスクの洗浄が透明基板（ガラス）の洗浄に
最適の方法で行われるため、マスクパターン（金属）の
洗浄が充分でなく、マスクパターン上に残った塵埃がそ
の後のハンドリング時等に透光部（透明基板上）に移動
することによると考えられる。
一枚で大量のウェーハを露光するから、フォトマスクの
透光部に塵埃が付着していると、大量のウェーハの転写
パターンに欠陥を生じるそれがある。そのため、フォト
マスクは使用前に洗浄を行う。ところが、従来のフォト
マスクでは、洗浄を行っても、しばしば塵埃による転写
パターンの欠陥が生じる、という問題があった。これ
は、フォトマスクの洗浄が透明基板（ガラス）の洗浄に
最適の方法で行われるため、マスクパターン（金属）の
洗浄が充分でなく、マスクパターン上に残った塵埃がそ
の後のハンドリング時等に透光部（透明基板上）に移動
することによると考えられる。
【０００６】本発明はこのような問題を解決して、フォ
トマスク透光部への塵埃の付着を減らすことが可能なフ
ォトマスクとその製造方法を提供することを目的とす
る。
トマスク透光部への塵埃の付着を減らすことが可能なフ
ォトマスクとその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
れば、[1] 透明基板と該透明基板上に形成された遮光膜
パターンと該遮光膜パターン上に積層されたガラス膜パ
ターンとを有することを特徴とするフォトマスクとする
ことで、[2] 透明基板の片面に被着された遮光膜をパタ
ーニングして遮光膜パターンを形成する工程と、該遮光
膜パターンが埋没するように該透明基板の片面にネガ型
レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、該レ
ジスト膜を該透明基板を介して露光したのち現像して該
遮光膜パターン上のレジストを除去してレジストパター
ンを形成する工程と、該遮光膜パターン及び該レジスト
パターンの上にガラス膜を形成する工程と、リフトオフ
法により該ガラス膜の該レジストパターン直上部分を該
レジストパターンと共に除去して該遮光膜パターン上に
ガラス膜パターンを形成する工程とを有することを特徴
とするフォトマスクの製造方法とすることで、達成され
る。
れば、[1] 透明基板と該透明基板上に形成された遮光膜
パターンと該遮光膜パターン上に積層されたガラス膜パ
ターンとを有することを特徴とするフォトマスクとする
ことで、[2] 透明基板の片面に被着された遮光膜をパタ
ーニングして遮光膜パターンを形成する工程と、該遮光
膜パターンが埋没するように該透明基板の片面にネガ型
レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、該レ
ジスト膜を該透明基板を介して露光したのち現像して該
遮光膜パターン上のレジストを除去してレジストパター
ンを形成する工程と、該遮光膜パターン及び該レジスト
パターンの上にガラス膜を形成する工程と、リフトオフ
法により該ガラス膜の該レジストパターン直上部分を該
レジストパターンと共に除去して該遮光膜パターン上に
ガラス膜パターンを形成する工程とを有することを特徴
とするフォトマスクの製造方法とすることで、達成され
る。
【０００８】
【作用】従来のフォトマスクの表面はガラス部分（透明
基板）と金属部分（マスクパターン）からなっていた
が、本発明では金属部分の表面が二酸化シリコン( SiO2
)又はガラスで覆われているから、本発明のフォトマス
クの表面はガラス部分と二酸化シリコン又はガラスの部
分からなることになる。ガラスの主成分は二酸化シリコ
ンであるから、フォトマスクの洗浄が透明基板の洗浄に
最適の方法で行われれば、フォトマスク全面が一様に洗
浄される。従って、ガラス膜パターン上から透光部へ移
動する塵埃は極めて少なくなる。
基板）と金属部分（マスクパターン）からなっていた
が、本発明では金属部分の表面が二酸化シリコン( SiO2
)又はガラスで覆われているから、本発明のフォトマス
クの表面はガラス部分と二酸化シリコン又はガラスの部
分からなることになる。ガラスの主成分は二酸化シリコ
ンであるから、フォトマスクの洗浄が透明基板の洗浄に
最適の方法で行われれば、フォトマスク全面が一様に洗
浄される。従って、ガラス膜パターン上から透光部へ移
動する塵埃は極めて少なくなる。
【０００９】
【実施例】本発明に係るフォトマスク及びその製造方法
の実施例を図１を参照しながら説明する。図１は本発明
の実施例の説明図であり、 (a)〜(f) は製造工程をこの
順に示しており、いずれも断面図である。
の実施例を図１を参照しながら説明する。図１は本発明
の実施例の説明図であり、 (a)〜(f) は製造工程をこの
順に示しており、いずれも断面図である。
【００１０】先ず石英ガラス製の透明基板１の片面全面
にクロムの遮光膜２を被着したマスクブランク（図１
(a) 参照）の遮光膜２をリソグラフィー法でパターニン
グしてマスクパターン（遮光膜パターン）３を形成する
（図１(b) 参照）。ここまでは従来の技術と同じであ
る。次にこのマスクパターン３が埋没するようにネガ型
レジストを透明基板１の片面全面に塗布してレジスト膜
４を形成する（図１(c) 参照）。このレジスト膜４を透
明基板１の裏面側から紫外線露光した後、現像してマス
クパターン３上のレジスト（即ち未露光のレジスト）を
除去し、マスクパターン３の間を埋めるレジストパター
ン５を形成する（図１(d) 参照）。
にクロムの遮光膜２を被着したマスクブランク（図１
(a) 参照）の遮光膜２をリソグラフィー法でパターニン
グしてマスクパターン（遮光膜パターン）３を形成する
（図１(b) 参照）。ここまでは従来の技術と同じであ
る。次にこのマスクパターン３が埋没するようにネガ型
レジストを透明基板１の片面全面に塗布してレジスト膜
４を形成する（図１(c) 参照）。このレジスト膜４を透
明基板１の裏面側から紫外線露光した後、現像してマス
クパターン３上のレジスト（即ち未露光のレジスト）を
除去し、マスクパターン３の間を埋めるレジストパター
ン５を形成する（図１(d) 参照）。
【００１１】次にこのマスクパターン３とレジストパタ
ーン５の上にスパッタリング法等により厚さ約1000Åの
二酸化シリコン( SiO2 )を被着してガラス膜６を形成
（図１(e) 参照）した後、リフトオフ法によりレジスト
パターン５とその直上のガラス膜６を除去し、マスクパ
ターン３上にガラス膜パターン７を形成する。その結
果、従来のフォトマスクのマスクパターン３の表面をガ
ラス膜パターン７が覆うフォトマスクが得られる（図１
(f) 参照）。
ーン５の上にスパッタリング法等により厚さ約1000Åの
二酸化シリコン( SiO2 )を被着してガラス膜６を形成
（図１(e) 参照）した後、リフトオフ法によりレジスト
パターン５とその直上のガラス膜６を除去し、マスクパ
ターン３上にガラス膜パターン７を形成する。その結
果、従来のフォトマスクのマスクパターン３の表面をガ
ラス膜パターン７が覆うフォトマスクが得られる（図１
(f) 参照）。
【００１２】このようにして得られたフォトマスクを硫
酸と過酸化水素水との混液で洗浄した結果、ガラス膜パ
ターン７上の塵埃数は、従来のフォトマスクにおけるク
ロムのマスクパターン３上の場合の半分以下であった。
酸と過酸化水素水との混液で洗浄した結果、ガラス膜パ
ターン７上の塵埃数は、従来のフォトマスクにおけるク
ロムのマスクパターン３上の場合の半分以下であった。
【００１３】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施することが出来る。例えば、
ガラス膜６をスパッタリング法により被着する二酸化シ
リコンに代えてＳＯＧ (Spin on Glass)としても、本発
明は有効である。
く、更に種々変形して実施することが出来る。例えば、
ガラス膜６をスパッタリング法により被着する二酸化シ
リコンに代えてＳＯＧ (Spin on Glass)としても、本発
明は有効である。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
透光部への塵埃の付着を減らすことが可能なフォトマス
ク及びその製造方法を提供することが出来、半導体装置
製造における歩留り向上等に寄与する。
透光部への塵埃の付着を減らすことが可能なフォトマス
ク及びその製造方法を提供することが出来、半導体装置
製造における歩留り向上等に寄与する。
【図１】 本発明の実施例の説明図である。
１ 透明基板 ２ 遮光膜 ３ 遮光膜パターン（マスクパターン） ４ レジスト膜 ５ レジストパターン ６ ガラス膜 ７ ガラス膜パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板(1) と該透明基板(1) 上に形成
された遮光膜パターン(3) と該遮光膜パターン(3) 上に
積層されたガラス膜パターン(7) とを有することを特徴
とするフォトマスク。 - 【請求項２】 透明基板(1) の片面に被着された遮光膜
(2) をパターニングして遮光膜パターン(3) を形成する
工程と、 該遮光膜パターン(3) が埋没するように該透明基板(1)
の片面にネガ型レジストを塗布してレジスト膜(4) を形
成する工程と、 該レジスト膜(4) を該透明基板(1) を介して露光したの
ち現像して該遮光膜パターン(3) 上のレジストを除去
し、レジストパターン(5) を形成する工程と、 該遮光膜パターン(3) 及び該レジストパターン(5) の上
にガラス膜(6) を形成する工程と、 リフトオフ法により該ガラス膜(6) の該レジストパター
ン(5) 直上部分を該レジストパターン(5) と共に除去
し、該遮光膜パターン(3) 上にガラス膜パターン(7) を
形成する工程とを有することを特徴とするフォトマスク
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6076692A JPH05265179A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | フォトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6076692A JPH05265179A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | フォトマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05265179A true JPH05265179A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13151732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6076692A Withdrawn JPH05265179A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | フォトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05265179A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006047539A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP6076692A patent/JPH05265179A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006047539A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |