JPH0496346A - ウェットエッチング装置 - Google Patents
ウェットエッチング装置Info
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- JPH0496346A JPH0496346A JP21385890A JP21385890A JPH0496346A JP H0496346 A JPH0496346 A JP H0496346A JP 21385890 A JP21385890 A JP 21385890A JP 21385890 A JP21385890 A JP 21385890A JP H0496346 A JPH0496346 A JP H0496346A
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Landscapes
- Weting (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ウェーハに形成されたポリシリ層あるいはア
ルミニウム層等をフッ酸及びリン酸、硝酸の混合液でエ
ツチングするウェットエツチング装置に関する。
ルミニウム層等をフッ酸及びリン酸、硝酸の混合液でエ
ツチングするウェットエツチング装置に関する。
第３図は従来のウェットエツチング装置の一例の概略を
示すブロック図である。従来、この種のウェットエツチ
ング装置は、例えば、第３図に示すように、ウェーハ・
をエツチング液で処理する処理槽１と、処理されたウェ
ーハを水洗する水洗槽１１と、処理槽１にエツチング液
を供給する薬液貯槽タンク８と、薬液貯槽タンク８にエ
ツチング液を補充する薬液供給タンクと、処理槽１内に
あってエツチング液をウェーハに噴射させるスプレーノ
ズル２と、同じく処理層１内にあってエツチング度合を
検出するエツチングポイントセンサ１２とを有していた
。
示すブロック図である。従来、この種のウェットエツチ
ング装置は、例えば、第３図に示すように、ウェーハ・
をエツチング液で処理する処理槽１と、処理されたウェ
ーハを水洗する水洗槽１１と、処理槽１にエツチング液
を供給する薬液貯槽タンク８と、薬液貯槽タンク８にエ
ツチング液を補充する薬液供給タンクと、処理槽１内に
あってエツチング液をウェーハに噴射させるスプレーノ
ズル２と、同じく処理層１内にあってエツチング度合を
検出するエツチングポイントセンサ１２とを有していた
。
このウェットエツチング装置の動作は、まず、エツチン
グしようとする半導体基板を処理槽１内に入れ、スプレ
ーノズル２でエツチング液を半導体基板に噴射させ、エ
ツチングを開始する０次に、エンドポイントセンサ１２
でエツチング度合を検知し、エツチングを終了させる。
グしようとする半導体基板を処理槽１内に入れ、スプレ
ーノズル２でエツチング液を半導体基板に噴射させ、エ
ツチングを開始する０次に、エンドポイントセンサ１２
でエツチング度合を検知し、エツチングを終了させる。
次に、水洗槽１１に半導体基板を移し、水洗する。ここ
で、スプレーノズル２より供給された薬液は、処理槽１
内から配管を介して、薬液貯槽タンク８内に溜められる
。そして薬液貯槽タンク８内の薬液は、再び、配管を介
してスプレーノズル２に供給される。また、エツチング
液である薬液の量が減少したり、薬液の性質が劣化する
ときは、定量下限センサ３が反応し、薬液が自動的に薬
液供給タンク６から薬液貯槽タンク８に補充され、薬液
が充たされ、定量上限センサ４が反応すると、薬液供給
を停止する。
で、スプレーノズル２より供給された薬液は、処理槽１
内から配管を介して、薬液貯槽タンク８内に溜められる
。そして薬液貯槽タンク８内の薬液は、再び、配管を介
してスプレーノズル２に供給される。また、エツチング
液である薬液の量が減少したり、薬液の性質が劣化する
ときは、定量下限センサ３が反応し、薬液が自動的に薬
液供給タンク６から薬液貯槽タンク８に補充され、薬液
が充たされ、定量上限センサ４が反応すると、薬液供給
を停止する。
一方、薬液の劣化に関する判断基準は、次の項目により
判定していた。
判定していた。
１、エツチング時間が規格はずれになるとき、２、エツ
チング後、被加工物である半導体基板の表面を顕微鏡に
て観察し、ポリシリコン層あるいはアルミニウム層のエ
ツチング残りが認められるとき、 これら２つの判定基準のいずれかに該当したとき、排液
バルブ５を開き、薬液貯槽タンク８の使用していた薬液
を廃液していた。
チング後、被加工物である半導体基板の表面を顕微鏡に
て観察し、ポリシリコン層あるいはアルミニウム層のエ
ツチング残りが認められるとき、 これら２つの判定基準のいずれかに該当したとき、排液
バルブ５を開き、薬液貯槽タンク８の使用していた薬液
を廃液していた。
しかしながら、上述した従来のウェットエツチング装置
では、エンドポイントセンサでエツチング度合を観察し
て、エツチングが完了したが否がを判定するのみで、エ
ツチングレートを定量的に把握するわけでないため、エ
ツチング液である薬液が劣化しているか否かを正確に判
定することが困難である。このため、エツチング時間が
一定でなくエツチング面が不均一なるという欠点がある
。
では、エンドポイントセンサでエツチング度合を観察し
て、エツチングが完了したが否がを判定するのみで、エ
ツチングレートを定量的に把握するわけでないため、エ
ツチング液である薬液が劣化しているか否かを正確に判
定することが困難である。このため、エツチング時間が
一定でなくエツチング面が不均一なるという欠点がある
。
本発明の目的は、かがる欠点を解消するウェットエツチ
ング装置を提供することである。
ング装置を提供することである。
本発明のウェットエツチング装置は、エツチングされる
べき膜が形成された半導体基板を収納する処理槽と、前
記半導体基板にエツチング薬液を噴射させるスプレーノ
ズルと、前記半導体基板のエツチング完了を検知するエ
ンドポイントセンサと、前記エツチング薬液を溜める薬
液貯槽タンクとを有するウェットエツチング装置におい
て、前記膜と同質の膜が形成される抵抗体と、この抵抗
体の抵抗値を測定する抵抗測定器とを備え、前記半導体
基板と前記抵抗体をエツチングし、このときの前記抵抗
体の抵抗値の変化を測定し、この変化量を演算し、エツ
チング速度を算出し、前記エツチング液の効力を監視す
ることを特徴としている。
べき膜が形成された半導体基板を収納する処理槽と、前
記半導体基板にエツチング薬液を噴射させるスプレーノ
ズルと、前記半導体基板のエツチング完了を検知するエ
ンドポイントセンサと、前記エツチング薬液を溜める薬
液貯槽タンクとを有するウェットエツチング装置におい
て、前記膜と同質の膜が形成される抵抗体と、この抵抗
体の抵抗値を測定する抵抗測定器とを備え、前記半導体
基板と前記抵抗体をエツチングし、このときの前記抵抗
体の抵抗値の変化を測定し、この変化量を演算し、エツ
チング速度を算出し、前記エツチング液の効力を監視す
ることを特徴としている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すウェットエツチング装
置のブロック図である。このウェットエツチング装置は
、同図に示すように、エツチングされる半導体基板の層
と同質材質で形成された抵抗体９と、この抵抗体９の抵
抗値を随時測定する抵抗測定器１０と、この抵抗測定器
１０の信号により排液バルブ５ａと給液バルブ７ａの開
閉を制御するバルブ制御部１３とを設けたことである。
置のブロック図である。このウェットエツチング装置は
、同図に示すように、エツチングされる半導体基板の層
と同質材質で形成された抵抗体９と、この抵抗体９の抵
抗値を随時測定する抵抗測定器１０と、この抵抗測定器
１０の信号により排液バルブ５ａと給液バルブ７ａの開
閉を制御するバルブ制御部１３とを設けたことである。
それ以外は、従来と同じである。
抵抗体９は、被エツチング物である半導体基板と同質の
基板であって、その基板表面には、エツチングされる膜
と同質の膜が形成されている０例えば、半導体基板に形
成されたポリシリコン層をエツチング液する場合は、こ
の抵抗体９の基板上にはポリシリコン層が厚めに形成さ
れている。また、アルミニウム層をエツチングされる場
合は、同じ材質のアルミニウム層が形成されている。そ
して、この抵抗体９は、スプレーノズル２で薬液を噴射
され、抵抗体９の形成層が、被エツチング物のエツチン
グされる層と同時にエツチングされ、抵抗体９の抵抗値
の変化割合を測定し、エツチング速度をモニタリングす
ることである。
基板であって、その基板表面には、エツチングされる膜
と同質の膜が形成されている０例えば、半導体基板に形
成されたポリシリコン層をエツチング液する場合は、こ
の抵抗体９の基板上にはポリシリコン層が厚めに形成さ
れている。また、アルミニウム層をエツチングされる場
合は、同じ材質のアルミニウム層が形成されている。そ
して、この抵抗体９は、スプレーノズル２で薬液を噴射
され、抵抗体９の形成層が、被エツチング物のエツチン
グされる層と同時にエツチングされ、抵抗体９の抵抗値
の変化割合を測定し、エツチング速度をモニタリングす
ることである。
第２図は第１図のウェットエツチング装置の動作を説明
するための流れ図である。次に、このウェットエツチン
グ装置の動作を説明する。まず被エツチング物であるポ
リシリコン層が形成された半導体基板を処置槽１内に収
納する。これと同時に、半導体基板に厚めにポリシリコ
ン層が形成された抵抗体９を装填する。次に、動作Ａで
、エツチングを開始する０次に、動作Ｂで抵抗体９の抵
抗値を抵抗測定器１０で連続的に測定し、図示していな
いＣＰＵで演算し、エツチング速度を計算する。次に、
判定動作Ｑで、算出されたエツチング速度と別に設定さ
れたエツチング基準速度と比較する。もし、このエツチ
ング速度が基準以上すなわちＮｏなら、動作りでエツチ
ングを接続する。次に、判定動作Ｅで、エンドポイント
センサのエツチング度合を検出する。ここでＹＥＳなら
、エツチングを終了する。
するための流れ図である。次に、このウェットエツチン
グ装置の動作を説明する。まず被エツチング物であるポ
リシリコン層が形成された半導体基板を処置槽１内に収
納する。これと同時に、半導体基板に厚めにポリシリコ
ン層が形成された抵抗体９を装填する。次に、動作Ａで
、エツチングを開始する０次に、動作Ｂで抵抗体９の抵
抗値を抵抗測定器１０で連続的に測定し、図示していな
いＣＰＵで演算し、エツチング速度を計算する。次に、
判定動作Ｑで、算出されたエツチング速度と別に設定さ
れたエツチング基準速度と比較する。もし、このエツチ
ング速度が基準以上すなわちＮｏなら、動作りでエツチ
ングを接続する。次に、判定動作Ｅで、エンドポイント
センサのエツチング度合を検出する。ここでＹＥＳなら
、エツチングを終了する。
また、もし判定動作Ｃで、ＹＥＳなら、動作Ｆで、バル
ブ制御部１３より排液バルブ５ａを開き、薬液貯槽タン
ク８の薬液を排出し、再び、排液バルブ５ａを閉じ、給
液バルブを開き、新しい薬液を入れ換える。次に、再び
、動作Ａでエツチングを開始する。
ブ制御部１３より排液バルブ５ａを開き、薬液貯槽タン
ク８の薬液を排出し、再び、排液バルブ５ａを閉じ、給
液バルブを開き、新しい薬液を入れ換える。次に、再び
、動作Ａでエツチングを開始する。
さらに、判定動作ＥでＮｏなら、動作Ｂを行い、エツチ
ングを持続する。このように、本ウェット エツチング
装置では、エツチングレートを監視し、その変化に応じ
てエツチング薬液の交換を自動的に行う。
ングを持続する。このように、本ウェット エツチング
装置では、エツチングレートを監視し、その変化に応じ
てエツチング薬液の交換を自動的に行う。
以上説明したように本発明は、エツチング物される被加
工物の膜材質と同じ材質の膜が形成された抵抗体を処理
槽内に設け、この抵抗体がエツチングされるときの抵抗
体の膜抵抗を測定し、エツチング速度をモニタリングす
ることによって、常にエツチング薬液の効力を測定出来
るので、より短時間で、均一にエツチング出来るウェッ
トエッチングン装置が得られるという効果がある。
工物の膜材質と同じ材質の膜が形成された抵抗体を処理
槽内に設け、この抵抗体がエツチングされるときの抵抗
体の膜抵抗を測定し、エツチング速度をモニタリングす
ることによって、常にエツチング薬液の効力を測定出来
るので、より短時間で、均一にエツチング出来るウェッ
トエッチングン装置が得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すウェットエツチング装
置のブロック図、第２図は第１図のウェットの動作を説
明するための流れ図、第３図は従来の一例を示すウェッ
トエツチング装置のブロック図である。 １・・・処理槽、２・・・スプレーノズル、３・・・容
量下限センサ、４・・・容量上限センサ、５，５ａ・・
・排液バルブ、６・・・薬液供給タンク、７，７ａ・・
・薬液供給タンク、８・・・薬液貯槽タンク、９・・・
抵抗体、１０・・・抵抗測定器、１１・・・水洗槽、１
２・・・エンドポイントセンサ、１３・・・バルブ制御
部。
置のブロック図、第２図は第１図のウェットの動作を説
明するための流れ図、第３図は従来の一例を示すウェッ
トエツチング装置のブロック図である。 １・・・処理槽、２・・・スプレーノズル、３・・・容
量下限センサ、４・・・容量上限センサ、５，５ａ・・
・排液バルブ、６・・・薬液供給タンク、７，７ａ・・
・薬液供給タンク、８・・・薬液貯槽タンク、９・・・
抵抗体、１０・・・抵抗測定器、１１・・・水洗槽、１
２・・・エンドポイントセンサ、１３・・・バルブ制御
部。
Claims (1)
- エッチングされるべき膜が形成された半導体基板を収
納する処理槽と、前記半導体基板にエッチング薬液を噴
射させるスプレーノズルと、前記半導体基板のエッチン
グ完了を検知するエンドポイントセンサと、前記エッチ
ング薬液を溜める薬液貯槽タンクとを有するウェットエ
ッチング装置において、前記膜と同質の膜が形成される
抵抗体と、この抵抗体の抵抗値を測定する抵抗測定器と
を備え、前記半導体基板と前記抵抗体をエッチングし、
このときの前記抵抗体の抵抗値の変化を測定し、この変
化量を演算し、エッチング速度を算出し、前記エッチン
グ液の効力を監視することを特徴とするウェットエッチ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02213858A JP3128812B2 (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | ウェットエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02213858A JP3128812B2 (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | ウェットエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0496346A true JPH0496346A (ja) | 1992-03-27 |
| JP3128812B2 JP3128812B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=16646187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02213858A Expired - Fee Related JP3128812B2 (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | ウェットエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3128812B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5456788A (en) * | 1994-06-30 | 1995-10-10 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for contactless real-time in-situ monitoring of a chemical etching process |
| US5480511A (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Method for contactless real-time in-situ monitoring of a chemical etching process |
| US5489361A (en) * | 1994-06-30 | 1996-02-06 | International Business Machines Corporation | Measuring film etching uniformity during a chemical etching process |
| US5500073A (en) * | 1994-06-30 | 1996-03-19 | International Business Machines Corporation | Real time measurement of etch rate during a chemical etching process |
| US5501766A (en) * | 1994-06-30 | 1996-03-26 | International Business Machines Corporation | Minimizing overetch during a chemical etching process |
| US5516399A (en) * | 1994-06-30 | 1996-05-14 | International Business Machines Corporation | Contactless real-time in-situ monitoring of a chemical etching |
| US5573624A (en) * | 1992-12-04 | 1996-11-12 | International Business Machines Corporation | Chemical etch monitor for measuring film etching uniformity during a chemical etching process |
| US5788801A (en) * | 1992-12-04 | 1998-08-04 | International Business Machines Corporation | Real time measurement of etch rate during a chemical etching process |
| US7208065B2 (en) * | 2002-12-17 | 2007-04-24 | Industrial Technology Research Institute | Structure for measuring the etching speed |
| JP2015050321A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | 凸版印刷株式会社 | エッチング液分析装置およびエッチング液分析方法 |
| CN111564366A (zh) * | 2019-02-14 | 2020-08-21 | 株式会社迪思科 | 蚀刻方法 |
-
1990
- 1990-08-13 JP JP02213858A patent/JP3128812B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
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| JP2020136332A (ja) * | 2019-02-14 | 2020-08-31 | 株式会社ディスコ | エッチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3128812B2 (ja) | 2001-01-29 |
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