JPH0497137A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH0497137A JPH0497137A JP2212999A JP21299990A JPH0497137A JP H0497137 A JPH0497137 A JP H0497137A JP 2212999 A JP2212999 A JP 2212999A JP 21299990 A JP21299990 A JP 21299990A JP H0497137 A JPH0497137 A JP H0497137A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- electrode
- counter electrode
- driving electrode
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明は計測器の表示パネル、パソコンの画像表示装置
、液晶テレビなどの液晶表示装置に関する。
、液晶テレビなどの液晶表示装置に関する。
本発明は、画素電極と駆動用電極間に非線形抵抗膜を設
けた二端子素子を用いた液晶表示装置において、前記駆
動用電極に対向する透明基板上の透明電極の一部分がか
けていることにより液晶パネルの寄生容量が少なくなり
消費電流が減少することを目的としている。
けた二端子素子を用いた液晶表示装置において、前記駆
動用電極に対向する透明基板上の透明電極の一部分がか
けていることにより液晶パネルの寄生容量が少なくなり
消費電流が減少することを目的としている。
小型、軽量、薄型、低消費電力の表示装置として、液晶
表示装置は他の表示装置と比へて優位性を持ち、近年実
用化が進められて来ている。液晶表示装置の表示情報量
の増大化を図る目的で薄膜トランジスタなどの三端子ア
クティツマトリクス液晶表示装置や、ＺｎＯバリスタや
金属−絶縁膜金属構造からなるいわゆるＭＴＭ形非形影
線形抵抗素子縁膜部にＳｉリンチな窒化膜や酸化膜など
を用いた非線形抵抗素子などの二端子アクティブマトリ
クス液晶表示装置が研究されている。
表示装置は他の表示装置と比へて優位性を持ち、近年実
用化が進められて来ている。液晶表示装置の表示情報量
の増大化を図る目的で薄膜トランジスタなどの三端子ア
クティツマトリクス液晶表示装置や、ＺｎＯバリスタや
金属−絶縁膜金属構造からなるいわゆるＭＴＭ形非形影
線形抵抗素子縁膜部にＳｉリンチな窒化膜や酸化膜など
を用いた非線形抵抗素子などの二端子アクティブマトリ
クス液晶表示装置が研究されている。
一端子素子は、三端子素子と比較して、形成膜数が少な
く、パターニング精度はかなり粗くてよいなどの特徴が
あり、低コスト、大面積表示装置への応用が可能である
。
く、パターニング精度はかなり粗くてよいなどの特徴が
あり、低コスト、大面積表示装置への応用が可能である
。
第３図は非線形抵抗素子を用いた二端子アクテイブマト
リクス液晶表示装置のＸ−Ｙマトリクスパネル回路図で
ある。行液晶駆動電極３１と列液晶駆動電極３２は基板
及び対向基板にそれぞれ通常１００〜１０００本程形成
される。Ｘ−Ｙ交差部には液晶３３と非線形抵抗素子３
４が形成される。第２図は非線形抵抗素子として、Ｓｉ
リッチな窒化シリコン膜などを用いた二端子素子の正面
図と断面図である。
リクス液晶表示装置のＸ−Ｙマトリクスパネル回路図で
ある。行液晶駆動電極３１と列液晶駆動電極３２は基板
及び対向基板にそれぞれ通常１００〜１０００本程形成
される。Ｘ−Ｙ交差部には液晶３３と非線形抵抗素子３
４が形成される。第２図は非線形抵抗素子として、Ｓｉ
リッチな窒化シリコン膜などを用いた二端子素子の正面
図と断面図である。
一方の透明基板上に画素電極２ （１，Ｔ、 ○）を選
択的に形成した後、非線形抵抗膜４ （窒化ンリコン）
と駆動電極３（Ｃｒ）（第３図の行液晶駆動電極３１に
対応する）を堆積し、それぞれを選択的にエツチングし
た構造になっている。
択的に形成した後、非線形抵抗膜４ （窒化ンリコン）
と駆動電極３（Ｃｒ）（第３図の行液晶駆動電極３１に
対応する）を堆積し、それぞれを選択的にエツチングし
た構造になっている。
もう一方の基板上には、透明導電膜で形成された対向電
極５ （第３図の列液晶駆動電極３２に対応する）が形
成されている。
極５ （第３図の列液晶駆動電極３２に対応する）が形
成されている。
この様な液晶表示装置の駆動は次のように行う。
第３図の多数の行電極３１を一本ずつ上の方から線順次
に選択し、その選択期間内に列電極３２によってデータ
を書き込む。このとき十分なコントラストで表示が行え
るためには、選択点での液晶に印加される実効電圧が液
晶の飽和電圧よりも大きいこと、非選択点での液晶に印
加される実効電圧が液晶のしきい値電圧よりも小さいこ
とが必要である。非線形抵抗膜を用いると、選択点では
書き込み時（高電圧印加時）には非線形抵抗膜２４の抵
抗が低くなり、液晶３３に電荷が注入されやす（なり、
保持期間（低電圧印加時）には、非線形抵抗膜２４の抵
抗が高くなり、液晶３３に注入された電荷が保持されや
すくなる。こうして液晶３３に印加される実効電圧を高
く保つことができる。また、非選択時では書き込み時に
非線形抵抗膜２４の抵抗はそれ程低くならず液晶３３に
はあまり電荷は注入されない。よって液晶３３に印加さ
れる実効電圧は比較的小さく抑えられることになり、分
割数はかなり大きくしても高いコントラストを保てる。
に選択し、その選択期間内に列電極３２によってデータ
を書き込む。このとき十分なコントラストで表示が行え
るためには、選択点での液晶に印加される実効電圧が液
晶の飽和電圧よりも大きいこと、非選択点での液晶に印
加される実効電圧が液晶のしきい値電圧よりも小さいこ
とが必要である。非線形抵抗膜を用いると、選択点では
書き込み時（高電圧印加時）には非線形抵抗膜２４の抵
抗が低くなり、液晶３３に電荷が注入されやす（なり、
保持期間（低電圧印加時）には、非線形抵抗膜２４の抵
抗が高くなり、液晶３３に注入された電荷が保持されや
すくなる。こうして液晶３３に印加される実効電圧を高
く保つことができる。また、非選択時では書き込み時に
非線形抵抗膜２４の抵抗はそれ程低くならず液晶３３に
はあまり電荷は注入されない。よって液晶３３に印加さ
れる実効電圧は比較的小さく抑えられることになり、分
割数はかなり大きくしても高いコントラストを保てる。
非線形抵抗素子においては、書き込み期間、保持期間そ
れぞれの期間に、非線形抵抗膜が所望の抵抗値になるよ
うに膜の組成や構造を決定する。また、このような液晶
表示装置で表示を行うにあたって、十分な駆動マージン
を得るためには、各々の画素における液晶部の容量ＣＬ
Ｃと、非線形抵抗素子部の容量ＣＩとの比を十分大きく
することも必要である。（最低でもＣＬＣ／ＣＩ≧５） 〔発明が解決しようとする課題〕 単純マトリクスパネルにおいては分割数によって最適バ
イアス電圧下＋ １）が決まるが、二端子素子を用いた
パネルでは、二端子素子の特性によりバイアスが決まり
、通常は単純マトリクスパネルに比べ大きくなる。この
ため非選択時に液晶パネルにかかる電圧が高くなり消費
電流が増える。
れぞれの期間に、非線形抵抗膜が所望の抵抗値になるよ
うに膜の組成や構造を決定する。また、このような液晶
表示装置で表示を行うにあたって、十分な駆動マージン
を得るためには、各々の画素における液晶部の容量ＣＬ
Ｃと、非線形抵抗素子部の容量ＣＩとの比を十分大きく
することも必要である。（最低でもＣＬＣ／ＣＩ≧５） 〔発明が解決しようとする課題〕 単純マトリクスパネルにおいては分割数によって最適バ
イアス電圧下＋ １）が決まるが、二端子素子を用いた
パネルでは、二端子素子の特性によりバイアスが決まり
、通常は単純マトリクスパネルに比べ大きくなる。この
ため非選択時に液晶パネルにかかる電圧が高くなり消費
電流が増える。
また、画素ごとに考えると二端子素子側のパターンは約
１０％が駆動用電極、９０％が画素電極であり対向電極
との間に液晶を挟んで容量となっている。非選択時には
駆動用電極にはバイアス電圧がかかり、画素電極にはバ
イアス電圧÷容量比（ＣＬＣ／ＣＩ ＝１０）がかかり
、この時流れる電流は２πｆＣＶ（Ａ）となり、駆動用
電極と画素電極とでは、容量が１＝９で、電圧が１０：
１なので約１：１で消費されている。
１０％が駆動用電極、９０％が画素電極であり対向電極
との間に液晶を挟んで容量となっている。非選択時には
駆動用電極にはバイアス電圧がかかり、画素電極にはバ
イアス電圧÷容量比（ＣＬＣ／ＣＩ ＝１０）がかかり
、この時流れる電流は２πｆＣＶ（Ａ）となり、駆動用
電極と画素電極とでは、容量が１＝９で、電圧が１０：
１なので約１：１で消費されている。
本発明は上記問題点を解決するために、対向電極の配線
パターンのうら一部を残して駆動用電極と重なる部分を
一部取り去る構造とした。
パターンのうら一部を残して駆動用電極と重なる部分を
一部取り去る構造とした。
上記構造とすることにより、駆動用電極と対向電極との
間にできる容量を少なくして消費電流を低減したもので
ある。
間にできる容量を少なくして消費電流を低減したもので
ある。
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図は本発明の実施例を示す図である。第１図において基
板ｌの上に複数個の画素電極２が形成されている。これ
は、例えばｌ Ｔ、０．などをスパッタ法などによって
堆積し、選択的にエツチングすることによって形成でき
る。次に非線形抵抗膜４ （例えばＳｉリッチな５ｉＮ
ｘ）と駆動用電極３ （例えばＣｒ）をこの順に連続的
に堆積し、−回のマスク工程で連続的にエツチングする
。また、対向電極５も同様に１．Ｔ、Ｏ，などをスパッ
タ法などによって堆積し、選択的にエフチングすること
によって形成できる。この時、駆動用電極３と向かい合
った透明導電膜よりなる対向電極５のパターンの一部５
ａを取り除いた形状とすることにより駆動用電極３と対
向電極５の間の寄生容量が減少する。第１図の場合はラ
インの両端を残して中央部分を取り除いたものであるが
、片側を残して取り除いた場合も同様である。
図は本発明の実施例を示す図である。第１図において基
板ｌの上に複数個の画素電極２が形成されている。これ
は、例えばｌ Ｔ、０．などをスパッタ法などによって
堆積し、選択的にエツチングすることによって形成でき
る。次に非線形抵抗膜４ （例えばＳｉリッチな５ｉＮ
ｘ）と駆動用電極３ （例えばＣｒ）をこの順に連続的
に堆積し、−回のマスク工程で連続的にエツチングする
。また、対向電極５も同様に１．Ｔ、Ｏ，などをスパッ
タ法などによって堆積し、選択的にエフチングすること
によって形成できる。この時、駆動用電極３と向かい合
った透明導電膜よりなる対向電極５のパターンの一部５
ａを取り除いた形状とすることにより駆動用電極３と対
向電極５の間の寄生容量が減少する。第１図の場合はラ
インの両端を残して中央部分を取り除いたものであるが
、片側を残して取り除いた場合も同様である。
以上説明したように本発明によれば、工程を増やすこと
なくマスクの形状を変えるだけで液晶パネルの消費電流
を約４割程度減少することができる。また、ラインの両
端を残して中央部分を取り除いた場合は、マスクキズ、
ゴミ等によるパターニング不良の発生率も従来の画素パ
ターンと同等である。
なくマスクの形状を変えるだけで液晶パネルの消費電流
を約４割程度減少することができる。また、ラインの両
端を残して中央部分を取り除いた場合は、マスクキズ、
ゴミ等によるパターニング不良の発生率も従来の画素パ
ターンと同等である。
３図は非線形抵抗素子を用いた二端子アクティブマトリ
クス液晶表示装置のＸ−Ｙマトリクスパネル回路図であ
る。
クス液晶表示装置のＸ−Ｙマトリクスパネル回路図であ
る。
１ ・ ・
２ ・ ・
３ ・ ・
４ ・ ・
５ ・ ・
６ ・ ・
３３・ ・
３４・ ・
基板
画素電極
駆動用電極
非線形抵抗膜
対向電極
液晶
行液晶駆動用電極
列液晶駆動用電極
液晶
非線形抵抗素子
第１図（δ１．（ｂｌはそれぞれ本発明の実施例を示す
平面、Ｉ−Ｉ断面図、第２図１８１． ｆｂ）はそれぞ
れ従来の画素パターンを示す平面、ｎ−ｎ断面図、第出
願人 セイコー電子工業株式会社
平面、Ｉ−Ｉ断面図、第２図１８１． ｆｂ）はそれぞ
れ従来の画素パターンを示す平面、ｎ−ｎ断面図、第出
願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (1)
- 透明基板上に複数の画素電極を有し、非線形抵抗膜、駆
動用電極などからなる二端子素子を用いた液晶表示装置
において、駆動用電極が形成された基板と対向する対向
基板上の透明電極は、前記駆動用電極に対向した部分の
一部分がかけていることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2212999A JPH0497137A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2212999A JPH0497137A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0497137A true JPH0497137A (ja) | 1992-03-30 |
Family
ID=16631804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2212999A Pending JPH0497137A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0497137A (ja) |
-
1990
- 1990-08-09 JP JP2212999A patent/JPH0497137A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8797252B2 (en) | Liquid crystal display apparatus and method for generating a driver signal based on resistance ratios | |
| JPS6238709B2 (ja) | ||
| GB2147135A (en) | Matrix display panel | |
| JP2630663B2 (ja) | 電気光学装置 | |
| EP0182484B1 (en) | Liquid crystal display device | |
| JPH0497137A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH04318512A (ja) | 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 | |
| JPH04104129A (ja) | 二端子素子 | |
| JPH03210534A (ja) | 二端子素子 | |
| EP0461648B1 (en) | Metal-insulator-metal type matrix liquid cristal display free from image sticking | |
| JPH0346626A (ja) | 二端子素子 | |
| JPH0324527A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS63250684A (ja) | 横型二端子素子 | |
| JPH02300724A (ja) | 二端子素子 | |
| JP2881030B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH03210532A (ja) | 二端子素子 | |
| JPS61290491A (ja) | マトリクス型表示装置の製造方法 | |
| JPS6223019A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH04293017A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2775892B2 (ja) | ２端子素子型液晶表示装置 | |
| JPS58178320A (ja) | 電気光学装置 | |
| JP2934674B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
| JPH03283469A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0519293A (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ素子アレイ | |
| JPH0293433A (ja) | 液晶表示装置 |