JPH0497256A

JPH0497256A - フォトレジストパターンの形成方法

Info

Publication number: JPH0497256A
Application number: JP2212980A
Authority: JP
Inventors: Makoto Kimura; 誠木村
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1990-08-10
Filing date: 1990-08-10
Publication date: 1992-03-30

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、電子部品等の製造において、絶縁物、半導体
、金属等の基板表面に薄膜配線パターンを作成するため
のフォトレジストパターンの形成方法に関する。

（従来の技術）電子部品等の製造において、絶縁物、半導体、金属等の
基板表面には、以下のようにして、所望の薄膜配線パタ
ーンが形成される。

蒸着等により薄膜が形成された基板表面に、前記薄膜配
線パターンと同形のフォトレジストパターンが形成され
る。この基板表面にエツチングを行うと、基板表面の薄
膜のうちフォトレジストパターンで覆われていない部分
のみが取り除かれ、所望の薄膜配線パターンが形成され
る。

フォトレジストパターンの形成方法には、フオトマスク
を使用して露光を行う方法と、直接描画するように露光
を行う方法とがある。

フォトマスクを使用して露光を行う方法は、以下のよう
に行われる。

まず、基板表面に、感光性インク等よりなるフォトレジ
スト層を設ける。フォトレジスト層は紫外線の露光等に
よって感光するものである。感光された後のフォトレジ
スト層は現像によって除去可能となる。

次に、フォトレジスト層の表面をフォトマスクで覆う。

フォトマスクは、フィルム、ガラス乾板等からなり、所
定のパターン部分のみ露光を遮断するマスクパターンが
形成されたものである。

このフォトマスクの上から紫外線ランプ等で全面的に露
光を行うことによって、フォトレジスト層の前記マスク
パターンに被覆されていない部分を感光させる。

このフォトレジスト層の感光させた部分を現像により除
去することによって、基板表面にフォトレジストパター
ンが形成される。

直接描画するように露光を行う方法では、幅の狭いビー
ム状の光線を走査させながら露光するフォトブロックを
使用し、以下のように行われる。

まず、基板表面にフォトレジスト層を設ける。

次に、前記フォトプロッタによって、フォトレジスト層
に、所定のパターンを直接描画するように露光を行って
感光させる。

このフォトレジスト層の感光させた部分を除去すること
によって、基板表面にフォトレジストパターンが形成さ
れる。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、フォトマスクを使用して露光を行う方法
にあっては、以下のような問題があった。

つまり、フォトマスクをあらかじめ用意する必要がある
ため、薄膜配線パターンの設計変更又は修正等に素早く
対応することができなかった。フォトマスクは、薄膜配
線パターンを作成するごとに基板表面にセットされるの
で、損傷、汚染等のおそれがあった。また、フォトマス
クのセット時に、フォトマスクと基板表面との間に隙間
が生じると、露光の際に光学的な歪みが発生するおそれ
があった。

直接描画するように露光を行う方法にあっては、以下の
ような問題があった。

つまり、フォトレジスト層は感光性インク等からなるた
め、露光に対する感度が低かった。これにより、フォト
プロッタ等の幅の狭いビーム状の光線では、フォトレジ
スト層に露光を行って充分に感光させるのに時間がかか
っていた（たとえば、基板１枚あたりに３０分以上要し
ていた。）。したがって、この方法は、試験的には用い
られるものの、量産には適さなかった。また、高価なフ
ォトプロッタを長時間占有するので、製品のコストアッ
プの要因にもなっていた。

（課題を解決するための手段）本発明のフォトレジストパターン形成方法は、基板表面
に薄膜配線パターンを作成するためのフォトレジストパ
ターンの形成方法であって、前記基板表面にフォトレジ
スト層を形成し、このフォトレジスト層の表面に、フォ
トレジスト層より高感度で感光する感光性マスク層を形
成する工程と、感光性マスク層に所定のパターンを直接
描画するように露光を行って該感光性マスク層を感光さ
せたのち、この感光性マスク層の感光させた部分を除去
することによってフォトレジスト層上にマスクパターン
を形成する工程と、基板全面に露光を行うことによって
、フォトレジスト層の前記マスクパターンに被覆されて
いない部分を感光させたのち、このフォトレジスト層の
感光させた部分を除去する工程とを含むものである。

（作用）基板表面にフォトレジスト層を形成し、このフォトレジ
スト層の表面に感光性マスク層を積層する。

感光性マスク層に、所定のパターンを直接描画するよう
に露光を行って感光させる。この感光性マスク層の感光
させた部分を除去することによってフォトレジスト層上
にマスクパターンを形成する。

基板全面に露光を行うことによって、フォトレシスト層
の前記マスクパターンに被覆されていない部分を感光さ
せる。このフォトレジスト層の感光させた部分を除去す
ることによって基板表面にフォトレジストパターンを形
成する。

（実施例）以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。

第１図乃至第６図は、フォトレジストパターン形成方法
の各工程を示している。

以下、第１図乃至第６図を参照してフォトレジストパタ
ーンの形成手順を説明する。

第１図に示すように、蒸着等によりｍｔｌ！ｌａが形成
された基板１の基板表面１１に、フォトレジスト層２を
積層する。フォトレジスト層２は、露光によって感光さ
れると、現像により除去可能となるものである。フォト
レジスト層２は、たとえば感光性インク等からなり、エ
ツチング等に耐えるものである。

第２図に示すように、フォトレジスト層２上に、感光性
マスク層３を積層する。感光性マスク層３は、露光によ
って感光されると、現像によって除去可能となるもので
ある。感光性マスク層３は、たとえば感光性乳剤からな
り、前記フォトレジスト層２より高感度であり、幅の狭
いビーム状の光線等の露光でも短時間で感光するもので
ある。ただし、感光性マスク層３は、フォトレジスト層
２より高感度ではあるが、フォトレジスト層２のように
エツチング等に耐えるものである必要はない。

第３図に示すように、感光性マスク層３に、幅の狭いビ
ーム状の光線を露光するフォトプロッタ（図示せず）に
よって、所定のパターンを直接描画するように露光を行
う。感光性マスク層３は高感度であるため、感光性マス
ク層３の露光された部分は短時間で感光される。

第４図に示すように、感光性マスク層３の感光された部
分３２・・・を現像によって除去することによって、フ
ォトレジスト層２上に感光性マスク層３によるマスクパ
ターン３３・・・が形成される。

第５図に示すように、基板表面１１全面に紫外線ランプ
（図示せず）によって露光を行うことにより、フォトレ
ジスト層２のマスクパターン３３・・・によって被覆さ
れていない部分を感光させる。

第６図に示すように、フォトレジスト層２の感光された
部分２２・・・を現像により除去すると、フォトレジス
ト層２のマスクパターン３３・・・で被覆されている部
分２１・・・のみが残り、基板表面１１にフォトレジス
トパターン２３が形成される。

上記した例は、本発明をいわゆるエツチング法による薄
膜配線パターン作成に適用した例であるが、フォトレジ
ストパターンの上から蒸着を行って薄膜配線パターンを
作成するいわゆるリフトオフ法にも応用することができ
る。

なお、上記した例では、基板１の基板表面１１にフォト
レジスト１１２が積層されてから、このフォトレジスト
層２上に感光性マスク層３が積層されるが、これに限る
必要はない。

たとえば、フォトレジスト層２となされるフォトレジス
トフィルム５と、感光性マスク層３となされるマスクフ
ィルム６とが貼り合わされてなるドライフィルム４（第
１０図参照）を用意し、このドライフィルム４を基板表
面１１に積層してもよい。

フォトレジストフィルム５は、第７図に示すように、フ
ォトレジスト５１に保護用フィルム５２が積層されたも
のである。

マスクフィルム６は、第８図に示すように、ベースフィ
ルム６１にマスク用感光性乳剤６２が塗布されたもので
ある。

以下のようにして、フォトレジストフィルム５とマスク
フィルム６とを貼り合わせてドライフィルム４とする（
第９図参照）。

ローラ９１にはフォトレジストフィルム５が巻回されて
おり、ローラ９２にはマスクフィルム６が巻回されてい
る。両ローラ９１，９２よりフォトレジストフィルム５
及びマスクフィルム６がそれぞれ繰り出される。

両フィルム５．６は互いに貼り合わせローラ９３゜９３
によって、保護用フィルム５２例の面とマスク用感光性
乳剤６２例の面とが合わさるようにして貼り合わされる
（第１０図参照）。両フィルム５．６が貼り合わされた
後のドライフィルム４は、巻回ローラ９４によって巻回
される。

以下、このドライフィルム４を用いてフォトレジストパ
ターン２３を基板表面１１に形成する方法を、第３図乃
至第６図にしたがって説明する。

まず、ドライフィルム４を、フォトレジストフィルム５
が基板表面１１と面するように、基板表面１１に積層す
る。

第３図に示すように、感光性マスク層′３（マスクフィ
ルム６）に、フォトプロッタによって、所定のパターン
を直接描画するように露光を行う。

感光性マスク層３の露光された部分は短時間で感光され
る。

第４図に示すように、感光性マスク層３の感光された部
分３２・・・を現像によって除去することによって、フ
ォトレジスト層２（フォトレジストフィルム５）上にマ
スクパターン３３・・・が形成される。

第５図に示すように、基板表面１１全面に紫外線ランプ
によって露光を行うことにより、フォトレジスト層２の
マスクパターン３３・・・によって被覆されていない部
分を感光させる。

（発明の効果）以上述べたように、本発明によれば、所定パターンが形
成されたフォトマスクを用意する必要がないので、薄膜
配線パターンの変更、修正等にすぐに対応することがで
き、フォトマスクの損傷、汚染等のおそれもない。感光
性マスク層はフォトレジスト層に積層されているために
、感光性マスク層とフォトレジスト層との間には隙間が
生じることがなく、露光を行う際に光学的歪みが発生す
るおそれがない。

また、本発明によると、感光性マスク層はフォトレジス
ト層より高感度であるため、フォトプロッタでフォトレ
ジスト層に直接露光を行うよりも、高価なフォトプロッ
タの占有時間が少なくてすむ。

これにより、製品のコストアップとはならず、量産に充
分に対応可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は、本発明の一実施例に係るフォトレ
ジストパターン形成方法の各工程を示す工程図、第７図
はフォトレジスト層となるフォトレジストフィルムを示
す斜視図、第８図は感光性マスク層となるマスクフィル
ムを示す斜視図、第９図はフォトレジストフィルムとマ
スクフィルムとの張り合わせ工程を示す斜視図、第１０
図は張り合わされた状態のドライフィルムを示す斜視図
である。３３・・・マスクパターン［Ｒ祇；１１・・・基板表面２・・・フォトレジスト層２２・・・感光された部分２３・・・フォトレジストパターン３・・・感光性マスク層３２・・・感光された部分第第２Ｌ７１＼ｉ＋　３図ｚ］Ｚ第７１− 一３４凶＼イき５図第６１４第９１４

Claims

【特許請求の範囲】１）基板表面に薄膜配線パターンを作成するためのフォ
トレジストパターンの形成方法であって、前記基板表面にフォトレジスト層を形成し、このフォト
レジスト層の表面に、フォトレジスト層より高感度で感
光する感光性マスク層を形成する工程と、感光性マスク層に所定のパターンを直接描画するように露光を行って該感光性マスク層を感光させ
たのち、この感光性マスク層の感光させた部分を除去す
ることによってフォトレジスト層上にマスクパターンを
形成する工程と、基板全面に露光を行うことによって、フォトレジスト層の前記マスクパターンに被覆されていない
部分を感光させたのち、このフォトレジスト層の感光さ
せた部分を除去する工程とを含むことを特徴とするフォ
トレジストパターンの形成方法。