JPH09166880A - レジストパターニング方法 - Google Patents
レジストパターニング方法Info
- Publication number
- JPH09166880A JPH09166880A JP7327552A JP32755295A JPH09166880A JP H09166880 A JPH09166880 A JP H09166880A JP 7327552 A JP7327552 A JP 7327552A JP 32755295 A JP32755295 A JP 32755295A JP H09166880 A JPH09166880 A JP H09166880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- exposure
- patterning method
- pattern
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポジ型の感光性レジストの限界露光量を超え
ずに、段差を有する基板上にシャープな感光性レジスト
パターンを形成することのできるレジストパターニング
方法を提供する。 【解決手段】 段差を有する基板上に、ポジ型感光性レ
ジストを用いてパターンを形成するに於いて、露光と現
像を複数回に分けて行う。１回目の露光は、レジストが
変質を起こさない露光量以下にすることが好ましく、２
回目の露光は、１回目の露光量の１／10〜１／20の範囲
内にすることが好ましく、２回目の露光の際、フォトマ
スクを用いず基板全体を露光することが好ましい。
ずに、段差を有する基板上にシャープな感光性レジスト
パターンを形成することのできるレジストパターニング
方法を提供する。 【解決手段】 段差を有する基板上に、ポジ型感光性レ
ジストを用いてパターンを形成するに於いて、露光と現
像を複数回に分けて行う。１回目の露光は、レジストが
変質を起こさない露光量以下にすることが好ましく、２
回目の露光は、１回目の露光量の１／10〜１／20の範囲
内にすることが好ましく、２回目の露光の際、フォトマ
スクを用いず基板全体を露光することが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩチップなど
を実装するための、段差を有する基板上にポジ型感光性
レジストパターンを作成するレジストパターニング方法
の改良に関する。
を実装するための、段差を有する基板上にポジ型感光性
レジストパターンを作成するレジストパターニング方法
の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高い段差（回路）を有する基板上
に、ポジ型の感光性レジストを塗布し、パターンを作成
する方法に於いては、図６に示すように高い段差（回
路）１ａを有する基板１上にポジ型の感光性レジスト２
を塗布し、次に図７のａ、ｂに示すようにフォトマスク
３を用いて露光し、次いで図８のａ、ｂに示すように現
像を行ってレジストパターン４を形成すると、レジスト
残渣５が生じる。
に、ポジ型の感光性レジストを塗布し、パターンを作成
する方法に於いては、図６に示すように高い段差（回
路）１ａを有する基板１上にポジ型の感光性レジスト２
を塗布し、次に図７のａ、ｂに示すようにフォトマスク
３を用いて露光し、次いで図８のａ、ｂに示すように現
像を行ってレジストパターン４を形成すると、レジスト
残渣５が生じる。
【０００３】このレジスト残渣５を取り除くためには、
露光量を多くした上で、現像する必要があった。
露光量を多くした上で、現像する必要があった。
【０００４】然し乍ら、ポジ型の感光性レジスト２は、
露光量を多くし過ぎると、レジスト自体が分解反応を起
こし、ガスが発生し、それによってシャープなレジスト
パターン４が得られなくなる。即ち、限界露光量を超え
てもなお、現像後にレジスト残渣がある場合は、露光を
調整できないものである。これは光がレジスト表面から
当たるため、表面近くは露光オーバー、底面近くは露光
不足となるからである。
露光量を多くし過ぎると、レジスト自体が分解反応を起
こし、ガスが発生し、それによってシャープなレジスト
パターン４が得られなくなる。即ち、限界露光量を超え
てもなお、現像後にレジスト残渣がある場合は、露光を
調整できないものである。これは光がレジスト表面から
当たるため、表面近くは露光オーバー、底面近くは露光
不足となるからである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、ポジ
型の感光性レジストの限界露光量を超えずに段差を有す
る基板上にシャープな感光性レジストパターンを形成す
ることのできるレジストパターニング方法を提供しよう
とするものである。
型の感光性レジストの限界露光量を超えずに段差を有す
る基板上にシャープな感光性レジストパターンを形成す
ることのできるレジストパターニング方法を提供しよう
とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のレジストパターニング方法は、段差を有する
基板上に、ポジ型感光性レジストを用いてパターンを形
成する方法に於いて、露光と現像を複数回に分けて行う
ことを特徴とするものである。
の本発明のレジストパターニング方法は、段差を有する
基板上に、ポジ型感光性レジストを用いてパターンを形
成する方法に於いて、露光と現像を複数回に分けて行う
ことを特徴とするものである。
【０００７】上記のレジストパターニング方法に於い
て、１回目の露光は、レジストが変質を起こさない露光
量以下にするころが好ましい。また、２回目の露光は、
１回目の露光量の１／10〜１／20の範囲内にすることが
好ましい。さらに２回目の露光の際、フォトマスクを用
いず基板全体を露光することが好ましい。
て、１回目の露光は、レジストが変質を起こさない露光
量以下にするころが好ましい。また、２回目の露光は、
１回目の露光量の１／10〜１／20の範囲内にすることが
好ましい。さらに２回目の露光の際、フォトマスクを用
いず基板全体を露光することが好ましい。
【０００８】上記のように本発明のレジストパターニン
グ方法は、ポジ型感光性レジストを用いてパターンを形
成するに於いて、露光と現像を複数回に分けて行うの
で、一回毎の露光量を減少でき、レジスト自体の分解反
応が起こらず、ガスが発生しない。特に１回目の露光
時、レジストが変質を起こさない露光量以下とすること
により、１回目の現像時レジスト残渣を最少限にでき、
そして２回目の露光時、１回目の露光量の１／10〜１／
20の範囲内にすることにより、２回目の短い現像でレジ
スト残渣が無くなり、同時に残すべきレジストも少しだ
け膜厚が減少するが、露光量、現像時間共に少ないの
で、レジストパターンはきれいに残る。しかも２回目の
露光時、フォトマスクを用いないので、ごく簡単に短時
間の工程で済む。
グ方法は、ポジ型感光性レジストを用いてパターンを形
成するに於いて、露光と現像を複数回に分けて行うの
で、一回毎の露光量を減少でき、レジスト自体の分解反
応が起こらず、ガスが発生しない。特に１回目の露光
時、レジストが変質を起こさない露光量以下とすること
により、１回目の現像時レジスト残渣を最少限にでき、
そして２回目の露光時、１回目の露光量の１／10〜１／
20の範囲内にすることにより、２回目の短い現像でレジ
スト残渣が無くなり、同時に残すべきレジストも少しだ
け膜厚が減少するが、露光量、現像時間共に少ないの
で、レジストパターンはきれいに残る。しかも２回目の
露光時、フォトマスクを用いないので、ごく簡単に短時
間の工程で済む。
【０００９】
【実施例】本発明のレジストパターニング方法の実施例
と従来例について説明する。先ず、実施例について説明
する。図１に示すように高さ10μｍの段差（回路）１ａ
を有する基板１上に、ポジ型の感光性レジスト２を20μ
ｍ塗布し、次に図２のａ、ｂに示すように幅50μｍの帯
を50μｍ間隔に平行に配列したフォトマスク３を用いて
露光量 800mj/cm2で１回目の露光を行い、次に現像時間
200secで図３のａ、ｂに示すように１回目の現像を行っ
てレジストパターン４を形成した処、最少限のレジスト
残渣５が生じた。次いで図４のａ、ｂに示すようにフォ
トマスク３を用いずに露光量50mj/cm2で２回目の露光を
行い、然る後現像時間90sec で図５のａ、ｂに示すよう
に現像を行った処、レジスト残渣５が無くなった。
と従来例について説明する。先ず、実施例について説明
する。図１に示すように高さ10μｍの段差（回路）１ａ
を有する基板１上に、ポジ型の感光性レジスト２を20μ
ｍ塗布し、次に図２のａ、ｂに示すように幅50μｍの帯
を50μｍ間隔に平行に配列したフォトマスク３を用いて
露光量 800mj/cm2で１回目の露光を行い、次に現像時間
200secで図３のａ、ｂに示すように１回目の現像を行っ
てレジストパターン４を形成した処、最少限のレジスト
残渣５が生じた。次いで図４のａ、ｂに示すようにフォ
トマスク３を用いずに露光量50mj/cm2で２回目の露光を
行い、然る後現像時間90sec で図５のａ、ｂに示すよう
に現像を行った処、レジスト残渣５が無くなった。
【００１０】次に従来例について説明する。図６に示す
ように高さ10μｍの段差（回路）１ａを有する基板１上
に、ポジ型感光性レジスト２を20μｍ塗布し、次に図７
のａ、ｂに示すように幅50μｍの帯を50μｍ間隔に平行
に配列したフォトマスクを用いて露光量 850mj/cm2で露
光を行い、次いで現像時間300secで図９のａ、ｂに示す
ように現像を行ってレジストパターン４を形成した処、
レジスト残渣は生じなかった。
ように高さ10μｍの段差（回路）１ａを有する基板１上
に、ポジ型感光性レジスト２を20μｍ塗布し、次に図７
のａ、ｂに示すように幅50μｍの帯を50μｍ間隔に平行
に配列したフォトマスクを用いて露光量 850mj/cm2で露
光を行い、次いで現像時間300secで図９のａ、ｂに示す
ように現像を行ってレジストパターン４を形成した処、
レジスト残渣は生じなかった。
【００１１】上記のようにして最終的に得られた実施例
及び従来例のレジストパターン４を検査した処、従来例
のレジストパターン４は、膜厚20μｍ、膜幅40〜50μ
ｍ、膜間のスペース50〜60μｍで、パターン寸法にばら
つきがあり、しかも図９のｂに示すようにレジスト変質
によるパターン不良個所６が無数にあったが、実施例の
レジストパターン４は、膜厚が18μｍと僅かに減少して
いるものの、膜幅50μｍ、膜間のスペース50μｍで、フ
ォトマスク３の寸法通りのばらつきの無いパターン寸法
で、しかも図５のｂに示すようにパターン不良個所は皆
無であった。
及び従来例のレジストパターン４を検査した処、従来例
のレジストパターン４は、膜厚20μｍ、膜幅40〜50μ
ｍ、膜間のスペース50〜60μｍで、パターン寸法にばら
つきがあり、しかも図９のｂに示すようにレジスト変質
によるパターン不良個所６が無数にあったが、実施例の
レジストパターン４は、膜厚が18μｍと僅かに減少して
いるものの、膜幅50μｍ、膜間のスペース50μｍで、フ
ォトマスク３の寸法通りのばらつきの無いパターン寸法
で、しかも図５のｂに示すようにパターン不良個所は皆
無であった。
【００１２】
【発明の効果】以上の説明で判るように本発明のレジス
トパターニング方法は、段差を有する基板上に、ポジ型
感光性レジストを用いてパターン形成するに於いて、露
光と現像を複数回に分けて行うので、レジスト自体の分
解反応が起こらず、ガスが発生しない。特に１回目の露
光時、レジスト変質が起こらない露光量以下とするの
で、１回目の現像時レジスト残渣を最少限にでき、そし
て２回目の露光時、１回目の露光量の１／10〜１／20の
範囲内とするので、２回目の短い現像でレジスト残渣が
無くなり、寸法制度が高く、シャープなレジストパター
ンが得られる。
トパターニング方法は、段差を有する基板上に、ポジ型
感光性レジストを用いてパターン形成するに於いて、露
光と現像を複数回に分けて行うので、レジスト自体の分
解反応が起こらず、ガスが発生しない。特に１回目の露
光時、レジスト変質が起こらない露光量以下とするの
で、１回目の現像時レジスト残渣を最少限にでき、そし
て２回目の露光時、１回目の露光量の１／10〜１／20の
範囲内とするので、２回目の短い現像でレジスト残渣が
無くなり、寸法制度が高く、シャープなレジストパター
ンが得られる。
【図１】本発明のレジストパターニング方法の第１工程
の要部を示す断面図である。
の要部を示す断面図である。
【図２】本発明のレジストパターニング方法の第２工程
の要部を示すもので、ａは断面図、ｂは平面図である。
の要部を示すもので、ａは断面図、ｂは平面図である。
【図３】本発明のレジストパターニング方法の第３工程
の要部を示すもので、ａは断面図、ｂは平面図である。
の要部を示すもので、ａは断面図、ｂは平面図である。
【図４】本発明のレジストパターニング方法の第４工程
の要部を示すもので、ａは断面図、ｂは平面図である。
の要部を示すもので、ａは断面図、ｂは平面図である。
【図５】本発明のレジストパターニング方法の第５工程
の要部を示すもので、ａは断面図、ｂは平面図である。
の要部を示すもので、ａは断面図、ｂは平面図である。
【図６】従来のレジストパターニング方法の第１工程の
要部を示す断面図である。
要部を示す断面図である。
【図７】従来のレジストパターニング方法の第２工程の
要部を示すもので、ａは断面図、ｂは平面図である。
要部を示すもので、ａは断面図、ｂは平面図である。
【図８】従来のレジストパターニング方法の第３工程の
要部を示すもので、ａは断面図、ｂは平面図である。
要部を示すもので、ａは断面図、ｂは平面図である。
【図９】従来のレジストパターニング方法の第３工程の
別の例の要部を示すもので、ａは断面図、ｂは平面図で
ある。
別の例の要部を示すもので、ａは断面図、ｂは平面図で
ある。
１ 基板 １ａ 段差（回路） ２ ポジ型の感光性レジスト ３ フォトマスク ４ レジストパターン ５ レジスト残渣
Claims (4)
- 【請求項１】 段差を有する基板上に、ポジ型感光性レ
ジストを用いてパターンを形成する方法に於いて、露光
と現像を複数回に分けて行うことを特徴とするレジスト
パターニング方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のレジストパターニング方
法に於いて、１回目の露光を、レジストが変質を起こさ
ない露光量以下にすることを特徴とするレジストパター
ニング方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のレジストパターニング方
法に於いて、２回目の露光を、１回目の露光量の１／10
〜１／20の範囲内にすることを特徴とするレジストパタ
ーニング方法。 - 【請求項４】 請求項３記載のレジストパターニング方
法に於いて、２回目の露光の際、フォトマスクを用いず
基板全体を露光することを特徴とするレジストパターニ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7327552A JPH09166880A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | レジストパターニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7327552A JPH09166880A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | レジストパターニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09166880A true JPH09166880A (ja) | 1997-06-24 |
Family
ID=18200346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7327552A Pending JPH09166880A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | レジストパターニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09166880A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001022170A1 (fr) * | 1999-09-24 | 2001-03-29 | Clariant International Ltd. | Procede de formation d'un motif de resist presentant une resistance amelioree a la gravure seche |
| CN112255884A (zh) * | 2020-09-27 | 2021-01-22 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种光刻图形的制造方法与制造系统 |
-
1995
- 1995-12-15 JP JP7327552A patent/JPH09166880A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001022170A1 (fr) * | 1999-09-24 | 2001-03-29 | Clariant International Ltd. | Procede de formation d'un motif de resist presentant une resistance amelioree a la gravure seche |
| CN112255884A (zh) * | 2020-09-27 | 2021-01-22 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种光刻图形的制造方法与制造系统 |
| CN112255884B (zh) * | 2020-09-27 | 2024-04-12 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种光刻图形的制造方法与制造系统 |
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