JPH0497535A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0497535A JPH0497535A JP21608390A JP21608390A JPH0497535A JP H0497535 A JPH0497535 A JP H0497535A JP 21608390 A JP21608390 A JP 21608390A JP 21608390 A JP21608390 A JP 21608390A JP H0497535 A JPH0497535 A JP H0497535A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 44
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 44
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に樹脂封止型
の半導体装置の製造方法に関する。
の半導体装置の製造方法に関する。
従来の樹脂封止型の半導体装置の製造方法は、第3図、
第4図に示すように、半導体素子7を搭載したリードフ
レームの外部リード6−1.−・、の一部を、一定の温
度に加熱した成形金型の上型5−2.下型5−1を用い
て上下から押え、キャビティ2に熱硬化性のエポキシ樹
脂を流入させて成形封止して完成させていた。
第4図に示すように、半導体素子7を搭載したリードフ
レームの外部リード6−1.−・、の一部を、一定の温
度に加熱した成形金型の上型5−2.下型5−1を用い
て上下から押え、キャビティ2に熱硬化性のエポキシ樹
脂を流入させて成形封止して完成させていた。
この際、流入したエポキシ樹脂がリードフレームの板厚
分だけ流出して、外部導出リードの間に樹脂膜として発
生するのを防ぐため、従来は成形金型の、外部リードを
除いたキャビティ周囲にリードフレームの板厚に相当す
る凸状の樹脂止めブロックを設けることが行なわれてい
る。
分だけ流出して、外部導出リードの間に樹脂膜として発
生するのを防ぐため、従来は成形金型の、外部リードを
除いたキャビティ周囲にリードフレームの板厚に相当す
る凸状の樹脂止めブロックを設けることが行なわれてい
る。
上述した従来の樹脂封止方法は、成形金型に、外部リー
ドの全面に沿って凸状の樹脂止めブロックを設けである
ので、外部リードと凸状の樹脂止めブロックのクリアラ
ンスの分だけ、リード側面全面に樹脂パリが付着すると
いう欠点がある。
ドの全面に沿って凸状の樹脂止めブロックを設けである
ので、外部リードと凸状の樹脂止めブロックのクリアラ
ンスの分だけ、リード側面全面に樹脂パリが付着すると
いう欠点がある。
本発明の半導体装置の製造方法は、リードフレームの外
部リードを挿入する外部リード挿入部を有する樹脂止め
ブロックの前記外部リード挿入部の幅が0.2〜0.3
mmである成形金型を用いて樹脂封止を行なう工程を有
するというものである。
部リードを挿入する外部リード挿入部を有する樹脂止め
ブロックの前記外部リード挿入部の幅が0.2〜0.3
mmである成形金型を用いて樹脂封止を行なう工程を有
するというものである。
外部リードと成形金型の凸状の樹脂止めブロックのクリ
アランスの分だけ、リード側面に樹脂パリは付着するが
、樹脂止めブロックの先は、金型で押えていないためリ
ード側面への樹脂パリ付着はなくなる。従ってその樹脂
パリの長さは樹脂止めブロックの幅の0.2〜0.3m
m前後となり、はとんど問題とならなくなる。
アランスの分だけ、リード側面に樹脂パリは付着するが
、樹脂止めブロックの先は、金型で押えていないためリ
ード側面への樹脂パリ付着はなくなる。従ってその樹脂
パリの長さは樹脂止めブロックの幅の0.2〜0.3m
m前後となり、はとんど問題とならなくなる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第3図は、リードフレーム上に半導体素子が接続された
状態を示す斜視図で、第1図はこのリードフレームが樹
脂封止のために入る本発明の一実施例で使用する成形金
型の斜視図である。
状態を示す斜視図で、第1図はこのリードフレームが樹
脂封止のために入る本発明の一実施例で使用する成形金
型の斜視図である。
この成形金型は樹脂の流入するキャビティ2の周囲に、
外部リード挿入部1−1〜1−3及び樹脂の流入するゲ
ート3を除いた全面に凸状の樹脂止めブロック4aを設
けてあり、かつこの樹脂止めブロック4aはキャビティ
2の近傍にのみ設けてあり、その幅Wは外部リード挿入
部1−1〜1−3で0.2〜0.3mm程度になってい
る。ゲート3よりキャビティ2に樹脂を注入して、樹脂
を固化することによって樹脂封止半導体装置が得られる
。
外部リード挿入部1−1〜1−3及び樹脂の流入するゲ
ート3を除いた全面に凸状の樹脂止めブロック4aを設
けてあり、かつこの樹脂止めブロック4aはキャビティ
2の近傍にのみ設けてあり、その幅Wは外部リード挿入
部1−1〜1−3で0.2〜0.3mm程度になってい
る。ゲート3よりキャビティ2に樹脂を注入して、樹脂
を固化することによって樹脂封止半導体装置が得られる
。
なお、第2図に示すように、樹脂止めブロック4bはキ
ャビティ2の近傍のみ外部リードに沿っておりその幅が
0.2〜0.3mm程度であり、その先はテーパー状に
末広がりにしてもよい。そうすると、成形金型の強度が
増し、使用中破損しにくいという利点がある。
ャビティ2の近傍のみ外部リードに沿っておりその幅が
0.2〜0.3mm程度であり、その先はテーパー状に
末広がりにしてもよい。そうすると、成形金型の強度が
増し、使用中破損しにくいという利点がある。
以上説明したような成形金型を用いる半導体装置の製造
方法は、樹脂止めブロックの先は金型て押えていないた
め半導体装置の外部リードに、金型の樹脂止めブロック
の幅の程度しか樹脂パリか付着せず、樹脂パリをほとん
と問題とならなくなる長さに押えることができる効果が
ある。
方法は、樹脂止めブロックの先は金型て押えていないた
め半導体装置の外部リードに、金型の樹脂止めブロック
の幅の程度しか樹脂パリか付着せず、樹脂パリをほとん
と問題とならなくなる長さに押えることができる効果が
ある。
第1図は本発明の一実施例の使用する成形金型の下型の
構造を示す斜視図、第2図は同じく成形金型の下型の変
形例の斜視図、家な第3図はこの成形金型に入って樹脂
封止されるリードフレームを示す斜視図、第4図はリー
ドフレームを成形金型に装着した状態の断面図である。 1−1〜1−3・・・成形金型の外部リード挿入、2・
・・成形金型のキャビティ、3・・・成形金型のゲート
、4・・・樹脂止めブロック、5−1・・・下型、5−
2・・・上型、6−1〜6−3・・・外部リード、7・
・・半導体素子、8・・・金属細線。 桟部5ビ、ゴ;二原晋 熟 1 図 b l ! 兎 四 刀 霧
構造を示す斜視図、第2図は同じく成形金型の下型の変
形例の斜視図、家な第3図はこの成形金型に入って樹脂
封止されるリードフレームを示す斜視図、第4図はリー
ドフレームを成形金型に装着した状態の断面図である。 1−1〜1−3・・・成形金型の外部リード挿入、2・
・・成形金型のキャビティ、3・・・成形金型のゲート
、4・・・樹脂止めブロック、5−1・・・下型、5−
2・・・上型、6−1〜6−3・・・外部リード、7・
・・半導体素子、8・・・金属細線。 桟部5ビ、ゴ;二原晋 熟 1 図 b l ! 兎 四 刀 霧
Claims (1)
- リードフレームの外部リードを挿入する外部リード挿
入部を有する樹脂止めブロックの前記外部リード挿入部
の幅が0.2〜0.3mmである成形金型を用いて樹脂
封止を行なう工程を有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2216083A JP2716252B2 (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2216083A JP2716252B2 (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0497535A true JPH0497535A (ja) | 1992-03-30 |
| JP2716252B2 JP2716252B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=16682988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2216083A Expired - Fee Related JP2716252B2 (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2716252B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020126902A (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-20 | 第一精工株式会社 | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5217769A (en) * | 1976-08-09 | 1977-02-09 | Toshiba Corp | Production method of semi-conductor device |
| JPS53104171A (en) * | 1977-02-23 | 1978-09-11 | Hitachi Ltd | Mold for semiconductor device |
-
1990
- 1990-08-16 JP JP2216083A patent/JP2716252B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5217769A (en) * | 1976-08-09 | 1977-02-09 | Toshiba Corp | Production method of semi-conductor device |
| JPS53104171A (en) * | 1977-02-23 | 1978-09-11 | Hitachi Ltd | Mold for semiconductor device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020126902A (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-20 | 第一精工株式会社 | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2716252B2 (ja) | 1998-02-18 |
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