JPH01155635A - キヤリアテープ - Google Patents

キヤリアテープ

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JPH01155635A JP62314458A JP31445887A JPH01155635A JP H01155635 A JPH01155635 A JP H01155635A JP 62314458 A JP62314458 A JP 62314458A JP 31445887 A JP31445887 A JP 31445887A JP H01155635 A JPH01155635 A JP H01155635A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造工程で多数の半導体素子を
実装する場合に使用するキャリアテープに関する。
〔従来の技術〕
近年、集積回路素子の電極接合技術として従来より最も
広く使用されているワイヤボンディング方法に代わって
、テープキャリアを用いたいわゆるＴＡＢ　（Ｔａｐｅ
　　Ａｕｔｅｍａｔｅｄ　　Ｆ３゜ｎｄｉｎｇ）方法が
採用されている。
従来、この種のＴＡＢ方法に用いるキャリアテープは第
４図（ａ）および（ｂ）に示すように構成されている。
これを同図に基づいて説明すると、同図において、符号
１で示すものはテープキャリア基材となるフィルム状の
帯状部材で、全体が可撓性を有する例えばポリイミド樹
脂等のプラスチックからなる絶縁材料によって形成され
ている。この帯状部材ｌの両側縁には本体１ａの長手方
向に所定間隔を隔ててパーフォレーション孔２が設けら
れており、幅方向中央部には金型（第４図に図示せず）
内で樹脂封止される半導体素子３の一部が臨むセンタデ
バイス孔４が設けられている。また、このセンタデバイ
ス孔４の周囲には各々が互いに架橋部５を介して連接す
る複数のアウタリード孔６が設けられており、このアウ
タリード孔６と前記センタデバイス孔４との間には例え
ば銅等の導電性金属材料からなるリード７を保持するリ
ードサポート部８が設けられている。なお、前記リード
７は、前記センタデバイス孔４に先端が臨むインナーリ
ード部７ａ、　　このインナーリード部７ａに連設され
前記アウタリード孔６の一部を覆うアウターリード部７
ｂおよびこのアウターリード部７ｂに連設されかつ前記
本体１ａに接合されたテストバンド部７ｃによって構成
されている。８は前記半導体素子３の表面に設けられた
バンプである。
因に、この種のキャリアテープにおける架橋部５は、イ
ンナーリード部７ａの位置精度を高めるためのリードサ
ポート部９を本体１ａに保持するものとして機能する。
このように構成されたキャリアテープに半導体素子３等
を実装してテープキャリアを製造するには、第５図（ａ
）および（ｂ）に示すように帯状部材ｌのセンタデバイ
ス孔４内にバンプ８がインナーリード部７ａの所定位置
に対向するように半導体素子３を位置決めした後、この
半導体素子３のバンプ８とインナーリード部７ａを熱圧
着法で接続することにより行う。
この後、第６図（ａ）および（ｂｌに示すように上下２
つの金型１０，１１によって挾持し、低圧トランスファ
成形方法によって例えばエポキシ樹脂等のプラスチック
をキャビティ１２内で注入硬化させることにより樹脂封
止形のＩＣを製造することができる。
ところで、この種テープキャリアの樹脂封止には、第７
図（ａ）および（ｂ）に示すようにノズル１３から流出
する液状の樹脂１４によって半導体素子３を封止するボ
ッティング成形方法によるもの、あるいは第８図（ａｌ
〜（ｄ）に示すようにテープキャリアのアウターリード
部７ｂをリードフレーム１５に接続した後に金型１０，
１１によって挾持し、ゲート１６から樹脂１４を導入し
て半導体素子３を封止する低圧トランスファ成形方法に
よるものが採用されている。
ところが、前者にあっては、金型を使用するものではな
いから封止後のパフケージ形状を高精度に設定すること
ができず、また液状の樹脂を用いるものであるから低圧
トランスファ成形方法による場合と比較して耐湿性およ
び量産性が低下するという問題があった。
一方、後者にあっては、リードフレーム１５を用いるも
のであるため、それだけ封止後の高さ方向寸法が大きく
なり、近年の軽薄短小化に応じることができないという
不都合があった。
そこで、第９図（ａ）〜（Ｃ）に示すようにテープキャ
リアを直接金型１０．１１によって挾持し半導体素子３
を樹脂封止するものも採用されている。ここで、同図中
矢印は樹脂注入方向を示す。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかるに、この種の方法に使用するキャリアテープでは
、同図（ａ）、　（ｂ）および（Ｃ）に示すように半導
体素子３の樹脂封止状態において金型１０のゲート１６
がアウタリード孔６に位置する構造であるため、すなわ
ちゲート１６の樹脂流通路壁一部が下方の金型１１に形
成される構造であるため、樹脂封止時に樹脂１４がゲー
ト１６から流出してアウタリード孔６内に樹脂ばり１４
ａが発生していた。この結果、樹脂封止後に樹脂ばりを
取り除く工程を必要とし、半導体装置の製造を煩雑にす
るという問題があった。また、アウタリード孔６内の樹
脂ばり１４ａによってアウターリード部７ｂ（リード７
の厚さは通常３５μｍ程度）が破損し易くなり、半導体
装置の品質上の信頼性が低下するという問題もあった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、リード
孔内の樹脂ばりを取り除く工程を不要にし、もって半導
体装置の製造を簡単に行うことができると共に、半導体
装置の品質上の信頼性低下を防止することができるキャ
リアテープを提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に係るキャリアテープは、半導体素子の一部が臨
むセンタデバイス孔および各々が互いに架橋部を介して
連接する複数のリード孔を有する帯状部材の面上であっ
て、半導体素子の樹脂封止状態において金型のゲート底
面に対向する部位に樹脂流通路壁を形成したものである
。
〔作　用〕
本発明においては、樹脂封止時に樹脂流通路壁によって
ゲートを閉塞して樹脂のアウタリード孔への流入を阻止
する。
〔実施例〕
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。第１図は本発明に係るキャリアテープを用い
たテープキャリアを示す平面図で、同図以下において第
４図〜第９図と同一の部材については同一の符号を付し
、詳細な説明は省略する。同図において、符号２１〜２
４で示すものはリードサポート部９を保持する架橋部で
、前記本体１ａに一体に設けられている。このうち架橋
部２１は、樹脂流通路壁として構成されており、前記帯
状部材１の表面上であって前記半導体素子３の樹脂封止
状態において前記金型１０のゲート底面１６ａ（第２図
に図示）に対向する・部位に形成されている。そして、
この架橋部２１の幅寸法は他の架橋部２２〜２４の幅寸
法より大きい寸法に設定されている。
次に、このように構成されたキャリアテープに半導体素
子３を実装して樹脂封止する方法について説明する。
先ず、第２図（ａ）に示すように帯状部材ｌのセンタデ
バイス孔４内にバンプ８がインナーリード部７ａの所定
の位置に対向するように半導体素子３を臨ませ、この半
導体素子３のバンプ８とインナーリード部７ａを熱圧着
法で接続することによりテープキャリアを製造する。次
いで、これを同図（ｂ）に示すように金型１１に載置し
て両金型１０゜１１によって型締めする。このとき、樹
脂流通路壁としての架橋部２１によってゲート１６のパ
ーティングライン側は閉塞されている。しかる後、同図
（Ｃ）に示すように低圧トランスファ成形方法によって
両金型１０．１１内に矢印で示すように例えばエポキシ
樹脂等のプラスチックを注入して硬化させる。
このようにして、テープキャリアの半導体素子３を樹脂
封止することができる。
したがって、本発明においては、樹脂封止時に樹脂１４
のアウタリード孔６内への流入を阻止することができる
から、アウタリード孔６内での樹脂ばり１４ａの発生を
防止することができ、樹脂封止後に樹脂ばり１４ａを取
り除（工程を不要にすることができると共に、アウター
リード部７ｂの破損発生を防止することができる。
なお、本実施例においては、樹脂流通路壁としてリード
サポート部９を保持する架橋部２１を用いるものを示し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、第３図
に示すようにアウタリード孔６の一部を覆う橋絡部３１
を本体１ａに設け、この橋絡部３１を樹脂流通路壁とし
て用いても実施例と同様の効果を奏する。
また、本実施例においては、架橋部２１を本体１ａと同
一の材料によって形成する例を示したが、本発明は他の
材料によって形成しても何等差し支えない。
さらに、本発明における樹脂流通路壁の形状および幅寸
法は前述した実施例に限定されるものではないことは勿
論である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、センタデバイス孔
およびリード孔を有する帯状部材の面上であって、半導
体素子の樹脂封止状態において金型のゲート底面に対向
する部位に樹脂流通路壁を形成したので、樹脂封止時に
金型に代わり樹脂流通路壁によってゲートを閉塞して樹
脂のリード孔への流入を阻止することが、できる。した
がって、樹脂封止時にリード孔における樹脂ばりの発生
を防止することができるから、樹脂封止後に樹脂ばりを
取り除く工程が不要になり、半導体装置の製造を簡単に
行うことができる。また、樹脂ばりを取り除く作業が不
要になることは、ぼり除去時のリードの破損発生を防止
することができ、半導体装置の品質上の信頼性低下を防
止することもできる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るキャリアテープを使用するテープ
チャリアを示す平面図、第２図（ａ）〜（Ｃ１は同じく
本発明のキャリアテープを使用する樹脂封止方法を説明
するための平面図とそのｂ−ｂ　”線。 ｃ−ｃ’線断面図、第３図は他の実施例を示す平面図、
第４図は従来のキャリアテープを使用するテープキャリ
アを示す平面図と断面図、第５図（ａｌおよび（ｂ）は
テープキャリアの製造方法を説明するための斜視図、第
６図（ａ）および（ｂｌはテープキャリアの半導体素子
の樹脂封止について説明する平面図と断面図、第７図（
ａ）および（ｂ）はボッティング法について説明する断
面図、第８図（ａ）〜（ｄ）は他の樹脂封止方法を説明
するための断面図、第９図（ａｌ〜（Ｃ）は低圧トラン
スファ成形方法を説明するための平面図とそのｂ−ｂ　
′線、ｃ−ｃ’線断面図である。 １・・・・帯状部材、３・・・・半導体素子、４・・・
・センタデバイス孔、６・・・・アウタリード孔、７−
　・・−リード、７ａ・・・・インナーリード部、７ｂ
・・・・アウターリード部、７Ｃ・・・・テストパッド
部、１０．１１・・・・金型、１６・・・・ゲート、１
６ａ・・・・ゲート底面、２１〜２４・・・・架橋部。 代　理　人　大岩増雄 憾　　　　　　　　０ １６；ケ°′−ト 第４図 ０ロロロロ （ｂ） 第６図 ロロロロロ 第７図 （ｂ） 第８図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）低圧トランスファ成形方法によって金型内で樹脂
    封止される半導体素子の一部が臨むセンタデバイス孔お
    よびこのセンタデバイス孔の周囲に設けられ各々が互い
    に架橋部を介して連接する複数のリード孔を有する帯状
    部材からなり、この帯状部材の面上であって、半導体素
    子の樹脂封止状態において前記金型のゲート底面に対向
    する部位に樹脂流通路壁を形成したことを特徴とするキ
    ャリアテープ。
  2. （２）樹脂流通路壁が架橋部上に位置付けられている特
    許請求の範囲第１項記載のキャリアテープ。
  3. （３）樹脂流通路壁側の架橋部の形状は他の架橋部の形
    状より異なる形状に形成されている特許請求の範囲第２
    項記載のキャリアテープ。
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