JPS5943560A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS5943560A JPS5943560A JP57154408A JP15440882A JPS5943560A JP S5943560 A JPS5943560 A JP S5943560A JP 57154408 A JP57154408 A JP 57154408A JP 15440882 A JP15440882 A JP 15440882A JP S5943560 A JPS5943560 A JP S5943560A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- resin
- lead frame
- frame
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
- H10W70/424—Cross-sectional shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この開明は、樹脂封止型半導体装置の樹脂刺」［−用リ
ードフレームに関するものである。
ードフレームに関するものである。
第１図は従来の半導体装置用リードフレームの樹脂封止
装置の一例を示す側断面図で、１はトランジスタ等の半
導体素子（図示せず）が組み立てられｌこ金属製σ）リ
ードフレームで、このリードフレーム１を樹脂封止用の
上下の金型２にセットする。次に金型２の開口部３より
樹脂４を入れ、加圧Ｉ？５で樹脂４を加圧する。これに
より樹脂４は移送路６を通り、成形室７に注入される。
装置の一例を示す側断面図で、１はトランジスタ等の半
導体素子（図示せず）が組み立てられｌこ金属製σ）リ
ードフレームで、このリードフレーム１を樹脂封止用の
上下の金型２にセットする。次に金型２の開口部３より
樹脂４を入れ、加圧Ｉ？５で樹脂４を加圧する。これに
より樹脂４は移送路６を通り、成形室７に注入される。
成形室Ｔに注入された樹脂４け加圧状態で加熱され、硬
化し樹脂封止７＋−完了する。
化し樹脂封止７＋−完了する。
ところて、上記従来の樹脂封止装置による欠点は、金型
２とリードフレーム１との間隙に樹脂が入り込み、パリ
が発生ずる点に矛）ろ。これについてｐ４２図により説
明する、 第２図において、８は樹脂刊止部、９はパリで糸）る。
２とリードフレーム１との間隙に樹脂が入り込み、パリ
が発生ずる点に矛）ろ。これについてｐ４２図により説
明する、 第２図において、８は樹脂刊止部、９はパリで糸）る。
パリ９はり一１゛フレーム１σ〕を簡に強固に（；１着
し、除去がきわめて１本難であり、後工程のはＡ７だ付
け（図示ぜず）などの作吊を固唾なものとする欠点デン
ーに１つだ。
し、除去がきわめて１本難であり、後工程のはＡ７だ付
け（図示ぜず）などの作吊を固唾なものとする欠点デン
ーに１つだ。
この発明は５．上記の欠点を解消するためになされたも
ので、リードフレーノ、の所定（Ｉ＾１所苓′表裏両面
から他の部分より薄く形成することにより、パリの発生
を除去するようにし、たもσ）である。以下、この開明
について説明する。
ので、リードフレーノ、の所定（Ｉ＾１所苓′表裏両面
から他の部分より薄く形成することにより、パリの発生
を除去するようにし、たもσ）である。以下、この開明
について説明する。
第３図（ａ）、 （ｂ）はこのさζ明σ）一実施例を
示すリードフレーノ・の斜視図とＡ−Ａ線による断面図
である。これらの図において、１１はリードフレームで
、このリードフレーム１１の内部リード部１２と連続し
た外部リード部１３において内部リード部１２の板厚を
外部リード部１３の板厚より所要厚さ薄くしたものであ
る。すなわち、リードフし・−ム１１の内部リード部１
２を表裏両面から薄くし、段差部１４を形成したもので
ある。
示すリードフレーノ・の斜視図とＡ−Ａ線による断面図
である。これらの図において、１１はリードフレームで
、このリードフレーム１１の内部リード部１２と連続し
た外部リード部１３において内部リード部１２の板厚を
外部リード部１３の板厚より所要厚さ薄くしたものであ
る。すなわち、リードフし・−ム１１の内部リード部１
２を表裏両面から薄くし、段差部１４を形成したもので
ある。
第４レロま第３図の実施例たよるリードフレーム１１を
使用して樹脂封止した状態を示す断面図であり、第５図
は樹脂封止を完了しまた半導体装置の平面図である。こ
れらの図にお℃・て、１５は金型、１６は移送路、１７
は成形室、１８は樹脂封止部、１９はハリである。この
ように内部リード部１２σ）板厚を簿くしたリードフレ
ーム１１を用いて樹肥封止した場合には、金型１５と内
部リード部１２０間隙より入り込む樹脂が段差部１４で
止められハリ１９はリードフレーム１１の外部リード部
１３の表裏両面に発生することはなし・。
使用して樹脂封止した状態を示す断面図であり、第５図
は樹脂封止を完了しまた半導体装置の平面図である。こ
れらの図にお℃・て、１５は金型、１６は移送路、１７
は成形室、１８は樹脂封止部、１９はハリである。この
ように内部リード部１２σ）板厚を簿くしたリードフレ
ーム１１を用いて樹肥封止した場合には、金型１５と内
部リード部１２０間隙より入り込む樹脂が段差部１４で
止められハリ１９はリードフレーム１１の外部リード部
１３の表裏両面に発生することはなし・。
−１−記この発明σ）リードフレーム１１の内部リード
部１２と外部リード部１３との板Ｊ！、を差は、例えば
内部リード部１２は外部リード部１３より０．０５〜０
、１ ｍｍ程１隻薄くした方が実用的であ−り、さらに
段差部１４の樹脂封止部１Ｂの端面からの距離は自由に
設定可能であるが、０２〜１．０ｍｍ稈度にずればパリ
１９の長さは使用上問題なく実用的である。
部１２と外部リード部１３との板Ｊ！、を差は、例えば
内部リード部１２は外部リード部１３より０．０５〜０
、１ ｍｍ程１隻薄くした方が実用的であ−り、さらに
段差部１４の樹脂封止部１Ｂの端面からの距離は自由に
設定可能であるが、０２〜１．０ｍｍ稈度にずればパリ
１９の長さは使用上問題なく実用的である。
また、この発明によるり一ドフレーム１１を用いれば後
工程σ）はんだ４＝Ｊ１？ （図示せず）での従来の欠
点をま解消され作業は答易どブＩる。
工程σ）はんだ４＝Ｊ１？ （図示せず）での従来の欠
点をま解消され作業は答易どブＩる。
なお、上記実施例ばｉ・ランジスタに限らず、集積回路
、ダイオード等信の樹脂封止型才導体装置に適用できる
ことはもちろんである。
、ダイオード等信の樹脂封止型才導体装置に適用できる
ことはもちろんである。
以上説明したように、この発明は樹脂封止される半導体
装置用のリードフレームの内部リード部の板厚を外部リ
ード部の板厚より表展両面から段差部を設けて薄く形成
したので、樹脂封止した際上下の金型と内部リード部と
の間に入り込む樹脂はその段差部で止められ外部リード
部の上下面へのパリの発生を防止することができる。し
たがって後工程のはんだ付作業もきわめて芥易となる等
の利点が待られる。
装置用のリードフレームの内部リード部の板厚を外部リ
ード部の板厚より表展両面から段差部を設けて薄く形成
したので、樹脂封止した際上下の金型と内部リード部と
の間に入り込む樹脂はその段差部で止められ外部リード
部の上下面へのパリの発生を防止することができる。し
たがって後工程のはんだ付作業もきわめて芥易となる等
の利点が待られる。
第１図（主従来の樹脂封止装丙σ）−１すを示す断面１
シ１、第２図は第１図の樹脂封止装ｆ−夕でｌｒ＋ｌ脂
封止した半導体装１＾゛の平面図、第３図（ａ）、
（ｂ）はこの発明の一実施例を枦明するリードフレーム
の斜視図および／ｌ−Ａ線による断面図、第４図はこの
発ＱＩＪによるリードフレームを用（・て樹脂封止した
状態を示す断面図、第５図は樹脂封止された半導体装ｆ
Ｎの平面図である。 図中、１１はリードフレーム、１２は内部リード部、１
３は外部ソー１゛部、１４は段差部、１５は金型、１６
は移送路、１７は成形室、１日は樹脂判止部、１９はパ
リである。なお、図中σ）同一符号は同一またはイｆ１
轟部分を示す。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第３図 第５図 ２４９−
シ１、第２図は第１図の樹脂封止装ｆ−夕でｌｒ＋ｌ脂
封止した半導体装１＾゛の平面図、第３図（ａ）、
（ｂ）はこの発明の一実施例を枦明するリードフレーム
の斜視図および／ｌ−Ａ線による断面図、第４図はこの
発ＱＩＪによるリードフレームを用（・て樹脂封止した
状態を示す断面図、第５図は樹脂封止された半導体装ｆ
Ｎの平面図である。 図中、１１はリードフレーム、１２は内部リード部、１
３は外部ソー１゛部、１４は段差部、１５は金型、１６
は移送路、１７は成形室、１日は樹脂判止部、１９はパ
リである。なお、図中σ）同一符号は同一またはイｆ１
轟部分を示す。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第３図 第５図 ２４９−
Claims (1)
- 樹脂封止型半導体装置を構成するリードフレームにおい
て、前記リードフレームσ）樹脂封止される内部リード
部の板厚を外部リード部の板厚より表裏両面から段差部
を設けて所要ＪＩさ薄くしたことを特徴とする半導体装
置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154408A JPS5943560A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154408A JPS5943560A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943560A true JPS5943560A (ja) | 1984-03-10 |
Family
ID=15583492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57154408A Pending JPS5943560A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943560A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023083864A (ja) * | 2021-12-06 | 2023-06-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764956A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-20 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS57202766A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
-
1982
- 1982-09-02 JP JP57154408A patent/JPS5943560A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764956A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-20 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS57202766A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023083864A (ja) * | 2021-12-06 | 2023-06-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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