JPH0497991A - ＣｄＴｅ単結晶の製造方法 - Google Patents
ＣｄＴｅ単結晶の製造方法Info
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- JPH0497991A JPH0497991A JP2210277A JP21027790A JPH0497991A JP H0497991 A JPH0497991 A JP H0497991A JP 2210277 A JP2210277 A JP 2210277A JP 21027790 A JP21027790 A JP 21027790A JP H0497991 A JPH0497991 A JP H0497991A
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- Japan
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- single crystal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
且ユＬ且ム立国
本発明は、放射線検出素子用等として有用な高抵抗Ｃｄ
Ｔｅ単結晶の製造方法に関する。
Ｔｅ単結晶の製造方法に関する。
因米且皿
ＣｄＴｅ単結晶は放射線検出素子等に有用であり、その
特性向上、特に高エネルギー分解能化をめざして従来か
らＣｄＴｅ単結晶の製造方法が検討されている。
特性向上、特に高エネルギー分解能化をめざして従来か
らＣｄＴｅ単結晶の製造方法が検討されている。
高エネルギー分解能を達成するための結晶特性としては
、主に次の２点が重要である。
、主に次の２点が重要である。
第１点は、抵抗率が高いことである。抵抗率が低いと放
射線検出器の信号ノイズが増大し好ましくなく、ｌＸｌ
０’Ωｃｍ以上の値が必要である。
射線検出器の信号ノイズが増大し好ましくなく、ｌＸｌ
０’Ωｃｍ以上の値が必要である。
第２点はキャリアライフタイムが大きいことである。キ
ャリアライフタイムが小さいと、キャリア収集効率が低
下し、エネルギー分解能が低下する。
ャリアライフタイムが小さいと、キャリア収集効率が低
下し、エネルギー分解能が低下する。
以上のことから、放射線検出素子用の結晶の製造条件の
検討は、高抵抗率化、キャリアライフタイムの増大の２
点に注目して行なわれてきた。
検討は、高抵抗率化、キャリアライフタイムの増大の２
点に注目して行なわれてきた。
第１黒目の高抵抗率化に対しては、結晶成長時にＣ１を
ドープして抵抗率を向上する事が報告されている。
ドープして抵抗率を向上する事が報告されている。
第２魚目のキャリアライフタイムの増大に関しては、結
晶の純度の向上によって達成される事が報告されている
。
晶の純度の向上によって達成される事が報告されている
。
が する。 点
従来から、高抵抗率の結晶を得るためには、結晶中に添
加する塩素濃度を高めることにより効果があることが知
られている。しかし、塩素濃度が高くなるほどキャリア
ライフタイムは低下する傾向があるために、放射線検出
素子に適した充分抵抗率が高く、しかもキャリアライフ
タイムも大きい結晶を得ることが出来ないという問題点
があった。すなわち、放射線検出素子として使用可能な
抵抗率を得るためには、塩素の添加量をある程度大きな
量にせざるを得ない。そのため、キャリアライフタイム
が小さくなり、結果的に、この結晶を使用して作製した
放射線検出素子のエネルギー分解能は満足できる値を得
ることができないという問題があっ光。
加する塩素濃度を高めることにより効果があることが知
られている。しかし、塩素濃度が高くなるほどキャリア
ライフタイムは低下する傾向があるために、放射線検出
素子に適した充分抵抗率が高く、しかもキャリアライフ
タイムも大きい結晶を得ることが出来ないという問題点
があった。すなわち、放射線検出素子として使用可能な
抵抗率を得るためには、塩素の添加量をある程度大きな
量にせざるを得ない。そのため、キャリアライフタイム
が小さくなり、結果的に、この結晶を使用して作製した
放射線検出素子のエネルギー分解能は満足できる値を得
ることができないという問題があっ光。
且豆■璽崖
本発明は、上記の問題点を解決したものであって、放射
線検出素子用のＣｄＴｅ単結晶の製造方法において、得
られる単結晶中の塩素濃度が０゜８重量ｐｐｍ以上５重
量ｐｐｍ以下となるように塩素源を添加し、単結晶の成
長後、４５０’Ｃ以下の温度域において５０°Ｃ／ｈｒ
以下の速度で冷却する熱処理を行うこと、あるいは、４
５０’Ｃ以下の温度域において、段階的に温度を下げな
がら熱処理を行なうことを特徴とするＣｄＴｅ単結晶の
製造方法に関するものである。
線検出素子用のＣｄＴｅ単結晶の製造方法において、得
られる単結晶中の塩素濃度が０゜８重量ｐｐｍ以上５重
量ｐｐｍ以下となるように塩素源を添加し、単結晶の成
長後、４５０’Ｃ以下の温度域において５０°Ｃ／ｈｒ
以下の速度で冷却する熱処理を行うこと、あるいは、４
５０’Ｃ以下の温度域において、段階的に温度を下げな
がら熱処理を行なうことを特徴とするＣｄＴｅ単結晶の
製造方法に関するものである。
点を る および
上記の問題点を解決するためには、低塩素濃度でも抵抗
率の高い結晶を得る方法が必要であり、本発明者等は、
結晶を成長した後の冷却過程において、４５０℃以下の
温度域で５０℃／ ｈ ｒ以下の速度で冷却するか、あ
るいは、４５０℃以下の温度域で段階的に温度を下げな
がら熱処理することで抵抗率が増加することを新たに見
い出し、本発明に至ったものである。
率の高い結晶を得る方法が必要であり、本発明者等は、
結晶を成長した後の冷却過程において、４５０℃以下の
温度域で５０℃／ ｈ ｒ以下の速度で冷却するか、あ
るいは、４５０℃以下の温度域で段階的に温度を下げな
がら熱処理することで抵抗率が増加することを新たに見
い出し、本発明に至ったものである。
本発明におけるＣｄＴｅの結晶成長方法とは、トラベリ
ングヒーター法、ブリッジマン法、グラジエントフリー
ジング法等の方法であって、塩素源を添加して行う結晶
成長法の殆ど全てを含む。
ングヒーター法、ブリッジマン法、グラジエントフリー
ジング法等の方法であって、塩素源を添加して行う結晶
成長法の殆ど全てを含む。
本発明における、塩素源としては、ＣｄＣ１，。
ＴｅＣｌ４．ＴｅＣ１，、Ｃ１ｍ等である。これは、Ｃ
ｄＴｅの抵抗率を高めるために添加される。添加量は、
結晶成長方法及びその条件によって異なるが、ＣｄＴｅ
結晶中の塩素濃度が０．８重量ｐｐｍ以上、５重量ｐｐ
ｍ以下となるように添加する。０．８重量ｐｐｍ以下で
は、本発明の結晶成長後に引き続き行われる熱処理を行
っても、第１図に示すごとく、放射線検出素子に使用可
能な１×１０°Ωｃｍ以上の抵抗率にならないため好ま
しくない。また、５重量ｐｐｍ以上では、第２図に示す
ごとく、キャリアライフタイムが低下するために、エネ
ルギー分解能が低下し好ましくない。
ｄＴｅの抵抗率を高めるために添加される。添加量は、
結晶成長方法及びその条件によって異なるが、ＣｄＴｅ
結晶中の塩素濃度が０．８重量ｐｐｍ以上、５重量ｐｐ
ｍ以下となるように添加する。０．８重量ｐｐｍ以下で
は、本発明の結晶成長後に引き続き行われる熱処理を行
っても、第１図に示すごとく、放射線検出素子に使用可
能な１×１０°Ωｃｍ以上の抵抗率にならないため好ま
しくない。また、５重量ｐｐｍ以上では、第２図に示す
ごとく、キャリアライフタイムが低下するために、エネ
ルギー分解能が低下し好ましくない。
本発明の熱処理は、結晶成長終了後の室温まで冷却する
過程で行う。したがって、これは、結晶成長を行ったア
ンプル等の容器の中に入ったまま行われる。このため、
結晶の取扱による汚染を極めて少なくすることができる
。特にウェハーにした後に熱処理を行なう方法に比べて
汚染が少ない。
過程で行う。したがって、これは、結晶成長を行ったア
ンプル等の容器の中に入ったまま行われる。このため、
結晶の取扱による汚染を極めて少なくすることができる
。特にウェハーにした後に熱処理を行なう方法に比べて
汚染が少ない。
また、この時の熱処理は４５０℃以下の温度域に対して
行われる。４５０℃を越える温度域で熱処理しても、抵
抗率の向上にはなんら寄与しない。
行われる。４５０℃を越える温度域で熱処理しても、抵
抗率の向上にはなんら寄与しない。
また、この時の４５０℃とは結晶の温度であって、炉の
温度ではない。したがって、結晶が勾配のある温度分布
の中にあるときは、炉の温度が４５０℃を越える温度で
あっても、結晶の１部が４５０℃以下になったときに本
発明の熱処理が始まる。
温度ではない。したがって、結晶が勾配のある温度分布
の中にあるときは、炉の温度が４５０℃を越える温度で
あっても、結晶の１部が４５０℃以下になったときに本
発明の熱処理が始まる。
本発明の熱処理の方法は４５０”Ｃ以下の温度域におい
て、５０℃／ｈｒ以下の速度で冷却することである。第
３図に示すごとく、冷却速度が５０℃／ｈ ｒを越える
とと抵抗率が放射線検出素子に使用可能なＩ Ｘ １０
’Ωｃｍより小さくなるため、好ましくない。特に結晶
中の塩素濃度が１〜２ｐｐｍ前後と小さい場合は、更に
冷却速度を小さくする必要がある。好ましくは２０℃／
ｈｒ以下の冷却速度とする。
て、５０℃／ｈｒ以下の速度で冷却することである。第
３図に示すごとく、冷却速度が５０℃／ｈ ｒを越える
とと抵抗率が放射線検出素子に使用可能なＩ Ｘ １０
’Ωｃｍより小さくなるため、好ましくない。特に結晶
中の塩素濃度が１〜２ｐｐｍ前後と小さい場合は、更に
冷却速度を小さくする必要がある。好ましくは２０℃／
ｈｒ以下の冷却速度とする。
本発明の熱処理は上記の様に、徐々に温度を下げる方法
のみでなく、例えば、第４図に示すごとく４５０℃以下
の温度域で段階的に温度を下げながら行っても良い。こ
の場合、特に３５０℃以上４５０’Ｃ以下の温度域で１
時間以上の熱処理時間を設けるのが結晶中の抵抗率のば
らつきが小さくなるとともに、その平均値も向上するた
め、好ましい。さらに好ましくは１５時間以上の熱処理
時間を設ける。段階的に熱処理する場合では、上記のご
とく、３５０℃以上４５０℃以下の温度で熱処理をした
あと、できるだけ低温まで熱処理を行うことが、より高
い抵抗率が得られるため好ましい。例えば、３８０℃、
３００℃、２００℃、１００℃と段階的に熱処理を変え
ていくことが好ましい。
のみでなく、例えば、第４図に示すごとく４５０℃以下
の温度域で段階的に温度を下げながら行っても良い。こ
の場合、特に３５０℃以上４５０’Ｃ以下の温度域で１
時間以上の熱処理時間を設けるのが結晶中の抵抗率のば
らつきが小さくなるとともに、その平均値も向上するた
め、好ましい。さらに好ましくは１５時間以上の熱処理
時間を設ける。段階的に熱処理する場合では、上記のご
とく、３５０℃以上４５０℃以下の温度で熱処理をした
あと、できるだけ低温まで熱処理を行うことが、より高
い抵抗率が得られるため好ましい。例えば、３８０℃、
３００℃、２００℃、１００℃と段階的に熱処理を変え
ていくことが好ましい。
［実施例１コ
Ｔｅを溶媒とし、結晶中の塩素濃度が２重量ｐｐｍにな
るようにＣｄＣ１，を塩素源として添加し、トラベリン
グヒーター法で、ＣｄＴｅ単結晶を製造後、１０℃／
ｈ ｒの冷却速度で降温した後、この結晶を用いて放射
線検出素子を作製した。
るようにＣｄＣ１，を塩素源として添加し、トラベリン
グヒーター法で、ＣｄＴｅ単結晶を製造後、１０℃／
ｈ ｒの冷却速度で降温した後、この結晶を用いて放射
線検出素子を作製した。
この結晶の抵抗率は、３×ｌＯ°Ωｃｍ、キャリアライ
フタイムは電子が０．６５μｓ、ホールが０．３５μｓ
と高抵抗、高キヤリアライフタイムを同時に満足するも
のであった。
フタイムは電子が０．６５μｓ、ホールが０．３５μｓ
と高抵抗、高キヤリアライフタイムを同時に満足するも
のであった。
放射線検出素子としての特性は、”’Ａｍの放射線（５
９，５ｋｅＶのエネルギーをもっている）を測定したと
きのピーク強度半値幅が、印加電圧１５Ｖにおいて６ｋ
ｅＶの良好な分解能が得られた。
９，５ｋｅＶのエネルギーをもっている）を測定したと
きのピーク強度半値幅が、印加電圧１５Ｖにおいて６ｋ
ｅＶの良好な分解能が得られた。
［実施例２］
第５図に示すごとく、Ｔｅを溶媒とし、結晶中の塩素濃
度が２重量ｐｐｍになるようにＣｄＣ１、を塩素源とし
て添加し、図中結晶成長炉１で、トラベリングヒーター
法で、ＣｄＴｅ単結晶を成長した後、引き続き、図中熱
処理炉２にアンプル３を移動し、第４図に示すように温
度を段階的に下げながら、熱処理を行った。この結晶を
用いて放射線検出素子を作製した。
度が２重量ｐｐｍになるようにＣｄＣ１、を塩素源とし
て添加し、図中結晶成長炉１で、トラベリングヒーター
法で、ＣｄＴｅ単結晶を成長した後、引き続き、図中熱
処理炉２にアンプル３を移動し、第４図に示すように温
度を段階的に下げながら、熱処理を行った。この結晶を
用いて放射線検出素子を作製した。
この結晶の抵抗率は、４×１０“Ωｃｍ、キャリアライ
フタイムは電子が０．６５μｓ、ホールが０．３５μｓ
と高抵抗、高キヤリアライフタイムを同時に満足するも
のであった。
フタイムは電子が０．６５μｓ、ホールが０．３５μｓ
と高抵抗、高キヤリアライフタイムを同時に満足するも
のであった。
放射線検出素子としての特性は、１４１Ａｍの放射線（
５９，５ｋｅＶのエネルギーをもっている）を測定した
ときのピーク強度半値幅が、印加電圧１５Ｖにおいて５
ｋｅＶの良好な分解能が得られた。
５９，５ｋｅＶのエネルギーをもっている）を測定した
ときのピーク強度半値幅が、印加電圧１５Ｖにおいて５
ｋｅＶの良好な分解能が得られた。
［比較例］
Ｔｅを溶媒とし、結晶中の塩素濃度が２重量ｐｐｍにな
るようにＣｄＣ１，を塩素源として添加し、トラベリン
グヒーター法で、ＣｄＴｅ単結晶を成長後、１５０℃／
ｈｒの冷却速度で降温したあと、この結晶を用いて放射
線検出素子を作製した。
るようにＣｄＣ１，を塩素源として添加し、トラベリン
グヒーター法で、ＣｄＴｅ単結晶を成長後、１５０℃／
ｈｒの冷却速度で降温したあと、この結晶を用いて放射
線検出素子を作製した。
この結晶の抵抗率は、５ｘｌＯ’Ωｃｍであり、キャリ
アライフタイムは抵抗値が低すぎたため、測定できなか
った。
アライフタイムは抵抗値が低すぎたため、測定できなか
った。
放射線検出素子としての特性は、抵抗率が低すぎたため
に、リーグ電流が大きく、””Ａｍの放射線、を測定し
たところ、なんらスペクトルが得られなかった。
に、リーグ電流が大きく、””Ａｍの放射線、を測定し
たところ、なんらスペクトルが得られなかった。
五１久匁玉
本発明により、結晶中塩素濃度が０．８重量ｐｐｍ以上
５重量ｐｐｍという低塩素濃度でも、放射線検出素子を
作製するのに充分な抵抗率の高い結晶を得ることが出来
る。このため、この結晶を用いて、従来よりもエネルギ
ー分解能の良好な放射線検出素子を作製することができ
る。
５重量ｐｐｍという低塩素濃度でも、放射線検出素子を
作製するのに充分な抵抗率の高い結晶を得ることが出来
る。このため、この結晶を用いて、従来よりもエネルギ
ー分解能の良好な放射線検出素子を作製することができ
る。
第１図は結晶中の塩素濃度と本発明の熱処理によって得
られた抵抗率の関係を示したものである。 第２図は結晶中の塩素濃度とキャリアライフタイムの関
係を示したものである。 第３図は冷却速度と抵抗率の関係を示したものである。 第４図は段階的に熱処理温度を下げる場合の一例を示し
たものであって、実施例２における熱処理条件である 第５図は実施例２における、結晶成長装置を示したもの
である。 １、結晶成長炉 ２、熱処理炉 ３、アンプル ４、ＣｄＴｅ単結晶 ５、Ｔｅ溶媒 ６、原料ＣｄＴｅ多結晶
られた抵抗率の関係を示したものである。 第２図は結晶中の塩素濃度とキャリアライフタイムの関
係を示したものである。 第３図は冷却速度と抵抗率の関係を示したものである。 第４図は段階的に熱処理温度を下げる場合の一例を示し
たものであって、実施例２における熱処理条件である 第５図は実施例２における、結晶成長装置を示したもの
である。 １、結晶成長炉 ２、熱処理炉 ３、アンプル ４、ＣｄＴｅ単結晶 ５、Ｔｅ溶媒 ６、原料ＣｄＴｅ多結晶
Claims (1)
- （１）放射線検出素子用のＣｄＴｅ単結晶の製造方法に
おいて、得られる単結晶中の塩素濃度が０．８重量ｐｐ
ｍ以上５重量ｐｐｍ以下となるように塩素源を添加し、
単結晶の成長後、４５０℃以下の温度域において５０℃
／ｈｒ以下の速度で冷却する熱処理を行うこと、あるい
は、４５０℃以下の温度域において、段階的に温度を下
げながら熱処理を行なうことを特徴とするＣｄＴｅ単結
晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2210277A JPH0818917B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | ＣｄＴｅ単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2210277A JPH0818917B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | ＣｄＴｅ単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0497991A true JPH0497991A (ja) | 1992-03-30 |
| JPH0818917B2 JPH0818917B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=16586730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2210277A Expired - Fee Related JPH0818917B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | ＣｄＴｅ単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818917B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0627506A1 (en) * | 1993-06-04 | 1994-12-07 | Japan Energy Corporation | CdTe crystal for use in radiation detector and method of manufacturing such CdTe crystal |
| WO1999059199A1 (en) * | 1998-05-11 | 1999-11-18 | Japan Energy Corporation | CdTe CRYSTAL OR CdZnTe CRYSTAL AND METHOD FOR PREPARING THE SAME |
| JP2014196213A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 半導体ウエハ、放射線検出素子、放射線検出器、および化合物半導体単結晶の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5338596A (en) * | 1976-09-20 | 1978-04-08 | Riken Vitamin Oil Co Ltd | Process for formula feed for larvae and juveniles of fish and shellfishes |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP2210277A patent/JPH0818917B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5338596A (en) * | 1976-09-20 | 1978-04-08 | Riken Vitamin Oil Co Ltd | Process for formula feed for larvae and juveniles of fish and shellfishes |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0627506A1 (en) * | 1993-06-04 | 1994-12-07 | Japan Energy Corporation | CdTe crystal for use in radiation detector and method of manufacturing such CdTe crystal |
| WO1999059199A1 (en) * | 1998-05-11 | 1999-11-18 | Japan Energy Corporation | CdTe CRYSTAL OR CdZnTe CRYSTAL AND METHOD FOR PREPARING THE SAME |
| US6299680B1 (en) | 1998-05-11 | 2001-10-09 | Japan Energy Corporation | CdTe crystal or CdZnTe crystal and method for preparing the same |
| JP2014196213A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 半導体ウエハ、放射線検出素子、放射線検出器、および化合物半導体単結晶の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0818917B2 (ja) | 1996-02-28 |
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| S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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