JPH0510017B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0510017B2 JPH0510017B2 JP58002330A JP233083A JPH0510017B2 JP H0510017 B2 JPH0510017 B2 JP H0510017B2 JP 58002330 A JP58002330 A JP 58002330A JP 233083 A JP233083 A JP 233083A JP H0510017 B2 JPH0510017 B2 JP H0510017B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead wires
- voltage
- magnetic material
- hole
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電源線或は信号線等から侵入する誘
導雷や、誘導性負荷の開閉によつて生じるサージ
等の線間サージ、或は電圧は低いが機器の誤動作
やテレビジヨン受像機、ラジオ受信機の雑音の原
因になるノイズなどを抑制するためのサージノイ
ズ吸収器に関するものである。
導雷や、誘導性負荷の開閉によつて生じるサージ
等の線間サージ、或は電圧は低いが機器の誤動作
やテレビジヨン受像機、ラジオ受信機の雑音の原
因になるノイズなどを抑制するためのサージノイ
ズ吸収器に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
電子機器を誘導雷等の異常電圧から保護するに
は、従来酸化亜鉛バリスタ等の電圧依存性非直線
抵抗素子Ａが第１図ａに示すような回路で使用さ
れている。なお第１図において、Ｉは入力端子、
は出力端子である。更に制限電圧特性を良くす
るために、同図ｂに示すように、サージ電流を制
限する限流要素として空芯あるいは、鉄若しくは
フエライト芯入コイル等で構成されるインダクタ
ンスＢを挿入したものもある。又機器の誤動作の
原因になるノイズの除去には、第１図ｃのよう
に、誘電体素子ＣとインダクタンスＢが使用され
ている。又最近では、電圧依存性非直線抵抗特性
を有するセラミツク誘電体素子Ｄが第１図ｄに示
すように使用されている。しかしながらこれらは
何れもリード線によつて個別部品を接続する方法
をとつているため、取付スペースを広く必要と
し、又接続のための手数がかかり、更には接続リ
ード線によつて線間に、素子に直列なインダクタ
ンスが発生してこれが制限電圧特性やノイズ抑制
特性に悪影響を与えるなどの問題があつた。
は、従来酸化亜鉛バリスタ等の電圧依存性非直線
抵抗素子Ａが第１図ａに示すような回路で使用さ
れている。なお第１図において、Ｉは入力端子、
は出力端子である。更に制限電圧特性を良くす
るために、同図ｂに示すように、サージ電流を制
限する限流要素として空芯あるいは、鉄若しくは
フエライト芯入コイル等で構成されるインダクタ
ンスＢを挿入したものもある。又機器の誤動作の
原因になるノイズの除去には、第１図ｃのよう
に、誘電体素子ＣとインダクタンスＢが使用され
ている。又最近では、電圧依存性非直線抵抗特性
を有するセラミツク誘電体素子Ｄが第１図ｄに示
すように使用されている。しかしながらこれらは
何れもリード線によつて個別部品を接続する方法
をとつているため、取付スペースを広く必要と
し、又接続のための手数がかかり、更には接続リ
ード線によつて線間に、素子に直列なインダクタ
ンスが発生してこれが制限電圧特性やノイズ抑制
特性に悪影響を与えるなどの問題があつた。
（発明の目的）
本発明は、上記従来の欠点を解消するもので、
小形化を図り、かつ単一部品化を可能にしたサー
ジノイズ吸収器を提供するものである。
小形化を図り、かつ単一部品化を可能にしたサー
ジノイズ吸収器を提供するものである。
（発明の構成）
上記目的を達成するために、本発明は、軸方向
に貫通孔を有するつづみ状の磁性体を使用し、そ
の貫通孔に、両端面に電極を有する円柱状の電圧
依存性非直線抵抗素子又は電圧依存性非直線抵抗
特性を有するセラミツク誘電体素子を挿着し、こ
の素子の一方の電極から２本のリード線を外部へ
引き出して外部端子とし、他方の電極からも２本
のリード線を引き出して、このリード線は、前記
つづみ状の磁性体の周囲にそれぞれ複数回巻きつ
けた後外部端子として、前記した外部端子と同一
方向に引き出し、４個の外部端子を有した構成と
することにより、入出力側それぞれにインダクタ
ンス成分を設けると共に、この両インダクタンス
成分間に前記素子の一端が接続され他端がアース
側に接続されたＴ字形フイルタを単一部品として
構成したものである。
に貫通孔を有するつづみ状の磁性体を使用し、そ
の貫通孔に、両端面に電極を有する円柱状の電圧
依存性非直線抵抗素子又は電圧依存性非直線抵抗
特性を有するセラミツク誘電体素子を挿着し、こ
の素子の一方の電極から２本のリード線を外部へ
引き出して外部端子とし、他方の電極からも２本
のリード線を引き出して、このリード線は、前記
つづみ状の磁性体の周囲にそれぞれ複数回巻きつ
けた後外部端子として、前記した外部端子と同一
方向に引き出し、４個の外部端子を有した構成と
することにより、入出力側それぞれにインダクタ
ンス成分を設けると共に、この両インダクタンス
成分間に前記素子の一端が接続され他端がアース
側に接続されたＴ字形フイルタを単一部品として
構成したものである。
（実施例の説明）
以下、図面に基づいて実施例を詳細に説明す
る。
る。
第２図ないし第５図は、本発明の一実施例を示
したもので、第２図はその正面図、第３図は平面
図、第４図は底面図、第５図は、第３図のＡ−
A′における断面図である。図において、１は軸
方向の貫通孔２を有するつづみ状のフエライト磁
性体、３は、その貫通孔２に挿入された円柱状の
電圧依存性非直線抵抗特性を有するセラミツク誘
電体素子である。この誘電体素子３の一方の電極
４には２本のリード線５，６が接合されており、
そのうちリード線５は磁性体上面の溝７を経由し
てl1で示したように磁性体１の周囲に５回巻き付
けられ、磁性体下面の穴９を通して外部へ引き出
され、外部端子１１となる。またリード線６は、
同様に磁性体上面の溝８を経由してl2で示したよ
うに磁性体１の周囲に５回巻き付けられ、磁性体
下面の穴１０を通して外部へ引き出され、外部端
子１２となる。この場合、l1とl2の巻き方向は互
いに逆になつている。誘電体素子３の他方の電極
１３にも２本のリード線１４，１５が接合されて
おり、外部端子として前記外部端子１１，１２と
同一方向に引き出される。リード線５，６および
１４，１５は電極４，１３との接合部及び外部端
子部を除き絶縁性を持たせるための被覆が施され
ている。なお図示していないが、耐候的性能を向
上させるために誘電体素子３には樹脂塗装が施さ
れている。
したもので、第２図はその正面図、第３図は平面
図、第４図は底面図、第５図は、第３図のＡ−
A′における断面図である。図において、１は軸
方向の貫通孔２を有するつづみ状のフエライト磁
性体、３は、その貫通孔２に挿入された円柱状の
電圧依存性非直線抵抗特性を有するセラミツク誘
電体素子である。この誘電体素子３の一方の電極
４には２本のリード線５，６が接合されており、
そのうちリード線５は磁性体上面の溝７を経由し
てl1で示したように磁性体１の周囲に５回巻き付
けられ、磁性体下面の穴９を通して外部へ引き出
され、外部端子１１となる。またリード線６は、
同様に磁性体上面の溝８を経由してl2で示したよ
うに磁性体１の周囲に５回巻き付けられ、磁性体
下面の穴１０を通して外部へ引き出され、外部端
子１２となる。この場合、l1とl2の巻き方向は互
いに逆になつている。誘電体素子３の他方の電極
１３にも２本のリード線１４，１５が接合されて
おり、外部端子として前記外部端子１１，１２と
同一方向に引き出される。リード線５，６および
１４，１５は電極４，１３との接合部及び外部端
子部を除き絶縁性を持たせるための被覆が施され
ている。なお図示していないが、耐候的性能を向
上させるために誘電体素子３には樹脂塗装が施さ
れている。
上記構成のサージノイズ吸収器の外部端子１１
及び１４を電源線或は信号線側に接続し、外部端
子１２及び１５を被保護機器１７側にそれぞれ接
続した場合の電気的等価回路は第６図のようにな
る。第６図において、インダクタンスL1，L2は、
リード線５及び６の磁性体の周囲に巻きつけられ
た部分l1及びl2によつて発生するインダクタンス
成分であり、サージノイズの高周波成分に対して
限流、減衰効果を示し、非直線抵抗特性を有する
セラミツク誘電体素子３による制限電圧特性及び
ノイズ抑制特性を向上させるように作用するＴ字
形フイルタとなる。又、４端子構造をとり、誘電
体素子３の両端面の電極４，１３の各々に入出力
線が接続された構造となつているため、第１図ｄ
で示した従来例のように、個別部品をリード線で
接続することによりそのリード線に起因して線間
にインダクタンスが生じるというようなことがな
く、したがつて制限電圧特性及びノイズ抑制特性
が向上する。
及び１４を電源線或は信号線側に接続し、外部端
子１２及び１５を被保護機器１７側にそれぞれ接
続した場合の電気的等価回路は第６図のようにな
る。第６図において、インダクタンスL1，L2は、
リード線５及び６の磁性体の周囲に巻きつけられ
た部分l1及びl2によつて発生するインダクタンス
成分であり、サージノイズの高周波成分に対して
限流、減衰効果を示し、非直線抵抗特性を有する
セラミツク誘電体素子３による制限電圧特性及び
ノイズ抑制特性を向上させるように作用するＴ字
形フイルタとなる。又、４端子構造をとり、誘電
体素子３の両端面の電極４，１３の各々に入出力
線が接続された構造となつているため、第１図ｄ
で示した従来例のように、個別部品をリード線で
接続することによりそのリード線に起因して線間
にインダクタンスが生じるというようなことがな
く、したがつて制限電圧特性及びノイズ抑制特性
が向上する。
なお上記実施例では、電圧依存性非直線抵抗特
性を有するセラミツク誘電体素子を用いた例につ
いて説明したが、これに代えて酸化亜鉛バリスタ
等の電圧依存性非直線抵抗素子を用いてもよく、
この場合には、サージに対して有効な吸収器が得
られる。
性を有するセラミツク誘電体素子を用いた例につ
いて説明したが、これに代えて酸化亜鉛バリスタ
等の電圧依存性非直線抵抗素子を用いてもよく、
この場合には、サージに対して有効な吸収器が得
られる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、Ｔ字形
フイルタ構造で単一部品化を実現でき、従来より
も小形で、又、従来のような接続リード線に起因
する線間インダクタンスが発生しないことから特
性の向上したサージノイズ吸収器を提供すること
ができる。
フイルタ構造で単一部品化を実現でき、従来より
も小形で、又、従来のような接続リード線に起因
する線間インダクタンスが発生しないことから特
性の向上したサージノイズ吸収器を提供すること
ができる。
第１図ａ〜ｄは、それぞれ従来例の回路図、第
２図は、本発明の一実施例の正面図、第３図は、
同平面図、第４図は、同底面図、第５図は、同断
面図、第６図は、同電気的等価回路図である。 １……フエライト磁性体、２……貫通孔、３…
…セラミツク誘電体素子、４，１３……電極、
５，６，１４，１５……リード線。
２図は、本発明の一実施例の正面図、第３図は、
同平面図、第４図は、同底面図、第５図は、同断
面図、第６図は、同電気的等価回路図である。 １……フエライト磁性体、２……貫通孔、３…
…セラミツク誘電体素子、４，１３……電極、
５，６，１４，１５……リード線。
Claims (1)
- １ 軸方向の貫通孔を有するつづみ状磁性体の前
記貫通孔に、両端面にそれぞれ電極を有し、その
各電極に２本ずつのリード線を接合した円柱状の
電圧依存性非直線抵抗素子または電圧依存性非直
線抵抗特性を有するセラミツク誘電体素子を挿着
し、前記素子の一方の電極に接合された２本のリ
ード線をそれぞれ前記つづみ状磁性体の周囲に複
数回ずつ巻きつけた後外部端子として引き出し、
他の電極に接合された２本のリード線はそのまま
外部端子として引き出し、入出力側それぞれにイ
ンダクタンス成分を設けると共に、この両インダ
クタンス成分間に前記素子の一端が接続され他端
がアース側に接続されたＴ字形フイルタを一体で
構成したサージノイズ吸収器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58002330A JPS59129530A (ja) | 1983-01-12 | 1983-01-12 | サ−ジノイズ吸収器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58002330A JPS59129530A (ja) | 1983-01-12 | 1983-01-12 | サ−ジノイズ吸収器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129530A JPS59129530A (ja) | 1984-07-25 |
| JPH0510017B2 true JPH0510017B2 (ja) | 1993-02-08 |
Family
ID=11526298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58002330A Granted JPS59129530A (ja) | 1983-01-12 | 1983-01-12 | サ−ジノイズ吸収器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129530A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013009475A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Leader Electronics Inc | サージ電流抑制回路 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52165249U (ja) * | 1976-06-10 | 1977-12-14 | ||
| JPS54146326U (ja) * | 1978-03-31 | 1979-10-11 |
-
1983
- 1983-01-12 JP JP58002330A patent/JPS59129530A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59129530A (ja) | 1984-07-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0510017B2 (ja) | ||
| JPH0214288Y2 (ja) | ||
| JPH0139065Y2 (ja) | ||
| JPS61125103A (ja) | サ−ジ・ノイズ吸収器 | |
| JPH0139066Y2 (ja) | ||
| JPS6039801A (ja) | サ−ジ・ノイズ吸収器 | |
| JPS59129531A (ja) | サ−ジノイズ吸収器 | |
| JPS5992505A (ja) | サ−ジノイズ吸収器 | |
| JPS61189603A (ja) | サ−ジ・ノイズ吸収器 | |
| JPH033454B2 (ja) | ||
| JPS6316282Y2 (ja) | ||
| JPS61189601A (ja) | サ−ジ・ノイズ吸収器 | |
| JPS59129532A (ja) | サ−ジノイズ吸収器 | |
| JPH0229785Y2 (ja) | ||
| JP2595538B2 (ja) | サージノイズ吸収器 | |
| JP2600172B2 (ja) | サージノイズ吸収器 | |
| JPS626825Y2 (ja) | ||
| JPS61168901A (ja) | サ−ジノイズ吸収器 | |
| JP2661108B2 (ja) | サージノイズ吸収器 | |
| JPH0113370Y2 (ja) | ||
| JPS61108106A (ja) | サ−ジ・ノイズ吸収器 | |
| JPS58225584A (ja) | サージ、ノイズ吸収器 | |
| JPS5998502A (ja) | サ−ジ・ノイズ吸収器 | |
| JPS63299711A (ja) | サ−ジノイズ吸収器 | |
| JPS61107702A (ja) | サ−ジ・ノイズ吸収器 |