JPH05102004A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH05102004A JPH05102004A JP3260282A JP26028291A JPH05102004A JP H05102004 A JPH05102004 A JP H05102004A JP 3260282 A JP3260282 A JP 3260282A JP 26028291 A JP26028291 A JP 26028291A JP H05102004 A JPH05102004 A JP H05102004A
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- JP
- Japan
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- resist
- predetermined pattern
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 縮小露光の時間が短く、かつ解像度の高いレ
ジストパターンを得ることができるレジストパターン形
成方法を得ることを目的とする。 【構成】 基板４上に形成されたｇ線レジスト層１０の
上にｉ線レジスト層１５をｇ線レジスト層１０より薄く
塗布する。ｉ線レジスト層１５に所定パターンをレンズ
２を介して縮小露光するとｉ線レジスト層１５は所定パ
ターンにブリーチングされる。このｉ線レジスト層１５
をマスクとしてｇ線を全面露光したのち現像することに
よりｇ線レジスト層１０をパターニングする。 【効果】 薄いｉ線レジスト層１５に所定パターンを縮
小露光するので縮小露光の時間が少なくなり、スループ
ットが向上するとともに、密着したｉ線レジスト層１５
のレジストパターンをマスクにしているので、解像度の
高いレジストパターンが得られる。
ジストパターンを得ることができるレジストパターン形
成方法を得ることを目的とする。 【構成】 基板４上に形成されたｇ線レジスト層１０の
上にｉ線レジスト層１５をｇ線レジスト層１０より薄く
塗布する。ｉ線レジスト層１５に所定パターンをレンズ
２を介して縮小露光するとｉ線レジスト層１５は所定パ
ターンにブリーチングされる。このｉ線レジスト層１５
をマスクとしてｇ線を全面露光したのち現像することに
よりｇ線レジスト層１０をパターニングする。 【効果】 薄いｉ線レジスト層１５に所定パターンを縮
小露光するので縮小露光の時間が少なくなり、スループ
ットが向上するとともに、密着したｉ線レジスト層１５
のレジストパターンをマスクにしているので、解像度の
高いレジストパターンが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造工
程に用いられるフォトリソグラフィーにおけるレジスト
パターン形成方法に関するものである。
程に用いられるフォトリソグラフィーにおけるレジスト
パターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のレジストパターン形成方
法を説明するための図である。レチクル１に露光光が照
射されると、レチクル１上に形成されたパターンがレン
ズ２を介して縮小され基板４上に形成されたレジスト層
３に照射される（図４（ａ））。そして、現像するとレ
ジストパターン３ａが形成される（図４（ｂ））。
法を説明するための図である。レチクル１に露光光が照
射されると、レチクル１上に形成されたパターンがレン
ズ２を介して縮小され基板４上に形成されたレジスト層
３に照射される（図４（ａ））。そして、現像するとレ
ジストパターン３ａが形成される（図４（ｂ））。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のレジストパター
ン形成方法は以上のような工程で行われているので、レ
チクル１に形成されたパターンをレジスト３に縮小露光
する場合、レジスト３の膜厚が厚いのでパターン通りに
露光するのに時間がかかり、スループットが低下する。
また、レジスト３を完全に露光しようとして焦点深度を
深くすると解像度が下がる。一方、解像度を高くしよう
とすると焦点深度を浅くする必要があり、こうするとレ
ジスト３を完全に露光しきれないという問題点があっ
た。
ン形成方法は以上のような工程で行われているので、レ
チクル１に形成されたパターンをレジスト３に縮小露光
する場合、レジスト３の膜厚が厚いのでパターン通りに
露光するのに時間がかかり、スループットが低下する。
また、レジスト３を完全に露光しようとして焦点深度を
深くすると解像度が下がる。一方、解像度を高くしよう
とすると焦点深度を浅くする必要があり、こうするとレ
ジスト３を完全に露光しきれないという問題点があっ
た。
【０００４】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、縮小露光時間を短くでき、かつ
解像度の高いレジストパターンを形成することができる
レジストパターン形成方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、縮小露光時間を短くでき、かつ
解像度の高いレジストパターンを形成することができる
レジストパターン形成方法を得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係るレジスト
パターン形成方法は、下地層上に第１のレジスト層を形
成する工程と、前記第１のレジスト層上に光退色性を有
する第２のレジスト層を前記第１のレジスト層より薄く
形成する工程と、所定パターンを前記第２のレジスト層
に縮小露光し、前記第２のレジスト層を前記所定パター
ンにブリーチングする工程と、前記所定パターンにブリ
ーチングされた前記第２のレジスト層をマスクとして、
全面露光により前記第１のレジスト層に前記所定パター
ンを転写する工程とを備えている。
パターン形成方法は、下地層上に第１のレジスト層を形
成する工程と、前記第１のレジスト層上に光退色性を有
する第２のレジスト層を前記第１のレジスト層より薄く
形成する工程と、所定パターンを前記第２のレジスト層
に縮小露光し、前記第２のレジスト層を前記所定パター
ンにブリーチングする工程と、前記所定パターンにブリ
ーチングされた前記第２のレジスト層をマスクとして、
全面露光により前記第１のレジスト層に前記所定パター
ンを転写する工程とを備えている。
【０００６】
【作用】この発明においては、第１のレジスト層上に光
退色性を有する第２のレジスト層を第１のレジスト層よ
り薄く形成するので、第２のレジスト層に所定パターン
を縮小露光し、第２のレジスト層を所定パターンにブリ
ーチングする場合、第２のレジスト層はより速く露光さ
れる。また、所定パターンにブリーチングされ、第１の
レジスト層上に形成された第２のレジスト層をマスクと
して全面露光により第１のレジスト層に所定パターンを
転写する工程を設けたので、所定パターンが精度良く第
１のレジスト層に転写される。
退色性を有する第２のレジスト層を第１のレジスト層よ
り薄く形成するので、第２のレジスト層に所定パターン
を縮小露光し、第２のレジスト層を所定パターンにブリ
ーチングする場合、第２のレジスト層はより速く露光さ
れる。また、所定パターンにブリーチングされ、第１の
レジスト層上に形成された第２のレジスト層をマスクと
して全面露光により第１のレジスト層に所定パターンを
転写する工程を設けたので、所定パターンが精度良く第
１のレジスト層に転写される。
【０００７】
【実施例】図１はこの発明に係るレジストパターン形成
方法の第１実施例を説明するための図である。基板４上
にネガ型のｇ線レジスト層１０を形成する。その上に染
料の入ったｉ線で感光するｉ線レジスト層１５、つまり
光退色性を有するｉ線レジスト層１５をｇ線レジスト層
１０より薄く塗布する。その後、図１(a) に示すように
ｉ線縮小露光装置（図示せず）によりｉ線をレチクル１
に照射し、レチクル１上に形成されたパターンをレンズ
２で縮小してｉ線レジスト１５に縮小露光する。ｉ線レ
ジスト層１５においてｉ線が照射された部分の染料がブ
リーチングされ、ｉ線レジスト層１５にはレチクル１上
に形成されたパターンの縮小パターンが形成される。
方法の第１実施例を説明するための図である。基板４上
にネガ型のｇ線レジスト層１０を形成する。その上に染
料の入ったｉ線で感光するｉ線レジスト層１５、つまり
光退色性を有するｉ線レジスト層１５をｇ線レジスト層
１０より薄く塗布する。その後、図１(a) に示すように
ｉ線縮小露光装置（図示せず）によりｉ線をレチクル１
に照射し、レチクル１上に形成されたパターンをレンズ
２で縮小してｉ線レジスト１５に縮小露光する。ｉ線レ
ジスト層１５においてｉ線が照射された部分の染料がブ
リーチングされ、ｉ線レジスト層１５にはレチクル１上
に形成されたパターンの縮小パターンが形成される。
【０００８】その後、図１(b) に示すようにｇ線全面露
光装置（図示せず）によりｇ線６をｉ線レジスト層１５
の全面に照射する。このときｉ線レジスト層１５のうち
ブリーチングされている部分にのみｇ線６が透過する。
ｉ線レジスト層１５はｇ線レジスト層１０に密着してい
るのでｉ線レジスト層１５に転写されたパターンが解像
精度よくｇ線レジスト層１５に転写される。
光装置（図示せず）によりｇ線６をｉ線レジスト層１５
の全面に照射する。このときｉ線レジスト層１５のうち
ブリーチングされている部分にのみｇ線６が透過する。
ｉ線レジスト層１５はｇ線レジスト層１０に密着してい
るのでｉ線レジスト層１５に転写されたパターンが解像
精度よくｇ線レジスト層１５に転写される。
【０００９】次にブリーチングされていないｉ線レジス
ト層１５と露光されていないｇ線レジスト層１０をエッ
チングするエッチング溶液を用いて現像することにより
図１(c) に示すようにレジストパターンを形成する。縮
小露光されるｉ線レジスト層１５の膜厚は薄いので、 縮小露光の時間が短くなり、スループットが向上す
る。 縮小露光時にｉ線レジスト層１５のレジストパターン
の解像度を高くするために焦点深度を浅くしてもｉ線レ
ジスト層１５は完全に露光される、というメリットがあ
る。完全に露光されたｉ線レジスト層１５のレジストパ
ターンをマスクとしてｇ線レジスト層１０を全面露光す
るので、ｇ線レジスト層１０の解像度は高くなる。
ト層１５と露光されていないｇ線レジスト層１０をエッ
チングするエッチング溶液を用いて現像することにより
図１(c) に示すようにレジストパターンを形成する。縮
小露光されるｉ線レジスト層１５の膜厚は薄いので、 縮小露光の時間が短くなり、スループットが向上す
る。 縮小露光時にｉ線レジスト層１５のレジストパターン
の解像度を高くするために焦点深度を浅くしてもｉ線レ
ジスト層１５は完全に露光される、というメリットがあ
る。完全に露光されたｉ線レジスト層１５のレジストパ
ターンをマスクとしてｇ線レジスト層１０を全面露光す
るので、ｇ線レジスト層１０の解像度は高くなる。
【００１０】図２はこの発明の第２実施例を示す図であ
る。第１実施例と同様、基板４上にネガ型のｇ線レジス
ト層１０を形成し、その上にｉ線レジスト層１５をｇ線
レジスト層１０より薄く塗布する。そして、図２(a) に
示すようにｉ線縮小露光装置によりｉ線を照射すること
によりレチクル１に形成されたパターンの縮小パターン
をｉ線レジスト層１５に転写し、ｉ線レジスト層１５を
所定パターンにブリーチングする。その後、図２(b) 示
すようにＤＵＶ線７をｉ線レジスト層１５の全面に照射
する。その後、図２(c) ，(d) に示すように第１実施例
と同様の工程によりレジストパターンを形成する。
る。第１実施例と同様、基板４上にネガ型のｇ線レジス
ト層１０を形成し、その上にｉ線レジスト層１５をｇ線
レジスト層１０より薄く塗布する。そして、図２(a) に
示すようにｉ線縮小露光装置によりｉ線を照射すること
によりレチクル１に形成されたパターンの縮小パターン
をｉ線レジスト層１５に転写し、ｉ線レジスト層１５を
所定パターンにブリーチングする。その後、図２(b) 示
すようにＤＵＶ線７をｉ線レジスト層１５の全面に照射
する。その後、図２(c) ，(d) に示すように第１実施例
と同様の工程によりレジストパターンを形成する。
【００１１】この実施例ではｉ線レジスト層１５を所定
パターンにブリーチングした後、ＤＵＶ線７をｉ線レジ
スト層１５の全面に照射するようにしたので、ｉ線レジ
スト層１５が硬化し、硬いｉ線レジスト層１５のレジス
トパターンを形成することができる。そのため、該レジ
ストパターンをマスクとしてｇ線レジスト層１０に全面
露光を施す場合、上記実施例よりさらに精度の高いパタ
ーンを転写することできる。
パターンにブリーチングした後、ＤＵＶ線７をｉ線レジ
スト層１５の全面に照射するようにしたので、ｉ線レジ
スト層１５が硬化し、硬いｉ線レジスト層１５のレジス
トパターンを形成することができる。そのため、該レジ
ストパターンをマスクとしてｇ線レジスト層１０に全面
露光を施す場合、上記実施例よりさらに精度の高いパタ
ーンを転写することできる。
【００１２】図３は第３実施例を示す図である。基板４
上にポジ型のｇ線レジスト層１０を形成し、その上にｉ
線レジスト層１５をｇ線レジスト層１０より薄く塗布す
る。そして、図３(a) に示すようにｉ線縮小露光装置に
よりｉ線を照射し、レチクル１に形成されたパターンの
縮小パターンをｉ線レジスト層１５に転写し、ｉ線レジ
スト層１５を所定パターンにブリーチングする。その
後、現像を行いｉ線レジスト層１５を図３(b) に示すよ
うに所定パターンにパターニングする。
上にポジ型のｇ線レジスト層１０を形成し、その上にｉ
線レジスト層１５をｇ線レジスト層１０より薄く塗布す
る。そして、図３(a) に示すようにｉ線縮小露光装置に
よりｉ線を照射し、レチクル１に形成されたパターンの
縮小パターンをｉ線レジスト層１５に転写し、ｉ線レジ
スト層１５を所定パターンにブリーチングする。その
後、現像を行いｉ線レジスト層１５を図３(b) に示すよ
うに所定パターンにパターニングする。
【００１３】次に、ＤＵＶ線７をパターニングされたｉ
線レジスト層１５の全面に照射する（図３(c) ）。しか
る後、パターニングされたｉ線レジスト層１５をマスク
としてｇ線６をｇ線レジスト層１０に照射し（図３(d)
）、その後、現像することによりレジストパターンを
形成する。この実施例においても第１，第２実施例と同
様の効果を得ることができる。
線レジスト層１５の全面に照射する（図３(c) ）。しか
る後、パターニングされたｉ線レジスト層１５をマスク
としてｇ線６をｇ線レジスト層１０に照射し（図３(d)
）、その後、現像することによりレジストパターンを
形成する。この実施例においても第１，第２実施例と同
様の効果を得ることができる。
【００１４】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、第１の
レジスト層上に光退色性を有する第２のレジスト層を第
１のレジスト層より薄く形成するので、第２のレジスト
層に所定パターンを縮小露光し、第２のレジスト層を所
定パターンにブリーチングする場合、第２のレジスト層
はより速く露光される。また、所定パターンにブリーチ
ングされ、第１のレジスト層上に形成された第２のレジ
スト層をマスクとして全面露光により第１のレジスト層
に所定パターンを転写する工程を設けたので、所定パタ
ーンが精度良く第１のレジスト層に転写される。その結
果、縮小露光時間が短くなり、スループットが向上する
とともに、解像度の高いレジストパターンを形成できる
という効果がある。
レジスト層上に光退色性を有する第２のレジスト層を第
１のレジスト層より薄く形成するので、第２のレジスト
層に所定パターンを縮小露光し、第２のレジスト層を所
定パターンにブリーチングする場合、第２のレジスト層
はより速く露光される。また、所定パターンにブリーチ
ングされ、第１のレジスト層上に形成された第２のレジ
スト層をマスクとして全面露光により第１のレジスト層
に所定パターンを転写する工程を設けたので、所定パタ
ーンが精度良く第１のレジスト層に転写される。その結
果、縮小露光時間が短くなり、スループットが向上する
とともに、解像度の高いレジストパターンを形成できる
という効果がある。
【図１】この発明に係るレジストパターン形成方法の第
１実施例を説明するための図である。
１実施例を説明するための図である。
【図２】この発明に係るレジストパターン形成方法の第
２実施例を説明するための図である。
２実施例を説明するための図である。
【図３】この発明に係るレジストパターン形成方法の第
３実施例を説明するための図である。
３実施例を説明するための図である。
【図４】従来のレジストパターン形成方法を説明するた
めの図である。
めの図である。
１ レチクル ２ レンズ ４ 基板 ６ ｇ線 １０ ｇ線レジスト層 １５ ｉ線レジスト層
【手続補正書】
【提出日】平成４年４月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のレジストパター
ン形成方法は以上のような工程で行われているので、レ
チクル１に形成されたパターンをレジスト３に縮小露光
する場合、レジスト３の膜厚が厚いのでパターン通りに
露光するのに時間がかかり、スループットが低下する。
また、レジスト３を完全に露光しようとして焦点深度を
深くするためレンズＮＡを下げると解像度が下がる。一
方、解像度を高くするためレンズＮＡを上げると焦点深
度が浅くなる。こうするとレジスト３を完全に露光しき
れないという問題点があった。
ン形成方法は以上のような工程で行われているので、レ
チクル１に形成されたパターンをレジスト３に縮小露光
する場合、レジスト３の膜厚が厚いのでパターン通りに
露光するのに時間がかかり、スループットが低下する。
また、レジスト３を完全に露光しようとして焦点深度を
深くするためレンズＮＡを下げると解像度が下がる。一
方、解像度を高くするためレンズＮＡを上げると焦点深
度が浅くなる。こうするとレジスト３を完全に露光しき
れないという問題点があった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３６１ Ｓ
Claims (1)
- 【請求項１】 下地層上に第１のレジスト層を形成する
工程と、 前記第１のレジスト層上に光退色性を有する第２のレジ
スト層を前記第１のレジスト層より薄く形成する工程
と、 所定パターンを前記第２のレジスト層に縮小露光し、前
記第２のレジスト層を前記所定パターンにブリーチング
する工程と、 前記所定パターンにブリーチングされた前記第２のレジ
スト層をマスクとして、全面露光により前記第１のレジ
スト層に前記所定パターンを転写する工程とを備えたレ
ジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3260282A JPH05102004A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3260282A JPH05102004A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102004A true JPH05102004A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17345886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3260282A Pending JPH05102004A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102004A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101140103B1 (ko) * | 2009-07-29 | 2012-04-30 | 호야 가부시키가이샤 | 다계조 포토마스크의 제조 방법 및 패턴 전사 방법 |
| JP2019530024A (ja) * | 2016-09-20 | 2019-10-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィのための投影露光方法および投影露光装置 |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP3260282A patent/JPH05102004A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101140103B1 (ko) * | 2009-07-29 | 2012-04-30 | 호야 가부시키가이샤 | 다계조 포토마스크의 제조 방법 및 패턴 전사 방법 |
| JP2019530024A (ja) * | 2016-09-20 | 2019-10-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィのための投影露光方法および投影露光装置 |
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