JPH05102207A - リードフレーム - Google Patents
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- JPH05102207A JPH05102207A JP3263580A JP26358091A JPH05102207A JP H05102207 A JPH05102207 A JP H05102207A JP 3263580 A JP3263580 A JP 3263580A JP 26358091 A JP26358091 A JP 26358091A JP H05102207 A JPH05102207 A JP H05102207A
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- die
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体素子等の電子制御部品をダイパッドへダ
イボンディングする際、ダイボンディング用ペースト等
の接着剤が貫通孔へ流入するのを回避する。 【構成】ダイパッド２の上面に、溝４ａが貫通孔３ａを
囲むようにして形成されている。半導体素子５をダイボ
ンディングするにあたって、ペースト６を溝４ａの外側
のダイパッド２の上面に所定量塗布する。そして、半導
体素子５をダイパッド２上のペースト６上に搭載し、所
定の押圧荷重でダイパッド２の方へ押圧する。このと
き、ペースト６の一部が、貫通孔３ａの方へ流出しよう
とするが、その流出しようとするペースト６は、溝４ａ
内へ流入して、貫通孔３ａの方へは流れていかない。こ
れにより、ペースト６が貫通孔３ａ内へ流入することが
防止される。
イボンディングする際、ダイボンディング用ペースト等
の接着剤が貫通孔へ流入するのを回避する。 【構成】ダイパッド２の上面に、溝４ａが貫通孔３ａを
囲むようにして形成されている。半導体素子５をダイボ
ンディングするにあたって、ペースト６を溝４ａの外側
のダイパッド２の上面に所定量塗布する。そして、半導
体素子５をダイパッド２上のペースト６上に搭載し、所
定の押圧荷重でダイパッド２の方へ押圧する。このと
き、ペースト６の一部が、貫通孔３ａの方へ流出しよう
とするが、その流出しようとするペースト６は、溝４ａ
内へ流入して、貫通孔３ａの方へは流れていかない。こ
れにより、ペースト６が貫通孔３ａ内へ流入することが
防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体装置等の
電子制御装置の組立用部材であるリードフレームに関す
るものである。
電子制御装置の組立用部材であるリードフレームに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の大型化やハイブリッ
ドＩＣ技術の拡大などの影響で、半導体パッケージの構
成部材として用いられるリードフレームのダイパッドが
大型化していく傾向にある。また一方では、近年、半導
体素子を高密度に実装することが求められており、この
実装の高密度化を図るため、半導体パッケージの小型化
及び薄形化がますます強く進められている。
ドＩＣ技術の拡大などの影響で、半導体パッケージの構
成部材として用いられるリードフレームのダイパッドが
大型化していく傾向にある。また一方では、近年、半導
体素子を高密度に実装することが求められており、この
実装の高密度化を図るため、半導体パッケージの小型化
及び薄形化がますます強く進められている。
【０００３】ところで、このようなダイパッドの大型化
やパッケージの薄形化は、リードフレーム及び半導体素
子が樹脂封止される際、リードフレームとモールド樹脂
との密着性を低下させる原因となっている。この密着性
が低下すると、「パッケージクラック」と呼ばれるモー
ルド樹脂の割れが発生してしまうことがある。このパッ
ケージクラックの対策として、従来、ＱＦＰ（Quad Fla
t Package）やＴＳＯＰ（Thin Small OutlinePackage）
に使われるリードフレームのダイパッドには、モールド
樹脂との密着性を向上させるために、貫通孔を設けると
いった対策を講じている。
やパッケージの薄形化は、リードフレーム及び半導体素
子が樹脂封止される際、リードフレームとモールド樹脂
との密着性を低下させる原因となっている。この密着性
が低下すると、「パッケージクラック」と呼ばれるモー
ルド樹脂の割れが発生してしまうことがある。このパッ
ケージクラックの対策として、従来、ＱＦＰ（Quad Fla
t Package）やＴＳＯＰ（Thin Small OutlinePackage）
に使われるリードフレームのダイパッドには、モールド
樹脂との密着性を向上させるために、貫通孔を設けると
いった対策を講じている。
【０００４】
【発明を解決しようとする課題】しかしながら、リード
フレームのダイパッドに貫通孔を設けた場合には、その
リードフレームに半導体素子を搭載するためのダイボン
ディング工程を行う際、接着剤として広く用いられてい
るペーストの一部がこの貫通孔に流れ込むという現象が
生じる。すなわち、図１２（ａ）に示すようにリードフ
レーム１のダイパッド２には貫通孔３が形成されてお
り、このダイパッド２上に半導体素子５をダイボンディ
ングするためのペースト６を塗布し、その上に半導体素
子５を搭載する。このとき、ペースト６の余剰分がダイ
ボンディング時の押圧荷重により貫通孔３内にはみ出さ
れるようになり、ひいてはダイパッド２の裏面までまわ
り込んでしまう場合もある。
フレームのダイパッドに貫通孔を設けた場合には、その
リードフレームに半導体素子を搭載するためのダイボン
ディング工程を行う際、接着剤として広く用いられてい
るペーストの一部がこの貫通孔に流れ込むという現象が
生じる。すなわち、図１２（ａ）に示すようにリードフ
レーム１のダイパッド２には貫通孔３が形成されてお
り、このダイパッド２上に半導体素子５をダイボンディ
ングするためのペースト６を塗布し、その上に半導体素
子５を搭載する。このとき、ペースト６の余剰分がダイ
ボンディング時の押圧荷重により貫通孔３内にはみ出さ
れるようになり、ひいてはダイパッド２の裏面までまわ
り込んでしまう場合もある。
【０００５】このようなペースト６の余剰分のはみ出し
により、ダイパッド２の裏面の平坦性が損なわれ、この
ため次の工程であるワイヤーボンディング工程において
ヒートコマとウインドクランパーとによるリードフレー
ム１の固定が不十分となる。リードフレーム１が十分に
固定されないと、ボンディング不良が生じてしまうおそ
れがある。
により、ダイパッド２の裏面の平坦性が損なわれ、この
ため次の工程であるワイヤーボンディング工程において
ヒートコマとウインドクランパーとによるリードフレー
ム１の固定が不十分となる。リードフレーム１が十分に
固定されないと、ボンディング不良が生じてしまうおそ
れがある。
【０００６】また、貫通孔３内に流れ出たペーストによ
り、リードフレーム１とモールド樹脂との密着性が低減
してしまい、密着性を向上させるために設けられた貫通
孔３の本来の機能が十分に発揮することができなくなっ
てしまう場合がある。この結果、せっかく貫通孔を設け
てパッケージクラックの対策を講じても、パッケージク
ラックの発生頻度を効果的に低減させることができなく
なってしまう。
り、リードフレーム１とモールド樹脂との密着性が低減
してしまい、密着性を向上させるために設けられた貫通
孔３の本来の機能が十分に発揮することができなくなっ
てしまう場合がある。この結果、せっかく貫通孔を設け
てパッケージクラックの対策を講じても、パッケージク
ラックの発生頻度を効果的に低減させることができなく
なってしまう。
【０００７】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たものであって、その目的は、半導体素子等の電子制御
部品をダイパッドへダイボンディングする際、ダイボン
ディング用ペースト等の接着剤が貫通孔へ流入するのを
回避することのできるリードフレームを提供することで
ある。
たものであって、その目的は、半導体素子等の電子制御
部品をダイパッドへダイボンディングする際、ダイボン
ディング用ペースト等の接着剤が貫通孔へ流入するのを
回避することのできるリードフレームを提供することで
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに、本発明は、半導体素子等の電子制御部品を搭載す
るためのダイパッドを有するリードフレームにおいて、
前記ダイパッドに貫通孔が形成されているとともに、こ
の貫通孔の回りに溝が形成されていることを特徴として
いる。
めに、本発明は、半導体素子等の電子制御部品を搭載す
るためのダイパッドを有するリードフレームにおいて、
前記ダイパッドに貫通孔が形成されているとともに、こ
の貫通孔の回りに溝が形成されていることを特徴として
いる。
【０００９】
【作用】このような構成をした本発明のリードフレーム
においては、貫通孔の回りに溝が形成されているので、
半導体素子等の電子制御部品をダイパッドにダイボンデ
ィングするとき、ダイボンディング用ペースト等の接着
剤の一部が貫通孔の方へ流出しようとしても、その接着
剤は貫通孔の回りの前記溝へ流入するようになる。その
結果、接着剤は貫通孔へは流入しなくなる。
においては、貫通孔の回りに溝が形成されているので、
半導体素子等の電子制御部品をダイパッドにダイボンデ
ィングするとき、ダイボンディング用ペースト等の接着
剤の一部が貫通孔の方へ流出しようとしても、その接着
剤は貫通孔の回りの前記溝へ流入するようになる。その
結果、接着剤は貫通孔へは流入しなくなる。
【００１０】これにより、接着剤が貫通孔を通ってリー
ドフレームの裏面へ回り込むようなことはなくなり、リ
ードフレームの裏面の平坦性が確保されるようになる。
したがって、半導体装置等の電子制御装置の組立におけ
るワイヤーボンディング工程時に、ボンディング不良が
低減する。
ドフレームの裏面へ回り込むようなことはなくなり、リ
ードフレームの裏面の平坦性が確保されるようになる。
したがって、半導体装置等の電子制御装置の組立におけ
るワイヤーボンディング工程時に、ボンディング不良が
低減する。
【００１１】また本発明のリードフレームにおいては、
接着剤が貫通孔に流入しないことにより、パッケージン
グする際、モールド樹脂が貫通孔に完全に流入すること
ができる。これにより、リードフレームのダイパッドと
モールド樹脂との密着性が高められ、貫通孔の固有の機
能が損なわれることなく、十分に発揮されるようにな
る。
接着剤が貫通孔に流入しないことにより、パッケージン
グする際、モールド樹脂が貫通孔に完全に流入すること
ができる。これにより、リードフレームのダイパッドと
モールド樹脂との密着性が高められ、貫通孔の固有の機
能が損なわれることなく、十分に発揮されるようにな
る。
【００１２】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例について
説明する。図１は本発明のリードフレームの一実施例を
示し、（ａ）はこの実施例におけるリードフレームのダ
イパッド部分の部分拡大平面図、（ｂ）は（ａ）におけ
るIBーIB線に沿う断面図である。なお、このダイパッド
部分以外のインナーリードやアウターリード等の構成
は、例えばＱＦＰやＴＳＯＰ等のパッケージに使用され
ている従来のリードフレームの構成と同じであるので、
その詳細な説明は省略する。
説明する。図１は本発明のリードフレームの一実施例を
示し、（ａ）はこの実施例におけるリードフレームのダ
イパッド部分の部分拡大平面図、（ｂ）は（ａ）におけ
るIBーIB線に沿う断面図である。なお、このダイパッド
部分以外のインナーリードやアウターリード等の構成
は、例えばＱＦＰやＴＳＯＰ等のパッケージに使用され
ている従来のリードフレームの構成と同じであるので、
その詳細な説明は省略する。
【００１３】図１（ａ）に示すように、この実施例にお
けるリードフレーム１のダイパッド２には、その中央部
に位置して、モールド樹脂との密着性を高めるための十
字形の貫通孔３ａが穿設されていると共に、その四隅近
傍に位置して、モールド樹脂との密着性を高めるための
矩形の貫通孔３ｂが形成されている。更に、ダイパッド
２の外周部にも同様の貫通孔３ｃが多数穿設されてい
る。
けるリードフレーム１のダイパッド２には、その中央部
に位置して、モールド樹脂との密着性を高めるための十
字形の貫通孔３ａが穿設されていると共に、その四隅近
傍に位置して、モールド樹脂との密着性を高めるための
矩形の貫通孔３ｂが形成されている。更に、ダイパッド
２の外周部にも同様の貫通孔３ｃが多数穿設されてい
る。
【００１４】貫通孔３ａの周囲には、その貫通孔３ａの
縁に沿い、かつ貫通孔３ａを取り囲むようにしてペース
ト収納用の溝４ａが設けられている。また、ダイパッド
２の外周部近傍には、同様の溝４ｂがその外周縁に沿っ
て設けられている。更に、四隅近傍に設けられた貫通孔
３ｂの周囲にも、同様の溝４ｃがその貫通孔３ｂの縁に
沿い、かつ貫通孔３ｂを取り囲むようにして設けられて
いる。同図（ｂ）に示すように、溝４ａ，４ｂ，４ｃの
断面形状はほぼU字形状に形成されている。
縁に沿い、かつ貫通孔３ａを取り囲むようにしてペース
ト収納用の溝４ａが設けられている。また、ダイパッド
２の外周部近傍には、同様の溝４ｂがその外周縁に沿っ
て設けられている。更に、四隅近傍に設けられた貫通孔
３ｂの周囲にも、同様の溝４ｃがその貫通孔３ｂの縁に
沿い、かつ貫通孔３ｂを取り囲むようにして設けられて
いる。同図（ｂ）に示すように、溝４ａ，４ｂ，４ｃの
断面形状はほぼU字形状に形成されている。
【００１５】次に、図２ないし図１０を用いてこの実施
例のリードフレーム１を製造する工程について説明す
る。まず、図２に示すように所定厚さの金属板７を用意
する。本実施例の場合、この金属板７は４２％Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金で形成されている。しかし、本発明のリードフレ
ーム１を形成するためには、この４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金
に限定されなく、銅合金等の他の金属を用いることも可
能である。
例のリードフレーム１を製造する工程について説明す
る。まず、図２に示すように所定厚さの金属板７を用意
する。本実施例の場合、この金属板７は４２％Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金で形成されている。しかし、本発明のリードフレ
ーム１を形成するためには、この４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金
に限定されなく、銅合金等の他の金属を用いることも可
能である。
【００１６】次に、図３ないし図５に示すように金属板
７の両面に製版を施す工程を行う。この製版フォトリソ
グラフィーの技術を用いて行われる。すなわち、図３に
示すよう金属板７の両面にレジスト８をコーティングす
る。レジスト８として、本実施例の場合ポジ型レジスト
を用いる。その後、図４に示すようにレジスト８のコー
ティング膜に所定パターンが形成された露光用マスク９
を当てがい、そのマスク９を介して透過する光源１０の
光によりレジスト８のコーティング膜を露光し、次いで
図５に示すように所定の現象液により現像を行う。この
現像により、ペースト保持用の溝４ａ，４ｂを形成する
所定位置α，βで、ボンディング側の面（図５において
上面）においては金属板７の表面が露出し、またその裏
側の面（図５において下面）においては金属板７の表面
がレジスト８により保護されて露出しない状態、すなわ
ちマスキングされた状態となっている。これにより、金
属板７はエッチングの際に片面、すなわち上面よりエッ
チングされるようになる。次に、このように製版された
リードフレーム用金属板７を図６に示すように塩化鉄に
よってエッチングし、金属板７の不要な部分を除去す
る。このエッチングにより、本発明の特徴部分であるペ
ースト保持用の溝４ａ，４ｂ及び貫通孔３ａ，３ｃが形
成される。なお、図６には示されていないが、このエッ
チングにより他の溝４ｃ、貫通孔３ｂ及びダイパッド２
とインナーリード１１との間の間隙孔１２も、それぞれ
形成されるようになる。
７の両面に製版を施す工程を行う。この製版フォトリソ
グラフィーの技術を用いて行われる。すなわち、図３に
示すよう金属板７の両面にレジスト８をコーティングす
る。レジスト８として、本実施例の場合ポジ型レジスト
を用いる。その後、図４に示すようにレジスト８のコー
ティング膜に所定パターンが形成された露光用マスク９
を当てがい、そのマスク９を介して透過する光源１０の
光によりレジスト８のコーティング膜を露光し、次いで
図５に示すように所定の現象液により現像を行う。この
現像により、ペースト保持用の溝４ａ，４ｂを形成する
所定位置α，βで、ボンディング側の面（図５において
上面）においては金属板７の表面が露出し、またその裏
側の面（図５において下面）においては金属板７の表面
がレジスト８により保護されて露出しない状態、すなわ
ちマスキングされた状態となっている。これにより、金
属板７はエッチングの際に片面、すなわち上面よりエッ
チングされるようになる。次に、このように製版された
リードフレーム用金属板７を図６に示すように塩化鉄に
よってエッチングし、金属板７の不要な部分を除去す
る。このエッチングにより、本発明の特徴部分であるペ
ースト保持用の溝４ａ，４ｂ及び貫通孔３ａ，３ｃが形
成される。なお、図６には示されていないが、このエッ
チングにより他の溝４ｃ、貫通孔３ｂ及びダイパッド２
とインナーリード１１との間の間隙孔１２も、それぞれ
形成されるようになる。
【００１７】次いで、図７に示すようにこのようにエッ
チングされた金属板７からレジスト８を専用剥離液によ
り除去した後、図８に示すようにダイパッド２部分をイ
ンナーリード１１部分よりも低くなるようにディプレス
する。その後、図９に示すようにインナーリード１１の
先端にワイヤボンディングを良好にするための銀めっき
Ａを施し、最後に図１０に示すようにインナーリード１
１をテープによるテーピングすることにより固定して、
本実施例のリードフレーム１が製造される。
チングされた金属板７からレジスト８を専用剥離液によ
り除去した後、図８に示すようにダイパッド２部分をイ
ンナーリード１１部分よりも低くなるようにディプレス
する。その後、図９に示すようにインナーリード１１の
先端にワイヤボンディングを良好にするための銀めっき
Ａを施し、最後に図１０に示すようにインナーリード１
１をテープによるテーピングすることにより固定して、
本実施例のリードフレーム１が製造される。
【００１８】次に、このように構成された本実施例のリ
ードフレーム１に半導体素子５をダイボンディングする
場合について説明する。図１１（ａ）に示すように、ダ
イボンディング用のペースト６を貫通孔３ａを囲む溝４
ａの外側のダイパッド２の上面に所定量塗布する。な
お、図１１（ａ）には示されていないが、このペースト
６は貫通孔３ｂを囲む溝４ｃの外側でかつ外周部近傍の
溝４ｂの内側に塗布される。そして、同図（ｂ）に示す
ように半導体素子５をダイパッド２上のペースト６上に
搭載し、所定の押圧荷重でダイパッド２の方へ押圧す
る。このとき、ペースト６の一部が、貫通孔３ａ（その
他、貫通孔３ｂ，３ｃ）の方へ流出しようとするが、そ
の流出しようとするペースト６は、溝４ａ（その他、溝
４ｂ，４ｃ）内へ流入して、貫通孔３ａ（３ｂ，３ｃ）
の方へは流れていかない。これにより、ペースト６が貫
通孔３ａ（３ｂ，３ｃ）内へ流入することが防止され
る。
ードフレーム１に半導体素子５をダイボンディングする
場合について説明する。図１１（ａ）に示すように、ダ
イボンディング用のペースト６を貫通孔３ａを囲む溝４
ａの外側のダイパッド２の上面に所定量塗布する。な
お、図１１（ａ）には示されていないが、このペースト
６は貫通孔３ｂを囲む溝４ｃの外側でかつ外周部近傍の
溝４ｂの内側に塗布される。そして、同図（ｂ）に示す
ように半導体素子５をダイパッド２上のペースト６上に
搭載し、所定の押圧荷重でダイパッド２の方へ押圧す
る。このとき、ペースト６の一部が、貫通孔３ａ（その
他、貫通孔３ｂ，３ｃ）の方へ流出しようとするが、そ
の流出しようとするペースト６は、溝４ａ（その他、溝
４ｂ，４ｃ）内へ流入して、貫通孔３ａ（３ｂ，３ｃ）
の方へは流れていかない。これにより、ペースト６が貫
通孔３ａ（３ｂ，３ｃ）内へ流入することが防止され
る。
【００１９】したがって、ペースト６のリードフレーム
１の裏面へのまわり込みが回避され、リードフレーム１
の裏面の平坦性が確保されるようになる。このように平
坦性が確保されることにより、ワイヤーボンディング工
程において、ボンディング不良が低減する。また、本実
施例のリードフレーム１においては、ペースト６が貫通
孔３ａ，３ｂ，３ｃ内に流入しないことから、モールド
樹脂が貫通孔３ａ，３ｂ，３ｃ内に完全に流入すること
ができようになる。これにより、リードフレーム１のダ
イパッド２とモールド樹脂との密着性を高めるという貫
通孔３の固有の機能が損なわれずに十分に発揮されるよ
うになる。
１の裏面へのまわり込みが回避され、リードフレーム１
の裏面の平坦性が確保されるようになる。このように平
坦性が確保されることにより、ワイヤーボンディング工
程において、ボンディング不良が低減する。また、本実
施例のリードフレーム１においては、ペースト６が貫通
孔３ａ，３ｂ，３ｃ内に流入しないことから、モールド
樹脂が貫通孔３ａ，３ｂ，３ｃ内に完全に流入すること
ができようになる。これにより、リードフレーム１のダ
イパッド２とモールド樹脂との密着性を高めるという貫
通孔３の固有の機能が損なわれずに十分に発揮されるよ
うになる。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のリードフレームによれば、ダイボンディング用ペース
ト等の接着剤の一部を貫通孔の回りの溝へ流入させて、
接着剤が貫通孔へ流入するのを防止しているので、接着
剤が貫通孔を通ってリードフレームの裏面へ回り込むこ
とが確実に防止でき、リードフレームの裏面の平坦性を
確保することができる。したがって、半導体装置等の電
子制御装置の組立におけるワイヤーボンディング工程時
に、ボンディング不良を低減することができる。また、
本発明のリードフレームによれば、接着剤が貫通孔に流
入しないことにより、パッケージングする際、モールド
樹脂を貫通孔に完全に流入させることができる。これに
より、リードフレームのダイパッドとモールド樹脂との
密着性を高めることができ、貫通孔の固有の機能を損な
うことなく十分に発揮させることができるようになる。
したがって、本発明のリードフレームにより、信頼性の
高いパッケージを実現することができる。
のリードフレームによれば、ダイボンディング用ペース
ト等の接着剤の一部を貫通孔の回りの溝へ流入させて、
接着剤が貫通孔へ流入するのを防止しているので、接着
剤が貫通孔を通ってリードフレームの裏面へ回り込むこ
とが確実に防止でき、リードフレームの裏面の平坦性を
確保することができる。したがって、半導体装置等の電
子制御装置の組立におけるワイヤーボンディング工程時
に、ボンディング不良を低減することができる。また、
本発明のリードフレームによれば、接着剤が貫通孔に流
入しないことにより、パッケージングする際、モールド
樹脂を貫通孔に完全に流入させることができる。これに
より、リードフレームのダイパッドとモールド樹脂との
密着性を高めることができ、貫通孔の固有の機能を損な
うことなく十分に発揮させることができるようになる。
したがって、本発明のリードフレームにより、信頼性の
高いパッケージを実現することができる。
【図１】 本発明のリードフレームの一実施例を示し、
（ａ）はこの実施例におけるリードフレームのダイパッ
ド部分の部分拡大平面図、（ｂ）は（ａ）におけるIBー
IB線に沿う断面図である。
（ａ）はこの実施例におけるリードフレームのダイパッ
ド部分の部分拡大平面図、（ｂ）は（ａ）におけるIBー
IB線に沿う断面図である。
【図２】 本実施例のリードフレームの製造工程を説明
する図である。
する図である。
【図３】 本実施例のリードフレームの製造工程を説明
する図である。
する図である。
【図４】 本実施例のリードフレームの製造工程を説明
する図である。
する図である。
【図５】 本実施例のリードフレームの製造工程を説明
する図である。
する図である。
【図６】 本実施例のリードフレームの製造工程を説明
する図である。
する図である。
【図７】 本実施例のリードフレームの製造工程を説明
する図である。
する図である。
【図８】 本実施例のリードフレームの製造工程を説明
する図である。
する図である。
【図９】 本実施例のリードフレームの製造工程を説明
する図である。
する図である。
【図１０】 本実施例のリードフレームの製造工程を説
明する図である。
明する図である。
【図１１】 本実施例のリードフレームに半導体素子を
搭載する場合について説明し、（ａ）は半導体素子の搭
載前の状態を示す図、（ｂ）は半導体素子の搭載後の状
態を示す図である。
搭載する場合について説明し、（ａ）は半導体素子の搭
載前の状態を示す図、（ｂ）は半導体素子の搭載後の状
態を示す図である。
【図１２】 従来のリードフレームに半導体素子を搭載
する場合について説明し、（ａ）は半導体素子の搭載前
の状態を示す図、（ｂ）は半導体素子の搭載後の状態を
示す図である。
する場合について説明し、（ａ）は半導体素子の搭載前
の状態を示す図、（ｂ）は半導体素子の搭載後の状態を
示す図である。
１…リードフレーム、２…ダイパッド、３ａ，３ｂ，３
ｃ…貫通孔、４ａ，４ｂ，４ｃ…溝、５…半導体素子、
６…ペースト、７…金属板、８…レジスト、９…露光用
マスク、１０…光源、１１…インナーリード、１２…間
隙孔、１３…テーピング用テープ、Ａ…銀めっき
ｃ…貫通孔、４ａ，４ｂ，４ｃ…溝、５…半導体素子、
６…ペースト、７…金属板、８…レジスト、９…露光用
マスク、１０…光源、１１…インナーリード、１２…間
隙孔、１３…テーピング用テープ、Ａ…銀めっき
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子等の電子制御部品を搭載する
ためのダイパッドを有するリードフレームにおいて、 前記ダイパッドに貫通孔が形成されているとともに、こ
の貫通孔の回りに溝が形成されていることを特徴とする
リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3263580A JPH05102207A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3263580A JPH05102207A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102207A true JPH05102207A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17391529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3263580A Pending JPH05102207A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102207A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0655782A3 (en) * | 1993-11-29 | 1995-10-18 | Toshiba Kk | Synthetic resin sealed semiconductor device and its manufacturing process. |
| US6399182B1 (en) * | 2000-04-12 | 2002-06-04 | Cmc Wireless Components, Inc. | Die attachment utilizing grooved surfaces |
-
1991
- 1991-10-11 JP JP3263580A patent/JPH05102207A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0655782A3 (en) * | 1993-11-29 | 1995-10-18 | Toshiba Kk | Synthetic resin sealed semiconductor device and its manufacturing process. |
| US6399182B1 (en) * | 2000-04-12 | 2002-06-04 | Cmc Wireless Components, Inc. | Die attachment utilizing grooved surfaces |
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