JPH05102255A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05102255A JPH05102255A JP3260199A JP26019991A JPH05102255A JP H05102255 A JPH05102255 A JP H05102255A JP 3260199 A JP3260199 A JP 3260199A JP 26019991 A JP26019991 A JP 26019991A JP H05102255 A JPH05102255 A JP H05102255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- probe
- aluminum
- semiconductor
- needle point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】電気特性測定用の探針５の針先に付着するアル
ミ削りくずを除去し、針先を更新させる。 【構成】半導体素子表面における絶縁膜３に凹凸パター
ン１を形成し、電気特性測定時にこの凹凸パターン１に
探針を走行させながら接触させる。このことにより針先
に付着されたアルミ削りくずが除去られる。
ミ削りくずを除去し、針先を更新させる。 【構成】半導体素子表面における絶縁膜３に凹凸パター
ン１を形成し、電気特性測定時にこの凹凸パターン１に
探針を走行させながら接触させる。このことにより針先
に付着されたアルミ削りくずが除去られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に組立前におけるペレット状の半導体素子の表面構造に
関する。
に組立前におけるペレット状の半導体素子の表面構造に
関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体装置の電気特性測定に関し
ては、組立前のペレット状の半導体素子の状態で測定が
行なわれていた。これらの半導体素子は、一枚の半導体
ウェーハは縦横並べて形成され、組立前に一つずつプロ
ービング装置で検査され、そして検査後、この半導体素
子は半導体ウェーハより分割分離され、ペレット状の個
片として形成されていた。
ては、組立前のペレット状の半導体素子の状態で測定が
行なわれていた。これらの半導体素子は、一枚の半導体
ウェーハは縦横並べて形成され、組立前に一つずつプロ
ービング装置で検査され、そして検査後、この半導体素
子は半導体ウェーハより分割分離され、ペレット状の個
片として形成されていた。
【０００３】このような半導体素子の特性検査には、プ
ロービング装置が使用され、半導体ウェーハ上の半導体
素子の電極パッドに単身と接触させ行われていた。ま
た、一つの半導体素子の電極パットと探針との接触回数
は数十回あり、一枚の半導体ウェーハにある半導体素子
の全てを検査するには、探針の接触回数が数万回に及ぶ
ことがあった。
ロービング装置が使用され、半導体ウェーハ上の半導体
素子の電極パッドに単身と接触させ行われていた。ま
た、一つの半導体素子の電極パットと探針との接触回数
は数十回あり、一枚の半導体ウェーハにある半導体素子
の全てを検査するには、探針の接触回数が数万回に及ぶ
ことがあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように同一の針
で何度もアルミ配線及びバッド等に接触あるいは探針を
立てていると、探針の針先にアルミ等の削りくずが付着
して針先が丸くなってしまい狙った場所に針を立て難く
なったりまたはその都度新しい針に交換しなければなら
ないという手間がかかっていた。
で何度もアルミ配線及びバッド等に接触あるいは探針を
立てていると、探針の針先にアルミ等の削りくずが付着
して針先が丸くなってしまい狙った場所に針を立て難く
なったりまたはその都度新しい針に交換しなければなら
ないという手間がかかっていた。
【０００５】本発明の目的は、かかる問題を解消すべ
て、測定用探針の針先を更新させる表面構造を有する半
導体装置を提供することである。
て、測定用探針の針先を更新させる表面構造を有する半
導体装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
回路素子形成面を保護する絶縁膜に凹凸上のパターンが
形成されていることを特徴としている。
回路素子形成面を保護する絶縁膜に凹凸上のパターンが
形成されていることを特徴としている。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００８】図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の半導体装
置の一実施例を説明するための半導体素子の一部分を示
す平面図及び断面図である。本発明は、半導体素子の回
路素子が形成される機能面を保護する絶縁膜が窒化膜で
ある場合は、その窒化膜の硬度がアルミニュウムのパッ
ドや配線に比べはるかに大きいことに着目して図１に示
すように、絶縁膜３に凹凸パターン１を形成したことで
ある。
置の一実施例を説明するための半導体素子の一部分を示
す平面図及び断面図である。本発明は、半導体素子の回
路素子が形成される機能面を保護する絶縁膜が窒化膜で
ある場合は、その窒化膜の硬度がアルミニュウムのパッ
ドや配線に比べはるかに大きいことに着目して図１に示
すように、絶縁膜３に凹凸パターン１を形成したことで
ある。
【０００９】図２（ａ）及び（ｂ）は図１の半導体装置
の作用を説明するための半導体素子の一部分を示す斜視
図である。上述した凹凸パター１を例えば、短棚状に形
成し、その向きを、図２に示すように探針５の走行方向
に対して斜めに配置すれば、測定時に探針５の移動によ
り、針先に付着するアルミ削りくず４は、凹凸パターン
１ａと接触し、図２（ｂ）に示すように、それぞれの凹
凸パターン１にアルミ削りくず４ａ，４ｂ，４ｃ及び４
ｄとして分割され、探針５に付着されたアルミ削りくず
４は除去られる。
の作用を説明するための半導体素子の一部分を示す斜視
図である。上述した凹凸パター１を例えば、短棚状に形
成し、その向きを、図２に示すように探針５の走行方向
に対して斜めに配置すれば、測定時に探針５の移動によ
り、針先に付着するアルミ削りくず４は、凹凸パターン
１ａと接触し、図２（ｂ）に示すように、それぞれの凹
凸パターン１にアルミ削りくず４ａ，４ｂ，４ｃ及び４
ｄとして分割され、探針５に付着されたアルミ削りくず
４は除去られる。
【００１０】このように表面に凹凸パターンを形成する
には、公知のリソグラフィ技術で容易に実現出来るもの
である。また、本発明は、この凹凸パターンの形状に限
定するものではなく、ただ単に表面を梨子状に荒しても
同様の効果が得られる。
には、公知のリソグラフィ技術で容易に実現出来るもの
である。また、本発明は、この凹凸パターンの形状に限
定するものではなく、ただ単に表面を梨子状に荒しても
同様の効果が得られる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体素
子面上にアルミ等の金属よりも硬度の高い絶縁膜に凹凸
状のパターンを形成することによって針先に付着してし
まったアルミ等の削りくずを凹凸状のパターン上に探針
を走行させることによってそぎ取ることができる。従っ
て、本発明によれば、測定用探針を常に更新する手段を
もつ表面構造の半導体装置が得られるという効果があ
る。
子面上にアルミ等の金属よりも硬度の高い絶縁膜に凹凸
状のパターンを形成することによって針先に付着してし
まったアルミ等の削りくずを凹凸状のパターン上に探針
を走行させることによってそぎ取ることができる。従っ
て、本発明によれば、測定用探針を常に更新する手段を
もつ表面構造の半導体装置が得られるという効果があ
る。
【図１】本発明の半導体装置の一実施例の説明するため
の半導体素子の一部分を示す平面図及び断面図である。
の半導体素子の一部分を示す平面図及び断面図である。
【図２】図１の半導体装置の作用を説明するための半導
体素子の一部分を示す斜視図である。
体素子の一部分を示す斜視図である。
１ 凹凸パターン ２ 半導体基板 ３ 絶縁膜 ４，４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ アルミ削りくず ５ 探針
Claims (1)
- 【請求項１】 回路素子形成面を保護する絶縁膜に凹凸
上のパターンが形成されていることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3260199A JP2826400B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 半導体装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3260199A JP2826400B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 半導体装置の検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102255A true JPH05102255A (ja) | 1993-04-23 |
| JP2826400B2 JP2826400B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=17344712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3260199A Expired - Lifetime JP2826400B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 半導体装置の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2826400B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256642A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-14 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH0289321A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Sony Corp | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP3260199A patent/JP2826400B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256642A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-14 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH0289321A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Sony Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2826400B2 (ja) | 1998-11-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6902941B2 (en) | Probing of device elements | |
| US5773987A (en) | Method for probing a semiconductor wafer using a motor controlled scrub process | |
| US7616015B2 (en) | Wafer type probe card, method for fabricating the same, and semiconductor test apparatus having the same | |
| US6246252B1 (en) | Efficient debug package design | |
| JPS58173841A (ja) | プロ−ブカ−ド | |
| US20050168231A1 (en) | Methods and structures for electronic probing arrays | |
| JP2003287553A (ja) | プローブカード及びそれを製造するための基板 | |
| JP2826400B2 (ja) | 半導体装置の検査方法 | |
| JP2000171483A (ja) | 半導体検査装置の製造方法 | |
| KR920006749A (ko) | 프로우브 장치 | |
| JPH01318245A (ja) | プローブカード検査用治具 | |
| JPS62238633A (ja) | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 | |
| JP3446636B2 (ja) | コンタクトプローブ及びプローブ装置 | |
| JPS63262849A (ja) | プロ−ブカ−ド | |
| JP4031303B2 (ja) | プローブカード及び半導体試験装置 | |
| JPH081444B2 (ja) | プローブ組立体 | |
| JP3047361B2 (ja) | プローブニードルの位置検出方法 | |
| JP2003121470A (ja) | プローブの製造方法及びプローブ | |
| JPH0469947A (ja) | プロービング装置 | |
| JP4698374B2 (ja) | プローブの製造方法 | |
| KR20040105035A (ko) | 전자소자 검사용 전기적 접촉체 | |
| JPH0690222B2 (ja) | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 | |
| JP2744462B2 (ja) | ウェハ目合せ方法 | |
| JP2002131337A (ja) | 半導体素子検査基板 | |
| JPS63262850A (ja) | プロ−ブカ−ド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980818 |