JPH05105480A - 封着用組成物 - Google Patents
封着用組成物Info
- Publication number
- JPH05105480A JPH05105480A JP30254891A JP30254891A JPH05105480A JP H05105480 A JPH05105480 A JP H05105480A JP 30254891 A JP30254891 A JP 30254891A JP 30254891 A JP30254891 A JP 30254891A JP H05105480 A JPH05105480 A JP H05105480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- composition
- powder
- sealing
- seal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 40
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910000174 eucryptite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 33
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 21
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- -1 V 2 O 5 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体のパッケージを380℃程度の低温で封
着可能であり、特にアルミナからなるパッケージの封着
に好適な封着用組成物を提供する。 【構成】重量%で、PbO:70〜80%、B2 O3 :
5〜12%、ZnO:0〜5%、SiO2 :0〜1%、
Al2 O3 :0〜3%、SnO2 :0〜1%、Bi2 O
3 :3〜12%、V2 O5 :0.1〜1%、CuO:
0.1〜5%、F:0.1〜3%の組成を有するガラス
粉末に、好ましくはチタン酸鉛固溶体、コーディエライ
ト、β−ユークリプタイトから選ばれた一種または二種
以上である耐火物フィラー粉末を25〜40容量%配合
する。
着可能であり、特にアルミナからなるパッケージの封着
に好適な封着用組成物を提供する。 【構成】重量%で、PbO:70〜80%、B2 O3 :
5〜12%、ZnO:0〜5%、SiO2 :0〜1%、
Al2 O3 :0〜3%、SnO2 :0〜1%、Bi2 O
3 :3〜12%、V2 O5 :0.1〜1%、CuO:
0.1〜5%、F:0.1〜3%の組成を有するガラス
粉末に、好ましくはチタン酸鉛固溶体、コーディエライ
ト、β−ユークリプタイトから選ばれた一種または二種
以上である耐火物フィラー粉末を25〜40容量%配合
する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、アルミナ等を使用した
半導体のパッケージの封着に好適な封着用組成物に関
し、特に低温で封着可能なものに関する。
半導体のパッケージの封着に好適な封着用組成物に関
し、特に低温で封着可能なものに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体の表面は湿気や不純物に極めて敏
感なため、機械的保護だけでなく湿気等も考慮したパッ
ケージに収めて、機密的に封止するのが普通である。こ
のようなパッケージとしては、アルミナ質のものが多い
が、ガラスや樹脂のモールド品も用いられている。
感なため、機械的保護だけでなく湿気等も考慮したパッ
ケージに収めて、機密的に封止するのが普通である。こ
のようなパッケージとしては、アルミナ質のものが多い
が、ガラスや樹脂のモールド品も用いられている。
【0003】これらのパッケージを用いて半導体チップ
を封止する場合、半導体チップへの熱の影響を低減する
ために、できるだけ低温で封止することが必要とされ
る。近年、集積回路の高集積度化が進むにしたがって、
上記の要求は、ますます厳しくなり、アルミナ等からな
る半導体のパッケージを封着するために、400 ℃以下で
封着できる封着用組成物が望まれている。
を封止する場合、半導体チップへの熱の影響を低減する
ために、できるだけ低温で封止することが必要とされ
る。近年、集積回路の高集積度化が進むにしたがって、
上記の要求は、ますます厳しくなり、アルミナ等からな
る半導体のパッケージを封着するために、400 ℃以下で
封着できる封着用組成物が望まれている。
【0004】これらの封着用組成物としては、 1) エポ
キシ樹脂などの樹脂をマトリックスにして、これに熱膨
張率を下げ、強度を向上させる目的でシリカ等のセラミ
ックス粉末を混合し、樹脂を硬化させて接着するもの、
2)低融点のガラスフリットと、フィラーとの混合物
に、有機バインダーを添加し、焼成によってガラスフリ
ットを溶融し、有機バインダーを飛散させて接着するも
のなどが用いられている。
キシ樹脂などの樹脂をマトリックスにして、これに熱膨
張率を下げ、強度を向上させる目的でシリカ等のセラミ
ックス粉末を混合し、樹脂を硬化させて接着するもの、
2)低融点のガラスフリットと、フィラーとの混合物
に、有機バインダーを添加し、焼成によってガラスフリ
ットを溶融し、有機バインダーを飛散させて接着するも
のなどが用いられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記 1) の封着用組成
物では、樹脂をマトリックスにしているため、アルミナ
等からなるパッケージとの間で熱膨張差を生じやすく、
それによって素子に変形、割れ、クラック等を生じやす
くなるという問題点があった。
物では、樹脂をマトリックスにしているため、アルミナ
等からなるパッケージとの間で熱膨張差を生じやすく、
それによって素子に変形、割れ、クラック等を生じやす
くなるという問題点があった。
【0006】また、上記 2) の封着用組成物では、パッ
ケージとの間で熱膨張差は比較的小さく抑えられるが、
ガラスフリットを溶融させるために、高温に加熱する必
要があり、熱によって半導体チップに悪影響が及ぼされ
るという問題点があった。
ケージとの間で熱膨張差は比較的小さく抑えられるが、
ガラスフリットを溶融させるために、高温に加熱する必
要があり、熱によって半導体チップに悪影響が及ぼされ
るという問題点があった。
【0007】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、ガラスフリットを用いた封着用組成
物において、半導体のパッケージを400 ℃以下の低温で
封着できるようにした封着用組成物を提供することにあ
る。
ので、その目的は、ガラスフリットを用いた封着用組成
物において、半導体のパッケージを400 ℃以下の低温で
封着できるようにした封着用組成物を提供することにあ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の封着用組成物は、重量%で、PbO :70〜80
%、B2O3:5 〜12%、ZnO :0 〜5 %、SiO2:0 〜1
%:Al2O3 :0 〜3 %、SnO2:0 〜1 %、Bi2O3 :3 〜
12%、V2O5:0.1 〜1 %、CuO :0.1 〜5 %、F :0.1
〜3 %の組成を有するガラス粉末に、耐火物フィラー粉
末を25〜40容量%含有させたことを特徴とする。
め、本発明の封着用組成物は、重量%で、PbO :70〜80
%、B2O3:5 〜12%、ZnO :0 〜5 %、SiO2:0 〜1
%:Al2O3 :0 〜3 %、SnO2:0 〜1 %、Bi2O3 :3 〜
12%、V2O5:0.1 〜1 %、CuO :0.1 〜5 %、F :0.1
〜3 %の組成を有するガラス粉末に、耐火物フィラー粉
末を25〜40容量%含有させたことを特徴とする。
【0009】以下、本発明について好ましい態様を挙げ
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【0010】本発明の封着用組成物は、特定の組成を有
するガラス粉末と、耐火物フィラー粉末とを含有させた
ものであって、例えば380 ℃程度の熱処理により、充分
流動し、特に、アルミナ等からなる半導体のパッケージ
を気密に封着することが可能なものである。
するガラス粉末と、耐火物フィラー粉末とを含有させた
ものであって、例えば380 ℃程度の熱処理により、充分
流動し、特に、アルミナ等からなる半導体のパッケージ
を気密に封着することが可能なものである。
【0011】以下に組成限定の理由を説明する。
【0012】PbO が70%に満たない場合は、ガラスの粘
性が大きくなりすぎ、80%を超える場合には、ガラスの
結晶化傾向が大きくなり、ガラスが流動しなくなるので
好ましくない。
性が大きくなりすぎ、80%を超える場合には、ガラスの
結晶化傾向が大きくなり、ガラスが流動しなくなるので
好ましくない。
【0013】B2O3が5%未満ではガラスの結晶化傾向が
大きくなり、12%を超える際には、ガラスの粘性が大き
くなる。
大きくなり、12%を超える際には、ガラスの粘性が大き
くなる。
【0014】ZnO はガラスの粘性をやや下げる効果を有
するが、5%を超えると、ガラスが結晶化しやすくなり
好ましくない。
するが、5%を超えると、ガラスが結晶化しやすくなり
好ましくない。
【0015】SiO2、SnO2は共にガラスの結晶化を抑える
作用を有するが、1%を超えるとガラスの粘性が大きく
なる。
作用を有するが、1%を超えるとガラスの粘性が大きく
なる。
【0016】Al2O3 は、ガラスの化学的耐久性を向上さ
せるために配合するが、3%を超えると粘性が高くなり
すぎる。
せるために配合するが、3%を超えると粘性が高くなり
すぎる。
【0017】Bi2O3 は結晶化傾向の少ない安定したガラ
スにする作用を有し、3%に満たない場合は、ガラスの
結晶化傾向が大きくなり、PbO を主体とする結晶が析出
し、12%を超えると、粘性が大きくなると共に、Bi2O3
を主体とする結晶が析出し、ガラスが流動しなくなる。
スにする作用を有し、3%に満たない場合は、ガラスの
結晶化傾向が大きくなり、PbO を主体とする結晶が析出
し、12%を超えると、粘性が大きくなると共に、Bi2O3
を主体とする結晶が析出し、ガラスが流動しなくなる。
【0018】V2O5はガラスの結晶化傾向を抑制する効果
を有し、0.1 %未満では、PbO を主体とする結晶が析出
し易くなり、1%を超えると、PbO-V2O5系の結晶が析出
し、ガラスが流動しなくなる。
を有し、0.1 %未満では、PbO を主体とする結晶が析出
し易くなり、1%を超えると、PbO-V2O5系の結晶が析出
し、ガラスが流動しなくなる。
【0019】CuO はガラスを低融点化する効果を有する
が、0.1 %未満ではその効果があらわれず、5%を超え
るとガラスの粘性が大きくなりすぎる。
が、0.1 %未満ではその効果があらわれず、5%を超え
るとガラスの粘性が大きくなりすぎる。
【0020】F もガラスを低融点化する効果を有する
が、0.1 %未満ではその効果があらわれず、3%を超え
ると膨張係数が大きくなりすぎる。
が、0.1 %未満ではその効果があらわれず、3%を超え
ると膨張係数が大きくなりすぎる。
【0021】本発明において、上記組成は、重量%で、
PbO :72〜78%、B2O3:8 〜11%、ZnO :1 〜4 %、Si
O2:0.1 〜0.9 %、Al2O3 :0.1 〜2 %、SnO2:0.1 〜
0.9%、Bi2O3 :4 〜11%、V2O5:0.1 〜1 %、CuO :
0.1 〜4 %、F :0.1 〜2.5%の組成のものがより好ま
しい。なお、以下の説明において、特に断わらない場
合、%は重量%を表わす。
PbO :72〜78%、B2O3:8 〜11%、ZnO :1 〜4 %、Si
O2:0.1 〜0.9 %、Al2O3 :0.1 〜2 %、SnO2:0.1 〜
0.9%、Bi2O3 :4 〜11%、V2O5:0.1 〜1 %、CuO :
0.1 〜4 %、F :0.1 〜2.5%の組成のものがより好ま
しい。なお、以下の説明において、特に断わらない場
合、%は重量%を表わす。
【0022】上記組成を有するガラス粉末の大きさは、
粒径1〜6μm 程度のものが好ましい。
粒径1〜6μm 程度のものが好ましい。
【0023】ガラス粉末は通常の方法で製造すればよ
い。すなわち、PbO 、B2O3、ZnO 、SiO2、Al2O3 、Sn
O2、Bi2O3 、V2O5、CuO 、F を上記割合を満足するよう
に配合し、加熱して溶融させた後、急冷してガラスブロ
ックを製造する。次いで、このガラスブロックを、例え
ばボールミル等を用いて粉砕してガラス粉末にする。
い。すなわち、PbO 、B2O3、ZnO 、SiO2、Al2O3 、Sn
O2、Bi2O3 、V2O5、CuO 、F を上記割合を満足するよう
に配合し、加熱して溶融させた後、急冷してガラスブロ
ックを製造する。次いで、このガラスブロックを、例え
ばボールミル等を用いて粉砕してガラス粉末にする。
【0024】本発明に用いる耐火物フィラー粉末は、例
えばチタン酸鉛固溶体、コーディエライト、β−ユーク
リプタイトから選ばれた一種又は二種以上である耐火物
フィラーの粉末を用いるのが好ましく、その粒径は、ガ
ラス粉末と同程度の粒径である1〜6μm 程度のものが
好ましく、その配合量は、ガラス粉末と耐火物フィラー
粉末との合計に対して25〜40容量%であるのが好まし
い。
えばチタン酸鉛固溶体、コーディエライト、β−ユーク
リプタイトから選ばれた一種又は二種以上である耐火物
フィラーの粉末を用いるのが好ましく、その粒径は、ガ
ラス粉末と同程度の粒径である1〜6μm 程度のものが
好ましく、その配合量は、ガラス粉末と耐火物フィラー
粉末との合計に対して25〜40容量%であるのが好まし
い。
【0025】耐火物フィラー粉末は、封着用組成物の膨
張率を半導体のパッケージと整合させるとともに、強度
を向上させるために添加されるが、25容量%未満ではそ
の効果があらわれず、40容量%を超えると、ガラスの流
動性が著しく悪くなり、半導体のパッケージを気密的に
封着することができなくなる。
張率を半導体のパッケージと整合させるとともに、強度
を向上させるために添加されるが、25容量%未満ではそ
の効果があらわれず、40容量%を超えると、ガラスの流
動性が著しく悪くなり、半導体のパッケージを気密的に
封着することができなくなる。
【0026】ガラス粉末と、耐火物フィラー粉末との混
合方法は、どのような方法によってもよく、例えば、ガ
ラスブロックをボールミルで粉砕する際に、耐火物フィ
ラーを加えて、粉砕、混合を同時に行なってもよく、予
めそれぞれを所定の大きさの粉末とした後、混合しても
よい。
合方法は、どのような方法によってもよく、例えば、ガ
ラスブロックをボールミルで粉砕する際に、耐火物フィ
ラーを加えて、粉砕、混合を同時に行なってもよく、予
めそれぞれを所定の大きさの粉末とした後、混合しても
よい。
【0027】このようにして製造された本発明の封着用
組成物は、従来の封着用組成物と同様な方法により、半
導体のパッケージの封着に用いることができる。すなわ
ち、例えば、封着用組成物と有機バインダーとを混合し
た後、半導体のパッケージの封着すべき部分に付着さ
せ、加熱して、封着用組成物を溶融させるとともに、有
機バインダーを飛散させることにより、パッケージを封
着する。本発明の封着用組成物は、380 ℃程度の熱処理
により充分流動するので、低温での封着が可能であり、
特に、アルミナからなる半導体のパッケージの封着に好
適である。
組成物は、従来の封着用組成物と同様な方法により、半
導体のパッケージの封着に用いることができる。すなわ
ち、例えば、封着用組成物と有機バインダーとを混合し
た後、半導体のパッケージの封着すべき部分に付着さ
せ、加熱して、封着用組成物を溶融させるとともに、有
機バインダーを飛散させることにより、パッケージを封
着する。本発明の封着用組成物は、380 ℃程度の熱処理
により充分流動するので、低温での封着が可能であり、
特に、アルミナからなる半導体のパッケージの封着に好
適である。
【0028】
【作用】本発明の封着用組成物は、ガラスの組成を特定
したので、380 ℃程度の熱処理により充分流動する。
したので、380 ℃程度の熱処理により充分流動する。
【0029】また、耐火物フィラーを配合したので、封
着用組成物の熱膨張率を半導体パッケージと整合させ、
強度を向上させることができる。
着用組成物の熱膨張率を半導体パッケージと整合させ、
強度を向上させることができる。
【0030】したがって、半導体のパッケージを400 ℃
以下で封着することが可能であり、特に、アルミナから
なる半導体のパッケージの封着に好適である。
以下で封着することが可能であり、特に、アルミナから
なる半導体のパッケージの封着に好適である。
【0031】
実施例1〜6 PbO 、B2O3、ZnO 、SiO2、Al2O3 、SnO2、Bi2O3 、V
2O5、CuO 、F を、表1に示す割合で配合し、白金ルツ
ボに入れ、800 〜1000℃の電気炉中で、1時間加熱して
溶融させた後、急冷して板状に成形し、板状のガラスブ
ロックを得た。次いで、このガラスブロックを、ボール
ミルを用いて粒径1〜6μm程度まで粉砕してガラス粉
末を得た。
2O5、CuO 、F を、表1に示す割合で配合し、白金ルツ
ボに入れ、800 〜1000℃の電気炉中で、1時間加熱して
溶融させた後、急冷して板状に成形し、板状のガラスブ
ロックを得た。次いで、このガラスブロックを、ボール
ミルを用いて粒径1〜6μm程度まで粉砕してガラス粉
末を得た。
【0032】得られたガラス粉末に、表1に示す耐火物
フィラーの、粒径1〜6μmの粉末を、表1に示す割合
で混合し、封着用組成物を得た。これらを実施例1〜6
とする。
フィラーの、粒径1〜6μmの粉末を、表1に示す割合
で混合し、封着用組成物を得た。これらを実施例1〜6
とする。
【0033】実施例1〜6の封着用組成物の熱膨張係
数、軟化点、流動性をそれぞれ測定した。これらの結果
を表1に示す。
数、軟化点、流動性をそれぞれ測定した。これらの結果
を表1に示す。
【0034】なお、熱膨張係数は、示差膨張計により、
30℃〜転移点までの平均熱膨張係数を求め、軟化点は、
示差熱分析(DTA法)により求めた。また、流動性
は、各粉末試料をその比重に相当するg数採取し、1
2.5mmφの円柱状に加圧成形した。次いでこれを板
ガラス片の上に載置し、380℃で10分間加熱して流
動させ、その直径を測定した。この直径が20mm以上
のものを良好と判定した。
30℃〜転移点までの平均熱膨張係数を求め、軟化点は、
示差熱分析(DTA法)により求めた。また、流動性
は、各粉末試料をその比重に相当するg数採取し、1
2.5mmφの円柱状に加圧成形した。次いでこれを板
ガラス片の上に載置し、380℃で10分間加熱して流
動させ、その直径を測定した。この直径が20mm以上
のものを良好と判定した。
【0035】
【表1】
【0036】表1中、ガラス組成の単位は重量%であ
り、耐火物フィラー(チタン酸鉛コーディエライト、β
−ユークリプタイト)の含有率は、ガラスと耐火物フィ
ラーとの合計に対する容量%である。
り、耐火物フィラー(チタン酸鉛コーディエライト、β
−ユークリプタイト)の含有率は、ガラスと耐火物フィ
ラーとの合計に対する容量%である。
【0037】表1の結果から、本発明のガラス組成を満
足し、耐火物フィラーを含有させた実施例1〜6の組成
物は、いずれも軟化点が311 〜318℃と低く、熱膨張係
数も小さく、流動性も良好であることがわかる。
足し、耐火物フィラーを含有させた実施例1〜6の組成
物は、いずれも軟化点が311 〜318℃と低く、熱膨張係
数も小さく、流動性も良好であることがわかる。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の封着用組
成物は、ガラスの組成を特定し、耐火物フィラーを配合
したので、半導体のパッケージを380 ℃程度の低温で、
封着することができ、半導体に悪影響を与えずに機密的
に封止して、素子の信頼性を向上させることができ、特
にアルミナを用いた半導体のパッケージの封着に好適で
ある。
成物は、ガラスの組成を特定し、耐火物フィラーを配合
したので、半導体のパッケージを380 ℃程度の低温で、
封着することができ、半導体に悪影響を与えずに機密的
に封止して、素子の信頼性を向上させることができ、特
にアルミナを用いた半導体のパッケージの封着に好適で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C03C 14/00 6971−4G
Claims (2)
- 【請求項1】重量%で、PbO :70〜80%、B2O3:5 〜12
%、ZnO :0 〜5 %、SiO2:0 〜1%、Al2O3 :0 〜3
%、SnO2:0 〜1 %、Bi2O3 :3 〜12%、V2O5:0.1 〜
1 %、CuO :0.1 〜5 %、F :0.1 〜3 %の組成を有す
るガラス粉末に、耐火物フィラー粉末を25〜40容量%含
有させたことを特徴とする封着用組成物。 - 【請求項2】前記耐火物フィラーが、チタン酸鉛固溶
体、コーディエライト、β−ユークリプタイトから選ば
れた一種又は二種以上である請求項1の封着用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30254891A JPH05105480A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 封着用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30254891A JPH05105480A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 封着用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05105480A true JPH05105480A (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=17910297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30254891A Pending JPH05105480A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 封着用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05105480A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6163106A (en) * | 1997-09-09 | 2000-12-19 | Asahi Glass Company Ltd. | Color cathode ray tube and water resistant glass frit |
| KR100398081B1 (ko) * | 1995-12-15 | 2003-12-24 | 삼성코닝 주식회사 | 접착용유리조성물 |
| CN112299720A (zh) * | 2020-11-16 | 2021-02-02 | 成都光明光电有限责任公司 | 低温封接玻璃 |
-
1991
- 1991-10-22 JP JP30254891A patent/JPH05105480A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100398081B1 (ko) * | 1995-12-15 | 2003-12-24 | 삼성코닝 주식회사 | 접착용유리조성물 |
| US6163106A (en) * | 1997-09-09 | 2000-12-19 | Asahi Glass Company Ltd. | Color cathode ray tube and water resistant glass frit |
| CN112299720A (zh) * | 2020-11-16 | 2021-02-02 | 成都光明光电有限责任公司 | 低温封接玻璃 |
| CN112299720B (zh) * | 2020-11-16 | 2022-04-12 | 成都光明光电有限责任公司 | 低温封接玻璃 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4405722A (en) | Sealing glass compositions | |
| JP3339647B2 (ja) | 無鉛系低融点ガラス及び封着用ガラス組成物 | |
| JPS6265954A (ja) | アルミナ封着用硼珪酸ガラス | |
| JP2001010843A (ja) | 結晶性低融点ガラスおよび封着用組成物 | |
| JPS63315536A (ja) | 低温封着用フリット | |
| JPH03232738A (ja) | 低融点封着用組成物 | |
| JP2003017632A (ja) | 半導体封入用ガラス及び半導体封入用外套管 | |
| SU1565344A3 (ru) | Способ получени припоечного боросвинцового стекла | |
| JP3519121B2 (ja) | 封着用組成物 | |
| JP4425386B2 (ja) | 低融点ガラスおよび封着用組成物 | |
| JPS59164649A (ja) | 封着用ガラス組成物 | |
| JPS6143298B2 (ja) | ||
| JPH0419176B2 (ja) | ||
| JP3402314B2 (ja) | 低融点封着用組成物の製造方法及びその使用方法 | |
| JPS58161943A (ja) | 封着用ガラス組成物 | |
| US4246034A (en) | Devitrifying solder sealing glasses | |
| JP3151794B2 (ja) | 低融点封着用組成物 | |
| JP2957087B2 (ja) | 低温封着用組成物 | |
| JPH0558673A (ja) | 高膨張性封着材料 | |
| JPH0597470A (ja) | 低融点封着用組成物 | |
| JPS6027620A (ja) | 封着用組成物 | |
| JP2968985B2 (ja) | 低融点封着用組成物 | |
| JPS6143299B2 (ja) | ||
| JPH05186241A (ja) | 封着用組成物 | |
| KR950004481B1 (ko) | 접착용 유리조성물 |