JPH05105486A - 平滑ガラス基板およびその製造方法 - Google Patents
平滑ガラス基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH05105486A JPH05105486A JP27294491A JP27294491A JPH05105486A JP H05105486 A JPH05105486 A JP H05105486A JP 27294491 A JP27294491 A JP 27294491A JP 27294491 A JP27294491 A JP 27294491A JP H05105486 A JPH05105486 A JP H05105486A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- silica
- film
- coating
- base plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 92
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 90
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 81
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSEMXLIZFGUOGC-UHFFFAOYSA-N 1,7-dichloroheptane Chemical compound ClCCCCCCCCl PSEMXLIZFGUOGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZHIWRCQKBBTOW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxybutane Chemical compound CCCCOCC PZHIWRCQKBBTOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N dichloro(methyl)silicon Chemical compound C[Si](Cl)Cl KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000005048 methyldichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 下記一般式（１）
【化１】
（ただし、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、それぞれ独立して
水素原子または炭素原子数１〜８のアルキル基であ
る。）で表わされる繰り返し単位を有するポリシラザン
の１種または２種以上を含む塗布液から形成されたシリ
カ系被膜で、ガラス基板の表面が被覆されている平滑ガ
ラス基板、および該平滑ガラス基板のシリカ系被膜上に
透明導電膜が形成された透明電極基板を有する液晶表示
装置。 【効果】 上記のようなシリカ系被膜は、ボイド、ピン
ホール、クラック等がなく、緻密であり、アルカリパッ
シベーション膜としても優れている。このような被膜が
形成された平滑ガラス基板は、平滑性に優れており、こ
の平滑ガラス基板を用いて形成された透明電極基板を有
する液晶表示装置は、表示画像に色むら濃度むらがほと
んどない。
水素原子または炭素原子数１〜８のアルキル基であ
る。）で表わされる繰り返し単位を有するポリシラザン
の１種または２種以上を含む塗布液から形成されたシリ
カ系被膜で、ガラス基板の表面が被覆されている平滑ガ
ラス基板、および該平滑ガラス基板のシリカ系被膜上に
透明導電膜が形成された透明電極基板を有する液晶表示
装置。 【効果】 上記のようなシリカ系被膜は、ボイド、ピン
ホール、クラック等がなく、緻密であり、アルカリパッ
シベーション膜としても優れている。このような被膜が
形成された平滑ガラス基板は、平滑性に優れており、こ
の平滑ガラス基板を用いて形成された透明電極基板を有
する液晶表示装置は、表示画像に色むら濃度むらがほと
んどない。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、液晶表示素子、プラズマ
ディスプレイ、光ディスク、磁気ディスク等に用いられ
ている平滑ガラス基板およびその製造方法に関し、さら
に詳しくは、膜形成時の収縮ストレスに基づくクラック
の発生がなく、しかも塗布液組成物の分解による被膜の
ボイドがなく、緻密なシリカ系被膜が、表面の平滑化膜
として表面上に形成されたガラス基板、およびこの平滑
ガラス基板の製造方法に関する。本発明は、さらに、こ
のような平滑ガラス基板を用いて形成された透明電極基
板を有する液晶表示装置にも関する。
ディスプレイ、光ディスク、磁気ディスク等に用いられ
ている平滑ガラス基板およびその製造方法に関し、さら
に詳しくは、膜形成時の収縮ストレスに基づくクラック
の発生がなく、しかも塗布液組成物の分解による被膜の
ボイドがなく、緻密なシリカ系被膜が、表面の平滑化膜
として表面上に形成されたガラス基板、およびこの平滑
ガラス基板の製造方法に関する。本発明は、さらに、こ
のような平滑ガラス基板を用いて形成された透明電極基
板を有する液晶表示装置にも関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】液晶表示素子、プラズマディスプ
レイ、光ディスク、磁気ディスク等の基板としてガラス
基板等が用いられている。
レイ、光ディスク、磁気ディスク等の基板としてガラス
基板等が用いられている。
【０００３】このような基板としてガラス基板を用いた
場合、ガラス表面の微細なうねりや凹凸が、表示素子や
記録素子の形成時に悪影響を及ぼすことがあった。この
ためガラス基板の表面を平滑にする必要があり、平滑化
の方法として、ガラス表面を物理的、化学的に研磨する
方法が知られている。
場合、ガラス表面の微細なうねりや凹凸が、表示素子や
記録素子の形成時に悪影響を及ぼすことがあった。この
ためガラス基板の表面を平滑にする必要があり、平滑化
の方法として、ガラス表面を物理的、化学的に研磨する
方法が知られている。
【０００４】しかしながら、これらの研磨法によりガラ
ス表面を平滑化すると、コストが高くなり、また、生産
効率が悪くなるという問題点がある。このため、ガラス
表面に塗布液を塗布することによって被膜を形成し、ガ
ラス表面を平滑にする方法が望まれているが、満足な平
滑表面を形成し得るような塗布液は得られていない。
ス表面を平滑化すると、コストが高くなり、また、生産
効率が悪くなるという問題点がある。このため、ガラス
表面に塗布液を塗布することによって被膜を形成し、ガ
ラス表面を平滑にする方法が望まれているが、満足な平
滑表面を形成し得るような塗布液は得られていない。
【０００５】
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術におけ
る問題点を解決しようとするものであって、ボイド、ピ
ンホール、クラック等のない緻密なシリカ系被膜で表面
が平滑化された平滑ガラス基板を提供することを目的と
し、またこのような平滑ガラス基板の製造方法を提供す
ることを目的としている。
る問題点を解決しようとするものであって、ボイド、ピ
ンホール、クラック等のない緻密なシリカ系被膜で表面
が平滑化された平滑ガラス基板を提供することを目的と
し、またこのような平滑ガラス基板の製造方法を提供す
ることを目的としている。
【０００６】
【発明の概要】本発明に係る平滑ガラス基板は、下記一
般式（Ｉ）
般式（Ｉ）
【０００７】
【化３】
【０００８】（ただし、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、それ
ぞれ独立して水素原子または炭素原子数１〜８のアルキ
ル基である。）で表わされる繰り返し単位を有するポリ
シラザンの１種または２種以上を含む塗布液から形成さ
れたシリカ系被膜で、ガラス基板の表面が被覆されるこ
とを特徴としている。
ぞれ独立して水素原子または炭素原子数１〜８のアルキ
ル基である。）で表わされる繰り返し単位を有するポリ
シラザンの１種または２種以上を含む塗布液から形成さ
れたシリカ系被膜で、ガラス基板の表面が被覆されるこ
とを特徴としている。
【０００９】またこのような平滑ガラス基板は、前記塗
布液をガラス基板に塗布したのち、得られた塗膜を酸化
雰囲気中での加熱および／または酸化雰囲気中での紫外
線照射により硬化して、シリカ系被膜をガラス基板上に
形成する工程を含んで製造される。
布液をガラス基板に塗布したのち、得られた塗膜を酸化
雰囲気中での加熱および／または酸化雰囲気中での紫外
線照射により硬化して、シリカ系被膜をガラス基板上に
形成する工程を含んで製造される。
【００１０】
【発明の具体的説明】以下本発明に係る平滑ガラス基板
およびその製造方法について、具体的に説明する。
およびその製造方法について、具体的に説明する。
【００１１】本発明に係る平滑ガラス基板は、ガラス基
板の表面が、
板の表面が、
【００１２】
【化４】
【００１３】（ただし、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、それ
ぞれ独立して水素原子または炭素原子数１〜８のアルキ
ル基である。）で表わされる繰り返し単位を有するポリ
シラザンの１種または２種以上を含む塗布液から形成さ
れたシリカ系被膜で被覆されている。
ぞれ独立して水素原子または炭素原子数１〜８のアルキ
ル基である。）で表わされる繰り返し単位を有するポリ
シラザンの１種または２種以上を含む塗布液から形成さ
れたシリカ系被膜で被覆されている。
【００１４】ガラス基板を形成するガラスとしては、特
に制限はなく用いられ、具体的には、ソーダライムガラ
ス、アルミノシリケートガラス、ボロシリケートガラ
ス、ホウ珪酸ガラス、結晶化ガラスなどが例示される。
に制限はなく用いられ、具体的には、ソーダライムガラ
ス、アルミノシリケートガラス、ボロシリケートガラ
ス、ホウ珪酸ガラス、結晶化ガラスなどが例示される。
【００１５】本発明の平滑ガラス基板では、通常ガラス
基板の片面が上記のようなシリカ系被膜で被覆されてい
るが、両面が上記のようなシリカ系被膜で被覆されてい
てもよい。
基板の片面が上記のようなシリカ系被膜で被覆されてい
るが、両面が上記のようなシリカ系被膜で被覆されてい
てもよい。
【００１６】前記式（１）においてＲ1 、Ｒ2 およびＲ
3 がアルキル基である場合、アルキル基としてはメチル
基、エチル基およびプロピル基から選ばれる１種が好ま
しい。特にＲ1 、Ｒ2 およびＲ3 がいずれも水素原子で
ある場合が好ましく、この場合には、加熱時に分解する
アルキル基がなく、膜収縮が少なく、このため膜形成時
の収縮ストレスに基づくクラックが生じることが少なく
なり、クラックのほとんどない平滑ガラス基板が得られ
る。
3 がアルキル基である場合、アルキル基としてはメチル
基、エチル基およびプロピル基から選ばれる１種が好ま
しい。特にＲ1 、Ｒ2 およびＲ3 がいずれも水素原子で
ある場合が好ましく、この場合には、加熱時に分解する
アルキル基がなく、膜収縮が少なく、このため膜形成時
の収縮ストレスに基づくクラックが生じることが少なく
なり、クラックのほとんどない平滑ガラス基板が得られ
る。
【００１７】また、上記式（１）で表わされる繰り返し
単位を有するポリシラザンは、直鎖状であっても、環状
であってもよく、直鎖状のポリシラザンと環状のポリシ
ラザンの両者が含まれていてもよい。
単位を有するポリシラザンは、直鎖状であっても、環状
であってもよく、直鎖状のポリシラザンと環状のポリシ
ラザンの両者が含まれていてもよい。
【００１８】さらに、このようなポリシラザンの重量平
均分子量は、５００〜１０，０００、好ましくは１，０
００〜４，０００の範囲にあることが望ましい。重量平
均分子量が５００未満では、加熱硬化時に低分子量のポ
リシラザンが揮発し、得られたシリカ系被膜が多孔質に
なりやすく、また、分子量が１０，０００を越えると、
塗布液の流動性が低下し、被膜の平滑性が悪くなるとい
う傾向がある。
均分子量は、５００〜１０，０００、好ましくは１，０
００〜４，０００の範囲にあることが望ましい。重量平
均分子量が５００未満では、加熱硬化時に低分子量のポ
リシラザンが揮発し、得られたシリカ系被膜が多孔質に
なりやすく、また、分子量が１０，０００を越えると、
塗布液の流動性が低下し、被膜の平滑性が悪くなるとい
う傾向がある。
【００１９】本発明において用いられる被膜形成用塗布
液は、通常、有機溶媒中に上記ポリシラザンを溶解して
形成される。このような有機溶媒としては、ポリシラザ
ンを溶解し、塗布液に流動性を付与するものであれば特
に制限はなく、具体的には、シクロヘキサン、トルエ
ン、キシレン、ヘキシレン等の炭化水素、塩化メチレ
ン、塩化エチレン、トリクロロエタン等のハロゲン化炭
化水素、エチルブチルエーテル、ジブチルエーテル、ジ
オキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類等が挙げ
られる。これらの有機溶媒は、単独もしくは２種以上を
混合して用いることができる。
液は、通常、有機溶媒中に上記ポリシラザンを溶解して
形成される。このような有機溶媒としては、ポリシラザ
ンを溶解し、塗布液に流動性を付与するものであれば特
に制限はなく、具体的には、シクロヘキサン、トルエ
ン、キシレン、ヘキシレン等の炭化水素、塩化メチレ
ン、塩化エチレン、トリクロロエタン等のハロゲン化炭
化水素、エチルブチルエーテル、ジブチルエーテル、ジ
オキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類等が挙げ
られる。これらの有機溶媒は、単独もしくは２種以上を
混合して用いることができる。
【００２０】また、被膜形成用塗布液中のポリシラザン
の濃度は、３〜３５重量％であることが望ましい。本発
明に係る平滑ガラス基板の製造方法では、上記塗布液を
ガラス基板上に塗布し、得られた塗膜を酸化雰囲気中で
加熱するか、または得られた塗膜を酸化雰囲気中で紫外
線照射するか、あるいは得られた塗膜を酸化雰囲気中で
加熱および紫外線照射することにより、塗膜を硬化させ
てシリカ系被膜が形成される。
の濃度は、３〜３５重量％であることが望ましい。本発
明に係る平滑ガラス基板の製造方法では、上記塗布液を
ガラス基板上に塗布し、得られた塗膜を酸化雰囲気中で
加熱するか、または得られた塗膜を酸化雰囲気中で紫外
線照射するか、あるいは得られた塗膜を酸化雰囲気中で
加熱および紫外線照射することにより、塗膜を硬化させ
てシリカ系被膜が形成される。
【００２１】上記の製造方法において、塗膜を加熱およ
び紫外線照射するとは、塗膜を加熱しながら紫外線照射
すること、または塗膜を加熱後紫外線照射すること、あ
るいは塗膜を紫外線照射後加熱することなどを意味す
る。
び紫外線照射するとは、塗膜を加熱しながら紫外線照射
すること、または塗膜を加熱後紫外線照射すること、あ
るいは塗膜を紫外線照射後加熱することなどを意味す
る。
【００２２】ここで塗布液をガラス基板上に塗布して塗
膜を形成する際には、スプレー法、スピンコート法、デ
ィップコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、
転写印刷法などの塗布方法を用いることができる。
膜を形成する際には、スプレー法、スピンコート法、デ
ィップコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、
転写印刷法などの塗布方法を用いることができる。
【００２３】上記のような酸化雰囲気としては、たとえ
ば、酸素含有ガス、水蒸気含有ガス、オゾン含有ガスな
どが挙げられる。平滑ガラス基板の製造方法における塗
膜の硬化方法について具体的に説明すると、酸化雰囲気
中での塗膜の加熱は、１５０℃〜８００℃好ましくは３
５０℃〜８００℃の温度で行われることが望ましい。
ば、酸素含有ガス、水蒸気含有ガス、オゾン含有ガスな
どが挙げられる。平滑ガラス基板の製造方法における塗
膜の硬化方法について具体的に説明すると、酸化雰囲気
中での塗膜の加熱は、１５０℃〜８００℃好ましくは３
５０℃〜８００℃の温度で行われることが望ましい。
【００２４】また塗膜を酸化雰囲気中で紫外線を照射
し、その後、１５０℃〜４５０℃で加熱して、塗膜を硬
化することもできる。さらに塗膜を酸化雰囲気中で紫外
線照射することによって硬化させることもできる。
し、その後、１５０℃〜４５０℃で加熱して、塗膜を硬
化することもできる。さらに塗膜を酸化雰囲気中で紫外
線照射することによって硬化させることもできる。
【００２５】本発明に係る平滑ガラス基板の製造方法で
は、塗膜を酸化雰囲気中での加熱のみによっても被膜を
得ることもできるが、塗膜に紫外線照射を施すことによ
り、被膜の形成時における加熱温度を低くすることがで
き、また加熱時間を短縮できるので好ましい。
は、塗膜を酸化雰囲気中での加熱のみによっても被膜を
得ることもできるが、塗膜に紫外線照射を施すことによ
り、被膜の形成時における加熱温度を低くすることがで
き、また加熱時間を短縮できるので好ましい。
【００２６】この塗膜を酸化雰囲気中での加熱および／
または紫外線照射によって硬化させると、ほとんどの−
ＳｉＮ−骨格は酸化されて−ＳｉＯ−骨格に変化する。
従来、アルコキシシラン系塗布液を塗布し加熱硬化さ
せてシリカ系被膜を形成した場合、加熱硬化時にアルコ
キシシランのＳｉＯＨ基同士の縮合反応等により被膜の
収縮が生じるといったことがあった。
または紫外線照射によって硬化させると、ほとんどの−
ＳｉＮ−骨格は酸化されて−ＳｉＯ−骨格に変化する。
従来、アルコキシシラン系塗布液を塗布し加熱硬化さ
せてシリカ系被膜を形成した場合、加熱硬化時にアルコ
キシシランのＳｉＯＨ基同士の縮合反応等により被膜の
収縮が生じるといったことがあった。
【００２７】しかし本発明では、上記のようなポリシラ
ザン溶液からなる塗布液をガラス基板上に塗布し、次い
で酸化雰囲気中での加熱および／または紫外線照射によ
りシリカ系被膜を形成しているため、Ｓｉ−Ｎ結合がＳ
ｉ−Ｏ結合に変化するだけで結合間距離がほとんど変化
せず、このため得られる被膜の収縮が起こらないと考え
られる。
ザン溶液からなる塗布液をガラス基板上に塗布し、次い
で酸化雰囲気中での加熱および／または紫外線照射によ
りシリカ系被膜を形成しているため、Ｓｉ−Ｎ結合がＳ
ｉ−Ｏ結合に変化するだけで結合間距離がほとんど変化
せず、このため得られる被膜の収縮が起こらないと考え
られる。
【００２８】したがって、上記のようなシリカ系被膜で
被覆されたガラス基板の製造方法では、従来のアルコキ
シシラン系塗布液からシリカ系保護膜を形成する方法に
比較して、膜形成時の収縮ストレスに基づくクラックの
発生が少なく、しかも塗布液組成物の分解による被膜の
ボイドがなく、緻密なシリカ系被膜を形成することが可
能となる。
被覆されたガラス基板の製造方法では、従来のアルコキ
シシラン系塗布液からシリカ系保護膜を形成する方法に
比較して、膜形成時の収縮ストレスに基づくクラックの
発生が少なく、しかも塗布液組成物の分解による被膜の
ボイドがなく、緻密なシリカ系被膜を形成することが可
能となる。
【００２９】また、上述のようなポリシラザン溶液から
なる塗布液を、凹凸のあるガラス基板に、その凹凸を平
坦化する程度に厚く塗布してもクラックの発生等がな
く、その表面がシリカ系被膜により平滑化されたガラス
基板を得ることが可能となる。
なる塗布液を、凹凸のあるガラス基板に、その凹凸を平
坦化する程度に厚く塗布してもクラックの発生等がな
く、その表面がシリカ系被膜により平滑化されたガラス
基板を得ることが可能となる。
【００３０】さらにこのようにしてガラス基板上に形成
されたシリカ系被膜は、その緻密性に優れているため、
ガラス基板からアルカリ成分が溶出するのを防止し、こ
の平滑ガラス基板上に形成される導電膜、電極膜などが
アルカリ成分によって悪影響を受けることが防止され
る。
されたシリカ系被膜は、その緻密性に優れているため、
ガラス基板からアルカリ成分が溶出するのを防止し、こ
の平滑ガラス基板上に形成される導電膜、電極膜などが
アルカリ成分によって悪影響を受けることが防止され
る。
【００３１】すなわちこのシリカ系被膜は、アルカリパ
ッシベーション膜として優れた特性を示す。本発明に係
る平滑ガラス基板は、液晶表示用ガラス基板、プラズマ
ディスプレイ用基板、光ディスク用基板あるいは磁気デ
ィスク用基板等平滑化が要求される場合に優れた効果を
発揮する。
ッシベーション膜として優れた特性を示す。本発明に係
る平滑ガラス基板は、液晶表示用ガラス基板、プラズマ
ディスプレイ用基板、光ディスク用基板あるいは磁気デ
ィスク用基板等平滑化が要求される場合に優れた効果を
発揮する。
【００３２】たとえば、本発明に係る平滑ガラス基板を
用いて、スパッタリング等常法にしたがいＩＴＯなどの
透明導電膜を平滑ガラス基板のシリカ系被膜上に形成す
ると、凹凸のほとんどない平滑な透明電極基板が得られ
る。この平滑性に優れた一対の透明電極基板を有する液
晶表示装置では、電極間距離にむらがなく、このため濃
度むらおよび色むらのない画像が得られる。
用いて、スパッタリング等常法にしたがいＩＴＯなどの
透明導電膜を平滑ガラス基板のシリカ系被膜上に形成す
ると、凹凸のほとんどない平滑な透明電極基板が得られ
る。この平滑性に優れた一対の透明電極基板を有する液
晶表示装置では、電極間距離にむらがなく、このため濃
度むらおよび色むらのない画像が得られる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
特定のポリシラザンを含む塗布液をガラス基板上に塗布
したのち、得られた塗膜を酸化雰囲気中での加熱および
／または紫外線照射により硬化して、被膜を形成してい
るので、得られるシリカ系被膜には、塗布液組成物の分
解によるボイドがほとんど発生せず、また膜形成時の収
縮ストレスが少なくなり、このため膜形成時の収縮スト
レスに起因するクラック等が防止され、表面が平滑で緻
密なシリカ系被膜がガラス基板上に形成できる。このた
め上記のようなガラス基板上に形成されたシリカ系被膜
は、ガラス基板の表面を平滑化する上で効果的であり、
さらにアルカリパッシベーション膜としても優れた特性
を示す。
特定のポリシラザンを含む塗布液をガラス基板上に塗布
したのち、得られた塗膜を酸化雰囲気中での加熱および
／または紫外線照射により硬化して、被膜を形成してい
るので、得られるシリカ系被膜には、塗布液組成物の分
解によるボイドがほとんど発生せず、また膜形成時の収
縮ストレスが少なくなり、このため膜形成時の収縮スト
レスに起因するクラック等が防止され、表面が平滑で緻
密なシリカ系被膜がガラス基板上に形成できる。このた
め上記のようなガラス基板上に形成されたシリカ系被膜
は、ガラス基板の表面を平滑化する上で効果的であり、
さらにアルカリパッシベーション膜としても優れた特性
を示す。
【００３４】また、この平滑ガラス基板を用いた液晶表
示装置においては、液晶の配向乱れや色むらがなく安定
な液晶画像が得られる。以下本発明を実施例により説明
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。
示装置においては、液晶の配向乱れや色むらがなく安定
な液晶画像が得られる。以下本発明を実施例により説明
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。
【００３５】
【実施例１】１リットルの四ツ口フラスコ内に塩化メチ
レン３００ｍｌを入れ、−５℃に冷却した。次いでこの
フラスコ内にジクロロシラン３０．０ｇを加え、攪拌し
ながらさらにＮＨ3 ガスを２時間吹き込んでジクロロシ
ランとＮＨ3 との反応生成物を含む溶液を得た。得られ
た溶液から沈澱をろ過して除去した後、ろ液を減圧して
溶媒を除去することにより、樹脂状のポリシラザンＡ
（分子量２，７００）を得た。
レン３００ｍｌを入れ、−５℃に冷却した。次いでこの
フラスコ内にジクロロシラン３０．０ｇを加え、攪拌し
ながらさらにＮＨ3 ガスを２時間吹き込んでジクロロシ
ランとＮＨ3 との反応生成物を含む溶液を得た。得られ
た溶液から沈澱をろ過して除去した後、ろ液を減圧して
溶媒を除去することにより、樹脂状のポリシラザンＡ
（分子量２，７００）を得た。
【００３６】得られたポリシラザンＡをキシレンに溶解
して固形分濃度２０重量％であるポリシラザンＡを含む
塗布液（Ａ）を調製した。この塗布液（Ａ）をガラス基
板上にディッピング法により塗布し、２００℃で乾燥
後、湿潤Ｎ2 （酸素濃度１％）中で４５０℃１時間焼成
して、膜厚２，０００オングストロームのシリカ系被膜
を形成し、平滑ガラス基板を作成した。
して固形分濃度２０重量％であるポリシラザンＡを含む
塗布液（Ａ）を調製した。この塗布液（Ａ）をガラス基
板上にディッピング法により塗布し、２００℃で乾燥
後、湿潤Ｎ2 （酸素濃度１％）中で４５０℃１時間焼成
して、膜厚２，０００オングストロームのシリカ系被膜
を形成し、平滑ガラス基板を作成した。
【００３７】この平滑ガラス基板の表面平滑性、光透過
率および被膜の緻密性、表面硬度、密着性を下記のよう
にして評価した。 （１）表面平滑性 触針式表面粗さ計（東京精密社製サーフコム５７０Ａ）
により、平滑ガラス基板表面の微細なうねり（凹凸）を
測定した。
率および被膜の緻密性、表面硬度、密着性を下記のよう
にして評価した。 （１）表面平滑性 触針式表面粗さ計（東京精密社製サーフコム５７０Ａ）
により、平滑ガラス基板表面の微細なうねり（凹凸）を
測定した。
【００３８】（２）光透過率 平滑ガラス基板を透過する５５０ｎｍの光透過率を分光
光度計で測定した。 （３）アルカリ処理による膜厚変化 平滑ガラス基板を５重量％ＮａＯＨ水溶液に６０℃で２
０分間浸漬したのち、膜厚をエリプソメーターで測定
し、処理前後の膜厚変化を評価した。
光度計で測定した。 （３）アルカリ処理による膜厚変化 平滑ガラス基板を５重量％ＮａＯＨ水溶液に６０℃で２
０分間浸漬したのち、膜厚をエリプソメーターで測定
し、処理前後の膜厚変化を評価した。
【００３９】（４）フッ酸処理による膜厚変化 平滑ガラス基板を５５重量％ＨＦ水溶液と濃硫酸の混合
水溶液に２５℃で１分間浸漬したのち、膜厚をエリプソ
メーターで測定し、処理前後の膜厚変化を評価した。
水溶液に２５℃で１分間浸漬したのち、膜厚をエリプソ
メーターで測定し、処理前後の膜厚変化を評価した。
【００４０】（５）表面硬度 プラスチック製消しゴムに１ｋｇの荷重をかけて、平滑
ガラス基板表面を２０回摺動したのち、その表面状態を
目視観察した。
ガラス基板表面を２０回摺動したのち、その表面状態を
目視観察した。
【００４１】（６）密着性 セロハンテープによるピーリングテストにより、被膜の
剥離の有無を目視観察した。
剥離の有無を目視観察した。
【００４２】結果を表１および図１に示す。
【００４３】
【実施例２】実施例１と同様にガラス基板に塗布液
（Ａ）を塗布し、１２０℃で乾燥後、高圧水銀ランプと
オゾナイザーを備えた紫外線照射装置で紫外線を５分間
照射した。
（Ａ）を塗布し、１２０℃で乾燥後、高圧水銀ランプと
オゾナイザーを備えた紫外線照射装置で紫外線を５分間
照射した。
【００４４】その後、３５０℃で３０分間酸素濃度１％
のＮ2 中で加熱して、膜厚１５００オングストロームの
シリカ系被膜を形成し、平滑ガラス基板を作成した。こ
の平滑ガラス基板について実施例１と同様の評価を行っ
た。
のＮ2 中で加熱して、膜厚１５００オングストロームの
シリカ系被膜を形成し、平滑ガラス基板を作成した。こ
の平滑ガラス基板について実施例１と同様の評価を行っ
た。
【００４５】結果を表１および図２に示す。
【００４６】
【実施例３】ジクロロシラン３０．０ｇに代えてメチル
ジクロロシラン３４．２ｇを用いた以外は実施例１と同
様にしてポリシラザンＢ（分子量１，２００）を得た。
次いで得られたポリシラザンＢを含む塗布液（Ｂ）を、
実施例１と同様にして調製した。
ジクロロシラン３４．２ｇを用いた以外は実施例１と同
様にしてポリシラザンＢ（分子量１，２００）を得た。
次いで得られたポリシラザンＢを含む塗布液（Ｂ）を、
実施例１と同様にして調製した。
【００４７】この塗布液を用いて実施例２と同様にして
シリカ系被膜を形成し、平滑ガラス基板を作成した。こ
の平滑ガラス基板について実施例１と同様の評価を行っ
た。
シリカ系被膜を形成し、平滑ガラス基板を作成した。こ
の平滑ガラス基板について実施例１と同様の評価を行っ
た。
【００４８】結果を表１および図３に示す。
【００４９】
【比較例１】テトラメトキシシラン１００ｇにエチルセ
ロソルブ２００ｇを加えて希釈し、この溶液に０．０１
重量％ＨＣｌ水溶液９６ｇを加えてテトラメトキシシラ
ンの加水分解を行った。室温で１時間反応させて、アル
コキシシラン（分子量２，５００）を含む塗布液を調製
した。
ロソルブ２００ｇを加えて希釈し、この溶液に０．０１
重量％ＨＣｌ水溶液９６ｇを加えてテトラメトキシシラ
ンの加水分解を行った。室温で１時間反応させて、アル
コキシシラン（分子量２，５００）を含む塗布液を調製
した。
【００５０】この塗布液を用いて実施例２と同様にして
ガラス基板に被膜を形成し、実施例１と同様の評価を行
った。結果を表１および図４に示す。
ガラス基板に被膜を形成し、実施例１と同様の評価を行
った。結果を表１および図４に示す。
【００５１】
【実施例４】実施例１と同様にして２枚の平滑ガラス基
板を製造した。それぞれの平滑ガラス基板のシリカ系被
膜上に、スパッタリング法によりＩＴＯ透明導電膜を形
成した。次いでこのＩＴＯ透明導電膜にホトレジストを
施して、シリカ系被膜上に液晶表示装置用に液透明電極
が形成された一対の透明電極基板を得た。
板を製造した。それぞれの平滑ガラス基板のシリカ系被
膜上に、スパッタリング法によりＩＴＯ透明導電膜を形
成した。次いでこのＩＴＯ透明導電膜にホトレジストを
施して、シリカ系被膜上に液晶表示装置用に液透明電極
が形成された一対の透明電極基板を得た。
【００５２】このようにして得られた一対の透明電極基
板を用いて液晶表示装置を製造した。なお透明電極間の
距離は均一な粒径を有する絶縁性球状粒子スペーサによ
りほぼ６μｍ程度に調整し、液晶化合物としては市販の
ネマチック液晶を用いた。この液晶表示装置を駆動し
て、その表示画像を観察したところ、色むら、濃度むら
は見られなかった。
板を用いて液晶表示装置を製造した。なお透明電極間の
距離は均一な粒径を有する絶縁性球状粒子スペーサによ
りほぼ６μｍ程度に調整し、液晶化合物としては市販の
ネマチック液晶を用いた。この液晶表示装置を駆動し
て、その表示画像を観察したところ、色むら、濃度むら
は見られなかった。
【００５３】
【比較例２】ガラス基板上に直接透明電極を形成した以
外は実施例４と同様にして液晶表示装置を製造した。
外は実施例４と同様にして液晶表示装置を製造した。
【００５４】この液晶表示装置を駆動して、その表示画
像を観察したところ、表示画像に一部色むら、濃度むら
が見られた。
像を観察したところ、表示画像に一部色むら、濃度むら
が見られた。
【００５５】
【表１】
【００５６】上記の実施例１〜３により、本発明に係る
方法で得られたシリカ系被膜付ガラス基板は、その表面
がきわめて平滑であることがわかる。
方法で得られたシリカ系被膜付ガラス基板は、その表面
がきわめて平滑であることがわかる。
【００５７】さらに、アルカリまたは酸による被膜の膜
厚変化が少ない。すなわち、本発明に係るシリカ系被膜
は緻密な膜であり、この被膜はアルカリパッシベーショ
ン膜としても優れていることがわかる。
厚変化が少ない。すなわち、本発明に係るシリカ系被膜
は緻密な膜であり、この被膜はアルカリパッシベーショ
ン膜としても優れていることがわかる。
【図１】実施例１で得られた平滑ガラス基板の平滑性を
測定したチャート。
測定したチャート。
【図２】実施例２で得られた平滑ガラス基板の平滑性を
測定したチャート。
測定したチャート。
【図３】実施例３で得られた平滑ガラス基板の平滑性を
測定したチャート。
測定したチャート。
【図４】比較例１で得られたガラス基板の平滑性を測定
したチャート。
したチャート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０９Ｆ 9/35 7926−5Ｇ // Ｈ０１Ｂ 5/14 Ａ 7244−5Ｇ
Claims (3)
- 【請求項１】下記一般式（１） 【化１】 （ただし、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、それぞれ独立して
水素原子または炭素原子数１〜８のアルキル基であ
る。）で表わされる繰り返し単位を有するポリシラザン
の１種または２種以上を含む塗布液から形成されたシリ
カ系被膜で、ガラス基板の表面が被覆されていることを
特徴とする平滑ガラス基板。 - 【請求項２】下記一般式（１） 【化２】 （ただし、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、それぞれ独立して
水素原子または炭素原子数１〜８のアルキル基であ
る。）で表わされる繰り返し単位を有するポリシラザン
の１種または２種以上を含む塗布液を、ガラス基板に塗
布したのち、得られた塗膜を酸化雰囲気中での加熱およ
び／または紫外線照射により硬化して、ガラス基板の表
面にシリカ系被膜を形成する工程を含むことを特徴とす
る平滑ガラス基板の製造方法。 - 【請求項３】請求項１に記載の平滑ガラス基板に形成さ
れたシリカ系被膜上に、透明導電膜が形成されてなる透
明電極基板を有することを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27294491A JP3262815B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 平滑ガラス基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27294491A JP3262815B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 平滑ガラス基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05105486A true JPH05105486A (ja) | 1993-04-27 |
| JP3262815B2 JP3262815B2 (ja) | 2002-03-04 |
Family
ID=17520950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27294491A Expired - Lifetime JP3262815B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 平滑ガラス基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3262815B2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0947722A (ja) * | 1995-08-11 | 1997-02-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | シリカ系被膜の形成方法 |
| WO1997043689A1 (fr) * | 1996-05-15 | 1997-11-20 | Seiko Epson Corporation | Composant a couches minces possedant une couche de revetement, panneau a cristaux liquides, appareil electronique et procede de fabrication du composant a couches minces |
| JPH10279362A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Tonen Corp | ＳｉＯ２系セラミックス膜の形成方法 |
| US6821553B2 (en) | 1996-11-25 | 2004-11-23 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic EL element, organic EL element, and organic EL display device |
| JP2006011436A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | 液晶封入用のガラス基板及びその製造方法、並びに、液晶表示装置 |
| JP2009157057A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | イオン拡散防止膜の製造方法、イオン拡散防止膜付基材および液晶表示セル |
| WO2011122067A1 (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 東洋ガラス株式会社 | ガラス容器の内面処理方法及びガラス容器 |
| WO2011125241A1 (ja) * | 2010-04-07 | 2011-10-13 | 東洋ガラス株式会社 | ガラス容器の内面処理方法及びガラス容器 |
| WO2012011377A1 (ja) | 2010-07-22 | 2012-01-26 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリアフィルムの製造方法 |
| US8389052B2 (en) | 2010-03-30 | 2013-03-05 | Toyo Glass Co., Ltd. | Method for treating inside surface of glass container and glass container |
| WO2016001661A3 (en) * | 2014-07-02 | 2016-02-25 | Pilkington Group Limited | Planarisation of a coating |
| JP2018535905A (ja) * | 2015-09-09 | 2018-12-06 | ピルキントン グループ リミテッド | 堆積法 |
| JP2019520289A (ja) * | 2016-04-26 | 2019-07-18 | ピルキントン グループ リミテッド | 耐腐食性コーティングガラス基板 |
| JP2020175345A (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 信越化学工業株式会社 | ポリシラザン硬化被膜のパターニング方法 |
| CN114538790A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-05-27 | 安徽登云玻璃科技有限公司 | 温玻璃容器的内表面处理方法及玻璃容器 |
| JP2023542838A (ja) * | 2020-10-02 | 2023-10-12 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ポリシラザン、およびそれを含むシリカ質膜形成組成物、ならびにそれを用いたシリカ質膜の製造方法 |
-
1991
- 1991-10-21 JP JP27294491A patent/JP3262815B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5614271A (en) * | 1995-08-11 | 1997-03-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for the formation of a silica-based coating film |
| JPH0947722A (ja) * | 1995-08-11 | 1997-02-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | シリカ系被膜の形成方法 |
| CN100405530C (zh) * | 1996-05-15 | 2008-07-23 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜器件的制造方法 |
| WO1997043689A1 (fr) * | 1996-05-15 | 1997-11-20 | Seiko Epson Corporation | Composant a couches minces possedant une couche de revetement, panneau a cristaux liquides, appareil electronique et procede de fabrication du composant a couches minces |
| US5989945A (en) * | 1996-05-15 | 1999-11-23 | Seiko Epson Corporation | Thin film device provided with coating film, liquid crystal panel and electronic device, and method for making the thin film device |
| US6593591B2 (en) | 1996-05-15 | 2003-07-15 | Seiko Epson Corporation | Thin film device provided with coating film, liquid crystal panel and electronic device, and method the thin film device |
| US6863961B2 (en) | 1996-11-25 | 2005-03-08 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic EL element, organic EL element, and organic EL display device |
| US6838192B2 (en) | 1996-11-25 | 2005-01-04 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic EL element, organic EL element, and organic EL display device |
| US6821553B2 (en) | 1996-11-25 | 2004-11-23 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic EL element, organic EL element, and organic EL display device |
| US7662425B2 (en) | 1996-11-25 | 2010-02-16 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic EL element, organic EL element and organic EL display device |
| JPH10279362A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Tonen Corp | ＳｉＯ２系セラミックス膜の形成方法 |
| JP2006011436A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | 液晶封入用のガラス基板及びその製造方法、並びに、液晶表示装置 |
| JP2009157057A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | イオン拡散防止膜の製造方法、イオン拡散防止膜付基材および液晶表示セル |
| US8389052B2 (en) | 2010-03-30 | 2013-03-05 | Toyo Glass Co., Ltd. | Method for treating inside surface of glass container and glass container |
| WO2011122067A1 (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 東洋ガラス株式会社 | ガラス容器の内面処理方法及びガラス容器 |
| CN102317168A (zh) * | 2010-03-30 | 2012-01-11 | 东洋玻璃株式会社 | 玻璃容器的内表面处理方法及玻璃容器 |
| WO2011125241A1 (ja) * | 2010-04-07 | 2011-10-13 | 東洋ガラス株式会社 | ガラス容器の内面処理方法及びガラス容器 |
| WO2012011377A1 (ja) | 2010-07-22 | 2012-01-26 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリアフィルムの製造方法 |
| WO2016001661A3 (en) * | 2014-07-02 | 2016-02-25 | Pilkington Group Limited | Planarisation of a coating |
| CN106458728A (zh) * | 2014-07-02 | 2017-02-22 | 皮尔金顿集团有限公司 | 涂层的平整 |
| EP3650416A1 (en) * | 2014-07-02 | 2020-05-13 | Pilkington Group Limited | Coated glass pane comprising an underlayer and a smooth layer based on silica and/or organo silica |
| CN106458728B (zh) * | 2014-07-02 | 2020-09-22 | 皮尔金顿集团有限公司 | 涂层的平整 |
| US10919800B2 (en) | 2014-07-02 | 2021-02-16 | Pilkington Group Limited | Planarisation of a coating |
| JP2018535905A (ja) * | 2015-09-09 | 2018-12-06 | ピルキントン グループ リミテッド | 堆積法 |
| US20200231493A1 (en) * | 2015-09-09 | 2020-07-23 | Pilkington Group Limited | Deposition process |
| JP2019520289A (ja) * | 2016-04-26 | 2019-07-18 | ピルキントン グループ リミテッド | 耐腐食性コーティングガラス基板 |
| JP2020175345A (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 信越化学工業株式会社 | ポリシラザン硬化被膜のパターニング方法 |
| JP2023542838A (ja) * | 2020-10-02 | 2023-10-12 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ポリシラザン、およびそれを含むシリカ質膜形成組成物、ならびにそれを用いたシリカ質膜の製造方法 |
| CN114538790A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-05-27 | 安徽登云玻璃科技有限公司 | 温玻璃容器的内表面处理方法及玻璃容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3262815B2 (ja) | 2002-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3262815B2 (ja) | 平滑ガラス基板およびその製造方法 | |
| CN1087761C (zh) | 增强聚酰亚胺对活性金属的粘合力的方法 | |
| JP3696939B2 (ja) | シリカ系被膜の形成方法 | |
| KR100298100B1 (ko) | 층간절연도포막형성용의 폴리실라잔계 도포액 및 이를 이용한 이산화규소계 층간절연도포막의 형성방법 | |
| US20010024685A1 (en) | Method for forming a protective coating and substrates coated with the same | |
| JP3330643B2 (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液および被膜付基材 | |
| JPS63241076A (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液 | |
| KR19990044119A (ko) | 투명피막 형성용 도포액, 투명피막이 도포된 기재 및 그의 용도 | |
| JP3516815B2 (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液および被膜付基材 | |
| EP4663644A1 (en) | Silane compound | |
| US8471140B2 (en) | Porous silica precursor composition and method for preparing the precursor composition, porous silica film and method for preparing the porous silica film, semiconductor element, apparatus for displaying an image, as well as liquid crystal display | |
| CN101292060A (zh) | 具有二氧化硅类玻璃薄层的无机基底，制备前述基底的方法，涂布剂和半导体器件 | |
| JPH0832855B2 (ja) | セラミック塗料及びその塗膜形成方法 | |
| JPH1150007A (ja) | 低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および被膜付基材 | |
| JP3208040B2 (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液および被膜付基材 | |
| JP3130614B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP3139230B2 (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液および被膜付基材 | |
| JP6094308B2 (ja) | シリカ多孔質膜 | |
| JP4745490B2 (ja) | シリカ系コーティング剤、シリカ薄膜の製造方法およびシリカ薄膜 | |
| JPH0940779A (ja) | ポリシロキサン、ポリシロキサン組成物、絶縁膜の製造方法、着色部材の製造方法及び導電膜の製造方法 | |
| JPS60235711A (ja) | ＳｉＯ２膜の形成方法 | |
| JPH04275950A (ja) | 基板面への微細凹凸形成法 | |
| JP3889615B2 (ja) | シリカ系薄膜の製造方法および有機−無機複合傾斜材料 | |
| JP4248609B2 (ja) | シリカ系被膜形成用コーティング組成物およびシリカ系被膜付基材 | |
| JP3227359B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071221 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081221 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081221 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091221 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091221 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |