JPS5897048A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS5897048A JPS5897048A JP56198280A JP19828081A JPS5897048A JP S5897048 A JPS5897048 A JP S5897048A JP 56198280 A JP56198280 A JP 56198280A JP 19828081 A JP19828081 A JP 19828081A JP S5897048 A JPS5897048 A JP S5897048A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive resin
- photomask
- thin film
- film pattern
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造に用いられるフォトマスク
に関するものである。
に関するものである。
従来、この種、のフォトマスクとしては、第１図に示す
ものがあった。第１図の断面図において、（１月よガラ
ス基板、（２）はクロム、各種酸化金属薄膜等で形成さ
れる薄膜パターンで、金属の一層または２層構造によっ
て構成されている。
ものがあった。第１図の断面図において、（１月よガラ
ス基板、（２）はクロム、各種酸化金属薄膜等で形成さ
れる薄膜パターンで、金属の一層または２層構造によっ
て構成されている。
このようなフォトマスクは半導体装置の製造において、
第２図に示すように、半導体基板（３）の上に１．ｍｍ
程度の厚さに塗布さ口たネガ型感光樹脂（４）に薄膜パ
ターン（２）の側を加圧密着させ、この後、ガラス基板
上１）の後方から光を照射することによって所定の薄膜
パターンを半導体基板（３）上に塗布したネガ型感光樹
脂（４）上に転写するものであシ、しかるのち、この感
光樹脂（４）をマスク材として種々の化学処理によって
所定のパターンを半導体基板（３）上に形成する。
第２図に示すように、半導体基板（３）の上に１．ｍｍ
程度の厚さに塗布さ口たネガ型感光樹脂（４）に薄膜パ
ターン（２）の側を加圧密着させ、この後、ガラス基板
上１）の後方から光を照射することによって所定の薄膜
パターンを半導体基板（３）上に塗布したネガ型感光樹
脂（４）上に転写するものであシ、しかるのち、この感
光樹脂（４）をマスク材として種々の化学処理によって
所定のパターンを半導体基板（３）上に形成する。
従来のフォトマスクは以上のように構成さ口ているため
に、第２図に示すように半導体基板（３）に密着させて
使用するので、半導体基板から離すとき容易に離口ない
。加工密着させるために異物。
に、第２図に示すように半導体基板（３）に密着させて
使用するので、半導体基板から離すとき容易に離口ない
。加工密着させるために異物。
ゴミ等がフォトマスクを損傷したり、半導体基板（３）
上に塗布したネガ型感光樹脂（４）を損傷して、半導体
装置の歩留りを下げる。第２図（５）に示す空気層に内
在する酸素の影響により、感光性樹脂（４）の膜厚が減
少する酸素効果が生じ、感光性樹脂（４）の耐酸性が下
がり半導体装置の製造に支障をきたす等の欠点があった
。また、酸素効果を防止するために第８図に不すように
薄膜パターン（２）の形成されない部分にネガ型感光性
ａ脂（４）を選択的に形成させｔ二構造においても第４
図に示すように薄膜パターン（２）が直接半導体基板（
３）側に形成されたネガ型感光性樹脂（４）に接触する
ため、半導体基板（３）がら容易に紐ｎない等の第１図
に示すフォトマスクと同じ欠点があった。
上に塗布したネガ型感光樹脂（４）を損傷して、半導体
装置の歩留りを下げる。第２図（５）に示す空気層に内
在する酸素の影響により、感光性樹脂（４）の膜厚が減
少する酸素効果が生じ、感光性樹脂（４）の耐酸性が下
がり半導体装置の製造に支障をきたす等の欠点があった
。また、酸素効果を防止するために第８図に不すように
薄膜パターン（２）の形成されない部分にネガ型感光性
ａ脂（４）を選択的に形成させｔ二構造においても第４
図に示すように薄膜パターン（２）が直接半導体基板（
３）側に形成されたネガ型感光性樹脂（４）に接触する
ため、半導体基板（３）がら容易に紐ｎない等の第１図
に示すフォトマスクと同じ欠点があった。
この発明は上記のような点に鑑み、ガラス基板（１）上
に選択的に形成さ口た薄膜パターン（２）と薄膜ハター
ン（２）の形成されていないガラス基板＜１） 上に二
種類の性質の異なる感光性樹脂を選択的に形成させるこ
とによって、上記の欠点を除去できるフォトマスクを提
供することを目的としている。
に選択的に形成さ口た薄膜パターン（２）と薄膜ハター
ン（２）の形成されていないガラス基板＜１） 上に二
種類の性質の異なる感光性樹脂を選択的に形成させるこ
とによって、上記の欠点を除去できるフォトマスクを提
供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第６
図において、（６）はガラス基板（１）上に選択的に形
成された薄膜パターン（２）の上にのみ、厚さ０．１μ
ｍ程度で形成したポジ型感光性樹脂である。
図において、（６）はガラス基板（１）上に選択的に形
成された薄膜パターン（２）の上にのみ、厚さ０．１μ
ｍ程度で形成したポジ型感光性樹脂である。
このポジ型感光性樹脂（６）は、第８図に示すように薄
膜パターン（２）の形成されていないガラス基板（υ上
にネガ型感光性樹脂（４）を形成させた後、スピン塗布
法等を使用して、０．１μｍ程度の厚さに全面に塗布す
る。この後、ベーキングを８０℃で８０分程度行い、次
に薄膜パターン（２）の形成さ０ていないガラス基板（
１）側から全曲を露光し、現像処理を施すと露光されな
い薄膜パターン（２）の上にのみ選択的にポジ型感光性
樹脂（６）が・形成される。ポジ型感光性樹脂の現像は
水浴性であるため、先に形成させたネガ型感光性樹脂（
４）に対して支障なく作業を行なうことができ、第５図
に示す構造のフォトマスクを容易に形成することができ
る。
膜パターン（２）の形成されていないガラス基板（υ上
にネガ型感光性樹脂（４）を形成させた後、スピン塗布
法等を使用して、０．１μｍ程度の厚さに全面に塗布す
る。この後、ベーキングを８０℃で８０分程度行い、次
に薄膜パターン（２）の形成さ０ていないガラス基板（
１）側から全曲を露光し、現像処理を施すと露光されな
い薄膜パターン（２）の上にのみ選択的にポジ型感光性
樹脂（６）が・形成される。ポジ型感光性樹脂の現像は
水浴性であるため、先に形成させたネガ型感光性樹脂（
４）に対して支障なく作業を行なうことができ、第５図
に示す構造のフォトマスクを容易に形成することができ
る。
第６図に示す構造を有するフォトマスクを用いて、半導
体ウニへ基根（３）にＶ！看させて転写作業を行う場合
、第６図に示すようにＷｋ膜パターン（２ンの形成さｎ
ていない部分はネガ型感光性樹脂によって空間がうめら
れていること、薄膜パターン（２ンの上に形成されたポ
ジ型感光性樹脂（６］の膜厚によって生じる空間層（５
）はポジ型感光性樹脂の現唯による候減り等によって膜
厚がｈくなつ１いるためにほとんど酸素効果には影瞭し
ないこと等から、酸素効果現象をおさえることができる
。−万、薄膜パターン（２）の上に形成された愁光性４
ｉｄ脂（６）によって、半導体基板（３）に形成された
ネガ型感光性樹脂（４）とガラス基板（１）に烟択的に
形成されたネガ型感光性樹脂（４）とが密着しなくなシ
、半導体ウェハ基板（現を容易に離すことができる。ま
た、薄膜パターン（２）は金属性なので直接半導体ウェ
ハ基板（３）側のネガ型感光性樹脂（４）に接触すると
その表面に損傷を与えることがあるが、−腺パターン（
２）の上にポジ型感光性樹脂（６）があるためにこ口が
緩衝の役目をもち、半導体ウェハ基板（３）側の感光性
樹脂（４）の表面に損傷を与えなくなる。
体ウニへ基根（３）にＶ！看させて転写作業を行う場合
、第６図に示すようにＷｋ膜パターン（２ンの形成さｎ
ていない部分はネガ型感光性樹脂によって空間がうめら
れていること、薄膜パターン（２ンの上に形成されたポ
ジ型感光性樹脂（６］の膜厚によって生じる空間層（５
）はポジ型感光性樹脂の現唯による候減り等によって膜
厚がｈくなつ１いるためにほとんど酸素効果には影瞭し
ないこと等から、酸素効果現象をおさえることができる
。−万、薄膜パターン（２）の上に形成された愁光性４
ｉｄ脂（６）によって、半導体基板（３）に形成された
ネガ型感光性樹脂（４）とガラス基板（１）に烟択的に
形成されたネガ型感光性樹脂（４）とが密着しなくなシ
、半導体ウェハ基板（現を容易に離すことができる。ま
た、薄膜パターン（２）は金属性なので直接半導体ウェ
ハ基板（３）側のネガ型感光性樹脂（４）に接触すると
その表面に損傷を与えることがあるが、−腺パターン（
２）の上にポジ型感光性樹脂（６）があるためにこ口が
緩衝の役目をもち、半導体ウェハ基板（３）側の感光性
樹脂（４）の表面に損傷を与えなくなる。
上記実施例では半導体ウェハ基板（３）上に形成させた
ネガ型感光性樹脂（４）の表面保護、フォトマスクの損
傷を防ぐこと、さらに、半導体基板（３）とフォトマス
クとが容易に離れることを目的としたものであるが、ネ
ガ型感光性樹脂（４）の厚さを少なくとも、薄膜パター
ンとその上に形成したポジ型感光性樹脂（６）の享さよ
シも厚く形成させることによって、フォトマスクの密着
コピーを行なう場合にも、上記実施例と同様の効果を奏
する。
ネガ型感光性樹脂（４）の表面保護、フォトマスクの損
傷を防ぐこと、さらに、半導体基板（３）とフォトマス
クとが容易に離れることを目的としたものであるが、ネ
ガ型感光性樹脂（４）の厚さを少なくとも、薄膜パター
ンとその上に形成したポジ型感光性樹脂（６）の享さよ
シも厚く形成させることによって、フォトマスクの密着
コピーを行なう場合にも、上記実施例と同様の効果を奏
する。
以上のように、この発明によｎは、異質の感光性樹脂を
選択的に形成させた構成であるために、半導体ウェハ基
板（３）とフォトマスクの密着露光においても、半導体
ウニ／％基ｌｌ５１（３）か所定の作業終了後容易に絵
口、また、半導体ウニ／１基板（３）上に形成させた感
光性樹脂（４）を損傷しない、さらに酸素効果を防ぐ等
の効果によシ、半導体装置の歩留りの低下を防ぐことが
できる。
選択的に形成させた構成であるために、半導体ウェハ基
板（３）とフォトマスクの密着露光においても、半導体
ウニ／％基ｌｌ５１（３）か所定の作業終了後容易に絵
口、また、半導体ウニ／１基板（３）上に形成させた感
光性樹脂（４）を損傷しない、さらに酸素効果を防ぐ等
の効果によシ、半導体装置の歩留りの低下を防ぐことが
できる。
第１図、第８図は従来のフォトマスクを示す断面図、第
２図、第４図は従来のフォトマスクの使用状態を示す断
面図である。第６図はこの発明による一実施例を示す断
面図であり、第６図１．１この発明によるフォトマスク
の使用状態を示す断面図である。 （１）・・・ガラス基板、（２）・・・薄ＰＡ／＜ター
ン、（３）・・・半導体ウェハ基板、（４）・・・ネガ
型感光性樹脂、（５）・・・空気層、（６）・・・ポジ
型感光性樹脂。 なお図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 葛野信− 手続補正書（自発ン 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５６−１９８２８０号２
、発明の名称 フォトマスク ３、補正をする者 、〜４）譬） ＼ｙ ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容
２図、第４図は従来のフォトマスクの使用状態を示す断
面図である。第６図はこの発明による一実施例を示す断
面図であり、第６図１．１この発明によるフォトマスク
の使用状態を示す断面図である。 （１）・・・ガラス基板、（２）・・・薄ＰＡ／＜ター
ン、（３）・・・半導体ウェハ基板、（４）・・・ネガ
型感光性樹脂、（５）・・・空気層、（６）・・・ポジ
型感光性樹脂。 なお図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 葛野信− 手続補正書（自発ン 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５６−１９８２８０号２
、発明の名称 フォトマスク ３、補正をする者 、〜４）譬） ＼ｙ ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容
Claims (1)
- ガラス基板上に選択的にパターンを形成させたフォトマ
スクにおいて、パターンの形成されていないガラス基板
上と、パターン形成さｎているガラス基板上とにそれぞ
れ性質の異った感光性樹脂を選択的に形成させたことを
特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198280A JPS5897048A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198280A JPS5897048A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897048A true JPS5897048A (ja) | 1983-06-09 |
| JPS6212913B2 JPS6212913B2 (ja) | 1987-03-23 |
Family
ID=16388493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56198280A Granted JPS5897048A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5897048A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547548A (ja) * | 1991-08-08 | 1993-02-26 | Tokyo Electric Co Ltd | 電磁石保護回路 |
-
1981
- 1981-12-04 JP JP56198280A patent/JPS5897048A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6212913B2 (ja) | 1987-03-23 |
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