JPH05109046A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH05109046A JPH05109046A JP2410420A JP41042090A JPH05109046A JP H05109046 A JPH05109046 A JP H05109046A JP 2410420 A JP2410420 A JP 2410420A JP 41042090 A JP41042090 A JP 41042090A JP H05109046 A JPH05109046 A JP H05109046A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録再生特性に優れた薄膜型磁気記録媒体を
提供する。 【構成】 非磁性基板面に対し、磁気異方性主軸が一方
向に20°〜80°立ち上がったCo及び酸素主体の磁
性層を形成し、前記磁性層の膜表面側の保磁力Hsを6
00〜2000Oeとし、基板界面側の保磁力Hbを60
0Oe未満とする。このような媒体は、非磁性基板表面を
不活性ガスまたは酸素ガス雰囲気中でプラズマ処理し、
その後、膜形成雰囲気中に酸素ガスを導入しながら、C
o主体の合金を前記プラズマ処理非磁性基体表面に蒸着
することにより作製できる。
提供する。 【構成】 非磁性基板面に対し、磁気異方性主軸が一方
向に20°〜80°立ち上がったCo及び酸素主体の磁
性層を形成し、前記磁性層の膜表面側の保磁力Hsを6
00〜2000Oeとし、基板界面側の保磁力Hbを60
0Oe未満とする。このような媒体は、非磁性基板表面を
不活性ガスまたは酸素ガス雰囲気中でプラズマ処理し、
その後、膜形成雰囲気中に酸素ガスを導入しながら、C
o主体の合金を前記プラズマ処理非磁性基体表面に蒸着
することにより作製できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体に関する。
更に詳細には、本発明は再生出力が向上された磁気記録
媒体およびその製造方法に関する。
更に詳細には、本発明は再生出力が向上された磁気記録
媒体およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】高密度記録技術に対する要求の高まりと
共に、光記録,半導体メモリなど様々な分野で活発な技
術改良が進められるようになった。特に磁気記録の分野
では従来の磁性粉塗布型記録媒体に代わり、高密度記録
材料としてCo−Niなどの磁性薄膜の研究が盛んに行
われるようになった。
共に、光記録,半導体メモリなど様々な分野で活発な技
術改良が進められるようになった。特に磁気記録の分野
では従来の磁性粉塗布型記録媒体に代わり、高密度記録
材料としてCo−Niなどの磁性薄膜の研究が盛んに行
われるようになった。
【0003】更に最近では、一層の高密度化を目指し、
従来の長手記録方式から垂直記録方式へ移行しようとい
う動きもある。この記録方式においては、記録密度が高
くなるほど記録磁化に作用する反磁界が減少し、そのた
め原理的に高密度記録に適した記録方式といわれてい
る。
従来の長手記録方式から垂直記録方式へ移行しようとい
う動きもある。この記録方式においては、記録密度が高
くなるほど記録磁化に作用する反磁界が減少し、そのた
め原理的に高密度記録に適した記録方式といわれてい
る。
【0004】垂直記録媒体材料としては、Co−Cr合
金薄膜が一般的であるが、磁気テープ用としては、もっ
ぱら特開昭59−140629号公報に開示されたCo
−O垂直磁化薄膜が検討されている。
金薄膜が一般的であるが、磁気テープ用としては、もっ
ぱら特開昭59−140629号公報に開示されたCo
−O垂直磁化薄膜が検討されている。
【0005】当初、この薄膜の作製にあたっては、膜形
成雰囲気中に酸素ガスを導入しながら、基板面に対しC
o蒸気をほぼ垂直に入射させる方法がとられていた。こ
の方法により形成される膜の磁気異方性主軸はほぼ膜面
垂直方向にあり、垂直記録を行うには最適な構造と考え
られてきた。
成雰囲気中に酸素ガスを導入しながら、基板面に対しC
o蒸気をほぼ垂直に入射させる方法がとられていた。こ
の方法により形成される膜の磁気異方性主軸はほぼ膜面
垂直方向にあり、垂直記録を行うには最適な構造と考え
られてきた。
【0006】しかし、最近ではこの異方性主軸を膜面法
線方向から傾け、再生出力を増加させる試みも行われた
が、その値は実用化にまだ充分のものとは言い難かっ
た。
線方向から傾け、再生出力を増加させる試みも行われた
が、その値は実用化にまだ充分のものとは言い難かっ
た。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術がもつ再生出力の不足という欠点を解決し、以て記録
再生特性に優れた磁気記録媒体及びその製造方法を提供
することを目的とする。
術がもつ再生出力の不足という欠点を解決し、以て記録
再生特性に優れた磁気記録媒体及びその製造方法を提供
することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、非磁性基板面に対し、磁気異方性主軸
が一方向に20°〜80°立ち上がったCo及び酸素主
体の磁性層を有し、前記磁性層の膜表面側の保磁力Hs
が基板界面側の保磁力Hbよりも大であることを特徴と
する磁気記録媒体を提供する。
に、本発明では、非磁性基板面に対し、磁気異方性主軸
が一方向に20°〜80°立ち上がったCo及び酸素主
体の磁性層を有し、前記磁性層の膜表面側の保磁力Hs
が基板界面側の保磁力Hbよりも大であることを特徴と
する磁気記録媒体を提供する。
【0009】Hbが600Oe未満で、Hsが600〜2
000Oeであることが好ましい。
000Oeであることが好ましい。
【0010】また、本発明では、非磁性基板表面を不活
性ガスまたは酸素ガス雰囲気中でプラズマ処理し、その
後、膜形成雰囲気中に酸素ガスを導入しながら、Co主
体の合金を前記プラズマ処理非磁性基体表面に蒸着する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法も提供する。
性ガスまたは酸素ガス雰囲気中でプラズマ処理し、その
後、膜形成雰囲気中に酸素ガスを導入しながら、Co主
体の合金を前記プラズマ処理非磁性基体表面に蒸着する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法も提供する。
【0011】
【作用】前記のように、本発明では、非磁性基板面に対
し磁気異方性主軸が一方向に20°〜80°立ち上がっ
たCo及び酸素主体の磁性層を設け、該磁性層の膜表面
側の保磁力Hsを基板界面側Hbのそれよりも高くする
ようにした。
し磁気異方性主軸が一方向に20°〜80°立ち上がっ
たCo及び酸素主体の磁性層を設け、該磁性層の膜表面
側の保磁力Hsを基板界面側Hbのそれよりも高くする
ようにした。
【0012】このような構造を採用することにより、膜
厚方向に均質な磁気特性を有する場合より、高い再生出
力と高いS/N比を実現することができた。
厚方向に均質な磁気特性を有する場合より、高い再生出
力と高いS/N比を実現することができた。
【0013】なお、本発明の磁気記録媒体の詳細を図1
により説明する。膜の異方性主軸3がyz面に存在し、
y軸から角度θだけ立ち上がっているものとする。ここ
でx軸,y軸を各々膜面内磁化困難軸方向5及び膜面内
磁化容易軸方向4と呼ぶことにする。このような磁性薄
膜をリング型磁気ヘッドにより記録再生する際、ヘッド
進行方向をy軸方向とすると、あらゆる記録密度領域に
おいて高い再生出力を得るためには、異方性主軸の方位
角θを20°〜80°の範囲に入れる必要がある。
により説明する。膜の異方性主軸3がyz面に存在し、
y軸から角度θだけ立ち上がっているものとする。ここ
でx軸,y軸を各々膜面内磁化困難軸方向5及び膜面内
磁化容易軸方向4と呼ぶことにする。このような磁性薄
膜をリング型磁気ヘッドにより記録再生する際、ヘッド
進行方向をy軸方向とすると、あらゆる記録密度領域に
おいて高い再生出力を得るためには、異方性主軸の方位
角θを20°〜80°の範囲に入れる必要がある。
【0014】θが20°未満の場合には、ほぼ従来の長
手記録と同様に、高密度記録特性が劣る。また、θが8
0°を越えると、ほぼ完全な垂直記録となり、高密度記
録特性に優れる反面、リングヘッドにより充分な記録を
行うことができず、再生出力及びオーバーライトS/N
が低下する。このようなことからθが20°〜80°の
範囲で最も良好な記録再生特性を実現することができ
る。
手記録と同様に、高密度記録特性が劣る。また、θが8
0°を越えると、ほぼ完全な垂直記録となり、高密度記
録特性に優れる反面、リングヘッドにより充分な記録を
行うことができず、再生出力及びオーバーライトS/N
が低下する。このようなことからθが20°〜80°の
範囲で最も良好な記録再生特性を実現することができ
る。
【0015】更に本発明者等は、θが20°〜80°の
範囲で膜表面における膜面内磁化容易軸方向保磁力Hs
を基板界面における値Hbより高くすることにより、更
に優れた記録再生特性が得られることを見出した。
範囲で膜表面における膜面内磁化容易軸方向保磁力Hs
を基板界面における値Hbより高くすることにより、更
に優れた記録再生特性が得られることを見出した。
【0016】膜表裏面における磁気特性の違いは、具体
的には光磁気効果を利用し膜表裏面から測定を行った
が、記録特性に優れるのは、Hsが600〜2000Oe
の範囲内で、Hbが600Oe未満の場合であった。
的には光磁気効果を利用し膜表裏面から測定を行った
が、記録特性に優れるのは、Hsが600〜2000Oe
の範囲内で、Hbが600Oe未満の場合であった。
【0017】このようにHsをHbより高くすると記録
再生特性が改善される理由は次のように考えられる。図
2および図3は、記録層断面の記録パターンを模式的に
示した図である。図2は膜厚方向に均質な磁気特性を有
する膜の場合であるが、この場合には記録磁化には膜表
裏面に生じる自由磁極からの反磁界が作用し、強い減磁
を受ける。これに対し、図3の場合には、基板界面には
保磁力の低い領域8が存在するので、図3のように記録
パターンを半開磁路的に閉じようとする。その結果、記
録磁化に加わる反磁界が減少し、記録磁化の増加により
出力も向上する。
再生特性が改善される理由は次のように考えられる。図
2および図3は、記録層断面の記録パターンを模式的に
示した図である。図2は膜厚方向に均質な磁気特性を有
する膜の場合であるが、この場合には記録磁化には膜表
裏面に生じる自由磁極からの反磁界が作用し、強い減磁
を受ける。これに対し、図3の場合には、基板界面には
保磁力の低い領域8が存在するので、図3のように記録
パターンを半開磁路的に閉じようとする。その結果、記
録磁化に加わる反磁界が減少し、記録磁化の増加により
出力も向上する。
【0018】なお、本発明の対象となる記録媒体は、C
o及び酸素主体の磁性薄膜を有する。“Coおよび酸素
主体の”という用語は、磁性薄膜を構成する成分中のC
oおよび酸素の原子比が合計で50at%超であることを
意味する。従って、磁性薄膜の形成用強磁性体として
は、Co単体の他に、Coと、Fe,Ni,Crまたは
Tiなどとの合金類も使用できる。その他のCo合金類
も当然使用できる。
o及び酸素主体の磁性薄膜を有する。“Coおよび酸素
主体の”という用語は、磁性薄膜を構成する成分中のC
oおよび酸素の原子比が合計で50at%超であることを
意味する。従って、磁性薄膜の形成用強磁性体として
は、Co単体の他に、Coと、Fe,Ni,Crまたは
Tiなどとの合金類も使用できる。その他のCo合金類
も当然使用できる。
【0019】基板としてポリエチレンテレフタレート、
ポリイミド,ポリフェニレンサルファイド,ポリエチレ
ンナフタレータ等有機高分子フィルムを用いる場合、磁
性膜形成に先立ち、基板表面をアルゴンまたは窒素など
の不活性ガス、若しくは、酸素ガスなどのプラズマに暴
露し、次いで膜形成雰囲気中に酸素ガスを導入しなが
ら、Co主体の合金を蒸着することにより、膜表面にお
ける膜面内磁化容易軸方向保磁力Hsを膜面内磁化困難
軸方向保磁力Hbよりも大きくすることができる。
ポリイミド,ポリフェニレンサルファイド,ポリエチレ
ンナフタレータ等有機高分子フィルムを用いる場合、磁
性膜形成に先立ち、基板表面をアルゴンまたは窒素など
の不活性ガス、若しくは、酸素ガスなどのプラズマに暴
露し、次いで膜形成雰囲気中に酸素ガスを導入しなが
ら、Co主体の合金を蒸着することにより、膜表面にお
ける膜面内磁化容易軸方向保磁力Hsを膜面内磁化困難
軸方向保磁力Hbよりも大きくすることができる。
【0020】基板表面をプラズマ処理してから磁性膜を
蒸着すると、膜表面における膜面内磁化容易軸方向保磁
力Hsが膜面内磁化困難軸方向保磁力Hbよりも大きく
なる正確なメカニズムは未だ解明されていないので推測
の域を出ないが、プラズマ処理すると基板側で磁性体の
結晶配向が乱れるために保磁力が低くなり、膜表面側に
近ずくにつれて磁性体の結晶配向が揃うために保磁力が
高くなるものと思われる。
蒸着すると、膜表面における膜面内磁化容易軸方向保磁
力Hsが膜面内磁化困難軸方向保磁力Hbよりも大きく
なる正確なメカニズムは未だ解明されていないので推測
の域を出ないが、プラズマ処理すると基板側で磁性体の
結晶配向が乱れるために保磁力が低くなり、膜表面側に
近ずくにつれて磁性体の結晶配向が揃うために保磁力が
高くなるものと思われる。
【0021】別法として、強磁性体蒸着時の酸素導入量
を調整したり、あるいはCo−O系磁性体に他の磁性体
元素を添加し、この添加量を調整することにより、基板
側から順次保磁力の高い層を設けた明瞭な多層構造磁性
膜を形成することによっても本発明の磁気記録媒体を作
製できる。
を調整したり、あるいはCo−O系磁性体に他の磁性体
元素を添加し、この添加量を調整することにより、基板
側から順次保磁力の高い層を設けた明瞭な多層構造磁性
膜を形成することによっても本発明の磁気記録媒体を作
製できる。
【0022】本発明の磁気記録媒体は、非磁性基体上に
強磁性体をベーパデボジション法で蒸着することにより
磁性膜を形成させた、いわゆる、薄膜型磁気記録媒体で
ある。このような媒体自体は当業者に周知であり、これ
以上の説明は要しないであろう。
強磁性体をベーパデボジション法で蒸着することにより
磁性膜を形成させた、いわゆる、薄膜型磁気記録媒体で
ある。このような媒体自体は当業者に周知であり、これ
以上の説明は要しないであろう。
【0023】本発明の磁気記録媒体に使用される非磁性
基板としては、アルミニウム基板の他に、ポリイミド,
ポリエチレンテレフタレート等の高分子フィルム,ガラ
ス類,セラミック,陽極酸化アルミ,黄銅などの金属
板,Si単結晶板,表面を熱酸化処理したSi単結晶板
などがある。
基板としては、アルミニウム基板の他に、ポリイミド,
ポリエチレンテレフタレート等の高分子フィルム,ガラ
ス類,セラミック,陽極酸化アルミ,黄銅などの金属
板,Si単結晶板,表面を熱酸化処理したSi単結晶板
などがある。
【0024】また、本発明の磁気記録媒体としては、ポ
リエステルフィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹
脂フィルムを基体とする磁気テープや磁気ディスク、合
成樹脂フィルム、アルミニウム板およびガラス板等から
なる円盤やドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラ
ムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含
する。
リエステルフィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹
脂フィルムを基体とする磁気テープや磁気ディスク、合
成樹脂フィルム、アルミニウム板およびガラス板等から
なる円盤やドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラ
ムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含
する。
【0025】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。
する。
【0026】実施例 実験に使用した薄膜形成装置の概略図を図3に示す。厚
さ8μmのPETフィルム基板18をロール9から送り
出し、水冷したキャンロール11に沿わせた状態でプラ
ズマ室16に於いてフィルム表面をArガスプラズマに
曝す。そして次にCo蒸発源14からの蒸気を基板表面
に2000Å堆積させ、最後にロール9に巻き取る。な
お、蒸着中には、バリアブルリークバルブ12を通し、
酸素ガスを導入した。
さ8μmのPETフィルム基板18をロール9から送り
出し、水冷したキャンロール11に沿わせた状態でプラ
ズマ室16に於いてフィルム表面をArガスプラズマに
曝す。そして次にCo蒸発源14からの蒸気を基板表面
に2000Å堆積させ、最後にロール9に巻き取る。な
お、蒸着中には、バリアブルリークバルブ12を通し、
酸素ガスを導入した。
【0027】図4は蒸着部の拡大図を示す。蒸発源14
から発生した蒸気はマスク15により入射角を制御され
る。この場合の入射角をψ、出射角をΨと定義した。入
射角ψが大きくなるにつれて磁気異方性主軸の立上がり
角θも大きくなるが、必ずしもψ=θではない。
から発生した蒸気はマスク15により入射角を制御され
る。この場合の入射角をψ、出射角をΨと定義した。入
射角ψが大きくなるにつれて磁気異方性主軸の立上がり
角θも大きくなるが、必ずしもψ=θではない。
【0028】前記の装置により成膜条件を変えながら7
種類の試料を作製した。
種類の試料を作製した。
【0029】このようにして斜め入射により形成した膜
の磁気異方性主軸は、通常、図1のように膜面内から立
ち上がるが、このような膜のyz面内での保磁力の変化
は一般的に図5のようになる。この図に示すように、保
磁力が極小になる角度は二つあり、この二つの角度の中
心θ0 を磁気異方性主軸の立ち上がり角として決定し
た。
の磁気異方性主軸は、通常、図1のように膜面内から立
ち上がるが、このような膜のyz面内での保磁力の変化
は一般的に図5のようになる。この図に示すように、保
磁力が極小になる角度は二つあり、この二つの角度の中
心θ0 を磁気異方性主軸の立ち上がり角として決定し
た。
【0030】また、膜表裏面における膜面内磁化容易軸
方向(第1図のy軸)の保磁力は、カー(Kerr)効果(波
長830nm)により測定した。また記録再生特性は、ギ
ャップ長0.19μmのメタル−イン−ギャップ型リン
グヘッドにより測定した。なお、記録媒体は1/2イン
チテープ状に切り出し、評価を行った。作製した試料の
磁気特性及び記録特性の評価結果を表1に示す。
方向(第1図のy軸)の保磁力は、カー(Kerr)効果(波
長830nm)により測定した。また記録再生特性は、ギ
ャップ長0.19μmのメタル−イン−ギャップ型リン
グヘッドにより測定した。なお、記録媒体は1/2イン
チテープ状に切り出し、評価を行った。作製した試料の
磁気特性及び記録特性の評価結果を表1に示す。
【0031】
【表1】
【0032】表1に示された結果から明らかなように、
プラズマ処理をしてから蒸着すると、HsとHbとの値
に極めて明確な差が生じる。その結果、θ0 が30°〜
70°の範囲内の試料の場合、プラズマ処理してから蒸
着した磁性膜の磁気特性は、プラズマ処理しなかった試
料に比べて格段に優れている。
プラズマ処理をしてから蒸着すると、HsとHbとの値
に極めて明確な差が生じる。その結果、θ0 が30°〜
70°の範囲内の試料の場合、プラズマ処理してから蒸
着した磁性膜の磁気特性は、プラズマ処理しなかった試
料に比べて格段に優れている。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように、非磁性基板面に対
し、磁気異方性主軸が一方向に20°〜80°立ち上が
ったCo及び酸素主体の磁性層を設けた磁気記録媒体に
於いて、膜表面側の保磁力を基板界面側のそれより大と
することにより、再生出力を大幅に向上できる。
し、磁気異方性主軸が一方向に20°〜80°立ち上が
ったCo及び酸素主体の磁性層を設けた磁気記録媒体に
於いて、膜表面側の保磁力を基板界面側のそれより大と
することにより、再生出力を大幅に向上できる。
【0034】
【図1】本発明の記録媒体構造の模式的概念図である。
【図2】本発明の記録媒体におる出力向上の原因を説明
するための模式的概念図である。
するための模式的概念図である。
【図3】実施例で使用した真空蒸着装置の模式図であ
る。
る。
【図4】蒸着部付近の拡大模式図である。
【図5】本発明の記録媒体の保磁力の角度依存性を示す
特性図である。
特性図である。
1…磁性層 2…基板 3…磁気異方性主軸 4…膜面内磁化容易軸 5…膜面内磁化困難軸 6…記録層 7…高保磁力層 8…低保磁力層 9…ロール 10…ガイドロール 11…キャンロール 12…バリアブルリークバルブ 13…排気口 14…蒸発原 15…マスク 16…プラズマ室 17…交流電源 18…基板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年10月6日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の記録媒体構造の模式的概念図であ
る。
る。
【図2】 本発明の記録媒体における出力向上の原因を
説明するための模式的概念図である。
説明するための模式的概念図である。
【図3】 本発明の記録媒体における出力向上の原因を
説明するための模式的概念図である。
説明するための模式的概念図である。
【図4】 実施例で使用した真空蒸着装置の模式図であ
る。
る。
【図5】 蒸着部付近の拡大模式図である。
【図6】 本発明の記録媒体の保磁力の角度依存性を示
す特性図である。
す特性図である。
【符号の説明】 1…磁性層 2…基板 3…磁気異方性主軸 4…膜面内磁化容易軸 5…膜面内磁化困難軸 6…記録層 7…高保磁力層 8…低保磁力層 9…ロール 10…ガイドロール 11…キャンロール 12…バリアブルリークバルブ 13…排気口 14…蒸発原 15…マスク 16…プラズマ室 17…交流電源 18…基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 和悦 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (3)
- 【請求項1】 非磁性基板面に対し、磁気異方性主軸が
一方向に20°〜80°立ち上がったCo及び酸素主体
の磁性層を有し、前記磁性層の膜表面側の保磁力Hsが
基板界面側の保磁力Hbよりも大であることを特徴とす
る磁気記録媒体。 - 【請求項2】 Hbが600Oe未満でHsが600〜2
000Oeであることを特徴とする請求項1の磁気記録媒
体。 - 【請求項3】 非磁性基板表面を不活性ガスまたは酸素
ガス雰囲気中でプラズマ処理し、その後、膜形成雰囲気
中に酸素ガスを導入しながら、Co主体の合金を前記プ
ラズマ処理非磁性基体表面に蒸着することを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (3)
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| JP2410420A JPH05109046A (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
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