JPH05109120A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 Ｃ／Ｎ特性の良好な、クロストークの小さい
高密度記録が可能な光記録媒体を提供する。 【構成】 基板上にトラッキング用の案内層１４を所定
パターンに形成し、その上に光記録層１８を形成する。
この時、案内層１４の幅よりも記録再生領域の幅の方を
大きくする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学的に情報を記録再
生する光記録媒体に関し、さらに詳細には高密度に情報
を記録でき、かつ高精度に情報を再生できる光記録媒体
の構成に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の光記録媒体８０は、図１
０に示すように、アクリル、ポリカーボネート、ガラス
等から形成された透明基板８２にトラッキング用案内溝
８１が設けられており、その透明基板８２上にＴｂＦｅ
Ｃｏ，ＧｄＴｂＦｅ，ＴｂＣｏ等の光磁気記録材料、Ｇ
ｅＳｂＴｅ等の相変化記録材料、金属、色素等の穴明け
記録材料等からなる光記録層８３および、ＳｉＯ2 ，Ａ
ｌＮ等の酸化物、窒化物等からなる保護層８４が、積層
されて構成されている。

【０００３】また、このような光記録媒体８０は、図１
１のように溝幅をＷG，溝間距離をＷL ，トラックピッ
チをＰとすると、 Ｐ＝ＷG ＋ＷL となるように形成されている。更に、レーザー光９１の
光記録媒体８０上でのスポット径をｄSとすると、トラ
ックピッチＰはレーザ光のスポット径ｄSとほぼ等しく
なるように作製されている。

【０００４】そして、かかる光記録媒体８０において、
その基板８２を通してレーザ光が光記録層８３に照射さ
れ記録層８３が加熱されると磁化の反転、相変化あるい
はピット形成が生じ記録が行われる。また、再生は、光
記録層８３にレーザ光を照射し光記録層からの反射光の
偏光面の回転、あるいは反射光量の変化を検出すること
により行われる。

【０００５】しかしながら、従来の図１０に示す光記録
媒体８０では、図１２のように記録密度を高めるためト
ラックピッチＰをさらに小さくし、レーザ光９１のスポ
ット径ｄSよりもトラックピッチＰを小さくすると特定
のトラック９２に記録された情報を再生する際、その隣
のトラック９３に記録されたビット９４の一部にも、レ
ーザ光のスポットが照射され、再生されるためクロスト
ークが増大するという問題があった。

【０００６】この欠点を解決するために、図１３に示す
ように、基板１０１上に渦巻状に案内層１０２、干渉層
１０３及び記録層１０４を順次形成した構造の光記録媒
体１００もある。このような光記録媒体１００は、図１
４の様に案内層１０３の幅をＷs、案内層１０３の間か
らレーザ光が照射される光記録層の領域、すなわち記録
再生領域１１０の幅をＷrとすると、案内層の幅Ｗsと記
録再生領域１１０の幅Ｗrがほぼ等しくなるように、形
成されている。そして、かかる光記録媒体１００におい
ても、前記光記録媒体８０と同様の方法で記録再生が行
われる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
図１３に示す光記録媒体では、光記録層１０４に照射さ
れるレーザ光の一部が案内層１０２に遮られるため、ク
ロストークの増大は抑えられるものの、記録再生領域１
１０の幅Ｗrと案内層１０２の幅Ｗsがほぼ等しいため、
Ｃ／Ｎ特性が悪い、という問題があった。

【０００８】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたものであり、その目的とするところは、基板
上にトラッキングのための所定パターンの案内層及び光
記録層を順次積層して形成し、光記録層上に照射される
レーザ光の一部を案内層により遮ることにより、トラッ
クピッチを小さくすることができ、Ｃ／Ｎ特性が良好に
高密度記録が可能で、さらにクロストークの増大の少な
い光記録媒体を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の光記録媒体では、基板上にトラッキングのた
めの所定パターンの案内層が形成され、その上に光記録
層が積層されている。さらに、前記案内層が除去された
部分、すなわち記録再生領域の幅が隣合う前記記録再生
領域にはさまれた前記案内層が除去されていない部分の
幅より大きくなるように規定されている。尚、記録再生
領域の幅が記録ビットの最短ビット長と同じかそれ以上
であってもよい。またトラックピッチを１．４μｍ以下
としてもよい。

【００１０】

【作用】上記の構成を有する本発明の光記録媒体では、
案内層が除去されていない部分の幅よりも記録再生領域
の幅の方が広くなっているためＣ／Ｎ特性が良好に狭ト
ラックピッチ化による高密度記録が可能になる。さら
に、トラックピッチよりも大きなスポット径のレーザ光
を照射しても、記録再生領域の両側に案内層が設けられ
ているため、隣の記録領域にはレーザ光が照射されな
い。これにより、再生時において再生すべき記録再生領
域の隣の記録再生領域に記録されている情報は再生され
ないため、クロストークは増大しない。又記録再生領域
の幅を記録ビットの最短ビット長と同じかそれ以上にす
ることにより、Ｃ／Ｎ特性がいっそう良好になり、トラ
ックピッチを１．４ｍ以下とすることにより、いっそう
高密度記録が可能となる。

【００１１】

【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図面を
参照して説明する。

【００１２】図１は、本発明の一実施例である光記録媒
体の要部断面図である。この光記録媒体１０は、ガラス
等の透明な基板１２上に、案内層１４、干渉層１６、光
記録層１８、保護層２０を順次積層することにより構成
される。

【００１３】案内層１４は、Ａｌ，Ｔａ等の金属膜、
Ｃ，Ｓｉ等の半導体、ＴｉＮ，Ｔａ2Ｏ5等の窒化物、酸
化物等の化合物あるいは、色素等の有機物などからな
り、基板上に渦巻き上、もしくは同心円状に固着されて
いる。この案内層はよく知られているフォトリソグラフ
ィーにより作成される。すなわち図２（ａ）のように、
基板１２上にＡｌ，Ｔａ等案内層材料２１をスパッタ、
真空蒸着法等の薄膜形成手段により作成する。その上に
フォトレジストを回転塗布法等で塗布し、レーザ露光法
等により露光し、現像することにより、同図（ｂ）のよ
うに渦巻状もしくは同心円状にフォトレジスト２２を形
成する。さらに、酸、アルカリ溶液を用いたエッチン
グ、あるいはプラズマエッチング等により、フォトレジ
スト２２の形成されていない部分の案内層材料２１をエ
ッチングする。最後にフォトレジストを有機溶剤等で除
去することにより同図（ｃ）のように案内層１４が形成
される。

【００１４】干渉層１６は、ＳｉＯ，ＴｉＯ2，ＺｒＯ
2，ＳｉＡｌＯＮ等の基板より屈折率の高い透明誘電体
膜からなり、よく知られているスパッタ法あるいは真空
蒸着法で形成される。

【００１５】光記録層１８は図２（ｅ）のように例え
ば、希土類と遷移金属とを主成分とするＴｂＦｅＣｏ，
ＧｄＴｂＦｅ等のアモルファス合金である光磁気材料Ｔ
ｅＯx等の相変化記録材料，Ｔｅ，Ｂｉ等の金属、色素
等の穴明け記録材料等からなり、スパッタリング法、真
空蒸着法、回転塗布法等により干渉層１６の上に略均一
な厚さで設けられる。

【００１６】保護層２０は図２（ｅ）のように光記録層
１８を化学変化から保護するためのものでＳｉＯ2，Ａ
ｌＮ等からなり、スパッタリング法、真空蒸着法、回転
塗布法等により形成される。

【００１７】そして、かかる光記録媒体１０において、
その基板１２を通してレーザ光が光記録層１８に照射さ
れ記録層１８が加熱されると磁化の反転、相変化あるい
はピット形成が生じ記録が行われる。また、再生は、光
記録層１８のレーザ光を照射し光記録層からの反射光の
偏光面の回転、あるいは反射光量の変化を検出すること
により行われる。

【００１８】ここで、図３のようにトラックピッチを
Ｐ、案内層１４の幅をＷs、案内層１４の間からレーザ
光が照射される光記録層１８の領域すなわち記録再生領
域３２の幅をＷr とすると、 Ｐ≦１．４μｍ Ｗs ＜Ｗr すなわち、トラックピッチは従来の１．６μｍよりも狭
い１．４μｍ以下で、記録再生領域３２の幅が案内層１
４の幅よりも大きくなるように決められている。したが
って記録再生領域の幅が十分に広いため、１．４μｍ以
下の狭トラックピッチ化によるＣ／Ｎ特性の良い高密度
記録が可能となる。しかも、図４（ａ）のように、レー
ザ光３１のうち記録領域３２からはみ出した部分は案内
層１４により遮蔽されるため、隣の記録再生領域には達
せず、記録再生領域４１に記録されたビットは再生され
ない。このため、１．４μｍ以下の狭トラックピッチ化
にもかかわらず、クロストークは増大しない。また、同
図（ｂ）のように記録時において熱拡散により、案内層
１４の下側にビット４２が広がっても、レーザ光３１
は、案内層１４で遮られ、その下に達しないためやはり
記録領域４１に記録されたビットは再生されず、クロス
トークは増大しない。

【００１９】以上、本発明の一実施例を図面に基づいて
詳細に説明したが、本発明は種々の変更が可能であり他
の態様で実施することが出来る。

【００２０】例えば、図５のように記録再生領域の幅を
Ｗr、記録ビット５１の最短ビット長をｂsとすると、 ｂs≦Ｗr すなわち、記録再生領域の幅を記録ビットの最短ビット
長と同じかそれ以上としても良い。こうすることによっ
て、ピッチを狭くしてもＣ／Ｎ特性の低下を防ぐことが
出来る。

【００２１】また、案内層１４の材料については特に限
定せず、その反射率についても特に限定しない。さら
に、光吸収率の大きな材料を用いてもよい。

【００２２】また、図６のように案内層１４の下にもＳ
ｉＯ，ＳｉＡｌＯＮ，等基板よりも屈折率が高い透明誘
電体からなる干渉層１５を設けてもよい。これによるカ
ー効果エンハンスメントにより、Ｃ／Ｎ特性がさらに向
上する。また、干渉層は必ずしも必要ではなく、図７の
ように案内層１４の上に直接光記録層を設けてもよい。
また、保護層を記録層の両側に設けてもよい。また、干
渉層、保護層、基板の材料についても特に限定しない。

【００２３】また、図８のように基板６１に溝付きのガ
ラス、ポリカーボネート等を用いてもよい。この時、溝
部あるいは、溝間の一方のみに案内層１４を設け、その
上に光記録層１８を設けてもよい。

【００２４】また、図９のように基板７１の上に光記録
層７２を設け、その上に、案内層７４、保護層７６を形
成してもよい。この時、記録・再生は、基板７１と反対
側から行う。

【００２５】また、トラックピッチについては特に限定
はしないが、高密度化のためには１．４μｍ以下が望ま
しい。

【００２６】また、トラックピッチ、および案内層の幅
は、光記録媒体全面において一定である必要はなく、必
要に応じて変化させてもよい。

【００２７】また、案内層の両側あるいは、一方の側に
保護層を設けてもよい。

【００２８】

【発明の効果】以上詳述したことから明らかなように、
本発明によれば、基板上に形成された、所定パターンか
らなる案内層が除去されてなる記録再生領域の幅が、隣
合う記録再生領域にはさまれた案内層が除去されていな
い部分の幅より広く形成されているため、Ｃ／Ｎ特性の
よい狭トラックピッチ化による高密度記録が可能とな
る。さらに、記録層に照射されるレーザ光の一部を案内
層により遮ることにより、クロストークの増大を抑える
ことが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の一実施例の断面図であ
る。

【図２】（ａ）〜（ｅ）は図１の光記録媒体の製造工程
を示す断面図である。

【図３】図１の光記録媒体の詳細を示す図である。

【図４】図１の光記録媒体の詳細を示す図である。

【図５】光記録媒体の他の実施例を示す図である。

【図６】光記録媒体の他の実施例の断面図である。

【図７】光記録媒体の他の実施例の断面図である。

【図８】光記録媒体の他の実施例の断面図である。

【図９】光記録媒体の他の実施例の断面図である。

【図１０】従来の光記録媒体を説明する断面図である。

【図１１】従来の光記録媒体の詳細を示す図である。

【図１２】従来の光記録媒体の詳細を示す図である。

【図１３】他の従来の光記録媒体を説明する断面図であ
る。

【図１４】他の従来の光記録媒体の詳細を示す図であ
る。

【符号の説明】

１０ 光記録媒体 １２ 基板 １４ 案内層 １６ 光記録層 ３２ 記録再生領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 理樹 名古屋市瑞穂区苗代町15番１号ブラザー工 業株式会社内 (72)発明者 大橋 弓子 名古屋市瑞穂区苗代町15番１号ブラザー工 業株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、トラッキングのための所定パタ
   ーンからなる案内層と、情報を記録する光記録層とを有
   する光記録媒体において、 前記案内層が除去された記録再生領域の幅が、隣合う記
   録再生領域にはさまれた前記案内層が除去されていない
   部分の幅より大きいことを特徴とする光記録媒体。
2. 【請求項２】 前記記録再生領域の幅が記録ビットの最
   短ビット長と同じか、それ以上であることを特徴とする
   請求項１に記載の光記録媒体。
3. 【請求項３】 トラックピッチが１．４μｍ以下である
   ことを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。