JPH05109876A - 温度サイクル動作型セラミツク静電式チヤツク - Google Patents

温度サイクル動作型セラミツク静電式チヤツク

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JPH05109876A
JPH05109876A JP8076092A JP8076092A JPH05109876A JP H05109876 A JPH05109876 A JP H05109876A JP 8076092 A JP8076092 A JP 8076092A JP 8076092 A JP8076092 A JP 8076092A JP H05109876 A JPH05109876 A JP H05109876A
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ロバート・エリ・トンプキンス
Jr Robert P Westerfield
ロバート・ピーター・ウエスターフイールド，ジユニアー
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 幅広く変化する温度サイクルにおいて使用で
きる静電式チャックを提供すること。 【構成】 静電式チャック４０を、上から下に、分離層
４２と、基板４５上に導電性静電パターン４６を配した
静電パターン層４４と、基板５２上に導電性加熱パター
ン５４を配した加熱層５０と、支持体６０と、及び冷却
用チャンネル７８と温度制御チャンバ８０を設けたヒー
トシンク台７０と、で構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造におい
て、ウェーハをクランプするのに使用するチャックに関
し、特に、温度サイクル動作可能であって、しかも広い
温度範囲にわたって動作可能なセラミック製の静電式チ
ャックに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】静電式チャックは、製造プロセス中に半
導体ウェーハをクランプするため、半導体分野で広く使
用されるようになった装置である。このようなチャック
は、機械式クランプ機構（これは、扱いにくいことが多
く、また処理チャンバ内に異物を誘導するものである）
の必要性をなくすものである。従来技術で用いられてい
る典型的な静電式チャックは、米国特許第４１８４１８
８号（ブリリヤ(Briglia））、第４３８４９１８号（ア
ベ(Abe））、第４７２４５１０号（ウイッカ(Wicker)
外）、及び第４６６５４６３号（ワード(Ward)外）に見
い出すことができる。
【０００３】ブリリヤのものが開示している静電クラン
プは、複数の櫛型分極電極（interdigitated,polarized
electrodes）を備えたものであり、そしてこれら電極
は、シリコンラバー層とシリコンラバー層との間に設け
られており、また水冷式基体に取り付けたアルミニウム
板によって支持されている。処理中のウェーハは、その
１つのシリコンラバー層の上に据え、そしてその層の下
にあるそれら電極で発生する電磁界によってクランプす
るようになっている。ブリリヤのものはまた、これとは
別の実施例も開示しており、その実施例では、アルミニ
ウム電極を、アルミナ支持体の上に堆積させそしてこれ
を酸化によって絶縁してある。この電極構造は、“水冷
式板”により、“機械的にしかも良好な熱伝導率でもっ
て”固着している。
【０００４】アベのものは、複数のクランプ用アルミニ
ウム電極を、ポリテトラフルオルエチレン、ポリエチレ
ンまたはシリコンゴムのいずれかで絶縁するようにし
た、静電式チャックを開示している。それらの電極はま
た、水冷式支持基体または加熱式支持基体により支持さ
れている。
【０００５】ウイッカ外のものが開示している静電式チ
ャックでは、クランプ用電極を半導体ウェーハ上に堆積
させ、そしてこれをＣＶＤ酸化物、ポリイミド、または
適当なガラスのいずれかの層によって絶縁している。こ
のクランプは、“導電性支持体”により支持されてい
る。
【０００６】ワード外のものの開示している静電式チャ
ックでは、クランプ用の中央の円形電極を、微粒子状の
アルミナまたはマイカを配合したアラルダイトのような
エポキシ樹脂の層で絶縁するようになっている。この中
央電極はまた、プロセス中のウェーハの支持体として作
用するものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述の静電式チャック
は全て、その絶縁した電極が、明確に定められていない
冷却用“支持体”によって支持されている。しかし、こ
れらのチャック並びにその他の知られているチャックに
は、電気的絶縁体用に用いる物質が、冷却用支持体に用
いる物質と根本的に異なる熱膨張特性を有している、と
いう問題がある。従って、これらのチャックを幅広く変
化する温度サイクルにさらすと、それら異なる物質間で
分離が生じることになる。その結果として、このような
チャックは、非常に狭い温度範囲でしか使用できなくな
ってしまい、従って、各チャックの用途を製造プロセス
の選別したものに制限することになってしまう。また、
このような制限をしても、それらチャックは、寿命が短
くて、信頼度が低く、しかも高価という難点がある。こ
のような問題は、上述のチャックが製造ラインでの“ダ
ウンタイム（down time）”の主な原因となるものであ
るので、大きくなってしまう。
【０００８】従って、上述の欠陥を克服した静電式チャ
ックは、大いに望ましいものとなる。
【０００９】本発明の目的は、幅広く変化する温度サイ
クルにて使用することができる、改良の静電式チャック
を提供することである。
【００１０】本発明の他の目的は、ウェーハに電気的に
接触せずにそのウェーハをクランプする、改良の静電式
チャックを提供することである。
【００１１】本発明の他の目的は、より優れた熱伝達力
をもつ改良の静電式チャックを提供することである。
【００１２】本発明の更に他の目的は、処理中のウェー
ハに対し温度サイクル動作を付与する改良の静電式チャ
ックを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に従い改良した静
電式チャックには、基板上に導電性静電パターンを配し
て構成した静電パターン層を設けている。この静電パタ
ーン層は、基板上に導電性の加熱用パターンを配して構
成した加熱層上に配置する。この加熱層は支持体上に配
置し、そしてヒートシンク基体で、この構造全体を支持
して、熱伝導性か断熱のいずれかを与えることができる
ようにする。更に、分離層を上記静電パターン層の上に
配置して、ウェーハをそれの金属パターンとの接触から
隔離するようにする。
【００１４】この本発明では、温度範囲が幅広く変化す
る様々な製造プロセスにおいて使用することができる、
万能のチャックを提供することができる。また、このチ
ャックによって、処理中のウェーハを冷却または加熱す
ることができる。更に、このチャックは、軽量で容易に
製造可能なものである。またこれに加えて、本発明は、
例外的な程の平坦度仕様の制限内でも製造することがで
き、それによってより高いクランプ力を最小限の電気エ
ネルギで与えることができる。
【００１５】本発明の上記のまたその他の目的、特徴及
び利点については、図面に例示した模範的な実施例の詳
細な説明にてより明らかにする。
【００１６】
【実施例】先ず図１を参照する。本発明の静電式チャッ
クの第１の実施例、即ち静電式チャック４０には、上部
分離層４２を設けてあり、そしてこれに対し、処理中の
半導体ウェーハ（図示せず）をクランプするようにす
る。
【００１７】この上部分離層４２は、静電パターン層４
４の上に置くが、この層４４は、基板４５の上に導電性
の静電パターン４６を配して構成したものである。その
基板４５を貫通して下に向かっているのは、金属の複数
のバイア・ライン４８であり、これらにより、電気エネ
ルギを静電パターン４６に伝える手段を提供している。
【００１８】静電パターン４６は、２つの互いに等しい
導電性物質領域を対称的な分散パターンにて配置した構
成のものである。このパターンは、ほぼ０.７５ｍｍ幅
の導電性のある“ストリップ”を、およそ０.２５ｍｍ
の間隔で互い違いに並べることによって形成している。
これの交互の各導電性“ストリップ”を、互いに反対の
直流電位で電気的に付勢すれば、結果として交互の導電
性“ストリップ”間にキャパシタンスが生ずることにな
る。この導電性パターン４６については、後で図２を参
照してより詳細に図示し説明する。
【００１９】前述の分離層４２のための好適な物質は、
窒化硼素であるBORALLOY（ボラロイ）である。このBORA
LLOYは、ユニオン・カーバイド・コーポレーション（Un
ionCarbide Corporation）の商標である。あるいはま
た、分離層４２を、窒化硼素と互換性のある熱−機械特
性（即ち、熱膨張率と熱伝導率）を有する、電気的絶縁
性でかつ熱伝導性の誘電体物質で製造することもでき
る。１例として、それら物質は、窒化硼素、ポリイミ
ド、アルミナ、石英、ダイアモンドのコーティング等を
含むようにすることができる。用いる物質の選択は、勿
論、このチャックをさらす温度、エッチャント、及び処
理環境によって左右されることになる。
【００２０】分離層４２の厚さは２つの要素に依存す
る、ということに注意されたい。第１に、その厚さは、
ウェーハを適度にクランプするのに非合理的な程高い電
圧が必要となる程厚くしてはいけない。本好適実施例で
は、仕上がりの分離層４２の厚さは、ほぼ０.０５ｍｍ
である。適度にウェーハのクランプ状態を維持するため
には、０.２５ｍｍを越える厚さの分離層４２の場合、
非現実的な電圧が必要となることが判った。第２に、上
記厚さは、交互に配した導電性“ストリップ”の間の間
隔より小さくしなければならない。さもないと、ウェー
ハをクランプするのに必要な電圧をかけた時、パターン
４６の隣接する導電性ストリップの間に誘電体破壊が生
じることになる。
【００２１】この静電パターン層４４は、加熱層５０の
上に置く。この加熱層５０は、基板５２の上に導電性加
熱パターン５４を配して構成したものである。その基板
５２には、ボラロイのような熱分解性の窒化硼素を用い
るのが好ましい。加熱パターン５４の加熱用導体は、BO
RALECTRIC（ボラレクトリック）のような熱分解性グラ
ファイトで構成するのが好ましい。BORALECTRICも、ユ
ニオン・カーバイド・コーポレーションの商標である。
加熱層５０は、電気エネルギをその加熱パターン５４に
伝えるために、この層を貫通して延ばした金属バイア・
ライン５６も有している。
【００２２】この加熱層５０は、支持体６０の上に置
く。支持体６０は、ボラロイのような窒化硼素製の基板
６２から構成したものである。この支持体６０には、電
気エネルギを静電パターン層４４の金属バイア４８に伝
えるために、支持体を貫通する金属バイア６４を配して
ある。
【００２３】この支持体６０は、ヒートシンク台（基
体）７０の上に置く。ヒートシンク台７０は、熱伝導性
のブロック即ち基板７２から構成し、そしてこのヒート
シンク台７０の底部から支持体６０の金属バイア６４と
の電気的接触を容易にするために、ヒートシンク台７０
を貫通して延びる逃し孔７４を設けている。このヒート
シンク台７０は、本チャック４０から熱を伝達により除
去するための冷却用流体を循環させるのに設けたチャン
ネル７８も備えている。更に、ヒートシンク台７０は、
この台７０の上部内の空領域である温度制御チャンバ８
０も備えている。製品ウェーハ（図示せず）に熱を供給
する必要がある時、チャンバ８０を真空状態に保持する
ようにするが、その理由は、真空が熱的障壁として作用
し、加熱層５０の発生する熱がヒートシンク台７０を介
して伝達されるのを防止するからである。逆に、製品ウ
ェーハから熱を除去すべき時（ウェーハの冷却）、チャ
ンバ８０に、ヘリウムのような高い熱伝導率をもつガス
を充填する。従って、ヒートシンク台７０の上記機能
は、プロセス中のウェーハの温度サイクル動作を容易に
する。尚、諸製造プロセスの内の大部分のものでは、製
品ウェーハから熱を伝達により除去することが必要であ
り、従って、チャンバ８０には、その時間中の殆どの間
上記のようなガスを充填することになる。
【００２４】このヒートシンク台７０のための材料は、
基板４２、４５、５２及び６２の熱膨張率と合致しなく
てはならないので、その選定は非常に重要である。コバ
ール（Kovar）、即ち鉄／ニッケル／コバルトの合金
（２９Ｎｉ／１７Ｃｏ／５３Ｆｅ）は、その熱膨張特性
が上記の各基板のものと合致すると共に、良好な熱伝導
体であるので、ここでの目的に利用するには好適な物質
である。尚、コバールは、ウェスチングハウス・コーポ
レーション（Westinghouse Co.）の商標である。
【００２５】本好適実施例では、接着する前では、分離
層４２の厚さは約０.０５ｍｍ、静電パターン層４４の
厚さは約０.５０ｍｍ、加熱層の厚さは約０.５０ｍｍ、
そして支持体６０の厚さは約１.５０ｍｍである。
【００２６】支持体６０の底部にヒートシンク台７０を
接着する第１の方法は、ろう付けによるもので、接点パ
ッド８２を金によって各接着用の表面上に取り付け、次
に各ピースを互いにかみ合わせ、そしてこの組立体をろ
う付け炉内で加熱する。支持体６０の底部にヒートシン
ク台７０を接着する第２の方法は、アレムコ・プロダク
ツ・インコーポレーテッド（Aremco Products Inc.）が
製造しているCERAMABOND（セラマボンド）５５２のよう
な熱伝導性セラミックセメントを各接着用表面に塗布
し、次に各ピースを互いにかみ合わせ、そしてこの組立
体を製造者の硬化処理スケジュールに応じて加熱する。
CERAMABONDは、アレムコ・プロダクツ・インコーポレー
テッドの商標である。また、支持体６０の底部にヒート
シンク台７０を接着する第３の方法は、例えば支持体６
０の底部にフランジをまたヒートシンク台７０の上部に
クランプリングを形成し、そしてこれら２つのピースを
互いにクランプする、ということによってそれらピース
を互いに機械的にクランプすることである。このような
場合、密閉を行うため、２つのピースの間に密閉リング
を使用してもよい。また、注意すべきであるが、ここに
記載しなかった他の技法を用いて、支持体６０をヒート
シンク台７０に取り付けることもできる。
【００２７】次に図２では、静電パターン層４４上に配
した導電性の静電パターン４６は、面積が等しい２つの
導体を対称的な分布パターンにて形成して構成したもの
である。好ましくは、パターン４６は、ストリップ間距
離を最小にした最大量のストリップを有する一方で、分
離層４２の適度な厚さを保持するようにする。これの導
電性材料は、多くの導体の内の任意のものでもよい。し
かしながら、その使用する物質は、基板からそのパター
ンが分離するのを防ぐために、静電パターン層の基板４
５の材料と同じような熱膨張率を有していなければなら
ない。例えば、熱分解性グラファイトがふさわしい材料
であることが判った。
【００２８】次に図３を参照する。本発明の静電式チャ
ックの第２の実施例である静電チャック１２０では、分
離層１２２を静電パターン層１２４上に置き、そしてこ
の静電パターン層１２４は、基板１２５の上に導電性静
電パターン１２６を配して構成してある。また、その基
板１２５を貫通するように導電性バイア１２８を延ば
し、そしてパターン１２６と接続する。この静電パター
ン層１２４は、加熱層１３０上に置き、そしてこの加熱
層１３０は、基板１３２の上に加熱用導電性パターン１
３４を配して構成したものである。導電性バイア１３
６、１３８をその基板１３２を貫通して延ばし、これに
より加熱パターン１３４及び導電性バイア１２８に対し
それぞれ電気的接続を与えるようにする。この加熱層１
３０は、基板１４２を含むヒートシンク台１４０の上に
置くが、その基板１４２には、逃し孔１４４、１４６が
貫通して延びていて、それぞれ導電性バイア１３８、１
３６へアクセスできるようにする。また、基板１４２に
は、冷却チャンネル１４８を加工して、これらを通して
冷却用液体が循環するようにする。更に、基板１４２に
は、チャンバ１５０を設け、そして加熱用パターンに電
力を供給するときにはこのチャンバ１５０を真空にして
熱的分離状態とし、またクランプしているウェーハを冷
却すべきときにはそのチャンバに熱伝導性のガスを充填
して冷却を行うようにする。
【００２９】上述の第２の実施例は、先に図１に例示し
説明した実施例と類似のものであって、唯一の相違点
は、加熱層１３０が厚いので支持体（図１の符号６０）
が必要でないことである。従って、基板１３２は、ヒー
トシンク台１４０に適度に接着できる程機械的に安定な
ものである。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、温度範
囲が幅広く変動する様々な製造プロセスに用いることが
できる、万能のチャックを提供することができる。ま
た、処理中のウェーハを、このチャックによって冷却ま
たは加熱することができる。更に、本発明のチャック
は、軽量で容易に製造可能なものである。またこれに加
えて、本発明のチャックは、例外的な程の平坦度仕様の
制限内で製造することができ、それによって最小限の電
気エネルギでより優れたクランプ力を与えることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の静電式チャックの第１の実施例の分解
横断面図。
【図２】本発明の静電式チャックの金属パターン層の上
面図。
【図３】本発明の静電式チャックの第２の実施例の分解
横断面図。
【符号の説明】
４０，１２０：静電式チャック ４２，１２２：分離層 ４４，１２４：静電パターン層 ４５，１２５：基板 ４６，１２６：導電性静電パターン ４８，１２８：バイア ５０，１３０：加熱層 ５２，１３２：基板 ５４，１３４：導電性加熱パターン ５６，１３６：バイア ５８，１３８：バイア ６０：支持体 ６２：基板 ６４：バイア ６６：バイア ７０，１４０：ヒートシンク台 ７２，１４２：基板 ７４，１４４：逃し孔 ７６，１４６：逃し孔 ７８，１４８：チャンネル ８０，１５０：チャンバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 レイモンド・ロバート・ラツケル アメリカ合衆国10524、ニユーヨーク州 ガリソン、インデイアン・ブルツク・ロー ド（番地なし） (72)発明者 ロバート・エリ・トンプキンス アメリカ合衆国12569、ニユーヨーク州 プレザント・ヴアレイ、ホワイトフオー ド・ドライブ（番地なし） (72)発明者 ロバート・ピーター・ウエスターフイール ド，ジユニアー アメリカ合衆国12549、ニユーヨーク州 モンゴメリー、ワシントン・アベニユー 90番地

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体ウェーハをクランプするための静電
    式チャックであって、上から下に、 ａ） 電気的に絶縁性でかつ熱伝導性の分離層と、 ｂ） 静電パターン層であって、静電力を発生するため
    に該静電パターン層上に配した第１の導電性パターン
    と、前記第１導電性パターンに電気エネルギを伝えるた
    め該静電パターン層を貫通するように配した第１の導電
    性バイアと、を有する前記の静電パターン層と、 ｃ） 加熱層であって、前記ウェーハを加熱するための
    熱を発生するために該加熱層上に配した第２の導電性パ
    ターンと、前記第１導電性バイアに電気エネルギを伝え
    るため該加熱層を貫通するように配した第２の導電性バ
    イアと、該第２導電性パターンに電気エネルギを伝える
    ために該加熱層を貫通するように配した第３の導電性バ
    イアと、を有する前記の加熱層と、 ｄ） 支持体であって、前記第１及び第３の導電性バイ
    アに電気エネルギを伝えるために該支持体を貫通するよ
    うに配した第４及び第５の導電性バイアを有する、前記
    の支持体と、及び ｅ） ヒートシンク基体であって、前記第４及び第５の
    導電性バイアにアクセスするためのアクセス孔を該基体
    を貫通するように設けた、前記のヒートシンク基体と、 を備えている静電式チャック。
  2. 【請求項２】請求項１の半導体ウェーハをクランプする
    ための静電式チャックにおいて、前記ヒートシンク基体
    は更に、冷媒を循環させるための冷却用チャンネルを備
    えていること、を特徴とする静電式チャック。
  3. 【請求項３】請求項１の半導体ウェーハをクランプする
    ための静電式チャックにおいて、前記ヒートシンク基体
    は更に、冷媒を循環させるための冷却用チャンネルと、
    前記加熱層によって前記ウェーハを加熱するときに真空
    にしそして前記ウェーハを前記チャックによって冷却す
    るときに熱伝導性のガスを充填する少なくとも１つのチ
    ャンバと、を備えていること、を特徴とする静電式チャ
    ック。
  4. 【請求項４】半導体ウェーハをクランプするための静電
    式チャックであって、上から下に、 ａ） 電気的絶縁性でかつ熱伝導性の分離層と、 ｂ） 静電パターン層であって、静電力を発生するため
    該静電パターン層の上に配した第１の導電性パターン
    と、該第１導電性パターンに電気エネルギを伝えるため
    該静電パターン層を貫通するように配した第１の導電性
    バイアと、を有する前記の静電パターン層と、 ｃ） 加熱層であって、前記ウェーハを加熱するための
    熱を発生するために該加熱層上に配した第２の導電性パ
    ターンと、前記第１導電性バイアに電気エネルギを伝え
    るために該加熱層を貫通するように配した第２の導電性
    バイアと、前記第２導電性パターンに電気エネルギを伝
    えるために該加熱層を貫通するように配した第３の導電
    性バイアと、を有する前記の加熱層と、及び ｄ） ヒートシンク基体であって、前記第２及び第３の
    導電性バイアにアクセスするためのアクセス孔を該基体
    を貫通するように設けた、前記のヒートシンク基体と、 を備えている静電式チャック。
  5. 【請求項５】請求項４の半導体ウェーハをクランプする
    ための静電式チャックにおいて、前記ヒートシンク基体
    は更に、冷媒を循環させるための冷却用チャンネルを備
    えていること、を特徴とする静電式チャック。
  6. 【請求項６】請求項４の半導体ウェーハをクランプする
    ための静電式チャックにおいて、前記ヒートシンク基体
    は更に、冷媒を循環させるための冷却用チャンネルと、
    前記加熱層によって前記ウェーハを加熱するときに真空
    にしそして前記ウェーハを前記チャックによって冷却す
    るときに熱伝導性のガスを充填する少なくとも１つのチ
    ャンバと、を備えていること、を特徴とする静電式チャ
    ック。
  7. 【請求項７】半導体ウェーハをクランプするための静電
    式チャックであって、上から下に、 ａ） 電気的絶縁性でかつ熱伝導性の分離層と、 ｂ） セラミック製の静電パターン層であって、 静電力を発生するため該静電パターン層上に配した第１
    の導電性パターンであって、該第１の導電性パターン
    が、複数の交互の導電性ストリップにて配列した熱分解
    性グラファイトから構成し、また前記導電性ストリップ
    の各々を、隣接するストリップのものと反対の直流電位
    によって付勢するようにした、前記の第１の導電性パタ
    ーンと、 電気エネルギを該第１導電性パターンに伝えるため、該
    静電パターン層を貫通するように配した複数の第１の導
    電性バイアと、 を有する、前記のセラミック製の静電パターン層と、 ｃ） 窒化硼素から成る加熱層であって、 前記ウェーハを加熱するため該加熱層上に配した熱分解
    性グラファイトから成る加熱用パターンと、 電気エネルギを前記第１導電性バイアと前記第１導電性
    パターンに伝えるため、該加熱層を貫通するように配し
    た複数の第２の導電性バイアと、及び電気エネルギを前
    記加熱用パターンに伝えるため、該加熱層を貫通するよ
    うに配した第３の導電性バイアと、 を有する前記の加熱層と、 ｄ） 鉄／ニッケル／コバルトの合金から成るヒートシ
    ンク基体であって、 前記第１及び第３の導電性バイアにアクセスできるよう
    にするため、該基体を貫通するように設けたアクセス孔
    と、 冷媒を循環させるための冷却用チャンネルと、及び該加
    熱層によって前記ウェーハを加熱するとき真空にし、前
    記チャックによって前記ウェーハを冷却するときに熱伝
    導性のガスを充填する少なくとも１つのチャンバと、 を有する前記のヒートシンク基体と、 を備えている静電式チャック。
  8. 【請求項８】半導体ウェーハをクランプするための静電
    式チャックであって、上から下に、 ａ） 電気的絶縁性でかつ熱伝導性の分離層と、 ｂ） 静電パターン層であって、 静電力を発生するため該静電パターン層上に配した第１
    の導電性パターンであって、該第１の導電性パターン
    を、複数の交互の導電性ストリップにて配列した熱分解
    性グラファイトから構成し、また前記導電性ストリップ
    の各々を、隣接するストリップのものとは反対の直流電
    位によって付勢するようにした、前記の第１の導電性パ
    ターンと、及び電気エネルギを該第１導電性パターンに
    伝えるため、該静電パターン層を貫通するように配した
    複数の第１の導電性バイアと、 を有する前記の静電パターン層と、 ｃ） 窒化硼素から成る加熱層であって、 前記ウェーハを加熱するため該加熱層上に配した熱分解
    性グラファイトから成る加熱用パターンと、 電気エネルギを前記第１導電性バイアに伝えるため、該
    加熱層を貫通するように配した複数の第２の導電性バイ
    アと、及び電気エネルギを前記加熱用パターンに伝える
    ため、該加熱層を貫通するように配した複数の第３の導
    電性バイアと、 を有する前記の加熱層と、 ｄ） 支持体であって、 前記第１導電性バイアに電気エネルギを伝えるため、該
    支持体を貫通するように配した複数の第４の導電性バイ
    アと、及び前記第３導電性バイアに電気エネルギを伝え
    るため、該支持体を貫通するように配した複数の第４の
    導電性バイアと、 を有する前記の支持体と、及び ｅ） 鉄／ニッケル／コバルトの合金から成るヒートシ
    ンク基体であって、 前記第４及び第５の導電性バイアにアクセスできるよう
    にするため、該基体を貫通するように設けたアクセス孔
    と、 冷媒を循環させるための冷却用チャンネルと、及び前記
    加熱層によって前記ウェーハを加熱するときに真空に
    し、前記チャックによって前記ウェーハを冷却するとき
    に熱伝導性のガスを充填する少なくとも１つのチャンバ
    と、 を有する前記のヒートシンク基体と、 を備えている静電式チャック。
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DE (1) DE69201264T2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6917021B2 (en) 2002-06-20 2005-07-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heating apparatus with electrostatic attraction function
US6949726B2 (en) 2003-08-27 2005-09-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heating apparatus having electrostatic adsorption function
US6953918B2 (en) 2002-11-01 2005-10-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heating apparatus which has electrostatic adsorption function, and method for producing it
EP1845754A1 (en) 2006-04-13 2007-10-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heating element
JP2008227489A (ja) * 2007-03-12 2008-09-25 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法
US7679880B2 (en) 2006-04-28 2010-03-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd Electrostatic chuck and manufacturing method thereof
US7683295B2 (en) 2005-08-09 2010-03-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heating element
US7952054B2 (en) 2006-04-13 2011-05-31 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heating element
JP2022545723A (ja) * 2019-08-27 2022-10-28 ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー 半導体ウェハホルダー用熱拡散板

Families Citing this family (105)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5184398A (en) * 1991-08-30 1993-02-09 Texas Instruments Incorporated In-situ real-time sheet resistance measurement method
EP0734055B1 (en) * 1991-11-07 2000-07-26 Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Method of manufacturing an electrostatic chuck
US5600530A (en) * 1992-08-04 1997-02-04 The Morgan Crucible Company Plc Electrostatic chuck
US5343022A (en) * 1992-09-29 1994-08-30 Advanced Ceramics Corporation Pyrolytic boron nitride heating unit
KR100260587B1 (ko) * 1993-06-01 2000-08-01 히가시 데쓰로 정전척 및 그의 제조방법
US5511799A (en) * 1993-06-07 1996-04-30 Applied Materials, Inc. Sealing device useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential
JP2749759B2 (ja) * 1993-06-23 1998-05-13 信越化学工業株式会社 静電チャック付セラミックスヒーター
US5591269A (en) * 1993-06-24 1997-01-07 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
JPH07297268A (ja) * 1993-12-27 1995-11-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電チャック付セラミックスヒーター
JPH07307377A (ja) * 1993-12-27 1995-11-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電チャック付セラミックスヒーター
US5801915A (en) * 1994-01-31 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a unidirectionally conducting coupler layer
US5885469B1 (en) * 1996-11-05 2000-08-08 Applied Materials Inc Topographical structure of an electrostatic chuck and method of fabricating same
US5822171A (en) * 1994-02-22 1998-10-13 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with improved erosion resistance
EP0669644B1 (en) * 1994-02-28 1997-08-20 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck
US5883778A (en) * 1994-02-28 1999-03-16 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with fluid flow regulator
US5521790A (en) * 1994-05-12 1996-05-28 International Business Machines Corporation Electrostatic chuck having relatively thick and thin areas and means for uniformly cooling said thick and thin areas during chuck anodization
US5646814A (en) * 1994-07-15 1997-07-08 Applied Materials, Inc. Multi-electrode electrostatic chuck
US5592358A (en) * 1994-07-18 1997-01-07 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck for magnetic flux processing
US5548470A (en) * 1994-07-19 1996-08-20 International Business Machines Corporation Characterization, modeling, and design of an electrostatic chuck with improved wafer temperature uniformity
US5738751A (en) * 1994-09-01 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Substrate support having improved heat transfer
FR2724269B1 (fr) * 1994-09-06 1996-10-18 Commissariat Energie Atomique Porte-substrat electrostatique
US5671116A (en) * 1995-03-10 1997-09-23 Lam Research Corporation Multilayered electrostatic chuck and method of manufacture thereof
US5605603A (en) * 1995-03-29 1997-02-25 International Business Machines Corporation Deep trench process
WO1997014077A1 (en) * 1995-10-12 1997-04-17 Megapanel Corporation Magnification control and thermal substrate chuck for photolithography
US5838529A (en) * 1995-12-22 1998-11-17 Lam Research Corporation Low voltage electrostatic clamp for substrates such as dielectric substrates
US5810933A (en) * 1996-02-16 1998-09-22 Novellus Systems, Inc. Wafer cooling device
US6399143B1 (en) * 1996-04-09 2002-06-04 Delsys Pharmaceutical Corporation Method for clamping and electrostatically coating a substrate
US5864459A (en) * 1996-08-14 1999-01-26 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Process for providing a glass dielectric layer on an electrically conductive substrate and electrostatic chucks made by the process
US5835334A (en) * 1996-09-30 1998-11-10 Lam Research Variable high temperature chuck for high density plasma chemical vapor deposition
US6184158B1 (en) * 1996-12-23 2001-02-06 Lam Research Corporation Inductively coupled plasma CVD
US6166897A (en) * 1997-01-22 2000-12-26 Tomoegawa Paper Co., Ltd. Static chuck apparatus and its manufacture
US6529362B2 (en) * 1997-03-06 2003-03-04 Applied Materials Inc. Monocrystalline ceramic electrostatic chuck
US6303879B1 (en) 1997-04-01 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Laminated ceramic with multilayer electrodes and method of fabrication
US6255601B1 (en) 1997-04-01 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Conductive feedthrough for a ceramic body and method of fabricating same
US5841624A (en) * 1997-06-09 1998-11-24 Applied Materials, Inc. Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same
US5978202A (en) * 1997-06-27 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a thermal transfer regulator pad
US6088213A (en) * 1997-07-11 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Bipolar electrostatic chuck and method of making same
JP3406488B2 (ja) * 1997-09-05 2003-05-12 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
TW432578B (en) 1997-09-18 2001-05-01 Tokyo Electron Ltd A vacuum processing apparatus
JPH11163109A (ja) * 1997-12-01 1999-06-18 Kyocera Corp ウエハ保持装置
US5880924A (en) * 1997-12-01 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate
US5901030A (en) * 1997-12-02 1999-05-04 Dorsey Gage, Inc. Electrostatic chuck employing thermoelectric cooling
JPH11168134A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電吸着装置およびその製造方法
US6081414A (en) * 1998-05-01 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system
US6267839B1 (en) 1999-01-12 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with improved RF power distribution
US6291777B1 (en) 1999-02-17 2001-09-18 Applied Materials, Inc. Conductive feed-through for creating a surface electrode connection within a dielectric body and method of fabricating same
US6462928B1 (en) 1999-05-07 2002-10-08 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved electrical connector and method
US6490146B2 (en) 1999-05-07 2002-12-03 Applied Materials Inc. Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method
US6310755B1 (en) 1999-05-07 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having gas cavity and method
US6273958B2 (en) 1999-06-09 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Substrate support for plasma processing
US6466426B1 (en) * 1999-08-03 2002-10-15 Applied Materials Inc. Method and apparatus for thermal control of a semiconductor substrate
US6488820B1 (en) 1999-08-23 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing migration of conductive material on a component
US6410172B1 (en) 1999-11-23 2002-06-25 Advanced Ceramics Corporation Articles coated with aluminum nitride by chemical vapor deposition
US6490144B1 (en) 1999-11-29 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Support for supporting a substrate in a process chamber
JP4209057B2 (ja) * 1999-12-01 2009-01-14 東京エレクトロン株式会社 セラミックスヒーターならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法
US6377437B1 (en) 1999-12-22 2002-04-23 Lam Research Corporation High temperature electrostatic chuck
US6494955B1 (en) 2000-02-15 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Ceramic substrate support
US6478924B1 (en) 2000-03-07 2002-11-12 Applied Materials, Inc. Plasma chamber support having dual electrodes
US6716302B2 (en) 2000-11-01 2004-04-06 Applied Materials Inc. Dielectric etch chamber with expanded process window
WO2002037541A2 (en) * 2000-11-01 2002-05-10 Applied Materials, Inc. Etch chamber for etching dielectric layer with expanded process window
TWI272689B (en) * 2001-02-16 2007-02-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for transferring heat from a substrate to a chuck
US6563686B2 (en) 2001-03-19 2003-05-13 Applied Materials, Inc. Pedestal assembly with enhanced thermal conductivity
US6669783B2 (en) 2001-06-28 2003-12-30 Lam Research Corporation High temperature electrostatic chuck
US6483690B1 (en) 2001-06-28 2002-11-19 Lam Research Corporation Ceramic electrostatic chuck assembly and method of making
US6538872B1 (en) 2001-11-05 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having heater and method
US6730175B2 (en) 2002-01-22 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Ceramic substrate support
US6754062B2 (en) 2002-02-27 2004-06-22 Praxair S.T. Technology, Inc. Hybrid ceramic electrostatic clamp
DE10216786C5 (de) * 2002-04-15 2009-10-15 Ers Electronic Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden
US20040187787A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Dawson Keith E. Substrate support having temperature controlled substrate support surface
US7221553B2 (en) * 2003-04-22 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Substrate support having heat transfer system
US20060105182A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-18 Applied Materials, Inc. Erosion resistant textured chamber surface
US20050042881A1 (en) * 2003-05-12 2005-02-24 Tokyo Electron Limited Processing apparatus
US7846254B2 (en) * 2003-05-16 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Heat transfer assembly
US7072165B2 (en) * 2003-08-18 2006-07-04 Axcelis Technologies, Inc. MEMS based multi-polar electrostatic chuck
US7072166B2 (en) * 2003-09-12 2006-07-04 Axcelis Technologies, Inc. Clamping and de-clamping semiconductor wafers on a J-R electrostatic chuck having a micromachined surface by using force delay in applying a single-phase square wave AC clamping voltage
US7697260B2 (en) * 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
US20070044916A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Masakazu Isozaki Vacuum processing system
US7869184B2 (en) * 2005-11-30 2011-01-11 Lam Research Corporation Method of determining a target mesa configuration of an electrostatic chuck
US8603248B2 (en) * 2006-02-10 2013-12-10 Veeco Instruments Inc. System and method for varying wafer surface temperature via wafer-carrier temperature offset
US20070283891A1 (en) * 2006-03-29 2007-12-13 Nobuyuki Okayama Table for supporting substrate, and vacuum-processing equipment
US8226769B2 (en) * 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
US7589950B2 (en) * 2006-10-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck having sealing assembly
US7667944B2 (en) * 2007-06-29 2010-02-23 Praxair Technology, Inc. Polyceramic e-chuck
WO2009031566A1 (ja) * 2007-09-06 2009-03-12 Creative Technology Corporation 静電チャック装置におけるガス供給構造の製造方法及び静電チャック装置ガス供給構造並びに静電チャック装置
CN101822134B (zh) * 2007-09-07 2013-05-01 密执安特种矿石公司 分层的散热器及制造分层的散热器的方法
US7649729B2 (en) * 2007-10-12 2010-01-19 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly
EP2338164A4 (en) * 2008-08-29 2012-05-16 Veeco Instr Inc WAFER CARRIER WITH CHANGING THERMAL RESISTANCE
WO2010090948A1 (en) * 2009-02-04 2010-08-12 Mattson Technology, Inc. Electrostatic chuck system and process for radially tuning the temperature profile across the surface of a substrate
US8941968B2 (en) 2010-06-08 2015-01-27 Axcelis Technologies, Inc. Heated electrostatic chuck including mechanical clamp capability at high temperature
US9869392B2 (en) 2011-10-20 2018-01-16 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US9859142B2 (en) 2011-10-20 2018-01-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US10316412B2 (en) 2012-04-18 2019-06-11 Veeco Instruments Inc. Wafter carrier for chemical vapor deposition systems
US10167571B2 (en) 2013-03-15 2019-01-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems
US10090211B2 (en) 2013-12-26 2018-10-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
WO2015112969A1 (en) 2014-01-27 2015-07-30 Veeco Instruments. Inc. Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems
US9960060B2 (en) * 2014-10-10 2018-05-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Platen assembly
US9909197B2 (en) * 2014-12-22 2018-03-06 Semes Co., Ltd. Supporting unit and substrate treating apparatus including the same
TWI703671B (zh) * 2015-08-06 2020-09-01 美商應用材料股份有限公司 螺接式晶圓夾具熱管理系統及用於晶圓處理系統的方法
US10780447B2 (en) * 2016-04-26 2020-09-22 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling temperature uniformity of a showerhead
JP6510461B2 (ja) * 2016-05-25 2019-05-08 日本特殊陶業株式会社 基板保持装置
CN109767968B (zh) * 2018-12-17 2021-06-08 北京北方华创微电子装备有限公司 下电极结构及反应腔室
TWI724399B (zh) * 2019-04-02 2021-04-11 建泓科技實業股份有限公司 靜電吸盤陶瓷絕緣結構與製造方法
TWI762978B (zh) * 2019-07-24 2022-05-01 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 用於多層之靜電吸盤之接地機構及相關之方法
US20250385081A1 (en) * 2024-06-14 2025-12-18 Applied Materials, Inc. Electrostatically secured substrate support assembly

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1443215A (en) * 1973-11-07 1976-07-21 Mullard Ltd Electrostatically clamping a semiconductor wafer during device manufacture
US4025997A (en) * 1975-12-23 1977-05-31 International Telephone & Telegraph Corporation Ceramic mounting and heat sink device
US4184188A (en) * 1978-01-16 1980-01-15 Veeco Instruments Inc. Substrate clamping technique in IC fabrication processes
IL56224A (en) * 1978-01-16 1982-08-31 Veeco Instr Inc Substrate clamp for use in semiconductor fabrication
US4384918A (en) * 1980-09-30 1983-05-24 Fujitsu Limited Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein
GB2106325A (en) * 1981-09-14 1983-04-07 Philips Electronic Associated Electrostatic chuck
JPS6059104B2 (ja) * 1982-02-03 1985-12-23 株式会社東芝 静電チヤツク板
JPS59191285A (ja) * 1983-04-15 1984-10-30 淡路産業株式会社 表面発熱固体
GB2147459A (en) * 1983-09-30 1985-05-09 Philips Electronic Associated Electrostatic chuck for semiconductor wafers
DE3471827D1 (en) * 1983-09-30 1988-07-07 Philips Electronic Associated Electrostatic chuck and loading method
US4692836A (en) * 1983-10-31 1987-09-08 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Electrostatic chucks
JPS6131636U (ja) * 1984-07-31 1986-02-26 株式会社 徳田製作所 静電チヤツク
JPH0697676B2 (ja) * 1985-11-26 1994-11-30 忠弘 大見 ウエハサセプタ装置
US4831212A (en) * 1986-05-09 1989-05-16 Nissin Electric Company, Limited Package for packing semiconductor devices and process for producing the same
JPS6372877A (ja) * 1986-09-12 1988-04-02 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置
US4724510A (en) * 1986-12-12 1988-02-09 Tegal Corporation Electrostatic wafer clamp
JP2748127B2 (ja) * 1988-09-02 1998-05-06 キヤノン株式会社 ウエハ保持方法
JP2665242B2 (ja) * 1988-09-19 1997-10-22 東陶機器株式会社 静電チャック
FR2641436A1 (ja) * 1988-12-30 1990-07-06 Labo Electronique Physique
US4962441A (en) * 1989-04-10 1990-10-09 Applied Materials, Inc. Isolated electrostatic wafer blade clamp

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6917021B2 (en) 2002-06-20 2005-07-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heating apparatus with electrostatic attraction function
US6953918B2 (en) 2002-11-01 2005-10-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heating apparatus which has electrostatic adsorption function, and method for producing it
US6949726B2 (en) 2003-08-27 2005-09-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heating apparatus having electrostatic adsorption function
US7683295B2 (en) 2005-08-09 2010-03-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heating element
EP1845754A1 (en) 2006-04-13 2007-10-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heating element
US7952054B2 (en) 2006-04-13 2011-05-31 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heating element
US8115141B2 (en) 2006-04-13 2012-02-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heating element
US7679880B2 (en) 2006-04-28 2010-03-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd Electrostatic chuck and manufacturing method thereof
JP2008227489A (ja) * 2007-03-12 2008-09-25 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法
JP2022545723A (ja) * 2019-08-27 2022-10-28 ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー 半導体ウェハホルダー用熱拡散板
US12148650B2 (en) 2019-08-27 2024-11-19 Watlow Electric Manufacturing Company Thermal diffuser for a semiconductor wafer holder

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