JPH0511018A - プローブカード - Google Patents
プローブカードInfo
- Publication number
- JPH0511018A JPH0511018A JP16051191A JP16051191A JPH0511018A JP H0511018 A JPH0511018 A JP H0511018A JP 16051191 A JP16051191 A JP 16051191A JP 16051191 A JP16051191 A JP 16051191A JP H0511018 A JPH0511018 A JP H0511018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- probe card
- semiconductor chip
- temperature
- metal ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は高温下で半導体チップの試験を行う
試験装置に使用されるプローブカードに関し、温度に応
じてプローブ先端位置を変化させて単一のカードで広い
温度範囲の温度試験を可能とすることを目的とする。 【構成】 プローブ３に湾曲部３ａを形成し、薄板２に
絶縁樹脂４ａにより固定する。そして、湾曲部３ａの内
側に熱膨張率の大きい金属リング５を位置させ、プロー
ブ３に絶縁樹脂４ｃにより絶縁させながら固定する。
試験装置に使用されるプローブカードに関し、温度に応
じてプローブ先端位置を変化させて単一のカードで広い
温度範囲の温度試験を可能とすることを目的とする。 【構成】 プローブ３に湾曲部３ａを形成し、薄板２に
絶縁樹脂４ａにより固定する。そして、湾曲部３ａの内
側に熱膨張率の大きい金属リング５を位置させ、プロー
ブ３に絶縁樹脂４ｃにより絶縁させながら固定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高温下で半導体チップ
の試験を行う試験装置に使用されるプローブカードに関
する。
の試験を行う試験装置に使用されるプローブカードに関
する。
【０００２】近年、半導体デバイスの高密度化、微小化
により半導体チップ上のパッドが小さくなる傾向にあ
る。この半導体チップのパッケージング前に行う温度試
験では、高温のために該半導体チップが熱膨張し、試験
装置のプローブカードに取付けられているプローブとパ
ッドの位置がずれる。従って、広い温度範囲で使用可能
なプローブカードが望まれている。
により半導体チップ上のパッドが小さくなる傾向にあ
る。この半導体チップのパッケージング前に行う温度試
験では、高温のために該半導体チップが熱膨張し、試験
装置のプローブカードに取付けられているプローブとパ
ッドの位置がずれる。従って、広い温度範囲で使用可能
なプローブカードが望まれている。
【０００３】
【従来の技術】図４に、従来のプローブカードによる試
験を説明するための図を示す。図４（Ａ）は正面図、図
４（Ｂ）は底面図を示したものである。図４（Ａ），
（Ｂ）において、プローブカード３０は、中央部が四角
形状に穿孔された薄板３１に、例えば１６本のプローブ
３２が４本ずつ組を形成して配設され、絶縁樹脂３３に
より固定されたものである。このプローブ３２の配設
は、試験される半導体チップ３４上のパッド３５の配
置、数に対応されている。
験を説明するための図を示す。図４（Ａ）は正面図、図
４（Ｂ）は底面図を示したものである。図４（Ａ），
（Ｂ）において、プローブカード３０は、中央部が四角
形状に穿孔された薄板３１に、例えば１６本のプローブ
３２が４本ずつ組を形成して配設され、絶縁樹脂３３に
より固定されたものである。このプローブ３２の配設
は、試験される半導体チップ３４上のパッド３５の配
置、数に対応されている。
【０００４】また、薄板３１のプローブ３２の反対面に
はコンタクト部材３６、導体３７を介してテスタ（図示
せず）に接続される。そして、高温加熱されるステージ
３８上に載置された半導体チップ３４上のパッド３５
に、該プローブ３２の先端が接触し、試験される。
はコンタクト部材３６、導体３７を介してテスタ（図示
せず）に接続される。そして、高温加熱されるステージ
３８上に載置された半導体チップ３４上のパッド３５
に、該プローブ３２の先端が接触し、試験される。
【０００５】上述の半導体チップ３４の温度試験を行う
場合、ステージ３８を加熱することにより、半導体チッ
プ３４を加熱して行う。この場合、半導体チップ３４が
熱膨張してパッド３５の位置が外側にずれることから、
プローブカード３０のプローブ３２との位置を合わせる
ために、該パッド３５を多少大きく形成して対処してい
る。
場合、ステージ３８を加熱することにより、半導体チッ
プ３４を加熱して行う。この場合、半導体チップ３４が
熱膨張してパッド３５の位置が外側にずれることから、
プローブカード３０のプローブ３２との位置を合わせる
ために、該パッド３５を多少大きく形成して対処してい
る。
【０００６】ところで、半導体デバイスの高密度化、微
小化よりパッド３５の数が増えると共に、形状が小さく
形成される。従って、高温試験を行う場合、温度専用の
該半導体チップ３４の熱膨張に応じたプローブ３２を配
設したプローブカード３０を複数用意することにより対
処していた。
小化よりパッド３５の数が増えると共に、形状が小さく
形成される。従って、高温試験を行う場合、温度専用の
該半導体チップ３４の熱膨張に応じたプローブ３２を配
設したプローブカード３０を複数用意することにより対
処していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のよう
に、温度専用のプローブカード３４を用意する場合、試
験温度が変更されると新たなプローブカード３０を作製
しなければならず、コスト高になるという問題がある。
に、温度専用のプローブカード３４を用意する場合、試
験温度が変更されると新たなプローブカード３０を作製
しなければならず、コスト高になるという問題がある。
【０００８】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、温度に応じてプローブ位置を変化させて単一の
カードで広い温度範囲の温度試験を可能にするプローブ
カードを提供することを目的とする。
もので、温度に応じてプローブ位置を変化させて単一の
カードで広い温度範囲の温度試験を可能にするプローブ
カードを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題は、高温試験さ
れる半導体チップ上のパッドに接触するプローブを所定
数配設されるプローブカードにおいて、前記所定数のプ
ローブの所定部分に湾曲部を形成すると共に、該プロー
ブの湾曲部の湾曲度合を温度に応じて変化させ、該プロ
ーブのパッド接触先端の位置を変化させる熱変位部材を
設け、適宜、前記熱変位部材を黒色とし、または、前記
熱変位部材に吸熱板を設け、若しくはその変位を制御す
る加熱手段を設けることにより解決される。
れる半導体チップ上のパッドに接触するプローブを所定
数配設されるプローブカードにおいて、前記所定数のプ
ローブの所定部分に湾曲部を形成すると共に、該プロー
ブの湾曲部の湾曲度合を温度に応じて変化させ、該プロ
ーブのパッド接触先端の位置を変化させる熱変位部材を
設け、適宜、前記熱変位部材を黒色とし、または、前記
熱変位部材に吸熱板を設け、若しくはその変位を制御す
る加熱手段を設けることにより解決される。
【００１０】
【作用】上述のように、所定数のプローブの所定部分を
湾曲させ、その湾曲の度合を熱変位部材により変化さ
せ、プローブのパッド接触先端の位置を変化させる。す
なわち、熱変位部材が温度に応じてプローブの先端位置
を変化させ、熱膨張した半導体チップにより位置ずれし
たパッド上に該プローブ先端を位置させるものである。
湾曲させ、その湾曲の度合を熱変位部材により変化さ
せ、プローブのパッド接触先端の位置を変化させる。す
なわち、熱変位部材が温度に応じてプローブの先端位置
を変化させ、熱膨張した半導体チップにより位置ずれし
たパッド上に該プローブ先端を位置させるものである。
【００１１】これにより、加熱温度が変化してもプロー
ブ先端をパッド上に常に位置させることが可能となり、
単一のプローブカードで広い温度範囲の温度試験が可能
となる。
ブ先端をパッド上に常に位置させることが可能となり、
単一のプローブカードで広い温度範囲の温度試験が可能
となる。
【００１２】
【実施例】図１に、本発明の一実施例の構成図を示す。
図１（Ａ）は正面断面図であり、図１（Ｂ）は底面図で
ある。なお、試験装置（テスタ）への接続、ステージ上
の半導体チップ位置は図４と同様であり、図示を省略す
る。
図１（Ａ）は正面断面図であり、図１（Ｂ）は底面図で
ある。なお、試験装置（テスタ）への接続、ステージ上
の半導体チップ位置は図４と同様であり、図示を省略す
る。
【００１３】図１（Ａ），（Ｂ）において、プローブカ
ード１は、中央部分が四角形状の孔２ａが穿設されたも
ので、例えばタングステンの薄板２の表面に所定のパタ
ーンが形成されており（図示せず）、該パターンのそれ
ぞれにプローブ３が接着されて絶縁樹脂４ａにより固定
される。プローブ３は、例えばタングステンで絶縁樹脂
４ａの内側位置に湾曲部３ａが形成され、先端３ｂが尖
頭状に形成される。この先端３ｂが図示しない半導体チ
ップ上の電極パッドに接触する（図２（Ｂ），図４参
照）。
ード１は、中央部分が四角形状の孔２ａが穿設されたも
ので、例えばタングステンの薄板２の表面に所定のパタ
ーンが形成されており（図示せず）、該パターンのそれ
ぞれにプローブ３が接着されて絶縁樹脂４ａにより固定
される。プローブ３は、例えばタングステンで絶縁樹脂
４ａの内側位置に湾曲部３ａが形成され、先端３ｂが尖
頭状に形成される。この先端３ｂが図示しない半導体チ
ップ上の電極パッドに接触する（図２（Ｂ），図４参
照）。
【００１４】一方、プローブ３の湾曲部３ａの内側部分
であって、プローブ３と絶縁樹脂４ｂにより絶縁される
と共に、絶縁樹脂４ｃに固定された熱変位部材である金
属リング５が設けられる。この金属リング５は、タング
ステンのプローブ３に比べて熱膨張率が極めて高い材
質、例えばアルミニウム等で形成される。そして、金属
リング５がプローブ３の湾曲部３ａを押しつける状態
で、先端３ｂの位置決めを行っている。
であって、プローブ３と絶縁樹脂４ｂにより絶縁される
と共に、絶縁樹脂４ｃに固定された熱変位部材である金
属リング５が設けられる。この金属リング５は、タング
ステンのプローブ３に比べて熱膨張率が極めて高い材
質、例えばアルミニウム等で形成される。そして、金属
リング５がプローブ３の湾曲部３ａを押しつける状態
で、先端３ｂの位置決めを行っている。
【００１５】次に、図２に、図１のプローブの位置状態
を説明するための図を示す。図２（Ａ）の状態は、金属
リング５に熱が影響していない状態である。いま、図２
（Ｂ）に示すように、ステージ６上に載置された半導体
チップ７が、該ステージ６より加熱されると、該半導体
チップ７が外側に熱膨張し、該半導体チップ６上の電極
パッド８が外側に位置ずれを生じる。
を説明するための図を示す。図２（Ａ）の状態は、金属
リング５に熱が影響していない状態である。いま、図２
（Ｂ）に示すように、ステージ６上に載置された半導体
チップ７が、該ステージ６より加熱されると、該半導体
チップ７が外側に熱膨張し、該半導体チップ６上の電極
パッド８が外側に位置ずれを生じる。
【００１６】このとき、金属リング５もステージ６から
の輻射熱により外側に熱膨張し、プローブ３の湾曲部３
ａを押しつけて湾曲度が小さくなるように縮める。これ
によりプローブ３の先端３ｂは外側に移動してその位置
を変化させるものである。従って、半導体チップ３の電
極パッド８の位置ずれに沿ってプローブ３の先端３ｂも
移動することとなり先端３ｂの電極パッド８への接触を
確実ならしめることができる。このように、単一（１
枚）のプローブカード１で広い温度範囲の測定に使用す
ることができる。
の輻射熱により外側に熱膨張し、プローブ３の湾曲部３
ａを押しつけて湾曲度が小さくなるように縮める。これ
によりプローブ３の先端３ｂは外側に移動してその位置
を変化させるものである。従って、半導体チップ３の電
極パッド８の位置ずれに沿ってプローブ３の先端３ｂも
移動することとなり先端３ｂの電極パッド８への接触を
確実ならしめることができる。このように、単一（１
枚）のプローブカード１で広い温度範囲の測定に使用す
ることができる。
【００１７】なお、金属リング５の熱吸収効率を向上さ
せるために、図示しないが該金属リング５の表面を黒色
に塗装し、又は、該金属リング５に別に吸熱板を設けて
もよい。
せるために、図示しないが該金属リング５の表面を黒色
に塗装し、又は、該金属リング５に別に吸熱板を設けて
もよい。
【００１８】次に、図３に、本発明の他の実施例の構成
図を示す。図３のプローブカード１は、図１のプローブ
カード１の金属リング５に、例えばニクロム線９を巻き
付け、該ニクロム線９を加熱制御部１０により制御する
ものである。このニクロム線９及び加熱制御部１０によ
り加熱手段を構成する。
図を示す。図３のプローブカード１は、図１のプローブ
カード１の金属リング５に、例えばニクロム線９を巻き
付け、該ニクロム線９を加熱制御部１０により制御する
ものである。このニクロム線９及び加熱制御部１０によ
り加熱手段を構成する。
【００１９】このようなプローブカード１は、加熱制御
部１０がニクロム線９を駆動して金属リング５を強制的
に加熱するもので、試験される半導体チップ７の熱膨張
に応じて該金属リング５を所望の温度とする。すなわ
ち、金属リング５の熱膨張を半導体チップ７の熱膨張に
追従させて、より高精度にプローブ３の先端３ｂの位置
決めをさせることができる。
部１０がニクロム線９を駆動して金属リング５を強制的
に加熱するもので、試験される半導体チップ７の熱膨張
に応じて該金属リング５を所望の温度とする。すなわ
ち、金属リング５の熱膨張を半導体チップ７の熱膨張に
追従させて、より高精度にプローブ３の先端３ｂの位置
決めをさせることができる。
【００２０】この場合、加熱制御部１０は、予め設定さ
れたデータでニクロム線９を制御してもよく、また、図
示しないが金属リング５や半導体チップ７に温度センサ
を設け、該温度センサの検出値をもとにニクロム線９を
制御してもよい。
れたデータでニクロム線９を制御してもよく、また、図
示しないが金属リング５や半導体チップ７に温度センサ
を設け、該温度センサの検出値をもとにニクロム線９を
制御してもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、プローブ
に湾曲部を形成し、この湾曲部の湾曲度合を温度により
変化させる熱変位部材を設けることにより、温度に応じ
てプローブ先端位置を変化させることができることか
ら、単一のカードで半導体チップの広い温度範囲の温度
試験を行うことができ、温度試験の効率化、低コスト化
を図ることができる。
に湾曲部を形成し、この湾曲部の湾曲度合を温度により
変化させる熱変位部材を設けることにより、温度に応じ
てプローブ先端位置を変化させることができることか
ら、単一のカードで半導体チップの広い温度範囲の温度
試験を行うことができ、温度試験の効率化、低コスト化
を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例の構成図である。
【図２】図１のプローブの位置状態を説明するための図
である。
である。
【図３】本発明の他の実施例の構成図である。
【図４】従来のプローブカードによる試験を説明するた
めの図である。
めの図である。
１ プローブカード
３ プローブ
３ａ 湾曲部
３ｂ 先端
４ａ 絶縁樹脂
５ 金属リング
６ ステージ
７ 半導体チップ
８ 電極パッド
９ ニクロム線
１０ 加熱制御部
Claims (3)
- 【請求項１】 高温試験される半導体チップ（７）上の
パッド（８）に接触するプローブ（３）を所定数配設さ
れるプローブカードにおいて、 前記所定数のプローブ（３）の所定部分に湾曲部（３
ａ）を形成すると共に、 該プローブ（３）の湾曲部（３ａ）の湾曲度合を温度に
応じて変化させ、該プローブ（３）のパッド接触先端
（３ｂ）の位置を変化させる熱変位部材（５）を設ける
ことを特徴とするプローブカード。 - 【請求項２】 前記熱変位部材（５）を吸熱のために黒
色とすることを特徴とする請求項１記載のプローブカー
ド。 - 【請求項３】 前記熱変位部材（５）に、吸熱板を設
け、または該熱変位部材（５）の変位を制御する加熱手
段（９，１０）を設けることを特徴とする請求項１又は
２記載のプローブカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16051191A JPH0511018A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | プローブカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16051191A JPH0511018A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | プローブカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0511018A true JPH0511018A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=15716532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16051191A Withdrawn JPH0511018A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | プローブカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0511018A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010197306A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プローブカード、プローブカードの製造方法、プローバ装置 |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP16051191A patent/JPH0511018A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010197306A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プローブカード、プローブカードの製造方法、プローバ装置 |
| US8305102B2 (en) | 2009-02-26 | 2012-11-06 | International Business Machines Corporation | Probe card, method for manufacturing probe card, and prober apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |