JPH0511216A - 半導体レーザモジユール - Google Patents
半導体レーザモジユールInfo
- Publication number
- JPH0511216A JPH0511216A JP3000369A JP36991A JPH0511216A JP H0511216 A JPH0511216 A JP H0511216A JP 3000369 A JP3000369 A JP 3000369A JP 36991 A JP36991 A JP 36991A JP H0511216 A JPH0511216 A JP H0511216A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- laser
- optical
- optical fiber
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】第１の半導体レーザ１１は第１のレーザ光を放
射する。第２の半導体レーザ１２は、第１のレーザ光に
直交する第２のレーザ光を放射する。偏光ビームスプリ
ッタ４は入射された第１と第２のレーザ光とが合流され
た光ビームを出力する。光ファイバ５０は、入射された
光ビームを伝送するように構成される。 【効果】２つの光ビームを合流するために従来必要とさ
れていた偏波合成器が不要となり、系の光損失を少なく
することができる。また、光ファイバアンプの構成も単
純となり経済的である。
射する。第２の半導体レーザ１２は、第１のレーザ光に
直交する第２のレーザ光を放射する。偏光ビームスプリ
ッタ４は入射された第１と第２のレーザ光とが合流され
た光ビームを出力する。光ファイバ５０は、入射された
光ビームを伝送するように構成される。 【効果】２つの光ビームを合流するために従来必要とさ
れていた偏波合成器が不要となり、系の光損失を少なく
することができる。また、光ファイバアンプの構成も単
純となり経済的である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信および光情報処
理に使用される半導体レーザモジュールに関する。
理に使用される半導体レーザモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザモジュールは、図２
に示すように、半導体レーザ１３からの出射光を収束す
るレンズ２４と、レンズ２４によって収束された光を入
射する光ファイバ５１とを含んで構成されている。
に示すように、半導体レーザ１３からの出射光を収束す
るレンズ２４と、レンズ２４によって収束された光を入
射する光ファイバ５１とを含んで構成されている。
【０００３】光ファイバ５１によって光信号を伝送する
場合、光ファイバが持つ伝送損失により光信号の強度が
伝送距離に伴って減衰する。このため現在実用に供され
ている光ファイバ通信システムでは、一定距離毎に減衰
した光信号を増幅するための中継装置が使用されてい
る。この中継装置は、光信号を一旦電気信号に変換して
信号を増幅し、再び光信号に変換して送り出す構成とな
っているため、装置が大がかりになり高価である。そこ
で、近年、希土類ドープファイバによる光直接増幅（光
信号から直接増幅された光信号を得る方式）の研究が行
われている。希土類ドープファイバによる増幅器（以下
ファイバー・アンプと略す）は、図３に示すように、希
土類ドープファイバ７とファイバ７内の希土類イオンを
励起して誘導放出を行わせるための励起用半導体レーザ
モジュール８０と励起用半導体レーザモジュール８０の
出射光を希土類ドープファイバ７へ導くための結合器６
とを含んで構成されるが、励起用半導体レーザモジュー
ル８０に要求される光出力パワーは１００ｍＷ前後と高
く、高出力の半導体レーザが必要になるという難点があ
る。
場合、光ファイバが持つ伝送損失により光信号の強度が
伝送距離に伴って減衰する。このため現在実用に供され
ている光ファイバ通信システムでは、一定距離毎に減衰
した光信号を増幅するための中継装置が使用されてい
る。この中継装置は、光信号を一旦電気信号に変換して
信号を増幅し、再び光信号に変換して送り出す構成とな
っているため、装置が大がかりになり高価である。そこ
で、近年、希土類ドープファイバによる光直接増幅（光
信号から直接増幅された光信号を得る方式）の研究が行
われている。希土類ドープファイバによる増幅器（以下
ファイバー・アンプと略す）は、図３に示すように、希
土類ドープファイバ７とファイバ７内の希土類イオンを
励起して誘導放出を行わせるための励起用半導体レーザ
モジュール８０と励起用半導体レーザモジュール８０の
出射光を希土類ドープファイバ７へ導くための結合器６
とを含んで構成されるが、励起用半導体レーザモジュー
ル８０に要求される光出力パワーは１００ｍＷ前後と高
く、高出力の半導体レーザが必要になるという難点があ
る。
【０００４】そこで図２に示したような半導体レーザモ
ジュールでは、所望の光出力を得るために図４に示すよ
うに光ファイバ５１として偏波保持ファイバを使用した
２つの半導体レーザモジュール８１および８２の出力光
を偏波合成器９により１本の光ファイバに合流させ、光
パワーを加算する方法がとられることになる。一般に半
導体レーザモジュールや偏波合成器には、半導体レーザ
と光ファイバの間および光入出力用の光ファイバの間を
光学的に結合するための光学系がそれぞれ用いられてい
るが、これら光学系での光の損失はゼロではなく有限の
値を持っている。
ジュールでは、所望の光出力を得るために図４に示すよ
うに光ファイバ５１として偏波保持ファイバを使用した
２つの半導体レーザモジュール８１および８２の出力光
を偏波合成器９により１本の光ファイバに合流させ、光
パワーを加算する方法がとられることになる。一般に半
導体レーザモジュールや偏波合成器には、半導体レーザ
と光ファイバの間および光入出力用の光ファイバの間を
光学的に結合するための光学系がそれぞれ用いられてい
るが、これら光学系での光の損失はゼロではなく有限の
値を持っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
レーザモジュールにおいて、半導体レーザモジュール８
１および８２内部の半導体レーザからの放射光は結合器
６に至るまでの間に半導体レーザモジュール内部および
偏波合成器内部でそれぞれ減衰してしまうため効率が悪
い、という欠点を有している。また、半導体レーザモジ
ュール２個と偏波合成器を用いる構成は複雑であり高価
であるという欠点も有している。
レーザモジュールにおいて、半導体レーザモジュール８
１および８２内部の半導体レーザからの放射光は結合器
６に至るまでの間に半導体レーザモジュール内部および
偏波合成器内部でそれぞれ減衰してしまうため効率が悪
い、という欠点を有している。また、半導体レーザモジ
ュール２個と偏波合成器を用いる構成は複雑であり高価
であるという欠点も有している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザモ
ジュールは、第１のレーザ光を放射する第１の半導体レ
ーザと、前記第１のレーザ光に直交する第２のレーザ光
を放射する第２の半導体レーザと、入射された前記第１
と第２のレーザ光とが合流された光ビームを出力する偏
光ビームスプリッタと、入射された前記光ビームを伝送
する光ファイバとを有する。
ジュールは、第１のレーザ光を放射する第１の半導体レ
ーザと、前記第１のレーザ光に直交する第２のレーザ光
を放射する第２の半導体レーザと、入射された前記第１
と第２のレーザ光とが合流された光ビームを出力する偏
光ビームスプリッタと、入射された前記光ビームを伝送
する光ファイバとを有する。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の半導体レーザモジュールの平面図で
ある。
る。図１は本発明の半導体レーザモジュールの平面図で
ある。
【０００８】図１において、第１の半導体レーザ１１
は、第１のレーザ光を放射する。第２の半導体レーザ１
２は、第１のレーザ光に直交する第２のレーザ光を放射
する。偏光ビームスプリッタ４は入射された第１と第２
のレーザ光とが合流された光ビームを出力する。光ファ
イバ５０は、入射された光ビームを伝送する。
は、第１のレーザ光を放射する。第２の半導体レーザ１
２は、第１のレーザ光に直交する第２のレーザ光を放射
する。偏光ビームスプリッタ４は入射された第１と第２
のレーザ光とが合流された光ビームを出力する。光ファ
イバ５０は、入射された光ビームを伝送する。
【０００９】次に、本実施例の動作について説明する
と、第１および第２の半導体レーザである半導体レーザ
１１および１２にはそれぞれの半導体レーザからの放射
光をコリメートするためのレンズ２１および２２が設け
られ、互いの光軸が直交しかつ出射光の偏光方向も直交
するようにケース３に取り付けられている。ケース３内
部には、半導体レーザ１１および１２の出射ビームの交
点に偏光ビームスプリッタ４が固定されており、半導体
レーザ１１および１２のビームはこの偏光ビームスプリ
ッタ４内部で１本のビームに合流され、レンズ２３を介
して光ファイバ５０に結合される。
と、第１および第２の半導体レーザである半導体レーザ
１１および１２にはそれぞれの半導体レーザからの放射
光をコリメートするためのレンズ２１および２２が設け
られ、互いの光軸が直交しかつ出射光の偏光方向も直交
するようにケース３に取り付けられている。ケース３内
部には、半導体レーザ１１および１２の出射ビームの交
点に偏光ビームスプリッタ４が固定されており、半導体
レーザ１１および１２のビームはこの偏光ビームスプリ
ッタ４内部で１本のビームに合流され、レンズ２３を介
して光ファイバ５０に結合される。
【００１０】このように、半導体レーザから光ファイバ
への２組のレンズ結合系の中に偏光ビームスプリッタが
挿入されているため、ビーム合流手段として従来用いて
いた偏波合成器が不要となり、系の損失を少なくするこ
とができる。
への２組のレンズ結合系の中に偏光ビームスプリッタが
挿入されているため、ビーム合流手段として従来用いて
いた偏波合成器が不要となり、系の損失を少なくするこ
とができる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体レ
ーザと光ファイバとの結合光学系の中に偏光ビームスプ
リッタを有し、２つの半導体レーザからの出射光を合流
して１本の光ファイバへ導くことにより、２つの光ビー
ムの合流のために従来必要とされていた偏波合成器が不
要となり、系の光損失を少なくすることができるという
利点を有している。また、２つの半導体レーザからの出
力を効率良く希土類ドープファイバへ導くことができる
ので光ファイバアンプの構成も単純となり経済的であ
る。
ーザと光ファイバとの結合光学系の中に偏光ビームスプ
リッタを有し、２つの半導体レーザからの出射光を合流
して１本の光ファイバへ導くことにより、２つの光ビー
ムの合流のために従来必要とされていた偏波合成器が不
要となり、系の光損失を少なくすることができるという
利点を有している。また、２つの半導体レーザからの出
力を効率良く希土類ドープファイバへ導くことができる
ので光ファイバアンプの構成も単純となり経済的であ
る。
【図１】本発明の一実施例を示す平面図である。
【図２】従来の半導体レーザモジュールの一例の平面図
である。
である。
【図３】従来例による光直接増幅器のブロック図であ
る。
る。
【図４】従来例による光直接増幅器のブロック図であ
る。
る。
３ ケース ４ 偏光ビームスプリッタ ６ 結合器 ７ 希土類ドープファイバ ９ 偏波合成器 １１，１２，１３ 半導体レーザ ２１，２２，２３，２４ レンズ ５０，５１ 光ファイバ ８０，８１，８２ 半導体レーザモジュール
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 第１のレーザ光を放射する第１の半導体
レーザと、前記第１のレーザ光に直交する第２のレーザ
光を放射する第２の半導体レーザと、入射された前記第
１と第２のレーザ光とが合流された光ビームを出力する
偏光ビームスプリッタと、入射された前記光ビームを伝
送する光ファイバとを有することを特徴とする半導体レ
ーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3000369A JPH0511216A (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | 半導体レーザモジユール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3000369A JPH0511216A (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | 半導体レーザモジユール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0511216A true JPH0511216A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=11471877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3000369A Pending JPH0511216A (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | 半導体レーザモジユール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0511216A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5894756A (en) * | 1996-04-02 | 1999-04-20 | Mitsuba Corporation | Governor system for engine starter mechanism |
-
1991
- 1991-01-08 JP JP3000369A patent/JPH0511216A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5894756A (en) * | 1996-04-02 | 1999-04-20 | Mitsuba Corporation | Governor system for engine starter mechanism |
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