JPH05113526A - 光結合ユニツトおよびそれを用いたフアイバ光電センサ - Google Patents
光結合ユニツトおよびそれを用いたフアイバ光電センサInfo
- Publication number
- JPH05113526A JPH05113526A JP3301045A JP30104591A JPH05113526A JP H05113526 A JPH05113526 A JP H05113526A JP 3301045 A JP3301045 A JP 3301045A JP 30104591 A JP30104591 A JP 30104591A JP H05113526 A JPH05113526 A JP H05113526A
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- JP
- Japan
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- optical fiber
- total reflection
- light
- unit
- led
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- Led Device Packages (AREA)
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 LEDと光ファイバ間の光伝達効率を改善す
る。 【構成】 LED10から出射された出射光を全反射さ
せ、光ファイバ14へ入射させる全反射ユニット13
を、テ−パ状に且つ光ファイバ14への入射光の入射角
が光ファイバ14のNA(開口数)で決定される入射角
よりも小さくなるように構成する。全反射ユニット13
のLED接合部分の近傍領域の外側に、LED10から
の発散光を反射させ光ファイバ14のNA(開口数)で
決定される入射角よりも小さい入射角で直接光ファイバ
14へ入射させるパラボラ状反射ユニット15を密着さ
せる。
る。 【構成】 LED10から出射された出射光を全反射さ
せ、光ファイバ14へ入射させる全反射ユニット13
を、テ−パ状に且つ光ファイバ14への入射光の入射角
が光ファイバ14のNA(開口数)で決定される入射角
よりも小さくなるように構成する。全反射ユニット13
のLED接合部分の近傍領域の外側に、LED10から
の発散光を反射させ光ファイバ14のNA(開口数)で
決定される入射角よりも小さい入射角で直接光ファイバ
14へ入射させるパラボラ状反射ユニット15を密着さ
せる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光源と光ファイバを高
効率に結合する光結合ユニットに関する。
効率に結合する光結合ユニットに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のLEDと光ファイバの結合方式と
しては、図3に示すように、光ファイバ1の端面をLE
D2に直接結合する直接結合方式、又はLEDと光ファ
イバの間に凸レンズを用いたレンズ結合方式がある。
しては、図3に示すように、光ファイバ1の端面をLE
D2に直接結合する直接結合方式、又はLEDと光ファ
イバの間に凸レンズを用いたレンズ結合方式がある。
【0003】従来のLEDと光ファイバの結合方式にお
いて、「光通信素子工学」(工学図書、第141頁乃至
第155頁)に示されるように、直接結合方式は、光フ
ァイバ端面にLEDを近づけると光ファイバへの入射光
が増加するので結合効率が上がるが、さらに近づけると
ファイバの受光角を越える成分もコア内に入るようにな
り、これらはクラッド層へ抜け出るため、結合効率は上
がらなくなる。また、レンズ結合方式も、レンズの位置
によりコアからクラッド層に抜け出る光が増加するか、
又はコアに入射する光が減少するため結合効率には限界
があるという課題があった。
いて、「光通信素子工学」(工学図書、第141頁乃至
第155頁)に示されるように、直接結合方式は、光フ
ァイバ端面にLEDを近づけると光ファイバへの入射光
が増加するので結合効率が上がるが、さらに近づけると
ファイバの受光角を越える成分もコア内に入るようにな
り、これらはクラッド層へ抜け出るため、結合効率は上
がらなくなる。また、レンズ結合方式も、レンズの位置
によりコアからクラッド層に抜け出る光が増加するか、
又はコアに入射する光が減少するため結合効率には限界
があるという課題があった。
【0004】本発明は、従来の技術の有するこのような
問題点を解決し、光源と光ファイバの結合効率を改善す
ることを目的とする。
問題点を解決し、光源と光ファイバの結合効率を改善す
ることを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の光結合ユニットにおいては、光源としてのL
ED10から出射された出射光を全反射させ、光ファイ
バ14へ入射させる全反射ユニット13を、テ−パ状に
且つ光ファイバ14への入射光の入射角が光ファイバ1
4のNA(開口数)で決定される入射角よりも小さくな
るように構成する。全反射ユニット13のLED接合部
分の近傍領域の外側に、LEDからの発散光を反射させ
る、例えばパラボラ状の反射ユニット15を密着させ
る。
に本発明の光結合ユニットにおいては、光源としてのL
ED10から出射された出射光を全反射させ、光ファイ
バ14へ入射させる全反射ユニット13を、テ−パ状に
且つ光ファイバ14への入射光の入射角が光ファイバ1
4のNA(開口数)で決定される入射角よりも小さくな
るように構成する。全反射ユニット13のLED接合部
分の近傍領域の外側に、LEDからの発散光を反射させ
る、例えばパラボラ状の反射ユニット15を密着させ
る。
【0006】上記構成の光結合ユニットは、ファイバ光
電センサに用いることができる。
電センサに用いることができる。
【0007】
【作用】上記のように構成された光源と光ファイバの光
結合ユニットにおいて、LED10から出射され、全反
射ユニット13の全反射条件が満たされる領域で反射さ
れた光は、全反射ユニット13により全反射され、光フ
ァイバ14に入射する。この場合、光ファイバ14への
入射光の入射角は、光ファイバ14のNA(開口数)で
決定される入射角よりも小さいので、光ファイバ14へ
入射した光はクラッド層に抜け出さず、効率良く光ファ
イバ14内へ入射される。また、LED10から出射さ
れ、全反射ユニット13のLED接合部近傍の全反射条
件が満たされない領域に到達した散乱光は、全反射ユニ
ット13の外側に密着された反射ユニット15によって
反射され、反射した光は、光ファイバ14のNA(開口
数)で決定される入射角よりも小さい入射角で光ファイ
バ14へ直接入射される。
結合ユニットにおいて、LED10から出射され、全反
射ユニット13の全反射条件が満たされる領域で反射さ
れた光は、全反射ユニット13により全反射され、光フ
ァイバ14に入射する。この場合、光ファイバ14への
入射光の入射角は、光ファイバ14のNA(開口数)で
決定される入射角よりも小さいので、光ファイバ14へ
入射した光はクラッド層に抜け出さず、効率良く光ファ
イバ14内へ入射される。また、LED10から出射さ
れ、全反射ユニット13のLED接合部近傍の全反射条
件が満たされない領域に到達した散乱光は、全反射ユニ
ット13の外側に密着された反射ユニット15によって
反射され、反射した光は、光ファイバ14のNA(開口
数)で決定される入射角よりも小さい入射角で光ファイ
バ14へ直接入射される。
【0008】また、上記構成の光結合ユニットをファイ
バ光電センサに用いると、効率的に光を光ファイバに入
射させることができる。
バ光電センサに用いると、効率的に光を光ファイバに入
射させることができる。
【0009】
【実施例】次に、実施例について図1を参照して説明す
る。本実施例においては、テーパ状全反射ユニット13
の一方の端部(図中、左側の端部)にLED10が取り
付けられ、他方の端部(図中、右側の端部)にコア14
aの外周にクラッド層14bを有する光ファイバ14が
接合されている。全反射ユニット13の内周面は光を反
射するように形成されており、特に全反射領域12にお
いては光が全反射されるようになされている。
る。本実施例においては、テーパ状全反射ユニット13
の一方の端部(図中、左側の端部)にLED10が取り
付けられ、他方の端部(図中、右側の端部)にコア14
aの外周にクラッド層14bを有する光ファイバ14が
接合されている。全反射ユニット13の内周面は光を反
射するように形成されており、特に全反射領域12にお
いては光が全反射されるようになされている。
【0010】全反射の条件は、図3に示すように、光の
入射角(反射角)をα、全反射領域12の内側と外周の
屈折率をそれぞれn1,n2とするとき、次式で表すこと
ができる。 α≧sin-1(n2/n1) 但し、n1>n2である。
入射角(反射角)をα、全反射領域12の内側と外周の
屈折率をそれぞれn1,n2とするとき、次式で表すこと
ができる。 α≧sin-1(n2/n1) 但し、n1>n2である。
【0011】即ち、光ファイバ14への入射角が光ファ
イバ14のNA(開口数)で決定される入射角よりも小
さくなるように構成される。
イバ14のNA(開口数)で決定される入射角よりも小
さくなるように構成される。
【0012】全反射ユニット13には、LED10の取
付部近傍に全反射領域12以外の領域(全反射条件を満
たさない領域)が形成される。そしてその外周には、略
パラボラ状の反射ユニット15が配置される。
付部近傍に全反射領域12以外の領域(全反射条件を満
たさない領域)が形成される。そしてその外周には、略
パラボラ状の反射ユニット15が配置される。
【0013】LED10からランバ−ト分布で出射され
る出射光11は、テ−パ状全反射ユニット13の全反射
条件を満足する領域である全反射領域12において全反
射され、光ファイバ14に入射される。また、テ−パ状
反射ユニット13のLED接合部近傍では、全反射条件
を満たさないので光が全反射されないが、パラボラ状反
射ユニット15をテ−パ状反射ユニット13の外側に密
着させてあるので、これによりLEDの出射光が反射さ
れ、光ファイバ14へ直接入射される。このようにして
光を効率良く光ファイバ14に伝達させることができ
る。
る出射光11は、テ−パ状全反射ユニット13の全反射
条件を満足する領域である全反射領域12において全反
射され、光ファイバ14に入射される。また、テ−パ状
反射ユニット13のLED接合部近傍では、全反射条件
を満たさないので光が全反射されないが、パラボラ状反
射ユニット15をテ−パ状反射ユニット13の外側に密
着させてあるので、これによりLEDの出射光が反射さ
れ、光ファイバ14へ直接入射される。このようにして
光を効率良く光ファイバ14に伝達させることができ
る。
【0014】このような構成の光結合ユニットは、ファ
イバ光電センサに用いることができる。
イバ光電センサに用いることができる。
【0015】
【発明の効果】本発明は以上説明したように、光源と光
ファイバを全反射ユニットを介して結合するようにした
ので、このような結合ユニットをファイバ光電センサの
結合部に用いた場合、ファイバ光電センサの光源から発
散された出射光を効率良く光ファイバに入射させること
ができ、これによりファイバ出射端からの出射光量が増
加する。したがって、ファイバ光電センサの物体検出距
離が伸び、また、物体検出距離を従来技術と同一にする
場合は、検出光量を増幅するアンプ部においてゲインの
余裕が生じ、耐ノイズ性、温度特性などの向上が図れる
という効果を奏する。
ファイバを全反射ユニットを介して結合するようにした
ので、このような結合ユニットをファイバ光電センサの
結合部に用いた場合、ファイバ光電センサの光源から発
散された出射光を効率良く光ファイバに入射させること
ができ、これによりファイバ出射端からの出射光量が増
加する。したがって、ファイバ光電センサの物体検出距
離が伸び、また、物体検出距離を従来技術と同一にする
場合は、検出光量を増幅するアンプ部においてゲインの
余裕が生じ、耐ノイズ性、温度特性などの向上が図れる
という効果を奏する。
【図1】本発明の光結合ユニットの一実施例の構成を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図2】全反射の条件を説明する図である。
【図3】従来技術によるLEDと光ファイバの結合方法
を示す縦断面図である。
を示す縦断面図である。
1,14 光ファイバ 2,10 LED 11 出射光 12 全反射領域 13 テ−パ状反射ユニット 15 パラボラ状反射ユニット
Claims (2)
- 【請求項1】 光源及び光ファイバの光結合ユニットに
おいて、光源からの出射光を全反射により光ファイバの
NA(開口数)で決定される入射角より小さい入射角で
光ファイバに入射させる全反射ユニットを有し、前記全
反射ユニットの光源接合部近傍の全反射条件が満たされ
ない領域に、前記全反射ユニットの全反射条件が満たさ
れる領域へ光を反射させる反射ユニットを設けたことを
特徴とする光結合ユニット。 - 【請求項2】 光源からの出射光を全反射により光ファ
イバのNA(開口数)で決定される入射角より小さい入
射角で光ファイバに入射させる全反射ユニットを有し、
前記全反射ユニットの光源接合部近傍の全反射条件が満
たされない領域に、前記全反射ユニットの全反射条件が
満たされる領域へ光を反射させる反射ユニットを有する
光結合ユニットを備えることを特徴とするファイバ光電
センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3301045A JPH05113526A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 光結合ユニツトおよびそれを用いたフアイバ光電センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3301045A JPH05113526A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 光結合ユニツトおよびそれを用いたフアイバ光電センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05113526A true JPH05113526A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17892199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3301045A Withdrawn JPH05113526A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 光結合ユニツトおよびそれを用いたフアイバ光電センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05113526A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000028362A1 (de) * | 1998-11-06 | 2000-05-18 | Harting Elektro-Optische Bauteile Gmbh & Co. Kg | Elektro-optische baugruppe sowie verfahren zur herstellung einer solchen baugruppe |
| JP2002141556A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-05-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
| JP2003227974A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-08-15 | Teledyne Lighting & Display Products Inc | 光パイプを用いたledからの光の抽出 |
| JP2006255296A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Kyocera Corp | ファイバ用の光源及びファイバ光源装置とそれを用いた内視鏡 |
| WO2008018725A1 (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-14 | Com. Design Open Co. Ltd. | Apparatus for curing ultraviolet ink using ultraviolet led |
| JP2008521232A (ja) * | 2004-11-17 | 2008-06-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 少なくとも一つの発光素子を有する光源および照明装置 |
| EP1503434A3 (en) * | 2003-07-31 | 2011-01-05 | Philips Lumileds Lighting Company LLC | Semiconductor light emitting devices with improved light extraction efficiency |
| KR101012318B1 (ko) * | 2008-04-01 | 2011-02-09 | 충남대학교산학협력단 | 엘이디와 광섬유가 결합된 발광장치 |
| US9537067B2 (en) | 2012-05-03 | 2017-01-03 | Technische Universität Berlin | Radiation emitting device |
-
1991
- 1991-10-21 JP JP3301045A patent/JPH05113526A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000028362A1 (de) * | 1998-11-06 | 2000-05-18 | Harting Elektro-Optische Bauteile Gmbh & Co. Kg | Elektro-optische baugruppe sowie verfahren zur herstellung einer solchen baugruppe |
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| US10312422B2 (en) | 2000-09-12 | 2019-06-04 | Lumileds Llc | Light emitting devices with optical elements and bonding layers |
| US9583683B2 (en) | 2000-09-12 | 2017-02-28 | Lumileds Llc | Light emitting devices with optical elements and bonding layers |
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| JP2011238970A (ja) * | 2003-07-31 | 2011-11-24 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 光取り出し効率が改善された発光装置 |
| EP1503434A3 (en) * | 2003-07-31 | 2011-01-05 | Philips Lumileds Lighting Company LLC | Semiconductor light emitting devices with improved light extraction efficiency |
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| US9537067B2 (en) | 2012-05-03 | 2017-01-03 | Technische Universität Berlin | Radiation emitting device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |