JPS60411A - レ−ザモジユ−ル装置 - Google Patents
レ−ザモジユ−ル装置Info
- Publication number
- JPS60411A JPS60411A JP58108733A JP10873383A JPS60411A JP S60411 A JPS60411 A JP S60411A JP 58108733 A JP58108733 A JP 58108733A JP 10873383 A JP10873383 A JP 10873383A JP S60411 A JPS60411 A JP S60411A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- optical
- semiconductor laser
- incident
- condensing lens
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光通信等に利用するレーザモジュール装置に
関するものである。
関するものである。
従来例の構成とその問題点
第１図は従来のレーザモジュール装置を示している。以
下にこの従来例の構成について第１図とともに説明する
。
下にこの従来例の構成について第１図とともに説明する
。
第１図において１は円柱状の光コアイノくであり、この
光フアイバ１０入射端面ば斜めに研磨されている。２は
上記光ファイバ】と同一光軸上にある円柱状の集光レン
ズであり、この集光し／ズ２の入射端には集光レンズ２
の円柱部の半径とほぼ等しい半径の半球が一体に形成さ
れている。３は光ファイバ１、集光レンズ２と同一光軸
上にある半導体レーザである。なお、上記集光レンズ２
は中心軸から外周に行くに従って屈折率が小さくなる円
柱型の集光レンズである。
光フアイバ１０入射端面ば斜めに研磨されている。２は
上記光ファイバ】と同一光軸上にある円柱状の集光レン
ズであり、この集光し／ズ２の入射端には集光レンズ２
の円柱部の半径とほぼ等しい半径の半球が一体に形成さ
れている。３は光ファイバ１、集光レンズ２と同一光軸
上にある半導体レーザである。なお、上記集光レンズ２
は中心軸から外周に行くに従って屈折率が小さくなる円
柱型の集光レンズである。
次に上記従来例の動作について説明する。第１図におい
て、半導体レーザ３の出射光は集光レンズ２により集光
され、光コアイノ（ｌに効率よく入射される。この場合
、半導体レーザ３の出射光が集光レンズ２の入射端（Ｃ
）で反射し、半導体レーヤ゛３に戻らないよう、入射端
（Ｃ）は半円形となっている。更に光ファイバ１の入射
端（ｄ）での反射光力玉乗光レンズ２により再び集光さ
れ、半導体レーザ３に戻らないよう光ファイ・く１の入
射端面（ｄ）はｌＯ０前後光軸ａよシ斜めになっている
。
て、半導体レーザ３の出射光は集光レンズ２により集光
され、光コアイノ（ｌに効率よく入射される。この場合
、半導体レーザ３の出射光が集光レンズ２の入射端（Ｃ
）で反射し、半導体レーヤ゛３に戻らないよう、入射端
（Ｃ）は半円形となっている。更に光ファイバ１の入射
端（ｄ）での反射光力玉乗光レンズ２により再び集光さ
れ、半導体レーザ３に戻らないよう光ファイ・く１の入
射端面（ｄ）はｌＯ０前後光軸ａよシ斜めになっている
。
しかしながら、上記従来例においては光ファイバｌの入
射端面を斜めにし、集光レンズ２の入射端を半円形とし
ても実用上集光し／ズ２の収差により光ファイバ端から
の反射光、集光レンズの出射端（ｂ）からの反射光、半
円球の一部からの反射光が半導体レーザ３のチップ上に
戻り、完全に反射光による半導体レーザ３の特性劣化を
なくすことはできない欠点があり、また集光レンズ２の
先端を半円球とした先球集光レンズは加工がむずがしい
等の欠点があった。
射端面を斜めにし、集光レンズ２の入射端を半円形とし
ても実用上集光し／ズ２の収差により光ファイバ端から
の反射光、集光レンズの出射端（ｂ）からの反射光、半
円球の一部からの反射光が半導体レーザ３のチップ上に
戻り、完全に反射光による半導体レーザ３の特性劣化を
なくすことはできない欠点があり、また集光レンズ２の
先端を半円球とした先球集光レンズは加工がむずがしい
等の欠点があった。
発明の目的
本発明は、上記従来例の欠点を除去するものであシ、光
ファイバの入射端面、集光レンズの入出射端面の反射光
が半導体レーザチップ上に戻らないことを目的とするも
のである。
ファイバの入射端面、集光レンズの入出射端面の反射光
が半導体レーザチップ上に戻らないことを目的とするも
のである。
発明の構成
本発明は上記目的を達するため１（、半導体レーザと集
光レンズの間に光減衰器をおき、半導体レーザをそのヘ
テロ接合面に平行な方向に光軸に対し斜めに傾けておく
ことにより、光フアイバ入射端、集光レンズ人出射端か
らの反射光が半導体レーザ′チップ上に戻らないように
する効果を得るものである。
光レンズの間に光減衰器をおき、半導体レーザをそのヘ
テロ接合面に平行な方向に光軸に対し斜めに傾けておく
ことにより、光フアイバ入射端、集光レンズ人出射端か
らの反射光が半導体レーザ′チップ上に戻らないように
する効果を得るものである。
実施例の説明
以下に本発明の一実施例の構成について図面とともに説
明する。第２図において、４は光ファイバでその入射端
面（ｅ）は斜めに研磨されている。５は円柱状の集光レ
ンズであり、この集光レンズ５は中心軸から外周に行く
に従って屈折率が小さくなるレンズである。６は集光レ
ンズ５の入射端匠近接して置かれた減衰比１７１０前後
の光減衰器、７はへテロ接合面が集光レンズ５を含む平
面上にあり、光軸が集光レンズ５０光軸に対して１００
前後斜めに傾いて置かれた半導体レーザである。
明する。第２図において、４は光ファイバでその入射端
面（ｅ）は斜めに研磨されている。５は円柱状の集光レ
ンズであり、この集光レンズ５は中心軸から外周に行く
に従って屈折率が小さくなるレンズである。６は集光レ
ンズ５の入射端匠近接して置かれた減衰比１７１０前後
の光減衰器、７はへテロ接合面が集光レンズ５を含む平
面上にあり、光軸が集光レンズ５０光軸に対して１００
前後斜めに傾いて置かれた半導体レーザである。
第３図は上記実施例の集光レンズ５の光軸（ａ）と半導
体レーザ７の光軸ｆを角度θだけ傾けた場合のレーザ光
の反射経路を説明する図である。また第４図は第３図を
右方向より見た図である。半導体レーザ７のチップ８の
へテロ接合面９に平行な方向に出射された最も外側の光
（ｄ）と（ｅｌは集光レンズ１に各々角度α、βで入射
し反射され、反射光（ｂＬ （Ｃ）となる。ここでレー
ザ光の最大出射角をφとするとφ〈ｅｌなる関係が成立
する範囲では、反射光（ｂ）は半導体レーザ７のチップ
上に戻らないことは明らかである。故に半導体レーザ７
のヘテ＼ 口界面に平行な方向の出射角は最大でも１０
°前後であるから、光軸ｆの傾きθを上記最大出射角よ
りも犬きくすることにより、集光レンズ５及び光減衰器
６端面からの反射光が半導体レーザ７に戻らないように
できる。なお、第４図において１０は集光レンズ５の入
射端面におけるニアフィールドパターンである。
体レーザ７の光軸ｆを角度θだけ傾けた場合のレーザ光
の反射経路を説明する図である。また第４図は第３図を
右方向より見た図である。半導体レーザ７のチップ８の
へテロ接合面９に平行な方向に出射された最も外側の光
（ｄ）と（ｅｌは集光レンズ１に各々角度α、βで入射
し反射され、反射光（ｂＬ （Ｃ）となる。ここでレー
ザ光の最大出射角をφとするとφ〈ｅｌなる関係が成立
する範囲では、反射光（ｂ）は半導体レーザ７のチップ
上に戻らないことは明らかである。故に半導体レーザ７
のヘテ＼ 口界面に平行な方向の出射角は最大でも１０
°前後であるから、光軸ｆの傾きθを上記最大出射角よ
りも犬きくすることにより、集光レンズ５及び光減衰器
６端面からの反射光が半導体レーザ７に戻らないように
できる。なお、第４図において１０は集光レンズ５の入
射端面におけるニアフィールドパターンである。
次に上記実施例の動作について説明する。
半導体レーザ７の出射光は集光レンズ５で光ファイバ４
０入射面に集光され、効率良く光ファイバ４に入射する
。一方、集光された光の内−郎党ファイバ４の入射端面
（ｅ）、集光し／ズ５の入出射端面（Ｃ）より反射され
るが光減衰器６により減衰され、半導体レーザ７には戻
らない。また半導体レーザ７の出射光は集光レンズ５０
入射端面（Ｃ）と光減衰器６面で反射するが、集光レン
ズ５と半導体レーザ７の光軸が傾いているため、半導体
レーザ７には戻らないものである。
０入射面に集光され、効率良く光ファイバ４に入射する
。一方、集光された光の内−郎党ファイバ４の入射端面
（ｅ）、集光し／ズ５の入出射端面（Ｃ）より反射され
るが光減衰器６により減衰され、半導体レーザ７には戻
らない。また半導体レーザ７の出射光は集光レンズ５０
入射端面（Ｃ）と光減衰器６面で反射するが、集光レン
ズ５と半導体レーザ７の光軸が傾いているため、半導体
レーザ７には戻らないものである。
このように、上記実施例によれば、集光レンズ５の入射
端面前に光減衰器６を配置しているため、光ファイバ４
の入射端面と集光レンズ５の入出射端面から半導体レー
ザ７のチップ上に戻る反射光を減衰させ、半導体レーザ
７の特性劣化を防ぐことができる。まだ、本実施例によ
れば光コネクタ、光受光素子等の光部品からの遠端反射
光もある程度防ぐことができる。また、本実施例によれ
ば、従来例のように、集光レンズ５の一端を半球状に加
工する必要がないため、加工が容易となるものである。
端面前に光減衰器６を配置しているため、光ファイバ４
の入射端面と集光レンズ５の入出射端面から半導体レー
ザ７のチップ上に戻る反射光を減衰させ、半導体レーザ
７の特性劣化を防ぐことができる。まだ、本実施例によ
れば光コネクタ、光受光素子等の光部品からの遠端反射
光もある程度防ぐことができる。また、本実施例によれ
ば、従来例のように、集光レンズ５の一端を半球状に加
工する必要がないため、加工が容易となるものである。
発明の効果
本発明は上記のような構成であり、本発明によれば、半
導体レーザと光ファイバの結合系（光ファイバを含む）
よシ反射する光が半導体レーザに戻ることができ、半導
体レーザの特性劣化を防止することができる。
導体レーザと光ファイバの結合系（光ファイバを含む）
よシ反射する光が半導体レーザに戻ることができ、半導
体レーザの特性劣化を防止することができる。
第１図は従来のレーザモジュール装置の概略説明図、第
２図は本発明の一実施例におけるレーザモジュール装置
の概略説明図、第３図は同装置のレーザ光の反射経路の
説明図、第４図は第３図の右側面図である。 ４・・・光ファイバ、５・・集光レンズ、６・・光減衰
器、７・・・半導体レーザ、８・チップ、９・・ヘテロ
接合面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第２図 χ 勺 第３図 第４図
２図は本発明の一実施例におけるレーザモジュール装置
の概略説明図、第３図は同装置のレーザ光の反射経路の
説明図、第４図は第３図の右側面図である。 ４・・・光ファイバ、５・・集光レンズ、６・・光減衰
器、７・・・半導体レーザ、８・チップ、９・・ヘテロ
接合面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第２図 χ 勺 第３図 第４図
Claims (1)
- 中心軸から外周に行くに従って屈折率が小さくなる円柱
型の集光レンズと、この集光レンズの光軸を含む平面上
にペテロ接合面を有し、光軸が上記集光レンズの光軸に
対して所定角度で交差する半導体レーザと、傾斜した入
射面を有し、この入射端面が上記集光レンズの集光点に
配置された光ファイバーと、上記集光レンズの入射端面
と上記半導体レーザとの間に介在された光減衰器とから
なるレーザモジュール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108733A JPS60411A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | レ−ザモジユ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108733A JPS60411A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | レ−ザモジユ−ル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60411A true JPS60411A (ja) | 1985-01-05 |
Family
ID=14492147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58108733A Pending JPS60411A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | レ−ザモジユ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60411A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6452331U (ja) * | 1987-09-28 | 1989-03-31 | ||
| JPH01292877A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Nec Corp | 半導体レーザ・光ファイバ結合回路 |
| JPH02281219A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子モジュール |
| JPH0520016U (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-12 | アルプス電気株式会社 | 光学装置 |
| JPH05295439A (ja) * | 1992-04-22 | 1993-11-09 | Nippon Steel Corp | 磁束密度の高い一方向性電磁鋼板の製造方法 |
| US5883915A (en) * | 1995-05-16 | 1999-03-16 | Adlas Gmbh & Co. Kg | Longitudinally pumped laser |
| US6356613B1 (en) * | 1997-02-07 | 2002-03-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Apparatus for the recombination of hydrogen in a gas mixture |
| EP3484144A1 (en) | 2017-11-13 | 2019-05-15 | Alpine Electronics, Inc. | Captured image display system, electronic mirror system, and captured image display method |
-
1983
- 1983-06-16 JP JP58108733A patent/JPS60411A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6452331U (ja) * | 1987-09-28 | 1989-03-31 | ||
| JPH01292877A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Nec Corp | 半導体レーザ・光ファイバ結合回路 |
| JPH02281219A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子モジュール |
| JPH0520016U (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-12 | アルプス電気株式会社 | 光学装置 |
| JPH05295439A (ja) * | 1992-04-22 | 1993-11-09 | Nippon Steel Corp | 磁束密度の高い一方向性電磁鋼板の製造方法 |
| US5883915A (en) * | 1995-05-16 | 1999-03-16 | Adlas Gmbh & Co. Kg | Longitudinally pumped laser |
| US6356613B1 (en) * | 1997-02-07 | 2002-03-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Apparatus for the recombination of hydrogen in a gas mixture |
| EP3484144A1 (en) | 2017-11-13 | 2019-05-15 | Alpine Electronics, Inc. | Captured image display system, electronic mirror system, and captured image display method |
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