JPH05114119A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPH05114119A JPH05114119A JP3272370A JP27237091A JPH05114119A JP H05114119 A JPH05114119 A JP H05114119A JP 3272370 A JP3272370 A JP 3272370A JP 27237091 A JP27237091 A JP 27237091A JP H05114119 A JPH05114119 A JP H05114119A
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気ディスク装置等に用いる磁気抵
抗効果型ヘッド(MRヘッド)に関し、MR素子の接触
による媒体の電気低損傷を防止し、MR素子よりシード
部材への磁束吸収経路を制御して再生特性を向上すると
共に、記録用コイルを組み込むことにより高密度な記録
・再生を可能にすることを目的とする。 【構成】 MR素子26の両側にそれぞれ非磁性絶縁膜24
とシールド磁性体23, 28とを配設したヘッド構造におい
て、前記MR素子26を媒体対向面29から後退配置し、前
記シールド磁性体間に先端部の幅を狭めた形状のヨーク
25をその先端部が該媒体対向面29に露出し、その後端部
がMR素子26の先端部と磁気的に結合するように設け、
かつ前記両シールド磁性体間の間隔を狭く設けた構成と
する。また少なくとも一方のシールド磁性体の先端部の
幅を該ヨーク25の先端部形状に合わせて設け、該ヨーク
25に沿って記録用のコイル導体膜を組み込んだ構成とす
る。
抗効果型ヘッド(MRヘッド)に関し、MR素子の接触
による媒体の電気低損傷を防止し、MR素子よりシード
部材への磁束吸収経路を制御して再生特性を向上すると
共に、記録用コイルを組み込むことにより高密度な記録
・再生を可能にすることを目的とする。 【構成】 MR素子26の両側にそれぞれ非磁性絶縁膜24
とシールド磁性体23, 28とを配設したヘッド構造におい
て、前記MR素子26を媒体対向面29から後退配置し、前
記シールド磁性体間に先端部の幅を狭めた形状のヨーク
25をその先端部が該媒体対向面29に露出し、その後端部
がMR素子26の先端部と磁気的に結合するように設け、
かつ前記両シールド磁性体間の間隔を狭く設けた構成と
する。また少なくとも一方のシールド磁性体の先端部の
幅を該ヨーク25の先端部形状に合わせて設け、該ヨーク
25に沿って記録用のコイル導体膜を組み込んだ構成とす
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置等に用
いられる磁気抵抗効果型ヘッドに係り、特に再生効率が
良好で、かつ高密度記録も実現できる磁気抵抗効果型の
ヘッド構造に関するものである。
いられる磁気抵抗効果型ヘッドに係り、特に再生効率が
良好で、かつ高密度記録も実現できる磁気抵抗効果型の
ヘッド構造に関するものである。
【0002】磁気ディスク装置等においては、小型、大
容量化に伴って高密度記録が可能で、かつ再生出力の大
きい磁気ヘッドの開発が要求されている。このため、再
生用の磁気ヘッドとして再生出力が媒体速度に依存せ
ず、しかも大きい再生出力が得られる磁気抵抗効果型ヘ
ッド(以下MRヘッドと略称する)が注目され、より再
生効率が良好で、かつ高密度記録も実現できる信頼性の
高いMRヘッドが必要とされている。
容量化に伴って高密度記録が可能で、かつ再生出力の大
きい磁気ヘッドの開発が要求されている。このため、再
生用の磁気ヘッドとして再生出力が媒体速度に依存せ
ず、しかも大きい再生出力が得られる磁気抵抗効果型ヘ
ッド(以下MRヘッドと略称する)が注目され、より再
生効率が良好で、かつ高密度記録も実現できる信頼性の
高いMRヘッドが必要とされている。
【0003】
【従来の技術】従来のMRヘッドは図5の要部断面図に
示すように、両端にAu, Cu、或いはAl等からなる非磁性
な引出し端子14が接合された Ni-Feからなる磁気抵抗効
果素子(以下MR素子と略称する)13の両側に、それぞ
れ Al2O3等からなる非磁性絶縁膜12を介して、例えば N
i-Znフェライト等からなるシールド磁性体11と Ni-Fe等
からなるシールド磁性体層15が配置された構成となって
いる。
示すように、両端にAu, Cu、或いはAl等からなる非磁性
な引出し端子14が接合された Ni-Feからなる磁気抵抗効
果素子(以下MR素子と略称する)13の両側に、それぞ
れ Al2O3等からなる非磁性絶縁膜12を介して、例えば N
i-Znフェライト等からなるシールド磁性体11と Ni-Fe等
からなるシールド磁性体層15が配置された構成となって
いる。
【0004】そしてかかるMR素子13に流れるセンス電
流により発生する磁界によって磁化されるシールド磁性
体層15からの漏洩磁界がMR素子13にバイアス磁界とし
て印加される。このMR素子13の磁化は磁気記録媒体16
からの磁界により変化され、磁気抵抗効果により生じる
MR素子13の電気抵抗値の変化を前記引出し端子14より
電圧の変化として再生信号を検出することにより再生を
行っている。
流により発生する磁界によって磁化されるシールド磁性
体層15からの漏洩磁界がMR素子13にバイアス磁界とし
て印加される。このMR素子13の磁化は磁気記録媒体16
からの磁界により変化され、磁気抵抗効果により生じる
MR素子13の電気抵抗値の変化を前記引出し端子14より
電圧の変化として再生信号を検出することにより再生を
行っている。
【0005】このようなMRヘッドでは、再生出力がM
R素子13に流すセンス電流に比例して増大するアクティ
ブ素子であるため、基本的に再生信号のS/Nが大きく
とれる可能性を持っている。
R素子13に流すセンス電流に比例して増大するアクティ
ブ素子であるため、基本的に再生信号のS/Nが大きく
とれる可能性を持っている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したM
Rヘッドにおいては、MR素子13の先端面が媒体対向面
(ヘッド浮上面)に直接露出させているため、センス電
流を流した状態のMRヘッドが磁気記録媒体16に接触す
ると、該MR素子13に生ずる電圧で該磁気記録媒体16が
ダメージ(電気的損傷等)を受けたり、また逆にMR素
子13が媒体面に付着した導電性の塵埃等でショートさ
れ、そのときのノイズが再生信号に混入して再生信号の
S/Nを低下させる問題があった。
Rヘッドにおいては、MR素子13の先端面が媒体対向面
(ヘッド浮上面)に直接露出させているため、センス電
流を流した状態のMRヘッドが磁気記録媒体16に接触す
ると、該MR素子13に生ずる電圧で該磁気記録媒体16が
ダメージ(電気的損傷等)を受けたり、また逆にMR素
子13が媒体面に付着した導電性の塵埃等でショートさ
れ、そのときのノイズが再生信号に混入して再生信号の
S/Nを低下させる問題があった。
【0007】また、従来のMRヘッドではMR素子13の
両側面にシ−ルド磁性体11とシールド磁性体層15とが近
接して配置され、該MR素子13を磁化する磁気記録媒体
16からの磁束がその両側の前記シ−ルド磁性体11及びシ
ールド磁性体層15に極めて吸収され易い構成となってお
り、再生出力はMR素子13への磁束量に比例することか
ら、そのMR素子13へ流入する磁束量のうちの約半分程
度しか再生出力に寄与されないという欠点があった。
両側面にシ−ルド磁性体11とシールド磁性体層15とが近
接して配置され、該MR素子13を磁化する磁気記録媒体
16からの磁束がその両側の前記シ−ルド磁性体11及びシ
ールド磁性体層15に極めて吸収され易い構成となってお
り、再生出力はMR素子13への磁束量に比例することか
ら、そのMR素子13へ流入する磁束量のうちの約半分程
度しか再生出力に寄与されないという欠点があった。
【0008】更に、このような比較的再生出力の大きい
再生専用のMRヘッドに、記録用のインダクティブタイ
プの磁気ヘッド素子を併設して記録・再生用の磁気ヘッ
ドとして高密度記録再生用として用いる場合、記録トラ
ックに合わせて前記MRヘッドにおけるMR素子13の素
子幅と、記録用磁気ヘッド素子における磁極幅を数μm
にする必要がある。
再生専用のMRヘッドに、記録用のインダクティブタイ
プの磁気ヘッド素子を併設して記録・再生用の磁気ヘッ
ドとして高密度記録再生用として用いる場合、記録トラ
ックに合わせて前記MRヘッドにおけるMR素子13の素
子幅と、記録用磁気ヘッド素子における磁極幅を数μm
にする必要がある。
【0009】しかし、そのような微細な幅寸法のMR素
子13と記録用磁気ヘッド素子における磁極先端とを同一
トラック上に対応するように精度よく一致させて組み合
わせた構成とすることは難しく、特に1〜2μmのMR
素子幅と磁極先端幅を実現することは至難であった。
子13と記録用磁気ヘッド素子における磁極先端とを同一
トラック上に対応するように精度よく一致させて組み合
わせた構成とすることは難しく、特に1〜2μmのMR
素子幅と磁極先端幅を実現することは至難であった。
【0010】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、M
R素子の先端を媒体対向面に露出させない構成と、MR
素子に流入した磁束が両側のシールド部材に吸収される
経路を制御する構成により再生特性を向上させると共
に、前記両側のシールド部材と記録用のコイルとの組み
合わせにより高密度な記録再生を可能とする新規な磁気
抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的とするもの
である。
R素子の先端を媒体対向面に露出させない構成と、MR
素子に流入した磁束が両側のシールド部材に吸収される
経路を制御する構成により再生特性を向上させると共
に、前記両側のシールド部材と記録用のコイルとの組み
合わせにより高密度な記録再生を可能とする新規な磁気
抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的とするもの
である。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、磁気抵抗効果素子の両側にそれぞれ非磁
性絶縁膜とシールド磁性体とを配設したヘッド構造にお
いて、前記磁気抵抗効果素子を記録媒体と対向するヘッ
ドの先端面から後退させて設け、前記シールド磁性体間
にヨークをその先端部が前記ヘッド先端面に露出するよ
うに、その後端部が前記磁気抵抗効果素子の先端部と磁
気的に結合するように設け、かつ前記2つのシールド磁
性体の間隔を、ヨークの先端領域と磁気抵抗効果素子の
後端領域で狭くした構成とする。
達成するため、磁気抵抗効果素子の両側にそれぞれ非磁
性絶縁膜とシールド磁性体とを配設したヘッド構造にお
いて、前記磁気抵抗効果素子を記録媒体と対向するヘッ
ドの先端面から後退させて設け、前記シールド磁性体間
にヨークをその先端部が前記ヘッド先端面に露出するよ
うに、その後端部が前記磁気抵抗効果素子の先端部と磁
気的に結合するように設け、かつ前記2つのシールド磁
性体の間隔を、ヨークの先端領域と磁気抵抗効果素子の
後端領域で狭くした構成とする。
【0012】また、前記ヨークは、先端部の幅を狭めた
形状とした構成とする。更に、少なくとも一方のシール
ド磁性体は先端部の幅が前記ヨークの先端部の形状に合
わせて狭く形成され、かつ該ヨークに沿って記録用のコ
イル導体膜を配設した構成とする。
形状とした構成とする。更に、少なくとも一方のシール
ド磁性体は先端部の幅が前記ヨークの先端部の形状に合
わせて狭く形成され、かつ該ヨークに沿って記録用のコ
イル導体膜を配設した構成とする。
【0013】
【作用】本発明では、2つのシールド磁性体間にそれぞ
れ非磁性絶縁膜を介在して、記録媒体と対向するヘッド
の先端面、即ち、媒体対向面に先端面が露出するヨーク
と、その後端部と絶縁薄膜を介して一端部を重ね合わせ
て磁気的に結合した状態にMR素子を配置しているの
で、該MR素子が直接、記録媒体面に接触しないため、
記録媒体面に対する電気的なダメージ、或いは接触ショ
ートによるノイズの発生が排除される。
れ非磁性絶縁膜を介在して、記録媒体と対向するヘッド
の先端面、即ち、媒体対向面に先端面が露出するヨーク
と、その後端部と絶縁薄膜を介して一端部を重ね合わせ
て磁気的に結合した状態にMR素子を配置しているの
で、該MR素子が直接、記録媒体面に接触しないため、
記録媒体面に対する電気的なダメージ、或いは接触ショ
ートによるノイズの発生が排除される。
【0014】また、2つのシールド磁性体間の間隔を、
ヨークの先端領域と磁気抵抗効果素子の他端領域で狭
く、それ以外の領域を広くすると共に、該ヨークの幅形
状をその後端部で広く、先端部に向かって狭めた構成と
することにより、記録媒体の高密度な記録トラックから
の磁束がヨークを介して磁気的に結合されたMR素子に
流入されて磁化され、その磁束は該MR素子の後部より
両側に近接したシールド磁性体へ吸収されるので、再生
出力に対する磁束の寄与効率が向上する。
ヨークの先端領域と磁気抵抗効果素子の他端領域で狭
く、それ以外の領域を広くすると共に、該ヨークの幅形
状をその後端部で広く、先端部に向かって狭めた構成と
することにより、記録媒体の高密度な記録トラックから
の磁束がヨークを介して磁気的に結合されたMR素子に
流入されて磁化され、その磁束は該MR素子の後部より
両側に近接したシールド磁性体へ吸収されるので、再生
出力に対する磁束の寄与効率が向上する。
【0015】更に、2つのシールド磁性体の内の少なく
とも一方のシールド磁性体の先端部を前記ヨークの先端
部の形状に合わせて狭めた形状とすると共に、該ヨーク
に沿って記録用のコイル導体膜を配設し、該2つのシー
ルド磁性体を磁極として兼用することにより、当該MR
ヘッドに記録用の磁気ヘッドを付設することなく、簡単
な構成により高密度な記録再生が可能な磁気ヘッドが実
現できる。
とも一方のシールド磁性体の先端部を前記ヨークの先端
部の形状に合わせて狭めた形状とすると共に、該ヨーク
に沿って記録用のコイル導体膜を配設し、該2つのシー
ルド磁性体を磁極として兼用することにより、当該MR
ヘッドに記録用の磁気ヘッドを付設することなく、簡単
な構成により高密度な記録再生が可能な磁気ヘッドが実
現できる。
【0016】
【実施例】図1(a),(b) は本発明に係る磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの第1実施例を概念的に示す図であり、図
(a) はヨーク及びMR素子と第1シールド磁性層との関
係を示す平面図、また図(b) は図(a) に示すA−A’切
断線に沿ったヘッド構成の要部断面図である。
磁気ヘッドの第1実施例を概念的に示す図であり、図
(a) はヨーク及びMR素子と第1シールド磁性層との関
係を示す平面図、また図(b) は図(a) に示すA−A’切
断線に沿ったヘッド構成の要部断面図である。
【0017】これら両図に示すように本実施例では、Al
2O3-TiC からなる導電性基板21上にAl2O3等からなる絶
縁層22を介して配設された Ni-Fe膜からなる第1シール
ド磁性層23と同じく Ni-Fe膜からなる第2シールド磁性
層28との間に、 Al2O3等からなる非磁性絶縁膜24をそれ
ぞれ介在して、記録媒体と対向するヘッドの先端面、即
ち、媒体対向面29に先端面を露出するFeN膜、或いは N
i-Fe膜等からなるヨーク25と、該ヨーク25の後端部と絶
縁薄膜を介して両端部にAu, Cu、或いはAl等からなる引
出し端子27を備えた Ni-Fe膜からなるMR素子26の一端
部を重ね合わせて磁気的に結合した状態に配置され、そ
の第2シールド磁性層28上には Al2O3等からなる絶縁保
護膜30が被覆されている。
2O3-TiC からなる導電性基板21上にAl2O3等からなる絶
縁層22を介して配設された Ni-Fe膜からなる第1シール
ド磁性層23と同じく Ni-Fe膜からなる第2シールド磁性
層28との間に、 Al2O3等からなる非磁性絶縁膜24をそれ
ぞれ介在して、記録媒体と対向するヘッドの先端面、即
ち、媒体対向面29に先端面を露出するFeN膜、或いは N
i-Fe膜等からなるヨーク25と、該ヨーク25の後端部と絶
縁薄膜を介して両端部にAu, Cu、或いはAl等からなる引
出し端子27を備えた Ni-Fe膜からなるMR素子26の一端
部を重ね合わせて磁気的に結合した状態に配置され、そ
の第2シールド磁性層28上には Al2O3等からなる絶縁保
護膜30が被覆されている。
【0018】また、前記第1シールド磁性層23と第2シ
ールド磁性層28との間の間隔は、ヨーク25の先端領域と
MR素子26の他端領域で狭く、それ以外の領域では十分
に広くすると共に、特に該ヨーク25の先端部と第1、第
2シールド磁性層23, 28との間の間隔は 0.1〜 0.5μm
としている。
ールド磁性層28との間の間隔は、ヨーク25の先端領域と
MR素子26の他端領域で狭く、それ以外の領域では十分
に広くすると共に、特に該ヨーク25の先端部と第1、第
2シールド磁性層23, 28との間の間隔は 0.1〜 0.5μm
としている。
【0019】更に、MR素子26としては、素子幅が5〜
20μm、高さが2〜10μm、厚さが0.03〜 0.1μmと極
めて薄く、かつ微小な形状からなり、そのMR素子26と
磁気的に結合されるヨーク25の幅形状は図示のようにそ
の後端部で広く、先端部に向かって狭めた構成としてい
る。
20μm、高さが2〜10μm、厚さが0.03〜 0.1μmと極
めて薄く、かつ微小な形状からなり、そのMR素子26と
磁気的に結合されるヨーク25の幅形状は図示のようにそ
の後端部で広く、先端部に向かって狭めた構成としてい
る。
【0020】従って、このようなヘッド構成において
は、該MR素子26の先端が媒体対向面に露出しないので
記録媒体面に接触する恐れがなくなり、従来の如き記録
媒体面に対する電気的なダメージ (電気的損傷) 、或い
は接触ショートによるノイズの発生等を防止することが
できる。
は、該MR素子26の先端が媒体対向面に露出しないので
記録媒体面に接触する恐れがなくなり、従来の如き記録
媒体面に対する電気的なダメージ (電気的損傷) 、或い
は接触ショートによるノイズの発生等を防止することが
できる。
【0021】従って、再生信号のS/Nが向上すると共
に、記録媒体面に対して 0.1μm以下の極低浮上量で信
頼性良く再生することが可能となる。また、記録媒体の
高密度な記録トラックからの磁束が前記ヨーク25を介し
て磁気的に結合されたMR素子26に流入されて磁化さ
れ、その磁束は該MR素子26の後部より両側の近接した
第1、第2シールド磁性層23,28へ吸収されるので、再
生出力に対する磁束の寄与効率が著しく向上する。
に、記録媒体面に対して 0.1μm以下の極低浮上量で信
頼性良く再生することが可能となる。また、記録媒体の
高密度な記録トラックからの磁束が前記ヨーク25を介し
て磁気的に結合されたMR素子26に流入されて磁化さ
れ、その磁束は該MR素子26の後部より両側の近接した
第1、第2シールド磁性層23,28へ吸収されるので、再
生出力に対する磁束の寄与効率が著しく向上する。
【0022】図2(a),(b) は本発明に係る磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの第2実施例を概念的に示す図であり、図
(a) はヨーク及びMR素子と第1シールド磁性層との関
係を示す平面図、また図(b) は図(a) に示すA−A’切
断線に沿ったヘッド構成の要部断面図である。なお、図
1(a), (b)と同等部分には同一符号を付している。
型磁気ヘッドの第2実施例を概念的に示す図であり、図
(a) はヨーク及びMR素子と第1シールド磁性層との関
係を示す平面図、また図(b) は図(a) に示すA−A’切
断線に沿ったヘッド構成の要部断面図である。なお、図
1(a), (b)と同等部分には同一符号を付している。
【0023】この図で示す実施例が図1(a), (b)と異な
る点は、第1シールド磁性層33と第2シールド磁性層28
がその各他端同士で接合されている。また、第1シール
ド磁性層33の先端部33a を図3の平面図で示すように前
記したヨーク25の先端部の形状に合わせて狭めた形状に
すると共に、該ヨーク25及びMR素子26と第2シールド
磁性層28間の Al2O3等からなる非磁性絶縁膜24内にスパ
イラル状の記録用のコイル導体膜31を配設し、更に前記
第1、第2シールド磁性層33, 28を磁極として兼用した
構成としたことである。
る点は、第1シールド磁性層33と第2シールド磁性層28
がその各他端同士で接合されている。また、第1シール
ド磁性層33の先端部33a を図3の平面図で示すように前
記したヨーク25の先端部の形状に合わせて狭めた形状に
すると共に、該ヨーク25及びMR素子26と第2シールド
磁性層28間の Al2O3等からなる非磁性絶縁膜24内にスパ
イラル状の記録用のコイル導体膜31を配設し、更に前記
第1、第2シールド磁性層33, 28を磁極として兼用した
構成としたことである。
【0024】このようなヘッド構成により、図1(a),
(b)による実施例と同様な効果が得られると共に、MR
ヘッドに別の記録用磁気ヘッド素子を付設することな
く、簡単なコイル付加構成により1〜5μmコア幅程度
の高密度な記録再生を可能とする磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドを実現することができる。
(b)による実施例と同様な効果が得られると共に、MR
ヘッドに別の記録用磁気ヘッド素子を付設することな
く、簡単なコイル付加構成により1〜5μmコア幅程度
の高密度な記録再生を可能とする磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドを実現することができる。
【0025】図4(a), (b)は本発明に係る磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの第3実施例を概念的に示す図であり、図
(a) はヨーク及びMR素子と第1シールド磁性層との関
係を示す平面図、また図(b) は図(a) に示すA−A’切
断線に沿ったヘッド構成の要部断面図である。なお、図
2(a), (b)と同等部分には同一符号を付している。
型磁気ヘッドの第3実施例を概念的に示す図であり、図
(a) はヨーク及びMR素子と第1シールド磁性層との関
係を示す平面図、また図(b) は図(a) に示すA−A’切
断線に沿ったヘッド構成の要部断面図である。なお、図
2(a), (b)と同等部分には同一符号を付している。
【0026】この図で示す実施例が図2(a), (b)と異な
る点は、ヨーク35の先端部以外の部分の膜厚を厚く構成
すると共に、該ヨーク35の周囲のSiO2等からなる非磁性
絶縁膜24内にヘリカル状の記録用のコイル導体膜41を配
置したことである。
る点は、ヨーク35の先端部以外の部分の膜厚を厚く構成
すると共に、該ヨーク35の周囲のSiO2等からなる非磁性
絶縁膜24内にヘリカル状の記録用のコイル導体膜41を配
置したことである。
【0027】このようなヘッド構成とすることによって
も前記図2(a), (b)による第2実施例と同様な効果が得
られると共に、簡単なコイル付加構成により高密度な記
録再生を可能とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドを実現す
ることができる。
も前記図2(a), (b)による第2実施例と同様な効果が得
られると共に、簡単なコイル付加構成により高密度な記
録再生を可能とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドを実現す
ることができる。
【0028】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドによれば、MR素子の
先端を媒体対向面に露出する必要がないので、従来の如
き接触に起因する記録媒体面への電気的なダメージ (電
気的損傷) 、或いはショートによるノイズの発生等を防
止することができ、再生信号のS/Nが向上すると共
に、記録媒体面に対して0.1 μm以下の極低浮上量で信
頼性良く情報を再生することが可能となる。
に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドによれば、MR素子の
先端を媒体対向面に露出する必要がないので、従来の如
き接触に起因する記録媒体面への電気的なダメージ (電
気的損傷) 、或いはショートによるノイズの発生等を防
止することができ、再生信号のS/Nが向上すると共
に、記録媒体面に対して0.1 μm以下の極低浮上量で信
頼性良く情報を再生することが可能となる。
【0029】また、MR素子に流入した磁束が両側のシ
ールド磁性層に吸収される経路を制御することにより、
再生出力に対する磁束の寄与効率が著しく向上すること
が可能となる。
ールド磁性層に吸収される経路を制御することにより、
再生出力に対する磁束の寄与効率が著しく向上すること
が可能となる。
【0030】更に、ヨークに沿って記録用のコイル導体
膜を配設し、前記2つのシールド磁性層を磁極として兼
用することにより、当該MRヘッドに別の記録用磁気ヘ
ッドを付設することなく、簡単なコイル付加構成により
1〜5μmコア幅程度の高密度な記録再生が実現できる
等、実用上多くの優れた効果を奏する。
膜を配設し、前記2つのシールド磁性層を磁極として兼
用することにより、当該MRヘッドに別の記録用磁気ヘ
ッドを付設することなく、簡単なコイル付加構成により
1〜5μmコア幅程度の高密度な記録再生が実現できる
等、実用上多くの優れた効果を奏する。
【図1】 本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの第
1実施例を概念的に示す平面図及びその要部断面図であ
る。
1実施例を概念的に示す平面図及びその要部断面図であ
る。
【図2】 本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの第
2実施例を概念的に示す平面図及びその要部断面図であ
る。
2実施例を概念的に示す平面図及びその要部断面図であ
る。
【図3】 本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの第
2実施例における第1シールド磁性層を示す平面図であ
る。
2実施例における第1シールド磁性層を示す平面図であ
る。
【図4】 本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの第
3実施例を概念的に示す平面図及びその要部断面図であ
る。
3実施例を概念的に示す平面図及びその要部断面図であ
る。
【図5】 従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを説明する
ための要部断面図である。
ための要部断面図である。
21 導電性基板 22 絶縁層 23,33 第1シールド磁性層 24 非磁性絶縁膜 25,35 ヨーク 26 MR素子 27 引出し端子 28 第2シールド磁性層 29 媒体対向面 30 絶縁保護膜 31,41 コイル導体膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 兼 淳一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】 磁気抵抗効果素子(26)の両側にそれぞれ
非磁性絶縁膜(24)とシールド磁性体(23, 28)とを配設し
たヘッド構造において、 前記磁気抵抗効果素子(26)を記録媒体と対向するヘッド
の先端面(29)から後退させて設け、前記シールド磁性体
間にヨーク(25)をその先端部が前記ヘッド先端面(29)に
露出するように、その後端部が前記磁気抵抗効果素子(2
6)の先端部と磁気的に結合するように設け、かつ前記2
つのシールド磁性体(23, 28)間の間隔を、ヨーク(25)の
先端領域と磁気抵抗効果素子(26)の後端領域で狭くした
ことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項2】 前記ヨーク(25)は、先端部の幅を狭めた
形状としたことを特徴とする請求項1の磁気抵抗効果型
磁気ヘッド。 - 【請求項3】 少なくとも一方のシールド磁性体(33)は
先端部の幅が前記ヨーク(25)の先端部の形状に合わせて
狭く形成され、かつ該ヨーク(25)に沿って記録用のコイ
ル導体膜(31)を配設してなることを特徴とする請求項2
の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3272370A JPH05114119A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| EP92921337A EP0563398B1 (en) | 1991-10-21 | 1992-10-20 | Magneto-resistive head |
| PCT/JP1992/001363 WO1993008562A2 (en) | 1991-10-21 | 1992-10-20 | Magneto-resistive head |
| DE69224432T DE69224432T2 (de) | 1991-10-21 | 1992-10-20 | Magnetoresistiver kopf |
| US08/435,379 US5583726A (en) | 1991-10-21 | 1995-05-05 | Magneto-resistive head using flux guide |
| US08/709,270 US5777827A (en) | 1991-10-21 | 1996-09-06 | Horizontal type magneto-resistive head using flux guide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3272370A JPH05114119A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114119A true JPH05114119A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17512946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3272370A Pending JPH05114119A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5583726A (ja) |
| EP (1) | EP0563398B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05114119A (ja) |
| DE (1) | DE69224432T2 (ja) |
| WO (1) | WO1993008562A2 (ja) |
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| US6665152B2 (en) | 2001-03-28 | 2003-12-16 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head that detects leakage fluxes from a medium at a high resolution and leads the fluxes into a magneto-resistive element |
| KR100804915B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2008-02-20 | 가부시끼가이샤 도시바 | 수평요크형 자기 재생 헤드 및 자기 재생 장치 |
| US8514526B2 (en) | 2009-10-14 | 2013-08-20 | HGST Netherlands B.V. | Magnetoresistive magnetic head having a non-magnetic part on a medium facing surface side of the sensor |
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| FR2716741B1 (fr) * | 1994-02-28 | 1996-04-05 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés. |
| KR0153311B1 (ko) * | 1994-04-06 | 1998-12-15 | 가나이 쯔도무 | 자기 저항 효과형 박막 자기 헤드 및 그 제조 방법 |
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-
1991
- 1991-10-21 JP JP3272370A patent/JPH05114119A/ja active Pending
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1992
- 1992-10-20 EP EP92921337A patent/EP0563398B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-20 DE DE69224432T patent/DE69224432T2/de not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001024 |