JPH05114582A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH05114582A JPH05114582A JP3302486A JP30248691A JPH05114582A JP H05114582 A JPH05114582 A JP H05114582A JP 3302486 A JP3302486 A JP 3302486A JP 30248691 A JP30248691 A JP 30248691A JP H05114582 A JPH05114582 A JP H05114582A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハなどに対して真空処理装置自体
からの重金属の発生にもとずく汚染を防止すること。 【構成】 真空室２内に、プラズマ発生用の上部電極５
及び下部電極６を設けると共に、真空室２の搬入側及び
搬出側に夫々ロ−ドロック室３、４を設置する。真空室
２及びロ−ドロック室３、４の壁部材としてアルミニウ
ム板を用い、このアルミニム板に対して陽極酸化処理を
行い、次いで例えば１３０〜１４０℃の水蒸気を３０分
間接触させて封孔処理を行う、このような表面処理をお
こなった後アルミニウム板を組み立てて真空室２やロ−
ドロック室３、４を構成する。また電極５、６について
もアルミニウム材を用いて同様な表面処理を行う。
からの重金属の発生にもとずく汚染を防止すること。 【構成】 真空室２内に、プラズマ発生用の上部電極５
及び下部電極６を設けると共に、真空室２の搬入側及び
搬出側に夫々ロ−ドロック室３、４を設置する。真空室
２及びロ−ドロック室３、４の壁部材としてアルミニウ
ム板を用い、このアルミニム板に対して陽極酸化処理を
行い、次いで例えば１３０〜１４０℃の水蒸気を３０分
間接触させて封孔処理を行う、このような表面処理をお
こなった後アルミニウム板を組み立てて真空室２やロ−
ドロック室３、４を構成する。また電極５、６について
もアルミニウム材を用いて同様な表面処理を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体ウエハを
真空処理するための真空処理装置に関する。
真空処理するための真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの処理工程において、粒子
レベルあるいは原子、分子レベルの汚染物質がウエハ内
に混入することを避けることは重要な課題の一つであ
り、このためエッチングなどの真空処理を行う装置にお
いても、搬送系、ガス供給系、または構成部品の材質と
いった種々の面から対策が講じられている。例えばエッ
チング装置では、通常真空室の内壁面にアルマイト処理
が施されていて酸化皮膜（酸化アルミニウム皮膜）が形
成されており、高周波電界を形成するための電極の表面
についてもアルミニウムを用いた場合にはアルマイト処
理が施されている。また真空室の搬入側、搬出側にロー
ドロック室（予備真空室）が設置される場合には、ロー
ドロック室の内壁面についても同様な処理が施されてい
る。
レベルあるいは原子、分子レベルの汚染物質がウエハ内
に混入することを避けることは重要な課題の一つであ
り、このためエッチングなどの真空処理を行う装置にお
いても、搬送系、ガス供給系、または構成部品の材質と
いった種々の面から対策が講じられている。例えばエッ
チング装置では、通常真空室の内壁面にアルマイト処理
が施されていて酸化皮膜（酸化アルミニウム皮膜）が形
成されており、高周波電界を形成するための電極の表面
についてもアルミニウムを用いた場合にはアルマイト処
理が施されている。また真空室の搬入側、搬出側にロー
ドロック室（予備真空室）が設置される場合には、ロー
ドロック室の内壁面についても同様な処理が施されてい
る。
【０００３】このようなアルマイト処理を行う方法とし
ては、真空室やロードロック室の組み立て部材としてア
ルミニウム材を用い、このアルミニウム材に対して陽極
酸化処理を行って表面に酸化皮膜を形成する方法が一般
的に採用されている。陽極酸化処理によれば、メッキ処
理や塗装処理などに比べて酸化皮膜をアルミニウム材表
面に一体的に強固に形成されるため最も有効な方法であ
り、そしてこの酸化皮膜は化学的に不活性な不動態物質
であるため、高真空度の状態下において、またプラズマ
の照射に対してもアルミニウム材の表面からの金属粒子
の飛散が抑えられ、ウエハの重金属汚染防止を図る上で
有効である。
ては、真空室やロードロック室の組み立て部材としてア
ルミニウム材を用い、このアルミニウム材に対して陽極
酸化処理を行って表面に酸化皮膜を形成する方法が一般
的に採用されている。陽極酸化処理によれば、メッキ処
理や塗装処理などに比べて酸化皮膜をアルミニウム材表
面に一体的に強固に形成されるため最も有効な方法であ
り、そしてこの酸化皮膜は化学的に不活性な不動態物質
であるため、高真空度の状態下において、またプラズマ
の照射に対してもアルミニウム材の表面からの金属粒子
の飛散が抑えられ、ウエハの重金属汚染防止を図る上で
有効である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで陽極酸化処理
によって形成された酸化皮膜は多孔性であり、このため
孔のあいている部分では、酸化皮膜の膜厚が薄くなって
いるので、真空室の内壁面などが高真空状態やプラズマ
にさらされたときに下地のアルミニウム材からアルミニ
ウムや合金成分が飛散してウエハ内に混入するおそれが
ある。この場合アルミニウム材の表面に一応アルマイト
処理がされているため、アルミニウムや合金成分が飛散
したとしてもその飛散量は僅かであると考えられるが、
今後半導体デバイスの集積度が増々高められていく傾向
にあることから、重金属汚染量の許容範囲も狭められ、
従って従来の真空処理装置では、真空室内壁面などから
の重金属の飛散にもとずいて歩留まりの低下が起こるお
それがある。
によって形成された酸化皮膜は多孔性であり、このため
孔のあいている部分では、酸化皮膜の膜厚が薄くなって
いるので、真空室の内壁面などが高真空状態やプラズマ
にさらされたときに下地のアルミニウム材からアルミニ
ウムや合金成分が飛散してウエハ内に混入するおそれが
ある。この場合アルミニウム材の表面に一応アルマイト
処理がされているため、アルミニウムや合金成分が飛散
したとしてもその飛散量は僅かであると考えられるが、
今後半導体デバイスの集積度が増々高められていく傾向
にあることから、重金属汚染量の許容範囲も狭められ、
従って従来の真空処理装置では、真空室内壁面などから
の重金属の飛散にもとずいて歩留まりの低下が起こるお
それがある。
【０００５】本発明はこのような事情のもとになされた
ものであり、その目的は、真空室やロードロック室の内
壁面からの金属粒子の飛散にもとずくウエハの重金属汚
染を防止することにある。
ものであり、その目的は、真空室やロードロック室の内
壁面からの金属粒子の飛散にもとずくウエハの重金属汚
染を防止することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、アル
ミニウムの酸化皮膜が内壁面に形成された真空室を備
え、この真空室内にて被処理体に対して真空処理を行う
装置において、前記真空室の内壁面は、高温の水分に接
触することにより封孔処理されていることを特徴とす
る。
ミニウムの酸化皮膜が内壁面に形成された真空室を備
え、この真空室内にて被処理体に対して真空処理を行う
装置において、前記真空室の内壁面は、高温の水分に接
触することにより封孔処理されていることを特徴とす
る。
【０００７】請求項２の発明は、被処理体に対して真空
処理を行うための真空室と、この真空室に接続されたロ
−ドロック室とを備えた真空処理装置において、前記ロ
ードロック室の内壁面は、アルミニウムの酸化皮膜が形
成された後、高温の水分に接触することにより封孔処理
されていることを特徴とする。
処理を行うための真空室と、この真空室に接続されたロ
−ドロック室とを備えた真空処理装置において、前記ロ
ードロック室の内壁面は、アルミニウムの酸化皮膜が形
成された後、高温の水分に接触することにより封孔処理
されていることを特徴とする。
【０００８】
【作用】真空室及びロードロック室の壁部材をなすアル
ミニウム板に対して例えば陽極酸化処理を行うと、アル
ミニウム板の表面に多孔性のアルミニウムの酸化皮膜が
形成される。次いでこのアルミニウム板の表面に例えば
加圧された高温の水蒸気を接触させると酸化皮膜が水和
反応によりベーマイト化されて、酸化皮膜の表面の微小
な孔が封孔される。このため下地の例えばアルミニウム
板が酸化皮膜によって完全に保護され、真空室やロード
ロック室の内壁面の腐食が抑えられるので、高真空状態
におかれても金属粒子の飛散を防止できる。
ミニウム板に対して例えば陽極酸化処理を行うと、アル
ミニウム板の表面に多孔性のアルミニウムの酸化皮膜が
形成される。次いでこのアルミニウム板の表面に例えば
加圧された高温の水蒸気を接触させると酸化皮膜が水和
反応によりベーマイト化されて、酸化皮膜の表面の微小
な孔が封孔される。このため下地の例えばアルミニウム
板が酸化皮膜によって完全に保護され、真空室やロード
ロック室の内壁面の腐食が抑えられるので、高真空状態
におかれても金属粒子の飛散を防止できる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明をエッチング装置に適用した実
施例を示す断面図であり、同図のエッチング装置は、ウ
エハにエッチングを行うための真空室２と、この真空室
２内に外部からウエハを搬入するための搬入側ロードロ
ック室（予備真空室）３と、前記真空室２内にてエッチ
ング処理されたウエハを外部に搬出するための搬出側ロ
ードロック室４とを備えている。
施例を示す断面図であり、同図のエッチング装置は、ウ
エハにエッチングを行うための真空室２と、この真空室
２内に外部からウエハを搬入するための搬入側ロードロ
ック室（予備真空室）３と、前記真空室２内にてエッチ
ング処理されたウエハを外部に搬出するための搬出側ロ
ードロック室４とを備えている。
【００１０】前記真空室２内には、高周波電源Ｅに接続
された上部電極５及び接地された下部電極６が上下に対
向して配設されており、上部電極５は、下面に多数の孔
を備えた偏平円筒状に形成されると共に、中空部内より
り前記多数の孔を介して真空室２内に処理ガスを供給す
るように、ガス供給管５０が連結され、かつ昇降機構５
１により昇降自在に構成されている。前記上部電極５の
上面には、冷却液供給管５２よりの冷却液により上部電
極５を冷却するための冷却ブロック５３が設けられ、上
部電極５の外周には、プラズマを下部電極６上に載置さ
れたウエハに対応する大きさとするために絶縁性シール
ドリング５４が設けられている。
された上部電極５及び接地された下部電極６が上下に対
向して配設されており、上部電極５は、下面に多数の孔
を備えた偏平円筒状に形成されると共に、中空部内より
り前記多数の孔を介して真空室２内に処理ガスを供給す
るように、ガス供給管５０が連結され、かつ昇降機構５
１により昇降自在に構成されている。前記上部電極５の
上面には、冷却液供給管５２よりの冷却液により上部電
極５を冷却するための冷却ブロック５３が設けられ、上
部電極５の外周には、プラズマを下部電極６上に載置さ
れたウエハに対応する大きさとするために絶縁性シール
ドリング５４が設けられている。
【００１１】また前記下部電極６の上面側には、ウエハ
Ｗの周縁部を押えて当該下部電極６上に保持するための
クランプ手段６１が昇降機構６２により昇降自在に配置
されると共に、下部電極６の下面側には冷却液供給管６
３よりの冷却液により当該電極６を冷却するように冷却
ブロック６４が設けられている。更に前記下部電極６の
側部には、排気孔６５を有する排気リング６６が真空室
２の底面と間隙を介して嵌合して設けられており、真空
室２内のガスは、前記排気孔６５を介して排気リング６
６の下方側に排出し、さらに図示しない排気管により外
部に排気されることとなる。
Ｗの周縁部を押えて当該下部電極６上に保持するための
クランプ手段６１が昇降機構６２により昇降自在に配置
されると共に、下部電極６の下面側には冷却液供給管６
３よりの冷却液により当該電極６を冷却するように冷却
ブロック６４が設けられている。更に前記下部電極６の
側部には、排気孔６５を有する排気リング６６が真空室
２の底面と間隙を介して嵌合して設けられており、真空
室２内のガスは、前記排気孔６５を介して排気リング６
６の下方側に排出し、さらに図示しない排気管により外
部に排気されることとなる。
【００１２】前記ロードロック室３、４は、外部（大気
雰囲気）との間及び真空室２との間に気密を保持するた
めにゲートバルブＧ１（Ｇ４）、Ｇ２（Ｇ３）を備えて
おり、各ロードロック室３、４内には、例えば伸縮、上
下動、回転の自由度をもったウエハ搬送アーム３１、４
１が設置されている。また各ロードロック室３、４には
図示しない排気管が接続されている。
雰囲気）との間及び真空室２との間に気密を保持するた
めにゲートバルブＧ１（Ｇ４）、Ｇ２（Ｇ３）を備えて
おり、各ロードロック室３、４内には、例えば伸縮、上
下動、回転の自由度をもったウエハ搬送アーム３１、４
１が設置されている。また各ロードロック室３、４には
図示しない排気管が接続されている。
【００１３】そして前記真空室２及びロードロック室
３、４の上下、側面を構成する壁部材としては、例えば
ＪＩＳ規格Ａ５０５２、厚さ１８ｍｍのアルミニウム板
が用いられており、このアルミニウム板は、図２に示す
工程により表面処理される。先ずアルミニウム板を例え
ば液温５０〜６０℃のアルカリ溶液中に１〜３分間浸漬
して表面の脱脂処理を行い、水洗後例えば液温６５〜７
０℃の水酸化ナトリウム溶液中に３０〜６０秒間浸漬し
てエッチングを行う。次いで水洗後例えば液温５０〜６
０℃の酢酸中に１分間浸漬して酸洗いを行い、水洗後陽
極酸化処理を行ってアルミニウム板の表面にアルミニウ
ムの酸化皮膜を形成する。この場合例えばシュウ酸系溶
液による陽極酸化処理と硫酸系溶液による陽極酸化処理
との２段階処理が行われる。
３、４の上下、側面を構成する壁部材としては、例えば
ＪＩＳ規格Ａ５０５２、厚さ１８ｍｍのアルミニウム板
が用いられており、このアルミニウム板は、図２に示す
工程により表面処理される。先ずアルミニウム板を例え
ば液温５０〜６０℃のアルカリ溶液中に１〜３分間浸漬
して表面の脱脂処理を行い、水洗後例えば液温６５〜７
０℃の水酸化ナトリウム溶液中に３０〜６０秒間浸漬し
てエッチングを行う。次いで水洗後例えば液温５０〜６
０℃の酢酸中に１分間浸漬して酸洗いを行い、水洗後陽
極酸化処理を行ってアルミニウム板の表面にアルミニウ
ムの酸化皮膜を形成する。この場合例えばシュウ酸系溶
液による陽極酸化処理と硫酸系溶液による陽極酸化処理
との２段階処理が行われる。
【００１４】しかる後このアルミニウムの表面に例えば
２Ｋｇ／ｃｍ２に加圧された温度１３０〜１４０℃の水
蒸気を６０分間接触させて蒸気封孔処理を行い、その後
乾燥する。ここで図３は陽極酸化処理を行った後のアル
ミニウム板の表面を模式的に示す図であり、陽極酸化処
理によって生成されたアルミニウム板Ａ上の酸化皮膜１
１の表面には多数の孔１０が形成されているが、上述の
ように高温の水蒸気を酸化皮膜１１の表面に接触させる
と、水和反応が進行しベーマイト化して点線のように孔
１０が封じられる。またこの実施例では、真空室２内の
上部電極５、下部電極６、冷却ブロック５３、クランプ
手段６、排気リング６６についてもアルミニウム材が用
いられ、同様に図２に示す処理が施されている。
２Ｋｇ／ｃｍ２に加圧された温度１３０〜１４０℃の水
蒸気を６０分間接触させて蒸気封孔処理を行い、その後
乾燥する。ここで図３は陽極酸化処理を行った後のアル
ミニウム板の表面を模式的に示す図であり、陽極酸化処
理によって生成されたアルミニウム板Ａ上の酸化皮膜１
１の表面には多数の孔１０が形成されているが、上述の
ように高温の水蒸気を酸化皮膜１１の表面に接触させる
と、水和反応が進行しベーマイト化して点線のように孔
１０が封じられる。またこの実施例では、真空室２内の
上部電極５、下部電極６、冷却ブロック５３、クランプ
手段６、排気リング６６についてもアルミニウム材が用
いられ、同様に図２に示す処理が施されている。
【００１５】次に上述実施例の作用について述べる。先
ずゲートバルブＧ２、Ｇ３を閉じておいて、真空室２内
を図示しない真空ポンプにより例えば５０ｍＴｏｒｒの
真空度まで真空排気すると共に、搬送アーム３１により
外部からウエハを搬入側のロードロック室３内に取り込
み、ゲートバルブＧ１を閉じた後ロードロック室３内を
図示しない真空ポンプにより数十ｍＴｏｒｒまで真空排
気し、しかる後ゲートバルブＧ２を開いて搬送アーム３
１上のウエハを真空室２内の下部電極６に受け渡す。こ
の受け渡しは、下部電極６の上面より図示しないリフタ
ピンを突出させ、このリフタピン上に搬送アーム３１よ
りのウエハを搬送し、リフタピンを下降させることによ
って行われる。次いでゲートバルブＧ２を閉じた後上部
電極５を下部電極６との間が数ｍｍ程度となるように昇
降機構５１により下降させ、ハロゲンガスなどの処理ガ
スをガス供給管５０より上部電極５の孔を介して真空室
２内に導入し、高周波電源Ｅにより電極５、６間に高周
波電圧を印加してプラズマを発生させ、下部電極６上の
ウエハＷに対してエッチングを行う。プラズマは主に上
部電極５と下部電極６の間に集中して発生するが、真空
室２内の圧力が例えば１００Ｔｏｒｒ以下になると、プ
ラズマの拡散現象により真空室２の内壁面をプラズマ中
のイオンがスパッタする。そして搬出側のロードロック
室４内を予め数十ｍＴｏｒｒまで真空排気しておき、真
空室１内のウエハＷを上述の搬入のプロセスと逆のプロ
セスでロードロック室４内に搬出し、ロードロック室４
内を大気圧に戻した後搬送アーム４１上のウエハを外部
に搬出する。
ずゲートバルブＧ２、Ｇ３を閉じておいて、真空室２内
を図示しない真空ポンプにより例えば５０ｍＴｏｒｒの
真空度まで真空排気すると共に、搬送アーム３１により
外部からウエハを搬入側のロードロック室３内に取り込
み、ゲートバルブＧ１を閉じた後ロードロック室３内を
図示しない真空ポンプにより数十ｍＴｏｒｒまで真空排
気し、しかる後ゲートバルブＧ２を開いて搬送アーム３
１上のウエハを真空室２内の下部電極６に受け渡す。こ
の受け渡しは、下部電極６の上面より図示しないリフタ
ピンを突出させ、このリフタピン上に搬送アーム３１よ
りのウエハを搬送し、リフタピンを下降させることによ
って行われる。次いでゲートバルブＧ２を閉じた後上部
電極５を下部電極６との間が数ｍｍ程度となるように昇
降機構５１により下降させ、ハロゲンガスなどの処理ガ
スをガス供給管５０より上部電極５の孔を介して真空室
２内に導入し、高周波電源Ｅにより電極５、６間に高周
波電圧を印加してプラズマを発生させ、下部電極６上の
ウエハＷに対してエッチングを行う。プラズマは主に上
部電極５と下部電極６の間に集中して発生するが、真空
室２内の圧力が例えば１００Ｔｏｒｒ以下になると、プ
ラズマの拡散現象により真空室２の内壁面をプラズマ中
のイオンがスパッタする。そして搬出側のロードロック
室４内を予め数十ｍＴｏｒｒまで真空排気しておき、真
空室１内のウエハＷを上述の搬入のプロセスと逆のプロ
セスでロードロック室４内に搬出し、ロードロック室４
内を大気圧に戻した後搬送アーム４１上のウエハを外部
に搬出する。
【００１６】このような実施例によれば、真空室２及び
ロードロック室３、４の壁部や電極５、６などを構成す
るアルミニウム材の表面に陽極酸化処理により酸化皮膜
が一体的に形成され、しかも酸化皮膜の表面が高温の水
蒸気により封孔処理されているため、下地のアルミニウ
ム材は酸化皮膜によって完全に保護される。従って真空
室２やロードロック室３、４の内壁などが空気あるいは
ハロゲンガスなどにさらされても腐食が実質上完全に抑
えられるので、高真空状態におかれてもアルミニウムあ
るいは他の合金成分の飛散を防止することができ、ウエ
ハに対する重金属汚染を防止できると共に前記内壁面な
どが平坦化されるのでガスの残留を抑えることができ
る。そして酸化皮膜の封孔処理は、アルミニウム材を酢
酸ニッケル溶液中に浸漬することによっても良好に行う
ことができるが、この場合にはニッケルが酸化皮膜中に
取り込まれて汚染源の要因になるおそれがあり、従って
ウエハの真空処理装置への適用については、水蒸気封孔
処理よりも劣る。
ロードロック室３、４の壁部や電極５、６などを構成す
るアルミニウム材の表面に陽極酸化処理により酸化皮膜
が一体的に形成され、しかも酸化皮膜の表面が高温の水
蒸気により封孔処理されているため、下地のアルミニウ
ム材は酸化皮膜によって完全に保護される。従って真空
室２やロードロック室３、４の内壁などが空気あるいは
ハロゲンガスなどにさらされても腐食が実質上完全に抑
えられるので、高真空状態におかれてもアルミニウムあ
るいは他の合金成分の飛散を防止することができ、ウエ
ハに対する重金属汚染を防止できると共に前記内壁面な
どが平坦化されるのでガスの残留を抑えることができ
る。そして酸化皮膜の封孔処理は、アルミニウム材を酢
酸ニッケル溶液中に浸漬することによっても良好に行う
ことができるが、この場合にはニッケルが酸化皮膜中に
取り込まれて汚染源の要因になるおそれがあり、従って
ウエハの真空処理装置への適用については、水蒸気封孔
処理よりも劣る。
【００１７】またロードロック室は大気側に頻繁に開放
されてその度に大気中の水分がロードロック室内に入り
込むが、内壁面の平坦化により水分の吸着量が抑えられ
るので、真空引きに要する時間を短縮でき、スループッ
トの向上に寄与する。
されてその度に大気中の水分がロードロック室内に入り
込むが、内壁面の平坦化により水分の吸着量が抑えられ
るので、真空引きに要する時間を短縮でき、スループッ
トの向上に寄与する。
【００１８】以上において本発明は、ロードロック室が
付設されていない装置に対しても適用することができ、
またロ−ドロック室を備えている場合は、このロ−ドロ
ック室についてのみ内壁面にアルミニウムの酸化皮膜が
形成されていてもよく、更にまた電極や排気リングなど
についてはアルミニウム以外の材質をそのまま用いても
よい。
付設されていない装置に対しても適用することができ、
またロ−ドロック室を備えている場合は、このロ−ドロ
ック室についてのみ内壁面にアルミニウムの酸化皮膜が
形成されていてもよく、更にまた電極や排気リングなど
についてはアルミニウム以外の材質をそのまま用いても
よい。
【００１９】そしてまた本発明では陽極酸化処理により
生成されたアルミニウムの酸化皮膜の表面が多孔性であ
るため、水蒸気封孔処理を施すことは有効であるが、陽
極酸化処理以外の方法により酸化皮膜の表面の一部ある
いは全部に微小な孔が形成される場合においても水蒸気
封孔処理を行ってもよい。
生成されたアルミニウムの酸化皮膜の表面が多孔性であ
るため、水蒸気封孔処理を施すことは有効であるが、陽
極酸化処理以外の方法により酸化皮膜の表面の一部ある
いは全部に微小な孔が形成される場合においても水蒸気
封孔処理を行ってもよい。
【００２０】なお本発明は、エッチングを行う装置に限
らずイオン注入やアッシングなどの他の真空処理を行う
場合に適用してもよいし、更にはウエハ以外のガラス基
板などに対して真空処理を行う場合にも適用することが
できる。
らずイオン注入やアッシングなどの他の真空処理を行う
場合に適用してもよいし、更にはウエハ以外のガラス基
板などに対して真空処理を行う場合にも適用することが
できる。
【００２１】
【発明の効果】請求項１の発明によれば真空室の内壁面
にアルミニウムの酸化皮膜を形成し、この酸化皮膜に対
して高温の水分を接触させて封孔処理を行っているた
め、高真空状態におかれても下地の金属部分あるいは封
孔部からの金属の飛散を確実に抑えることができ、この
結果ウエハに対する重金属汚染を防止することができる
と共に、酸化皮膜が平坦化されるためガスの残留を防止
することができ、ガスの置換性が向上する。
にアルミニウムの酸化皮膜を形成し、この酸化皮膜に対
して高温の水分を接触させて封孔処理を行っているた
め、高真空状態におかれても下地の金属部分あるいは封
孔部からの金属の飛散を確実に抑えることができ、この
結果ウエハに対する重金属汚染を防止することができる
と共に、酸化皮膜が平坦化されるためガスの残留を防止
することができ、ガスの置換性が向上する。
【００２２】また請求項２の発明によれば、ロードロッ
ク室の内壁面に対して封孔処理を行っているため、装置
自体からの重金属の発生にもとずくウエハの重金属汚染
をより一層防止することができる。しかもロードロック
室は大気側に頻繁に開放されてその度に大気中の水分が
ロードロック室内に入り込むため、内壁面の平坦化によ
り水分の吸着量が抑えられるので、真空引きに要する時
間を短縮でき、スループットの向上に寄与する。
ク室の内壁面に対して封孔処理を行っているため、装置
自体からの重金属の発生にもとずくウエハの重金属汚染
をより一層防止することができる。しかもロードロック
室は大気側に頻繁に開放されてその度に大気中の水分が
ロードロック室内に入り込むため、内壁面の平坦化によ
り水分の吸着量が抑えられるので、真空引きに要する時
間を短縮でき、スループットの向上に寄与する。
【図１】本発明の実施例の装置構成を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例におけるアルミニウム板の表面
処理を示すフロー図である。
処理を示すフロー図である。
【図３】アルミニウム板の表面における封孔処理の様子
を示す説明図である。
を示す説明図である。
２ 真空装置 ３、４， ロ−ドロック室 ５、６ 電極 ３１、４１ 搬送ア−ム ５０ ガス供給管 ６６ 排気リング
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミニウムの酸化皮膜が内壁面に形成
された真空室を備え、この真空室内にて被処理体に対し
て真空処理を行う装置において、 前記真空室の内壁面は、高温の水分に接触することによ
り封孔処理されていることを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】 被処理体に対して真空処理を行うための
真空室と、この真空室に接続されたロ−ドロック室とを
備えた真空処理装置において、前記ロードロック室の内
壁面は、アルミニウムの酸化皮膜が形成された後、高温
の水分に接触することにより封孔処理されていることを
特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3302486A JPH05114582A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3302486A JPH05114582A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114582A true JPH05114582A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17909540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3302486A Pending JPH05114582A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05114582A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6027629A (en) * | 1994-11-16 | 2000-02-22 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Vacuum chamber made of aluminum or its alloys, and surface treatment and material for the vacuum chamber |
| US6066392A (en) * | 1997-11-14 | 2000-05-23 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Al material excellent in thermal crack resistance and corrosion resistance |
| US6686053B2 (en) | 2001-07-25 | 2004-02-03 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | AL alloy member having excellent corrosion resistance |
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| JP2009526399A (ja) * | 2006-02-10 | 2009-07-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマに面する壁の水蒸気不動態化 |
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| US8124240B2 (en) | 2005-06-17 | 2012-02-28 | Tohoku University | Protective film structure of metal member, metal component employing protective film structure, and equipment for producing semiconductor or flat-plate display employing protective film structure |
| US8206833B2 (en) | 2005-06-17 | 2012-06-26 | Tohoku University | Metal oxide film, laminate, metal member and process for producing the same |
| US8282807B2 (en) | 2006-12-28 | 2012-10-09 | National University Corporation Tohoku University | Metal member having a metal oxide film and method of manufacturing the same |
| US8642187B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-02-04 | National University Corporation Tohoku University | Structural member to be used in apparatus for manufacturing semiconductor or flat display, and method for producing the same |
Citations (4)
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-
1991
- 1991-10-22 JP JP3302486A patent/JPH05114582A/ja active Pending
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