JPH05114685A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は、電気的特性の劣化等の原因とな
る絶縁フィルム、接着剤およびボンディングワイヤを使
用しない、より電気的特性が優れ、温度変化の影響を受
け難く、薄型化が可能で、かつ回路パターンの設計の自
由度を向上させた、ＬＯＣ構造型の内部構造を有する半
導体装置を得ることを目的とする。 【構成】 この発明では、ダイパッドの役目も果たす各
リード５のインナーリード５ａが、半導体チップ１の回
路形成面１ａ上を回路形成面１ａと所定の間隔をあけて
延び、回路形成面１ａの各電極パッド１０ａ上に形成さ
れた突起電極８あるいは２つ以上の電極パッドに共通に
形成された共用突起電極９に直接接合され、インナーリ
ード５ａと電極パッド１０ａが電気的に接続されると共
に、半導体チップ１と各リード５が機械的に固定され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、大型の半導体チップ
を樹脂封止した半導体装置、特にその内部構造に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】図１９は例えば特開昭６１−２４１９５
９号公報に示されている従来のこの種の半導体装置を示
す斜視図で、内部構造を示すために一部が破断されて示
されている。この半導体装置はリード・オン・チップ
(ＬＯＣ)構造を有するものである。ＬＯＣ構造とは、電
極パッドを半導体チップ上面の中央に配設し、その周囲
に絶縁層を設け、この絶縁層の上でインナーリードを引
き回すようにし、インナーリードの内側端と電極パッド
をボンディングワイヤで電気的に接続したものであり、
電気的特性の向上および大型チップでの配線の自由度を
増すという利点がある。

【０００３】製造工程としては、半導体チップの上面を
リードフレームの下面に絶縁層を介して接着し、次にイ
ンナーリードと電極パッドをボンディングワイヤで接続
し、最後にこれを樹脂封止する。なお、インナーリード
の部分はダイパッドの役割も果し、従ってダイパッドは
不要となる。

【０００４】図１９において、モールド樹脂２内には大
型の半導体チップ１が内蔵されている。この半導体チッ
プ１の回路形成面の中央には長手方向に沿って複数の電
極パッド７が一列に配列されており、両側からはそれぞ
れ複数のインナーリード５が電極パッド７の列の近傍ま
で延びている。そしてインナーリード５の先端と電極パ
ッド７がボンディングワイヤ４によって電気的に接続さ
れている。また、電極パッド７の列の両側にはこの列に
沿って共用インナーリード(バス・バー)６がそれぞれ延
びている。この共用インナーリード６は半導体チップ１
の両側のそれぞれの両端のインナーリード５と一続きに
形成されたもので、一般には電源リード或は接地リード
として使用される。

【０００５】半導体パッド１の回路形成面上の電極パッ
ド７の列の両側のパッドの設けられていない部分には、
絶縁性を有すると共にα線を遮断する効果を有するポリ
イミドからなる絶縁フィルム３が貼られており、インナ
ーリード５および共用インナーリード６はこれらの絶縁
フィルム３上に、例えば接着剤(図示せず)によって固定
されている。また絶縁フィルム３も同様に接着剤により
半導体チップ１に接着されている。

【０００６】また、特開平２−２４６１２５号公報には
同様のＬＯＣ構造を有する半導体装置において、絶縁フ
ィルムの面積を必要最小限にするために、インナーリー
ドの先端側だけを半導体チップの上面に接着し、絶縁フ
ィルムを半導体チップ上面のインナーリードの先端側を
接着する部分だけに設け、かつ、インナーリードの外側
をチップ上面から離すように持ち上げたものが開示され
ている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】以上のように構成され
た従来の半導体装置においては、以下のような課題があ
った。 (１) 半導体チップの回路形成面上に複数のインナーリ
ードが絶縁フィルムを介して接着剤で接着されているた
め、インナーリードと半導体チップとの間の浮遊容量が
大きくなるため、信号伝送速度がその浮遊容量の大きく
なった分だけ遅くなると共に電気的ノイズも大きくなる
という問題点があった。 (２) 絶縁フィルムが吸湿性が高いため、吸湿水分量が
多くなり、リフロー時、すなわち例えば、完成した半導
体装置を回路基板に半だ付けする際に半導体装置全体を
高温にした状態で半だ付けを行うが、その際に吸湿され
た水分がパッケージの中で気化膨張してパッケージ破壊
が発生するという問題点があった。 (３) 絶縁フィルムはポリイミド系の樹脂からなるため
他の部材との熱膨張係数が大きく異なり、温度変化に弱
いという問題点があった。 (４) 半導体チップと絶縁フィルムの間および絶縁フィ
ルムとインナーリードの間を固定するために接着剤が使
用されているため、使用過程における接着剤の劣化に伴
い、接着剤内の不純物によりリード間の電気的リークお
よびアルミニウム電極パッドの腐食が生じ信頼性が低下
する問題点があった。 (５) 半導体チップの回路形成面上の電極パッドとイン
ナーリードあるいは共用インナーリードとを電気的に接
続する際にボンディングワイヤを使用しているが、ボン
ディングワイヤのループの高さが高いので、パッケージ
を薄くすることができないという問題点があった。 (６) インナーリードおよび共用インナーリードは半導
体チップの回路形成面内の能動素子が形成されている領
域の真上に絶縁フィルムおよび接着剤を介して固定され
ているので、半導体チップの回路形成面上の電極パッド
とインナーリードあるいは共用インナーリードをボンデ
ィングワイヤで電気的に接続する際に、能動素子が機械
的ダメージを受ける可能性があるという問題点があっ
た。 (７) ボンディングワイヤを使用しているため、ボンデ
ィングワイヤ自身の電気的抵抗により信号伝送速度が遅
くなると共に電気的ノイズも大きくなるという問題点が
あった。 (８) 共用インナーリードがインナーリードと共に一体
に形成されているので、互いに交差させたり、特殊な形
状のパターンで形成できないなど、パターン設計の自由
度が小さいという問題点があった。

【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、動作速度が速いおよびノイズの
少ない等、電気的特性が優れ、温度変化の影響を受け難
く、薄型化が可能で、かつ半導体チップ上の電極パッド
とインナーリードとの接続回路の回路パターンの設計の
自由度を向上させた等の特徴を持ったＬＯＣ構造型の内
部構造を有する半導体装置を提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的に鑑み、この
発明は、半導体チップをモールド樹脂で樹脂封止した半
導体装置であって、保護膜で覆われた回路形成面を有す
る半導体チップと、この半導体チップの回路形成面の中
央を含む所望の位置にそれぞれ形成された複数の電極パ
ッドと、これらの電極パッド上にそれぞれ形成された所
定の高さを有する突起電極と、半導体チップの外側から
それぞれの突起電極に向かって、回路形成面との間に所
定の間隔をあけて延び、突起電極に直接固定されて電気
的に接続されたインナーリード、およびこのインナーリ
ードとひと続きになって上記モールド樹脂の外部に延び
るアウターリードからなる複数のリードと、各リードの
アウターリードが外部に露出するように上記各部分を樹
脂封止するモールド樹脂と、を備えた半導体装置にあ
る。

【００１０】また、２つ以上の上記電極パッドと電気的
に接続されるように共通に形成された、回路形成面の保
護膜上に延びる所定の高さを有する共用突起電極をさら
に備えた。また、突起電極同士、共用突起電極同士ある
いは突起電極と共用突起電極との間を電気的に接続する
ための、配線導体を半導体チップの回路形成面の保護膜
の下に形成した。また、共用突起電極に沿って保護膜の
下を延びる配線導体、およびこの配線導体に沿って保護
膜に形成された複数の開口部をさらに備え、共用突起電
極を各開口部を介して配線導体に電気的に接続されるよ
うに形成した。また、各リードのインナーリードの突起
電極あるいは共用突起電極に固定接続される部分を他の
部分より細く形成した。また、突起電極および共用突起
電極が形成された領域を除く半導体チップの回路形成面
にα線を遮断する薄い誘電体層を形成した。

【００１１】

【作用】この発明に係る半導体装置では、各リードのイ
ンナーリードが半導体チップ上を回路形成面と所定の間
隔をあけて延びて、電極パッド上に形成された対応する
それぞれの突起電極に直接固定接続される。これにより
半導体チップとリードが電気的に接続されると共に機械
的に固定される。従って回路形成面上には絶縁層を設け
る必要がない。また、このインナーリードはダイパッド
の役目も果たすため、ダイパッドを設ける必要もない。
また、２つ以上の電極パッドと電気的に接続されるよう
に共通に形成された共用突起電極を形成することによ
り、同種の複数の電極パッドを半導体チップ側で接続す
るようにした。また、突起電極同士、共用突起電極同士
あるいは突起電極と共用突起電極との間を半導体チップ
の回路形成面の保護膜の下に形成した配線導体で電気的
に接続するようにし、突起電極間の相互の接続を容易に
した。また、共用突起電極とこれに沿って保護膜の下を
延びる配線導体を保護膜に形成された複数の開口部を介
して電気的に接続するようにして、共用突起電極の電圧
を安定させかつノイズを減少させるようにした。また、
各リードのインナーリードの突起電極あるいは共用突起
電極に固定接続される部分を他の部分より細く形成し、
突起電極とインナーリードの接続の際、該接続部分の温
度が上がり易いようにした。また、突起電極および共用
突起電極が形成された領域を除く半導体チップの回路形
成面にα線を遮断する薄い誘電体層を形成し、インナー
リードが原因のα線ソフト・エラーを防止するようにし
た。

【００１２】

【実施例】以下、この発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。なお、各図において、従来のものと同一も
しくは相当する部分は同一符号で示す。図１はこの発明
の第１の実施例による半導体装置の破断斜視図、図２は
図１の半導体チップ１の回路形成面１ａ上の突起電極８
あるいは共用突起電極９が形成された部分の鉛直断面図
である。モールド樹脂２内に収納された半導体チップ１
のシリコン基板１２の回路形成面１ａ上には複数の電極
パッド１０ａが形成されており、これらの電極パッド１
０ａ上にそれぞれ突起電極８(バンプ)が形成されてい
る。半導体チップ１の長手方向にそれぞれ延びる共用突
起電極９は、同種の複数の電極パッド１０ａ上を通って
これらに共通に接続するように形成された突起電極で、
電源電極、接地電極あるいは基準電圧電極として使用さ
れる。各電極パッド１０ａはアルミ(Ａｌ)、また各突起
電極８、９は金(Ａｕ)からなり、それぞれ例えば写真製
版技術により形成される。なお、半導体チップ１の突起
電極８、９が形成されていない残りの表面(側面および
裏面も含む)は通常、酸化等を防止する保護膜であるパ
ッシベーション膜１１が形成されている。このパッシベ
ーション膜１１は従来の半導体チップにも通常形成され
ている保護膜であり、従来のものはこのパッシベーショ
ン膜の上に接着材により絶縁フィルムが貼られている。
このパッシベーション膜１１は写真製版技術により形成
されるものであり、例えばＳiＮあるいはＳiＯ₂からな
り、厚みは０.７ミクロン程度と非常に薄い。

【００１３】各リード５はそれぞれモールド樹脂２の内
側のインナーリード５ａおよびモールド樹脂２から露出
しているアウターリード５ｂからなり、インナーリード
５ａの内側端が突起電極８あるいは共用突起電極９に接
合されている。このインナーリード５ａは半導体チップ
１の外側からそれぞれの突起電極８、９に向かって、回
路形成面１ａとの間に所定の間隔をあけて延びている。
ニッケル鉄(Ｆｅ−Ｎｉ)あるいは銅(Ｃｕ)からなるイン
ナーリード５ａと各突起電極８、９は、インナーリード
５ａを突起電極８、９上に押し付け、加熱することによ
り接合される。このため、インナーリード５ａの突起電
極８、９と接合される部分、すなわち内側端部分は他の
部分に比べて細くされ、加熱し易いようにされている。
そして各インナーリード５ａが対応するそれぞれの突起
電極８、９に直接固定接続されることにより、半導体チ
ップ１とリード５は電気的に接続されると共に機械的に
固定される。すなわちリード５のインナーリード５ａは
ダイパッドの役目も果たす。なお、樹脂封止を行った際
にはモールド樹脂２がインナーリード５ａと半導体チッ
プ１の間に入り込む。

【００１４】この第１の実施例においては、従来のよう
な絶縁フィルムおよび半導体チップ、絶縁層およびイン
ナーリードをそれぞれ接着する接着剤が使用されていな
い。従って、 (１) インナーリード５ａと半導体チップ１との間の浮
遊容量が減少するので、信号伝送速度の低下を防ぐと共
に電気的ノイズが減少する。 (２) 吸湿水分量が減少するので、完成された半導体装
置を回路基板等に半だ付けする際に加熱された場合にお
いても、パッケージ破壊が発生することを防止できる。 (３) 外界の温度変化の影響を受け難くなる。 (４) 使用過程における接着剤の劣化に伴い接着剤から
発生する不純物の影響によるインナーリード５ａの間で
の電気的リークやアルミ電極パッド１０ａの腐食の心配
がない。

【００１５】また、第１の実施例においては、従来のよ
うにワイヤーボンディングは行わずに突起電極８、９
(バンプ)を使用して電極パッドとインナーリードの接続
を行っている。従って、 (５) モールド樹脂２の外形、すなわち半導体装置全体
を薄く形成することができる。 (６) ワイヤーボンディングを行わないため、半導体チ
ップ１の回路形成面１ａに形成された能動素子領域へ機
械的ダメージを与える心配がない。 (７) ボンディングワイヤを使用していないのでワイヤ
自身の抵抗による影響を受けることがなく、また接合部
の抵抗もワイヤーボンディングのものに比べて小さく、
信号伝送速度が向上し、また電気的ノイズが低減でき
る。

【００１６】さらに第１の実施例では、従来の半導体装
置で使用されていた共通インナーリード(バス・バー)に
代わって、半導体チップ１上に形成された共用突起電極
９を用いている。従って、 (８) 半導体チップ１の回路形成面１ａ上の所望の場所
に電源レベル、接地レベルあるいは所望の信号レベルの
電圧を殆ど減衰なしに与えることができるので、従来の
共用インナーリード以上に信号伝送速度の向上および電
気的ノイズの低減を図ることができる。 (９) 突起電極８および共用突起電極９は例えば写真製
版技術を用いて半導体チップ１の回路形成面１ａ上に形
成できるので、極めてパターン設計の自由度が大きくな
る。

【００１７】図３にはこの発明の第２の実施例による半
導体装置の破断斜視図を示す。この実施例では共用突起
電極９を、両端にインナーリード５ａ側に折れ曲がった
延長部分９０を含むように形成している。このように共
用突起電極９は所望の形に形成することができる。その
他の部分は第１の実施例と同じであり、第１の実施例と
同様の効果が得られる。

【００１８】図４にはこの発明の第３の実施例による半
導体装置の破断斜視図、図５には図４の要部ＡのV−V線
に沿った断面図を示す。図１および図２に示す第１の実
施例では共用突起電極９を半導体チップ１の長辺方向に
延びるように形成したが、本実施例では共用突起電極９
ａおよび９ｂが、半導体チップ１の長辺方向のみならず
短辺方向にも延びるように形成されている。図５には２
つの共用突起電極９ａ、９ｂが交差する図５の要部Ａの
詳細な構造が示されている。図示のように２つに分割さ
れた共用突起電極９ａはパッシベーション膜１１の下に
形成された配線導体であるアルミ(Ａｌ)配線１０によ
り、共用突起電極９ｂの下を通って接続されている。こ
のように、２つの共用突起電極９ａおよび９ｂを交差さ
せることも可能である。また、この実施例では共用突起
電極９ａおよび９ｂに沿ってパッシベーション膜１１の
下にＡｌ配線１０が延びており、共用突起電極９ａおよ
び９ｂはこれらに沿ってパッシベーション膜１１に所定
の間隔で形成された開口部１１ａの部分でＡｌ配線１０
と電気的に接続するように形成されている。これにより
共用突起電極９ａ、９ｂでの電圧(例えば電源電圧ある
いは接地電圧)をより安定させ、かつ電気的ノイズを減
少させることができる。

【００１９】なお、図３に示す第２の実施例と図４およ
び図５に示す第３の実施例を組み合わせることも可能で
あることは言うまでもない。

【００２０】図６にはこの発明の第４の実施例による半
導体装置の破断斜視図、図７には図６の要部ＢのVII−V
II線に沿った断面図を示す。上記第１の実施例では共用
突起電極９を各突起電極８より半導体チップ１の内側に
設けたが、この実施例では逆に共用突起電極９を各突起
電極８の外側に設けてある。さらに図７に示すように、
共用突起電極９は突起電極８より低く形成されインナー
リード５ａと接触しないようにされている。また、共用
突起電極９は半導体チップ１の回路形成面１ａ上に形成
されたＡｌ配線１０により一部の突起電極８に電極的に
接続されている。従ってこの実施例ではインナーリード
５ａは全て突起電極８に接合されており、共用突起電極
９へは突起電極８およびＡｌ配線１０を介して接続され
ている。

【００２１】図８にはこの発明の第５の実施例による半
導体装置の破断斜視図、図９には図８の要部ＣのIX−IX
線に沿った断面図を示す。この実施例では第４の実施例
と反対に共用突起電極９が各突起電極８の内側に設けて
ある。さらに図９に示すように、共用突起電極９は半導
体チップ１の回路形成面１ａ上に形成されたＡｌ配線１
０により一部の突起電極８に電極的に接続されている。
この実施例でもインナーリード５ａは全て突起電極８に
接合されており、共用突起電極９へは突起電極８および
Ａｌ配線１０を介して接続されている。

【００２２】図１０にはこの発明の第６の実施例による
半導体装置の破断斜視図を示す。上記各実施例ではイン
ナーリード５ａの突起電極８、９との接合部分付近が他
の部分より細く形成されていたが、この実施例では、イ
ンナーリード５ａの接合部分すなわち内側端部分が他の
部分と同じ太さで形成されている。

【００２３】図１１にはこの発明の第７の実施例による
半導体装置の破断斜視図、図１２には図１１の要部Ｄの
XII−XII線に沿った断面図を示す。この実施例ではコの
字型の２つの共用突起電極９ａおよび９ｂを互いに噛み
合わさる形状に形成したもので、さらに図１２に示され
るように、これらの共用突起電極９ａおよび９ｂが半導
体チップ１の回路形成面１ａ上に形成されたＡｌ配線１
０によってそれぞれ一部の突起電極８に電気的に接続さ
れている。また、共用突起電極９ａおよび９ｂは突起電
極８の外側に設けられるため、インナーリード５ａと接
触しないように突起電極８より低く形成されている。こ
の実施例でもインナーリード５ａは全て突起電極８に接
合されており、共用突起電極９ａ、９ｂへは突起電極８
およびＡｌ配線１０を介して接続されている。

【００２４】図１３にはこの発明の第８の実施例による
半導体装置の破断斜視図、図１４には図１３の要部Ｅの
XIV−XIV線に沿った断面図を示す。この実施例では半導
体チップ１の長辺方向に延びた２本の共用突起電極９を
面状に形成し、この共用突起電極９におけるインダクタ
ンスを小さくするようにしたものである。これらの共用
突起電極９は図１４に示すように半導体チップ１の回路
形成面１ａ上に形成されたＡｌ配線１０によってそれぞ
れ一部の突起電極８に電気的に接続されている。また、
共用突起電極９は突起電極８の外側に設けられるため、
インナーリード５ａと接触しないように突起電極８より
低く形成されている。

【００２５】図１５にはこの発明の第９の実施例による
半導体装置の破断斜視図、図１６には図１５の要部Ｆの
XVI−XVI線に沿った断面図を示す。この実施例は、半導
体チップ１の長辺方向に延びた２本の共用突起電極９を
形成し、その内側に突起電極８を１列に配設し、インナ
ーリード５ａを千鳥状すなわち両側から交互に突起電極
８に接合したものである。これらの共用突起電極９は図
１６に示すように半導体チップ１の回路形成面１ａ上に
形成されたＡｌ配線１０によってそれぞれ一部の突起電
極８に電気的に接続されている。また、共用突起電極９
は突起電極８の外側に設けられるため、インナーリード
５ａと接触しないように突起電極８より低く形成されて
いる。以上第２〜９の実施例では、第１の実施例と同様
の効果が得られる。

【００２６】図１７にはこの発明の第１０の実施例によ
る半導体装置の破断斜視図、図１８には図１７の要部Ｇ
のXVIII−XVIII線に沿った断面図を示す。上記各実施例
では突起電極８が１列あるいは２列に並んで配列されて
いたか、この実施例では突起電極８が所望の位置に配設
されている。さらに、インナーリード５ａが原因となる
α線ソフト・エラーを防止するために、図１８に示すよ
うにパッシベーション膜１１の上にα線を遮断する薄い
誘電体層１５を半導体チップ１の回路形成面１ａの全面
に渡って設けた(但し電極パッド１０ａの部分を除く)。
この誘電体層１５はポリイミド等からなり、パッシベー
ション膜１１と同様に写真製版技術により形成される。
従って従来のように接着剤は必要なく、また非常に薄く
形成することができる。

【００２７】この第１０の実施例ではポリイミドからな
る誘電体層１５が使用されているが、従来の絶縁フィル
ムに比べて非常に薄く、また接着剤も使用していないた
め、上述した各実施例と同様に、温度変化による影響、
腐食の問題、電気的特性等に関して従来のもの比べてよ
り優れたものが得られる。

【００２８】なお、この発明は上記各実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、
種々の変更が可能である。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る半
導体装置では、インナーリードが半導体チップの回路形
成面上を回路形成面と所定の間隔をあけて延び、半導体
チップ上の各電極パッド上に形成された突起電極に直接
接合され、インナーリードと電極パッドが電気的に接続
されると共に、半導体チップと各リードを含むリードフ
レーム(図示せず)を機械的に固定する構造にした。これ
により絶縁フィルム、接着剤およびボンディングワイヤ
は使用しておらず、従って動作速度が速いおよびノイズ
が少ない等の電気的特性が優れ、温度変化の影響を受け
難く、薄型化が可能で、かつ半導体チップ上の電極パッ
ドとインナーリードとの接続回路の回路パターンの設計
の自由度を向上させた等の特徴を持った、信頼度の高い
ＬＯＣ構造型の内部構造を有する半導体装置を提供する
ことができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例による半導体装置の破
断斜視図である。

【図２】図１の半導体チップの回路形成面の突起電極を
形成した部分の断面図である。

【図３】この発明の第２の実施例による半導体装置の破
断斜視図である。

【図４】この発明の第３の実施例による半導体装置の破
断斜視図である。

【図５】図４の要部ＡのV−V線に沿った断面図である。

【図６】この発明の第４の実施例による半導体装置の破
断斜視図である。

【図７】図６の要部ＢのVII−VII線に沿った断面図であ
る。

【図８】この発明の第５の実施例による半導体装置の破
断斜視図である。

【図９】図８の要部ＣのIX−IX線に沿った断面図であ
る。

【図１０】この発明の第６の実施例による半導体装置の
破断斜視図である。

【図１１】この発明の第７の実施例による半導体装置の
破断斜視図である。

【図１２】図１１の要部ＤのXII−XII線に沿った断面図
である。

【図１３】この発明の第８の実施例による半導体装置の
破断斜視図である。

【図１４】図１３の要部ＥのXIV−XIV線に沿った断面図
である。

【図１５】この発明の第９の実施例による半導体装置の
破断斜視図である。

【図１６】図１５の要部ＦのXVI−XVI線に沿った断面図
である。

【図１７】この発明の第１０の実施例による半導体装置
の破断斜視図である。

【図１８】図１７の要部ＧのXVIII−XVIII線に沿った断
面図である。

【図１９】従来の半導体装置を示す破断斜視図である。

【符号の説明】

１ 半導体チップ １ａ 回路形成面 ２ モールド樹脂 ５ リード ５ａ インナーリード ５ｂ アウターリード ８ 突起電極(バンプ) ９ 共用突起電極 １０ Ａｌ配線(配線導体) １０ａ 電極パッド １１ パッシベーション膜(保護膜) １１ａ 開口部 １５ 誘電体層

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップをモールド樹脂で樹脂封止
   した半導体装置であって、 保護膜で覆われた回路形成面を有する半導体チップと、 この半導体チップの回路形成面の中央を含む所望の位置
   にそれぞれ形成された複数の電極パッドと、 これらの電極パッド上にそれぞれ形成された所定の高さ
   を有する突起電極と、 上記半導体チップの外側からそれぞれの突起電極に向か
   って、上記回路形成面との間に所定の間隔をあけて延
   び、突起電極に直接固定されて電気的に接続されたイン
   ナーリード、およびこのインナーリードとひと続きにな
   って上記モールド樹脂の外部に延びるアウターリードか
   らなる複数のリードと、 上記各リードのアウターリードが外部に露出するように
   上記各部分を樹脂封止するモールド樹脂と、 を備えた半導体装置。
2. 【請求項２】 ２つ以上の上記電極パッドにそれぞれ電
   気的に接続されるように共通に形成された、上記２つ以
   上の電極パッド上を通って上記回路形成面の保護膜上に
   延びる所定の高さを有する少なくとも１本の共用突起電
   極をさらに備えた請求項１の半導体装置。
3. 【請求項３】 上記突起電極同士、上記共用突起電極同
   士あるいは突起電極と共用突起電極との間を電気的に接
   続する、上記半導体チップの回路形成面の保護膜の下に
   形成された配線導体をさらに備えた請求項２の半導体装
   置。
4. 【請求項４】 上記共用突起電極に沿って上記保護膜の
   下に延びる配線導体、および上記配線導体に沿って上記
   保護膜に形成された複数の開口部をさらに備え、上記共
   用突起電極が上記各開口部を介して上記配線導体に電気
   的に接続されるように形成された請求項３の半導体装
   置。
5. 【請求項５】 上記各リードのインナーリードの上記突
   起電極あるいは共用突起電極に固定接続される部分が加
   熱され易いように細くされている請求項２の半導体装
   置。
6. 【請求項６】 上記突起電極および共用突起電極が形成
   された領域を除く上記半導体チップの回路形成面にα線
   を遮断する薄い誘電体層を形成した請求項２の半導体装
   置。