JPH05117191A - 色相の良好なビスフエノールａ・フエノール結晶アダクトの製造方法 - Google Patents
色相の良好なビスフエノールａ・フエノール結晶アダクトの製造方法Info
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- JPH05117191A JPH05117191A JP3306521A JP30652191A JPH05117191A JP H05117191 A JPH05117191 A JP H05117191A JP 3306521 A JP3306521 A JP 3306521A JP 30652191 A JP30652191 A JP 30652191A JP H05117191 A JPH05117191 A JP H05117191A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 晶析装置系を小型化し、高純度かつ色相良好
な結晶アダクトを効率よく製造する。 【構成】 各晶析塔Ａ，Ｂ内においてビスフェノールＡ
・フェノール結晶アダクトを析出させて結晶アダクトの
スラリーを形成し、内筒Ｐ底部からスラリーを抜出し、
スラリーの一部を冷却後各晶析塔に循環導入し、第ｎ段
目の晶析塔から抜出したスラリーの一部を加熱し含まれ
る微結晶アダクト粒子を溶解後その晶析塔に循環導入
し、第１段目の晶析塔に循環する冷却したスラリーにビ
スフェノールＡを含むフェノール溶液原料液を添加して
第１段目の晶析塔に供給し、第１〜ｎ−１段の各晶析塔
から抜出したスラリーの一部を各次段の晶析塔のスラリ
ーの循環冷却ラインに添加して各次段の晶析塔に供給
し、第ｎ段の晶析塔の内筒底部から抜出した結晶アダク
トスラリーの一部又は第ｎ段目における加熱した循環ス
ラリーの一部を製品結晶アダクトスラリーとして回収す
る。
な結晶アダクトを効率よく製造する。 【構成】 各晶析塔Ａ，Ｂ内においてビスフェノールＡ
・フェノール結晶アダクトを析出させて結晶アダクトの
スラリーを形成し、内筒Ｐ底部からスラリーを抜出し、
スラリーの一部を冷却後各晶析塔に循環導入し、第ｎ段
目の晶析塔から抜出したスラリーの一部を加熱し含まれ
る微結晶アダクト粒子を溶解後その晶析塔に循環導入
し、第１段目の晶析塔に循環する冷却したスラリーにビ
スフェノールＡを含むフェノール溶液原料液を添加して
第１段目の晶析塔に供給し、第１〜ｎ−１段の各晶析塔
から抜出したスラリーの一部を各次段の晶析塔のスラリ
ーの循環冷却ラインに添加して各次段の晶析塔に供給
し、第ｎ段の晶析塔の内筒底部から抜出した結晶アダク
トスラリーの一部又は第ｎ段目における加熱した循環ス
ラリーの一部を製品結晶アダクトスラリーとして回収す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、色相の良好なビスフェ
ノールＡ・フェノール結晶アダクトの製造方法に関する
ものである。
ノールＡ・フェノール結晶アダクトの製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来技術及びその問題点】ビスフェノールＡ〔２，２
−ビス（４′−ヒドロキシフェニル）プロパン〕を製造
するために、酸触媒の存在下、過剰のフェノールにアセ
トンを反応させることは知られている。また、この反応
生成物から高純度ビスフェノールＡを分離回収するため
に、反応生成物を冷却してビスフェノールＡとフェノー
ルとの結晶アダクト（以下、単に結晶アダクトとも言
う）を析出させ、得られた結晶アダクトからフェノール
を除去することも知られている。このようなビスフェノ
ールＡの製造方法において、製品として回収されるビス
フェノールＡの純度及び色相は、その結晶アダクトの純
度及び色相に大きく依存し、高純度で色相の良い結晶ア
ダクトの製造方法が要望される。過剰のフェノールにア
セトンを反応させて得られるビスフェノールＡを含むフ
ェノール溶液から高純度結晶アダクトを得るために、そ
のフェノール溶液を晶析工程によって処理する方法は知
られている。従来の結晶アダクトの製造方法において
は、晶析工程では１つの晶析塔が用いられており、そし
て、その晶析塔の大きさを増加させることによってより
高純度の結晶アダクトを得ることができる。しかし、こ
の場合、晶析塔の大きさを増加させると、その晶析塔の
大きさの増加に応じて冷却装置、結晶アダクト循環装置
及び微結晶アダクト溶解槽の大きさも指数関数的に増加
させる必要があり、晶析装置系が非効率的になるととも
に、大型化し、装置コストが高くなるという問題を含
む。
−ビス（４′−ヒドロキシフェニル）プロパン〕を製造
するために、酸触媒の存在下、過剰のフェノールにアセ
トンを反応させることは知られている。また、この反応
生成物から高純度ビスフェノールＡを分離回収するため
に、反応生成物を冷却してビスフェノールＡとフェノー
ルとの結晶アダクト（以下、単に結晶アダクトとも言
う）を析出させ、得られた結晶アダクトからフェノール
を除去することも知られている。このようなビスフェノ
ールＡの製造方法において、製品として回収されるビス
フェノールＡの純度及び色相は、その結晶アダクトの純
度及び色相に大きく依存し、高純度で色相の良い結晶ア
ダクトの製造方法が要望される。過剰のフェノールにア
セトンを反応させて得られるビスフェノールＡを含むフ
ェノール溶液から高純度結晶アダクトを得るために、そ
のフェノール溶液を晶析工程によって処理する方法は知
られている。従来の結晶アダクトの製造方法において
は、晶析工程では１つの晶析塔が用いられており、そし
て、その晶析塔の大きさを増加させることによってより
高純度の結晶アダクトを得ることができる。しかし、こ
の場合、晶析塔の大きさを増加させると、その晶析塔の
大きさの増加に応じて冷却装置、結晶アダクト循環装置
及び微結晶アダクト溶解槽の大きさも指数関数的に増加
させる必要があり、晶析装置系が非効率的になるととも
に、大型化し、装置コストが高くなるという問題を含
む。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、結晶アダク
トを得るための晶析装置系を小型化するとともに、高純
度でかつ色相の良好な結晶アダクトを効率よく製造する
ための方法を提供することをその課題とする。
トを得るための晶析装置系を小型化するとともに、高純
度でかつ色相の良好な結晶アダクトを効率よく製造する
ための方法を提供することをその課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、上部に開口部を設け
た内筒を有するｎ（ｎ≧２）個の晶析塔を用いてビスフ
ェノールＡ・フェノール結晶アダクトを製造する方法に
おいて、（ａ）各晶析塔内においてビスフェノールＡ・
フェノール結晶アダクトを析出させて該結晶アダクトの
スラリーを形成すること、（ｂ）各晶析塔の内筒底部か
ら結晶アダクトスラリーを抜出すこと、（ｃ）各抜出さ
れた結晶アダクトスラリーの一部を冷却した後各晶析塔
に循環導入すること、（ｄ）第１段目〜第ｎ段目の晶析
塔のうち少なくとも第ｎ段目の晶析塔から抜出された結
晶アダクトスラリーの一部を加熱し、スラリー中に含ま
れる微結晶アダクト粒子を溶解させた後その晶析塔に循
環導入すること、（ｅ）第１段目の晶析塔に循環される
冷却された結晶アダクトスラリーにビスフェノールＡを
含むフェノール溶液からなる原料液を添加して第１段目
の晶析塔に供給すること、（ｆ）第１段目から第（ｎ−
１）段目の各晶析塔の内筒底部から抜出された結晶アダ
クトスラリーの一部を、各次段の晶析塔における結晶ア
ダクトスラリーの循環冷却ラインに添加して各次段の晶
析塔に供給すること、（ｇ）第ｎ段目の晶析塔の内筒底
部から抜出された結晶アダクトスラリーの一部又は第ｎ
段目における加熱された循環スラリーの一部を製品結晶
アダクトスラリーとして回収すること、を特徴とする色
相の良好なビスフェノールＡ・フェノール結晶アダクト
の製造方法が提供される。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、上部に開口部を設け
た内筒を有するｎ（ｎ≧２）個の晶析塔を用いてビスフ
ェノールＡ・フェノール結晶アダクトを製造する方法に
おいて、（ａ）各晶析塔内においてビスフェノールＡ・
フェノール結晶アダクトを析出させて該結晶アダクトの
スラリーを形成すること、（ｂ）各晶析塔の内筒底部か
ら結晶アダクトスラリーを抜出すこと、（ｃ）各抜出さ
れた結晶アダクトスラリーの一部を冷却した後各晶析塔
に循環導入すること、（ｄ）第１段目〜第ｎ段目の晶析
塔のうち少なくとも第ｎ段目の晶析塔から抜出された結
晶アダクトスラリーの一部を加熱し、スラリー中に含ま
れる微結晶アダクト粒子を溶解させた後その晶析塔に循
環導入すること、（ｅ）第１段目の晶析塔に循環される
冷却された結晶アダクトスラリーにビスフェノールＡを
含むフェノール溶液からなる原料液を添加して第１段目
の晶析塔に供給すること、（ｆ）第１段目から第（ｎ−
１）段目の各晶析塔の内筒底部から抜出された結晶アダ
クトスラリーの一部を、各次段の晶析塔における結晶ア
ダクトスラリーの循環冷却ラインに添加して各次段の晶
析塔に供給すること、（ｇ）第ｎ段目の晶析塔の内筒底
部から抜出された結晶アダクトスラリーの一部又は第ｎ
段目における加熱された循環スラリーの一部を製品結晶
アダクトスラリーとして回収すること、を特徴とする色
相の良好なビスフェノールＡ・フェノール結晶アダクト
の製造方法が提供される。
【０００５】次に本発明を図面により説明する。図１は
２個（ｎ＝２）の晶析塔を用いて本発明を実施する場合
の装置系統図を示す。この図において、Ａは第１段目の
晶析塔を示し、Ｂは第２段目の晶析塔を示す。
２個（ｎ＝２）の晶析塔を用いて本発明を実施する場合
の装置系統図を示す。この図において、Ａは第１段目の
晶析塔を示し、Ｂは第２段目の晶析塔を示す。
【０００６】各晶析塔Ａ，Ｂは、その内部に開口部を上
部に設けた内筒Ｐが挿入配設されている。また、各晶析
塔Ａ，Ｂには、微結晶アダクト溶解タンクＱが付設され
ている。定常運転されている各晶析塔Ａ，Ｂにおいて
は、その内部において結晶アダクトが析出されて結晶ア
ダクトのスラリーが形成される。また、各晶析塔Ａ，Ｂ
の内筒Ｐの底部から結晶アダクトスラリーが各ライン
３，２３を通って外部へ抜出され、その一部は各ポンプ
４，２４、ライン５，２５、及び冷却器６，２６、及び
ライン２，２２を通って各晶析塔Ａ，Ｂ内に循環され、
これによって、晶析塔Ａ，Ｂ内のスラリーは冷却され、
各晶析塔Ａ，Ｂは所定温度に冷却される。
部に設けた内筒Ｐが挿入配設されている。また、各晶析
塔Ａ，Ｂには、微結晶アダクト溶解タンクＱが付設され
ている。定常運転されている各晶析塔Ａ，Ｂにおいて
は、その内部において結晶アダクトが析出されて結晶ア
ダクトのスラリーが形成される。また、各晶析塔Ａ，Ｂ
の内筒Ｐの底部から結晶アダクトスラリーが各ライン
３，２３を通って外部へ抜出され、その一部は各ポンプ
４，２４、ライン５，２５、及び冷却器６，２６、及び
ライン２，２２を通って各晶析塔Ａ，Ｂ内に循環され、
これによって、晶析塔Ａ，Ｂ内のスラリーは冷却され、
各晶析塔Ａ，Ｂは所定温度に冷却される。
【０００７】また、各晶析塔Ａ，Ｂ内の内筒Ｐから抜出
された結晶アダクトを含むスラリーの一部は、ライン
７，２７、ポンプ８，２８、ライン９，２９、ライン１
０，２９及び加熱器１１，３１を通って微結晶アダクト
溶解タンクＱに導入され、ここで結晶アダクトのうちの
微細結晶粒子が溶解され、一定の大きさの粗大結晶アダ
クトを含むスラリーがライン１３，３３を通って晶析塔
Ａ，Ｂの下部に循環され、これによって晶析塔Ａ，Ｂ内
に含まれる結晶アダクトの粒径が揃えられ、晶析塔Ａ，
Ｂ内には、微結晶アダクト粒子含有率が低く、粗大結晶
アダクト粒子含有率の高い結晶アダクトが生成される。
この結晶アダクトスラリーを溶解タンクＱで溶解処理し
た後、晶析塔に循環する操作は、少なくとも最終段で行
えばよく、必要に応じて、他の段の晶析塔ではこれを省
略することもできる。
された結晶アダクトを含むスラリーの一部は、ライン
７，２７、ポンプ８，２８、ライン９，２９、ライン１
０，２９及び加熱器１１，３１を通って微結晶アダクト
溶解タンクＱに導入され、ここで結晶アダクトのうちの
微細結晶粒子が溶解され、一定の大きさの粗大結晶アダ
クトを含むスラリーがライン１３，３３を通って晶析塔
Ａ，Ｂの下部に循環され、これによって晶析塔Ａ，Ｂ内
に含まれる結晶アダクトの粒径が揃えられ、晶析塔Ａ，
Ｂ内には、微結晶アダクト粒子含有率が低く、粗大結晶
アダクト粒子含有率の高い結晶アダクトが生成される。
この結晶アダクトスラリーを溶解タンクＱで溶解処理し
た後、晶析塔に循環する操作は、少なくとも最終段で行
えばよく、必要に応じて、他の段の晶析塔ではこれを省
略することもできる。
【０００８】晶析塔Ａ，Ｂ内における微結晶アダクト
は、その比表面積が大きく、着色原因物質に対して高い
吸着性を示す。従って、晶析塔Ａ，Ｂで得られる結晶ア
ダクト中の微結晶アダクト粒子含有率を可及的に減少さ
せることにより、色相のよい結晶アダクトを得ることが
できる。本発明者らの研究によれば、結晶アダクト中の
粒径１００μｍ以下の微結晶アダクト粒子含有率を３０
重量％以下、好ましくは２０重量％以下に保持すること
により、色相の良い高純度結晶アダクトを製造し得るこ
とが見出された。ライン２，２２を通る温度降下したス
ラリー及びライン１３，３３を通り温度上昇したスラリ
ーを、晶析塔Ａ，Ｂ内に循環導入させるに際し、晶析塔
Ａ，Ｂの外筒下部より、外筒内に同一の向きの旋回流を
生じるように行う。この場合、好ましくは外筒内周面に
対し、接線方向になるように導入し、かつその導入位置
が異なるように行う。またこれら２つのスラリーの導入
位置は、外筒の中心点から角度で表して、好ましくは、
９０〜１８０度離れた位置において行うのが良い。さら
に、同一の向きの旋回流が生じるためであれば、２つの
スラリーの導入位置は、必ずしも同一水平面上にある必
要はなく、少なくとも外筒下部にて多少の高低の差はあ
ってもさしつかえない。
は、その比表面積が大きく、着色原因物質に対して高い
吸着性を示す。従って、晶析塔Ａ，Ｂで得られる結晶ア
ダクト中の微結晶アダクト粒子含有率を可及的に減少さ
せることにより、色相のよい結晶アダクトを得ることが
できる。本発明者らの研究によれば、結晶アダクト中の
粒径１００μｍ以下の微結晶アダクト粒子含有率を３０
重量％以下、好ましくは２０重量％以下に保持すること
により、色相の良い高純度結晶アダクトを製造し得るこ
とが見出された。ライン２，２２を通る温度降下したス
ラリー及びライン１３，３３を通り温度上昇したスラリ
ーを、晶析塔Ａ，Ｂ内に循環導入させるに際し、晶析塔
Ａ，Ｂの外筒下部より、外筒内に同一の向きの旋回流を
生じるように行う。この場合、好ましくは外筒内周面に
対し、接線方向になるように導入し、かつその導入位置
が異なるように行う。またこれら２つのスラリーの導入
位置は、外筒の中心点から角度で表して、好ましくは、
９０〜１８０度離れた位置において行うのが良い。さら
に、同一の向きの旋回流が生じるためであれば、２つの
スラリーの導入位置は、必ずしも同一水平面上にある必
要はなく、少なくとも外筒下部にて多少の高低の差はあ
ってもさしつかえない。
【０００９】前記のようにして、ライン２，２２及びラ
イン１３，３３を通る各スラリーを、その導入方向が晶
析塔Ａ，Ｂの内周面に接線方向になるように晶析塔Ａ，
Ｂ内に導入し、晶析塔Ａ，Ｂ内のスラリーに旋回流を生
じせしめるとともに、この旋回流は内筒Ｐの上端部まで
上昇し、そして内筒Ｐの上部の開口部から内筒Ｐ内を下
降し、その内筒Ｐの底部から抜出される。晶析塔Ａ，Ｂ
内にこのような旋回流を生じさせることにより、次のよ
うな効果を得ることができる。 （１）異なる温度の２つの液流を効果的に均一に混合す
ることができる。 （２）スラリーの偏流を防止し、外筒内のスラリー濃度
が均一になることにより、結晶アダクト粒子の外筒内で
の滞留時間のムラをなくすことができる。 （３）結晶アダクト粒子の外筒内での沈降堆積を防止す
るに足る充分な線速を得ることができる。
イン１３，３３を通る各スラリーを、その導入方向が晶
析塔Ａ，Ｂの内周面に接線方向になるように晶析塔Ａ，
Ｂ内に導入し、晶析塔Ａ，Ｂ内のスラリーに旋回流を生
じせしめるとともに、この旋回流は内筒Ｐの上端部まで
上昇し、そして内筒Ｐの上部の開口部から内筒Ｐ内を下
降し、その内筒Ｐの底部から抜出される。晶析塔Ａ，Ｂ
内にこのような旋回流を生じさせることにより、次のよ
うな効果を得ることができる。 （１）異なる温度の２つの液流を効果的に均一に混合す
ることができる。 （２）スラリーの偏流を防止し、外筒内のスラリー濃度
が均一になることにより、結晶アダクト粒子の外筒内で
の滞留時間のムラをなくすことができる。 （３）結晶アダクト粒子の外筒内での沈降堆積を防止す
るに足る充分な線速を得ることができる。
【００１０】本発明において、ビスフェノールＡを含む
フェノール溶液からなる原料液は、第１段目の晶析塔Ａ
に循環される冷却器６を通って冷却されたスラリーに添
加して第１段目の晶析塔Ａに供給される。
フェノール溶液からなる原料液は、第１段目の晶析塔Ａ
に循環される冷却器６を通って冷却されたスラリーに添
加して第１段目の晶析塔Ａに供給される。
【００１１】また、本発明では、第１段目の晶析塔Ａの
内筒Ｐの底部から抜出されたスラリーの一部は、これ
を、第２段目の晶析塔Ｂに循環される冷却器２６を通っ
て冷却されたスラリーに添加して第２段目の晶析塔Ｂに
供給される。第１段目の晶析塔Ａから得られたスラリー
をこのようにして第２段目の晶析塔Ｂに供給することに
より、その供給スラリーの効率的な冷却が達成されると
ともに、冷却熱が結晶アダクト粒子の成長に使われ、液
の過飽和度が軽減され、結晶アダクト粒子の粒径分布を
大きく出来る等の利点が得られる。
内筒Ｐの底部から抜出されたスラリーの一部は、これ
を、第２段目の晶析塔Ｂに循環される冷却器２６を通っ
て冷却されたスラリーに添加して第２段目の晶析塔Ｂに
供給される。第１段目の晶析塔Ａから得られたスラリー
をこのようにして第２段目の晶析塔Ｂに供給することに
より、その供給スラリーの効率的な冷却が達成されると
ともに、冷却熱が結晶アダクト粒子の成長に使われ、液
の過飽和度が軽減され、結晶アダクト粒子の粒径分布を
大きく出来る等の利点が得られる。
【００１２】本発明で原料液として用いるビスフェノー
ルＡを含むフェノール溶液の組成は、通常、ビスフェノ
ールＡ：７〜５０重量％、好ましくは１０〜３０重量％
であり、その他の微量成分として、ビスフェノールＡの
異性体、トリスフェノール等を８重量％以下程度含むも
のである。ライン１から供給されるビスフェノールＡを
含むフェノール溶液の温度は、アダクトの飽和温度よ
り、１〜２０℃程度高い温度であり、晶析塔Ａの温度は
４５〜７０℃である。ライン３、ポンプ４、冷却器６及
びライン２を通って循環されるスラリーは、冷却器６に
おいて、その温度を１０℃程度以下、好ましくは、５℃
程以下程度降下される。晶析塔Ａにおけるフェノール溶
液の滞留時間は０．５〜１０時間、好ましくは０．５〜
５時間である。
ルＡを含むフェノール溶液の組成は、通常、ビスフェノ
ールＡ：７〜５０重量％、好ましくは１０〜３０重量％
であり、その他の微量成分として、ビスフェノールＡの
異性体、トリスフェノール等を８重量％以下程度含むも
のである。ライン１から供給されるビスフェノールＡを
含むフェノール溶液の温度は、アダクトの飽和温度よ
り、１〜２０℃程度高い温度であり、晶析塔Ａの温度は
４５〜７０℃である。ライン３、ポンプ４、冷却器６及
びライン２を通って循環されるスラリーは、冷却器６に
おいて、その温度を１０℃程度以下、好ましくは、５℃
程以下程度降下される。晶析塔Ａにおけるフェノール溶
液の滞留時間は０．５〜１０時間、好ましくは０．５〜
５時間である。
【００１３】一方、ライン７、ポンプ８、ライン１０、
加熱器１１を通って微結晶アダクト溶解タンクＱに導入
されるスラリーは、その加熱器１１において、その温度
を０．５〜５℃程度上昇され、微結晶アダクト溶融タン
クＱに保持される。このタンクＱにおけるスラリーの滞
留時間は３〜１５分程度である。微結晶溶解タンクＱ内
においては、粒径１００μｍ以下の結晶アダクトが溶解
され、微結晶が溶解されたスラリーは、ライン１３を通
り、晶析塔Ａに戻され、結晶の成長が促進される。
加熱器１１を通って微結晶アダクト溶解タンクＱに導入
されるスラリーは、その加熱器１１において、その温度
を０．５〜５℃程度上昇され、微結晶アダクト溶融タン
クＱに保持される。このタンクＱにおけるスラリーの滞
留時間は３〜１５分程度である。微結晶溶解タンクＱ内
においては、粒径１００μｍ以下の結晶アダクトが溶解
され、微結晶が溶解されたスラリーは、ライン１３を通
り、晶析塔Ａに戻され、結晶の成長が促進される。
【００１４】第１段目の晶析塔Ａ内の内筒Ｐの底部から
抜出されたスラリーの一部は、ライン７、ポンプ８、ラ
イン１２及びライン２１を通った後、冷却器２６を通っ
て晶析塔Ｂに循環されるスラリーに添加され、第２段目
の晶析塔Ｂに導入される。この第２段目の晶析塔Ｂは、
前記晶析塔Ａに関して示したのと同様に操作される。晶
析塔Ｂの温度は、晶析塔Ａの温度よりも３〜１０℃低い
温度に保持される。
抜出されたスラリーの一部は、ライン７、ポンプ８、ラ
イン１２及びライン２１を通った後、冷却器２６を通っ
て晶析塔Ｂに循環されるスラリーに添加され、第２段目
の晶析塔Ｂに導入される。この第２段目の晶析塔Ｂは、
前記晶析塔Ａに関して示したのと同様に操作される。晶
析塔Ｂの温度は、晶析塔Ａの温度よりも３〜１０℃低い
温度に保持される。
【００１５】一方、加熱器３１を通るスラリーは、ここ
でその温度を０．５〜５℃程度上昇され、これによって
晶析塔Ｂに付設された微結晶アダクト溶解タンクＱの温
度は晶析塔Ｂの温度よりも、０．５〜５℃程度高い温度
に保持される。晶析塔Ｂに付設された微結晶アダクト溶
解タンクＱ内においては、粒径１００μｍ以下の結晶ア
ダクトが溶解され、微結晶が溶解されたスラリーは、ラ
イン３３を通り、晶析塔Ｂへ戻され、結晶アダクトの結
晶の成長が促進される。晶析塔Ｂ内の内筒Ｐの底部から
抜出されるスラリー中の結晶アダクトの濃度は３５重量
％以下、好ましくは２５重量％以下であり、その結晶ア
ダクト中の粒径１００μｍ以下の微結晶アダクト粒子含
有率は３０重量％以下、好ましくは２０重量％以下であ
る。
でその温度を０．５〜５℃程度上昇され、これによって
晶析塔Ｂに付設された微結晶アダクト溶解タンクＱの温
度は晶析塔Ｂの温度よりも、０．５〜５℃程度高い温度
に保持される。晶析塔Ｂに付設された微結晶アダクト溶
解タンクＱ内においては、粒径１００μｍ以下の結晶ア
ダクトが溶解され、微結晶が溶解されたスラリーは、ラ
イン３３を通り、晶析塔Ｂへ戻され、結晶アダクトの結
晶の成長が促進される。晶析塔Ｂ内の内筒Ｐの底部から
抜出されるスラリー中の結晶アダクトの濃度は３５重量
％以下、好ましくは２５重量％以下であり、その結晶ア
ダクト中の粒径１００μｍ以下の微結晶アダクト粒子含
有率は３０重量％以下、好ましくは２０重量％以下であ
る。
【００１６】第２晶析塔Ｂ内の内筒Ｐの底部から抜出さ
れたスラリーの一部は、ライン３５を通って製品スラリ
ーとして回収される。このスラリーば、必要に応じて固
液分離され、得られた結晶アダクトは、これをビスフェ
ノールＡの回収工程へ送って、フェノールを除去し、ビ
スフェノールＡを回収する。製品スラリーは、前記のよ
うに第２段目の内筒Ｐの底部から抜出し得る他、微結晶
アダクト溶解タンクＱからライン３３を通って晶析塔Ｂ
に循環される加熱された循環スラリーの一部を製品スラ
リーとして回収することもできる。
れたスラリーの一部は、ライン３５を通って製品スラリ
ーとして回収される。このスラリーば、必要に応じて固
液分離され、得られた結晶アダクトは、これをビスフェ
ノールＡの回収工程へ送って、フェノールを除去し、ビ
スフェノールＡを回収する。製品スラリーは、前記のよ
うに第２段目の内筒Ｐの底部から抜出し得る他、微結晶
アダクト溶解タンクＱからライン３３を通って晶析塔Ｂ
に循環される加熱された循環スラリーの一部を製品スラ
リーとして回収することもできる。
【００１７】図１においては、２つの晶析塔Ａ，Ｂを用
いて本発明の方法を実施する場合の装置系統図を示した
が、それより多い数の晶析塔を用いても同様に実施する
ことができる。即ち、ｎ（ｎ≧２）個の晶析塔を用いて
晶析操作を行う場合、第１段目の晶析塔に循環される冷
却された結晶アダクトスラリーに原料液を添加して第１
段目の晶析塔に供給し、第１段目から第（ｎ−１）段目
までの各晶析塔の内筒底部から抜出された結晶アダクト
スラリーの一部を、各次段の晶析塔における循環冷却ス
ラリーに添加して次段の各晶析塔に供給し、そして、第
ｎ段目（最終段）の晶析塔の内筒底部から抜出される結
晶アダクトスラリーの一部又は第ｎ段目の晶析塔におけ
る加熱された循環スラリーの一部を製品スラリーとして
回収する。この場合、晶析塔の温度は、第１段目の晶析
塔の温度を最も高く、第ｎ段目の晶析塔の温度を最も低
い温度に保持し、そして、第１段目から第ｎ段目に向け
て順次低く保持する。各晶析塔と各次段の晶析塔との間
の温度差は、３〜１０℃、好ましくは５〜８℃であり、
各次段の晶析塔の温度は、この温度差分だけ低く保持す
る。
いて本発明の方法を実施する場合の装置系統図を示した
が、それより多い数の晶析塔を用いても同様に実施する
ことができる。即ち、ｎ（ｎ≧２）個の晶析塔を用いて
晶析操作を行う場合、第１段目の晶析塔に循環される冷
却された結晶アダクトスラリーに原料液を添加して第１
段目の晶析塔に供給し、第１段目から第（ｎ−１）段目
までの各晶析塔の内筒底部から抜出された結晶アダクト
スラリーの一部を、各次段の晶析塔における循環冷却ス
ラリーに添加して次段の各晶析塔に供給し、そして、第
ｎ段目（最終段）の晶析塔の内筒底部から抜出される結
晶アダクトスラリーの一部又は第ｎ段目の晶析塔におけ
る加熱された循環スラリーの一部を製品スラリーとして
回収する。この場合、晶析塔の温度は、第１段目の晶析
塔の温度を最も高く、第ｎ段目の晶析塔の温度を最も低
い温度に保持し、そして、第１段目から第ｎ段目に向け
て順次低く保持する。各晶析塔と各次段の晶析塔との間
の温度差は、３〜１０℃、好ましくは５〜８℃であり、
各次段の晶析塔の温度は、この温度差分だけ低く保持す
る。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、高純度で、色相の良好
なビスフェノールＡ・フェノール結晶アダクトを高収率
で得ることができる。このビスフェノールＡ・フェノー
ル結晶アダクトは、これからフェノールを分離除去する
ことにより、高純度で色相のよいビスフェノールＡを与
える。
なビスフェノールＡ・フェノール結晶アダクトを高収率
で得ることができる。このビスフェノールＡ・フェノー
ル結晶アダクトは、これからフェノールを分離除去する
ことにより、高純度で色相のよいビスフェノールＡを与
える。
【００１９】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明
する。
する。
【００２０】実施例１ 図１に示した装置系統図に従って、ビスフェノールＡを
含むフェノール溶液から、結晶アダクトを含むスラリー
を得、このスラリーから結晶アダクトを分離回収した。
この場合の主要操作条件を、図１において符号で示した
ライン又は装置との関係で以下に示す。 （１）ライン１における供給原料の成分組成 ビスフェノールＡ：２２重量％ フェノール：７４重量％ その他：４重量％ （２）晶析塔Ａ （ｉ）温度：５４℃ （ii）滞留時間：１２０分 （３）晶析塔Ａに付設した微結晶アダクト溶解タンク （ｉ）温度：５５℃ （ii）滞留時間：６分 （４）晶析塔Ｂ （ｉ）温度：４７℃ （ii）滞留時間：１２０分 （５）晶析塔Ｂに付設した微結晶アダクト溶解タンク （ｉ）温度：４８℃ （ii）滞留時間：６分
含むフェノール溶液から、結晶アダクトを含むスラリー
を得、このスラリーから結晶アダクトを分離回収した。
この場合の主要操作条件を、図１において符号で示した
ライン又は装置との関係で以下に示す。 （１）ライン１における供給原料の成分組成 ビスフェノールＡ：２２重量％ フェノール：７４重量％ その他：４重量％ （２）晶析塔Ａ （ｉ）温度：５４℃ （ii）滞留時間：１２０分 （３）晶析塔Ａに付設した微結晶アダクト溶解タンク （ｉ）温度：５５℃ （ii）滞留時間：６分 （４）晶析塔Ｂ （ｉ）温度：４７℃ （ii）滞留時間：１２０分 （５）晶析塔Ｂに付設した微結晶アダクト溶解タンク （ｉ）温度：４８℃ （ii）滞留時間：６分
【００２１】前記実験において、ライン３５を通って得
られるスラリーから分離された結晶アダクトの色相は、
１５ＡＰＨＡ、結晶アダクト中の粒径１００μｍ以下の
微粒子成分の含有率は１３重量％であった。
られるスラリーから分離された結晶アダクトの色相は、
１５ＡＰＨＡ、結晶アダクト中の粒径１００μｍ以下の
微粒子成分の含有率は１３重量％であった。
【００２２】比較例１ 図１に示した装置系において、第１段の晶析塔Ａのみを
使用して結晶アダクトスラリーの製造を行った。この場
合、晶析塔Ａの操作条件は、その温度を４７℃、晶析塔
Ａに付設した微結晶アダクト溶解タンクＱの温度を４８
℃とした以外は実施例１の場合と同じにした。この実験
により得られた結晶アダクトの色相は３０ＡＰＨＡであ
り、結晶アダクト中の粒径１００μｍ以下の微細粒子成
分の割合は２９重量％であった。
使用して結晶アダクトスラリーの製造を行った。この場
合、晶析塔Ａの操作条件は、その温度を４７℃、晶析塔
Ａに付設した微結晶アダクト溶解タンクＱの温度を４８
℃とした以外は実施例１の場合と同じにした。この実験
により得られた結晶アダクトの色相は３０ＡＰＨＡであ
り、結晶アダクト中の粒径１００μｍ以下の微細粒子成
分の割合は２９重量％であった。
【図１】本発明を実施する場合の装置系統図の１例を示
す。
す。
【符号の説明】 Ａ，Ｂ 晶析塔 Ｐ 内筒 Ｑ 微結晶アダクト溶解タンク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 亀田 孝雄 神奈川県横浜市鶴見区鶴見中央二丁目12番 １号 千代田化工建設株式会社内 (72)発明者 浅岡 佐知夫 神奈川県横浜市鶴見区鶴見中央二丁目12番 １号 千代田化工建設株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 上部に開口部を設けた内筒を有するｎ
（ｎ≧２）個の晶析塔を用いてビスフェノールＡ・フェ
ノール結晶アダクトを製造する方法において、 （ａ）各晶析塔内においてビスフェノールＡ・フェノー
ル結晶アダクトを析出させて該結晶アダクトのスラリー
を形成すること、 （ｂ）各晶析塔の内筒底部から結晶アダクトスラリーを
抜出すこと、 （ｃ）各抜出された結晶アダクトスラリーの一部を冷却
した後各晶析塔に循環導入すること、 （ｄ）第１段目〜第ｎ段目の晶析塔のうち少なくとも第
ｎ段目の晶析塔から抜出された結晶アダクトスラリーの
一部を加熱し、スラリー中に含まれる微結晶アダクト粒
子を溶解させた後その晶析塔に循環導入すること、 （ｅ）第１段目の晶析塔に循環される冷却された結晶ア
ダクトスラリーにビスフェノールＡを含むフェノール溶
液からなる原料液を添加して第１段目の晶析塔に供給す
ること、 （ｆ）第１段目から第（ｎ−１）段目の各晶析塔の内筒
底部から抜出された結晶アダクトスラリーの一部を、各
次段の晶析塔における結晶アダクトスラリーの循環冷却
ラインに添加して各次段の晶析塔に供給すること、 （ｇ）第ｎ段目の晶析塔の内筒底部から抜出された結晶
アダクトスラリーの一部又は第ｎ段目における加熱され
た循環スラリーの一部を製品結晶アダクトスラリーとし
て回収すること、を特徴とする色相の良好なビスフェノ
ールＡ・フェノール結晶アダクトの製造方法。
Priority Applications (19)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30652191A JP3171465B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 色相の良好なビスフェノールａ・フェノール結晶アダクトの製造方法 |
| EP92304932A EP0522700B1 (en) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Process for the production of crystalline adduct of bisphenol A and phenol and apparatus therefor |
| EP96200435A EP0718267B1 (en) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Process for the production of crystalline adduct of bisphenol A and phenol and apparatus therefor |
| EP96200436A EP0718268B1 (en) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Process for the production of crystalline adduct of bisphenol A and phenol |
| DE69227850T DE69227850T2 (de) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Verfahren zur Herstellung eines Kristallinadduktes von Bisphenol A mit Phenol |
| DE69227849T DE69227849T2 (de) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Verfahren und Herstellung eines Kristallinadduktes von Bisphenol A mit Phenol und Vorrichtung dafür |
| ES92304932T ES2097877T3 (es) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Procedimiento para la preparacion de un aducto cristalino del bisfenol a con el fenol y aparato para ello. |
| ES96200436T ES2126977T3 (es) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Procedimento para la produccion de aducto cristalino de bisfenol a y fenol. |
| DE69217133T DE69217133T2 (de) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Verfahren zur Herstellung eines Kristallinadduktes von Bisphenol A mit Phenol und Vorrichtung dafür |
| ES96200435T ES2126976T3 (es) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Procedimento para la produccion de aducto cristalino de bisfenol a y fenol y aparato para este. |
| CNB991038959A CN1167659C (zh) | 1991-07-10 | 1992-06-30 | 酚精制、双酚a·酚结晶加合物精制和制法、双酚a制法 |
| CNB991038614A CN1190403C (zh) | 1991-07-10 | 1992-06-30 | 双酚a·酚结晶加合物的晶析装置、制法及其装置 |
| CNB991038622A CN1190404C (zh) | 1991-07-10 | 1992-06-30 | 含酚化合物、双酚a和蒸汽的解吸气体的冷凝处理方法 |
| KR1019920012309A KR100189205B1 (ko) | 1991-07-10 | 1992-07-10 | 비스페놀a. 페놀 결정 부가물의 정제방법, 이 결정 부가물의 제조방법과 그를 위한 정석 장치 및 비스페놀 a 의 제조방법 |
| US07/967,373 US5368827A (en) | 1991-07-10 | 1992-10-28 | Process for the production of crystalline adduct of bisphenol A and phenol and apparatus therefor |
| US08/026,126 US5345000A (en) | 1991-07-10 | 1993-03-03 | Process for the production of crystalline adduct of bisphenol A and phenol and apparatus therefor |
| KR1019980044544A KR100190334B1 (ko) | 1991-07-10 | 1998-10-23 | 페놀의정제방법, 비스페놀a. 페놀결정 부가물의 정제방법, 이 결정 부가물의 제조방법과 그를 위한 정석 장치 및 비스페놀 a의 제조방법 |
| KR1019980044546A KR100190336B1 (ko) | 1991-07-10 | 1998-10-23 | 비스페놀a.페놀결정부가물의정제방법,이결정부가물의제조방법과그를위한정석장치및비스페놀a의제조방법 |
| KR1019980044545A KR100190335B1 (ko) | 1991-07-10 | 1998-10-23 | 비스페놀a.페놀결정부가물의정제방법,이결정부가물의제조방법과그를위한정석장치및비스페놀a의제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30652191A JP3171465B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 色相の良好なビスフェノールａ・フェノール結晶アダクトの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05117191A true JPH05117191A (ja) | 1993-05-14 |
| JP3171465B2 JP3171465B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=17958029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30652191A Expired - Lifetime JP3171465B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-10-25 | 色相の良好なビスフェノールａ・フェノール結晶アダクトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3171465B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003528840A (ja) * | 2000-03-27 | 2003-09-30 | バイエル アクチェンゲゼルシャフト | ビスフェノールの製造方法 |
| US7598424B2 (en) | 2003-03-27 | 2009-10-06 | Mitsui Chemicals, Inc. | Process for production of bisphenol A |
| JP2010024247A (ja) * | 2009-11-02 | 2010-02-04 | Honshu Chem Ind Co Ltd | １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンの製造方法 |
| JP2012162573A (ja) * | 2012-06-04 | 2012-08-30 | Honshu Chem Ind Co Ltd | １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンの製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06301984A (ja) | 1993-04-12 | 1994-10-28 | Olympus Optical Co Ltd | 光学的情報記録及び／又は再生装置 |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP30652191A patent/JP3171465B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003528840A (ja) * | 2000-03-27 | 2003-09-30 | バイエル アクチェンゲゼルシャフト | ビスフェノールの製造方法 |
| US7598424B2 (en) | 2003-03-27 | 2009-10-06 | Mitsui Chemicals, Inc. | Process for production of bisphenol A |
| JP2010024247A (ja) * | 2009-11-02 | 2010-02-04 | Honshu Chem Ind Co Ltd | １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンの製造方法 |
| JP2012162573A (ja) * | 2012-06-04 | 2012-08-30 | Honshu Chem Ind Co Ltd | １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3171465B2 (ja) | 2001-05-28 |
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| JPS6246201B2 (ja) | ||
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