JPH05121291A

JPH05121291A - 縮小投影露光方法および縮小投影露光装置

Info

Publication number: JPH05121291A
Application number: JP3281714A
Authority: JP
Inventors: Yuichiro Yagishita; 祐一郎柳下
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1991-10-28
Filing date: 1991-10-28
Publication date: 1993-05-18

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体装置製造等において用いられる、微細
パターンを縮小投影露光する方法および装置に関し、高
集積度、高解像度のパターン作成を容易とする縮小投影
露光方法を提供することを目的とする。【構成】マスクを透過した光を光学系により縮小投影
して半導体ウエハもしくはレティクル上にパターン像を
転写する縮小投影露光方法において、前記マスクが外部
信号により光透過率を変化させ得る多数の可変透過率要
素を含み、マスクおよび半導体ウエハもしくはレティク
ルを固定したまま、半導体ウエハもしくはレティクル上
に複数回異なるパターン像を縮小投影することを特徴と
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、投影露光に関し、特に
半導体装置製造等において用いられる、微細パターンを
縮小投影露光する方法および装置に関する。

【０００２】近年、半導体集積回路装置の集積度の向上
と共に、半導体集積回路装置に用いられる半導体デバイ
スのセルサイズは減少を続けている。要求されるパター
ンの最小寸法は光による解像度の限界に近づいている。

【０００３】

【従来の技術】従来の縮小投影露光においては、所望の
パターンを有するマスクを透過した光を半導体ウエハも
しくはレティクル上に縮小投影することにより、パター
ン像を得ていた。マスクは、たとえば石英基板上にＣｒ
膜のパターンを形成することによって構成されている。

【０００４】光学系の収差等により、所望のパターン像
が得られない場合は、収差分を補正したＣｒパターンを
形成することにより、所望のパターン像を得るようにし
ている。このようなマスクのパターンは固定されてお
り、パターンを変化させようとするときは、別のマスク
を作成して用いていた。

【０００５】遮光膜のパターンを有するマスクを透過し
た光は、回折および干渉によってその形状を変化させ
る。すなわち、回折によって光は影の分にも回り込み、
光と光が重合うと干渉を生じる。

【０００６】半導体集積回路の高集積化、微細化にした
がって、マスク中の個々のパターンは微細化され、パタ
ーン間距離は縮小している。透過光パターンが互いに近
接してくると、投影光学系の解像限界であるλ／ＮＡ
（λは露光波長、ＮＡは投影レンズの開口数）以下の透
過光パターンは、その光強度コントラストが低くなり、
解像が困難になってくる。

【０００７】たとえ解像できたとしても、像強度コント
ラストが低いため、像面上のパターン幅の制御が困難と
なり、所望のパターンサイズを得るのは極めて難しい。
隣接する透過光パターンの距離が減少したときのみでな
く、単一透過光パターンについてもその寸法が小さくな
ってくると同様の問題が生じる。

【０００８】また、所望のパターンを形成するためのマ
スクを作成し、実際に縮小投影してパターン像を作成す
ると、光の回折、干渉等の影響により所望のパターンと
著しく異なる像が得られることもある。

【０００９】このような場合、予めマスク上のパターン
を補正しておく必要がある。ところが、１層のマスクパ
ターンでは盛り込める補正パターンには限度があり、任
意のパターン補正に対応することは難しい。

【００１０】半導体ウエハ上には種々の構成が作成さ
れ、段差が発生する。段差部においては、反射光の影響
等により、パターン形状が歪む等の問題が生じる。従来
は、半導体ウエハ上に反射防止膜を形成したり、ホトレ
ジストに染料を含有させて散乱光を吸収させる等の措置
も取られてきた。

【００１１】しかしこれらの措置は、ウエハプロセスに
荷重な負担を掛けると共に、デバイス設計に対して高い
段差構成を採用する妨げとなってきた。別の方法として
パターン幅を予め変更しておくこともできる。この場合
は適正なパターンが得られるまでマスクを作り直す必要
があった。

【００１２】また、チップサイズの大型化に伴い、露光
面積（ショットサイズ）は増大の傾向にある。ところ
が、投影レンズの高ＮＡ化に伴い、広いショット領域内
で収差を抑えるのが困難になってきている。収差はパタ
ーン精度の劣化の原因となる。

【００１３】また、パターンサイズの微細化に伴い、マ
スクそのものの製造にも困難が伴うようになっている。
全域に亘って欠陥のないマスクを供給するために、製造
プロセス、検査工程、修正工程へ掛かる負担は大きくな
り、完全な製品を得るまでに何度も作り直すことが必要
となり、多くのコストと時間が消費される。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来の固定マスクを用いた縮小投影露光技術によれば、
集積度を向上させた高解像度のパターン作成がますます
困難になる。

【００１５】本発明の目的は、高集積度、高解像度のパ
ターン作成を容易とする縮小投影露光方法を提供するこ
とである。本発明の他の目的は、高集積度、高解像度の
パターン作成を容易とする縮小投影露光装置を提供する
ことである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の縮小投影露光方
法は、マスクを透過した光を光学系により縮小投影して
半導体ウエハもしくはレティクル上にパターン像を転写
する縮小投影露光方法において、前記マスクが外部信号
により光透過率を変化させ得る多数の可変透過率要素を
含み、マスクおよび半導体ウエハもしくはレティクルを
固定したまま、半導体ウエハもしくはレティクル上に複
数回異なるパターン像を縮小投影することを特徴とす
る。

【００１７】

【作用】マスクが外部信号により光透過率を変化させ得
る多数の可変透過率要素を含むため、マスクと半導体ウ
エハもしくはレティクルの相対関係を変化させることな
く、任意回数の異なるパターン像を縮小投影することが
できる。

【００１８】作成すべきパターン像が近接し、同時に投
影した時には光の回折、干渉により、所望の解像度等が
得られない場合には、作成すべきパターン像を分解し、
別個に縮小投影することにより光の干渉を避けることが
できる。

【００１９】また、コンタクトホール等の微細なパター
ンを露光するときは、複数の細長いパターンを交差させ
て別個に露光することにより、寸法精度の高いパターン
を露光することができる。

【００２０】

【実施例】図１は、本発明の実施例による縮小投影露光
装置を示す。光源１から発した光は、直接または反射鏡
２によって反射され、コンデンサレンズ３に入射する。
コンデンサレンズ３を出射した光は、マスク基板４を照
射する。マスク基板４上には多数の可変透過率要素５が
形成されており、これらの可変透過率要素５は信号線
７、８から供給される信号によってその透過率を変化さ
せる。

【００２１】マスク基板４を選択的に透過した光は、投
影レンズ９によって収束され、ステージ１１上に載置し
た半導体ウエハ１２上に結像する。なお、投影レンズ９
から半導体ウエハ１２上に投影される光は、シャッタ１
０によってその通過を制御される。

【００２２】描画すべきパターンは、パターンデータ発
生装置１５からパターンデータ記憶装置１４に送られて
記憶される。パターンデータ記憶装置１４から読みださ
れたパターンデータは、コントローラ１３に供給され、
その構成を解析される。

【００２３】コントローラ１３は、全体として所望のパ
ターンを発生させるための分割されたパターンを複数個
形成し、そのパターンを実現するための制御信号２０を
マスク基板４に供給する。

【００２４】また、半導体ウエハ１２上に投影されたパ
ターンが所望のパターンと異なる場合には、補正データ
発生装置１６からコントローラ１３に補正データが供給
され、コントローラ１３は差を補正したパターン情報を
作成し、制御信号２０としてマスク基板４に供給する。

【００２５】マスク基板４には多数の可変透過率要素５
が形成され、各要素５は制御信号２０によってその透過
率を変化させる。このため、制御信号２０によって任意
のパターンを形成することができる。

【００２６】たとえば、作成すべきパターン２１と２２
が近接し、同時に露光した場合には光の回折、干渉によ
り２つのパターン２１と２２が分解できない場合、コン
トローラ１３によってパターン２１とパターン２２を別
個のパターンとし、別のタイミングで露光することによ
り、近接した２つのパターンを光の干渉なしに露光する
ことができる。

【００２７】この際、マスク基板４と半導体ウエハ１２
の相対関係は固定のまま、複数のパターンを露光するこ
とができるため、位置精度が低下することはない。この
ように、半導体ウエハないしはレティクルに対するマス
クの位置を変えることなく、複数のパターンを露光する
ことにより、光の干渉を防止した精度の高いパターンを
露光することができる。

【００２８】以下、本発明のより具体的な実施例につい
て説明する。図２は、本発明の実施例による縮小投影露
光方法を説明する図である。図２（Ａ）に示すように、
複数のライン２３、２４、２５、２６が、近接したパタ
ーンを露光する場合を考える。従来の技術によれば、縮
小投影露光系の縮小率に応じた倍率のパターンを作成
し、縮小投影露光することによってこのようなパターン
を作成する。たとえば、ライン２３〜２６の部分に開口
を有するＣｒマスク２８を形成し、ウエハ上に投影す
る。

【００２９】ところが、ラインパターンの周期がλ／Ｎ
Ａで決まる解像限界よりも小さくなると、光の回折、干
渉のため投影される光強度は曲線３０のようになり、像
コントラストが低下する。

【００３０】このため、ライン間の距離が減少するほど
近接したラインの解像は困難になる。このような解像限
界を越えた近接パターンを露光する際には、露光すべき
パターンを分解し、図２（Ｂ）、（Ｃ）に示すような複
数のマスクを作成する。

【００３１】図２（Ｂ）に示す第１のマスクは第１のラ
イン２３と第３のライン２５の部分に開口を有する遮光
パターン３２によって構成される。ライン２３と２５の
間隔は、解像限界λ／ＮＡよりも大きくなるように選
ぶ。

【００３２】また、図２（Ｃ）に示す第２のマスクは、
第２のライン２４と第４のライン２６の部分に開口を有
する遮光パターン３５によって形成する。これらの開口
および遮光パターンは、図１に示すマスク基板４を制御
信号２０によって制御することにより作成できる。

【００３３】図２（Ｂ）に示す第１のマスクおよび図２
（Ｃ）に示す第２のマスクは、それぞれ解像限界よりも
大きな距離離されたラインパターンを有し、それぞれ曲
線３３、３６に示すように、明確に解像された像パター
ンを作成する。像パターン３３と３６は別個に露光され
るため、相互の光の間に干渉は生じない。半導体ウエハ
上のホトレジストが受ける全露光量は、図２（Ｄ）のよ
うになる。

【００３４】図２（Ｄ）において、隣接するピークは別
の時間に露光されているため、相互に干渉は生じていな
い。このため、高いコントラストと解像度を有するパタ
ーンが容易に露光される。また、干渉によりパターン幅
が変化することも防止される。

【００３５】図３は、本発明の他の実施例を示す。図３
（Ａ）に示すように、パターン周期０．６μｍ、スペー
ス幅０．３μｍの格子状パターンを作成する場合を考え
る。従来の技術により、遮光部４１、４２、４３、４４
が隣接配置された遮光部で形成されたマスクを作成し、
縮小投影露光すれば、半導体ウエハ上に照射される光の
強度分布は曲線４５のようになる。

【００３６】露光波長が水銀のｉ線（λ＝３６５ｎｍ）
であり、レンズの開口数がＮＡ＝０．５であり、コヒー
レンス係数がσ＝０．５、縮小率が１／５とする。この
とき、露光装置の解像度λ／ＮＡは、λ／ＮＡ＝０．７
３μｍであり、パターン周期０．６μｍよりも大きい。
このため、半導体ウエハ上での光強度分布は曲線４５の
ように遮光部においても持ち上がってしまい、コントラ
ストが低く、解像が困難になる。

【００３７】本実施例においては、図３（Ａ）に示すよ
うなパターンを露光するため、図３（Ｂ）に示すよな２
種類のマスクを用いる。図３（Ｂ）の左側のマスクにお
いては、遮光部４２と４３の間の開口４８と外周部の開
口のみが作成され、遮光部４１と４２の間の開口４９お
よび遮光部４３と４４の間の開口５０は除去され、遮光
部４６、４７が形成されている。

【００３８】このため、ライン幅０．３μｍの中央の開
口４８と外側の開口部との間には幅０．９μｍの遮光部
４６、４７が形成されている。したがって、これらの開
口部は曲線５２で示すように十分分解される。

【００３９】また、図３（Ｂ）右側のマスクにおいて
は、開口部４９と５０のみが作成されている。これらの
開口部の間の距離は０．９μｍとなり、やはり解像度よ
りも十分大きな値となる。このため、投影される光強度
は曲線５４で示すように、２つのラインに十分分解され
る。

【００４０】これら２つのマスクを、可変透過率要素を
有するマスクに引き続いて作成し、別個に半導体ウエハ
上に投影することにより、図３（Ｃ）に示すような露光
強度パターン５６を得る。隣接するピークが別個に投影
されているため、光の干渉が防止され、解像が可能とな
る。

【００４１】図４は、本発明の実施例によりコンタクト
ホールのような孤立したパターンを形成する場合を示
す。孤立パターンを露光するには、従来の技術によれ
ば、たとえば図４（Ａ）に示すように開口５８を有する
遮光マスク５９を作成する。

【００４２】ところが、パターン幅が解像度λ／ＮＡよ
り小さくなると、投影された光強度６０は作成されるべ
きパターン幅以上に広がり、コントラストが低下し、解
像が困難となる。

【００４３】このような場合、図４（Ｂ）に示すよう
に、複数の交差する長方形パターン６２、６３を用い、
重ね露光された領域のみを現像することによって所望の
パターンを得る。

【００４４】図示の構成においては、縦長のパターン６
２と横長のパターン６３を作成し、連続して露光するこ
とにより、光強度分布６４と６５を別個に作成する。長
方形パターンの作る像のコントラストは、ホールパター
ンよりも高いため、両者を合成した光強度コントラスト
は、図４（Ｃ）に示すように高くなり、微細ホールパタ
ーンの形成が可能となる。

【００４５】このように、重ね露光を行なう場合には、
重ね露光された部分で必要な露光強度が実現され、一方
の露光のみによる領域は現像されないように選ぶ。たと
えば、各パターン６２、６３の露光を従来のマスクによ
る露光量の１／２で行なう。

【００４６】図５は、本発明の他の実施例を示す。図５
（Ａ）で示すように、幅が約０．４μｍのホールパター
ンを作成する場合を考える。従来の技術によれば、パタ
ーン幅０．４μｍは解像度０．７３μｍよりも小さいた
め、コントラストが低くなり、解像することが困難とな
る。

【００４７】本実施例においては、図５（Ｂ）に示すよ
うに４５°ずつ回転させたパターン幅０．４μｍの細長
いパターン６７、６８、６９を重ね露光する。各露光は
従来の露光量の１／３の光強度で行なう。

【００４８】このように、三重露光した後、３回重ねて
露光された領域のみを現像すれば、ラインパターン６
７、６８、６９の共通部分のみが現像され、鋭い光強度
分布を有するパターン７０が作成される。各パターンが
長くなった分だけ中心部でのコントラストが向上し、解
像が容易になる。

【００４９】図６は、本発明の他の実施例を示す。図６
（Ａ）に示すように、縦方向ラインパターン７１と横方
向ラインパターン７２が交差するパターンを露光する場
合を考える。

【００５０】従来の技術により、このクロスラインパタ
ーンをそのまま露光しようとすると、図６（Ａ）右側に
示すように、交差部７３での光強度７４が高くなり、影
となる部分７５〜７８の角が取れ、丸められたパターン
が現像される。

【００５１】そこで図６（Ｂ）に示すように、交差部を
除去して分割した２つのマスクを作成し、分離露光を行
なう。図６（Ｂ）左側に示す第１のマスクは、交差部７
３およびその近傍を除いた縦パターン７１ａと横パター
ン７２ａで構成される。このような開孔パターンによっ
て露光を行なうことにより、中央部の光強度の高い領域
７４が作成されることが防止される。

【００５２】ただし、交差部７３の部分において、光強
度が低くなり過ぎるため、交差部７３に対応する開孔パ
ターン７３ａを有する第２のパターンで重ね露光を行な
う。なお、開孔部７３ａの寸法は、交差部７３と同一で
ある必要はなく、不足する光強度を補えれば足りる。図
示の構成においては、開孔パターン７３ａは交差部７３
の寸法より幾分小さく作成される。

【００５３】このような２つのマスクを用いて重ね露光
を行なうことにより、図６（Ｃ）に示すような交差パタ
ーンが現像される。２つのマスクで露光される光の間に
干渉がなく、かつ開口部７１ａ、７２ａ、７３ａの寸法
を調整することにより、交差部の脹らみを抑えた良好な
パターンを得ることができる。

【００５４】図７は、本発明の他の実施例を示す。図７
（Ａ）左側に示すように、段差部８１を有する下地表面
上にライン状の影８２を有するパターンを露光する場合
を考える。段差部は、半導体ウエハ上に形成した種々の
構造により形成され、周辺部と反射率が異なることも多
い。

【００５５】このような場合、従来の技術によりライン
状の影の部分を有するパターンをそのまま露光しようと
すると、図７（Ａ）の８３で示すように、段差部８１で
縊れ８３が生じることがある。

【００５６】このような縊れを補正するには、図７
（Ｂ）左側に示すように、段差部８１で膨らんだ部分８
４を有する遮光パターン８２を作成すればよい。この場
合、従来の技術によれば縊れ８３を補正するように、脹
らみ８４を有する別のマスクを最初から作成し、露光現
像してその結果を検査し、補正が不十分な場合には再び
マスクを作り直す必要があった。

【００５７】図１に示すような可変透過率要素５を多数
含むマスク基板４を用いる場合には、マスク基板を新た
に作り直す必要はなく、入力するデータを変換するだけ
で補正パターンによる露光を実現することができる。こ
のように補正したデータを用いることにより、図７
（Ｂ）右側に示すように、縊れを補正した露光パターン
を得ることができる。

【００５８】レンズ等を用いた縮小光学系を用いると、
レンズに特有の収差が生じる。このような光学系による
収差を補正するには、予めマスクパターンに収差を見込
んだ補正を施しておけばよい。この場合も、従来はマス
ク基板を最初から作り直さねばならず、コストと時間の
点から収差の補正は容易でなかった。

【００５９】図１に示すような投影露光系を用いれば、
必要な補正データを作るだけでマスクのパターン形状を
修正し、収差の補正が可能となる。このため、マスク製
作および検査に要するコストや時間が節約される。

【００６０】図８は、図１に示す可変透過率要素５の構
成例を示す。図８（Ａ）に示すように、一対の直交偏光
子８７、８９の間に、透明電極を備えた一対の基板間に
ねじれネマチック液晶を収容した液晶セル８８を配置す
る。偏光子８７を透過した入射光は、偏光子８７の偏向
方向Ｐ１に偏光した直線偏光となる。

【００６１】この偏光は、液晶セル８８に電圧を印加し
ていない時、ねじれネマチック液晶によってその偏光方
向が約９０°回転される。偏光方向を回転した入射光
は、出射側偏光子（検光子）の偏光方向と合致し、その
まま出射する。

【００６２】液晶セルに電圧を印加すると、液晶分子は
電界方向に揃って配列され、入射光の偏光方向を回転さ
せる機能を失う。このため、偏光子８７を通過した直線
偏光は、偏光方向を回転させることなく、出射側偏光子
８９に入射する。出射側偏光子８９の偏光軸Ｐ２は、入
射側偏光子の偏光軸Ｐ１と直交するため、入射光は遮断
され、出射光はほぼ０となる。

【００６３】このようにして、外部信号により光の透過
率を制御できる可変透過率要素が提供される。図９は、
図８に示すような可変透過率要素を用いた基板マスク４
の構成例を示す。図９（Ａ）は全体の構成を概略的に示
す斜視図、図９（Ｂ）は液晶セルの等価回路である。

【００６４】図９（Ａ）に示すように、一対の直交偏光
子８７、８９の間に、多数の液晶セルを構成するための
透明電極９２を備えた一方のガラス基板９１、液晶層９
３、選択的に駆動される多数の透明電極を備えた他方の
ガラス基板９５を挟む。ガラス基板９５の上には、横方
向に配列された走査線９６と縦方向に配列された信号線
９７が配置され、その交点で行列を形成している。

【００６５】行列の各元には、透明電極１０１と透明電
極１０１に印加する電圧を制御するための薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）１０２が配置されている。走査線９６の
電圧を制御することにより、信号線９７の印加電圧が透
明電極１０１に印加され、透明電極９２との間に挟まれ
た液晶９３の配向を制御する。

【００６６】各液晶セルの領域は、たとえば０．５〜
０．２μｍ角の面積とする。このような液晶セルを多数
基板マスク内に配列することにより、制御信号によって
任意のパターンを作成することができる。この液晶マス
クの構造は、液晶ディスプレイパネルに採用されている
アクティブマトリクッス同様のものである。

【００６７】図９（Ｂ）は各セルの等価回路を示す。１
画素の動作は、書込み動作と保持動作からなる。薄膜ト
ランジスタ１０２がオンとなった時、静電容量部Ｃ１、
Ｃ２に信号線９７の電圧が印加される。なお、容量Ｃ１
は液晶の容量を示し、容量Ｃ２は電荷蓄積用の容量を示
す。薄膜トランジスタ１０２のオン／オフは、走査線９
６の信号によって制御される。

【００６８】薄膜トランジスタ１０２が一旦オンとなっ
た後、再びオフとなると書き込まれた電荷は電荷蓄積容
量Ｃ２に蓄積され、液晶Ｃ１に駆動電圧がかかる。書込
み動作は１走査期間である１０〜２０μｓｅｃの間にな
され、保持動作は１０〜２０ｍｓｅｃ程度の期間持続さ
れる。

【００６９】薄膜トランジスタは、ガラス基板上にＣＶ
Ｄやスパッタリングによる薄膜堆積技術と、ＥＢリソグ
ラフィによる微細パターン形成技術を用いて作成され
る。走査線となるゲート配線は、たとえばアルミニウム
で形成され、絶縁膜としてＳｉＮ膜を用いる。

【００７０】また、透明電極にはＩＴＯ（インジューム
錫酸化物）等を用いる。また、透明電極以外の部分から
の光漏れを防ぐため、透明電極以外の領域には遮光層を
設ける。

【００７１】このような構成により、外部信号により任
意のパターンを形成することのできるマスク基板が形成
される。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発
明はこれらに制限されるものではない。たとえば、種々
の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自
明であろう。

【００７２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
同一マスク基板に任意のパターンを作成することができ
るため、マスクと被写体との相対位置を固定しつつ、複
数のパターンを順次露光することができる。露光すべき
パターンを分割することにより、光の干渉を防止し、高
解像度を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例を示す概略斜視図である。

【図２】本発明の実施例を示す。図２（Ａ）は参考技術
を示す概略図、図２（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の実施例
によるマスクパターンを説明する概略図、図２（Ｄ）は
被写体上に供給される全露光強度の分布を示すグラフで
ある。

【図３】本発明の実施例を示す。図３（Ａ）は参考技術
を説明する概略図、図３（Ｂ）は本発明の実施例による
複数のマスクパターンを示す概略図、図３（Ｃ）は分割
されたマスクにより供給される全露光強度の分布を示す
グラフである。

【図４】本発明の実施例を示す。図４（Ａ）は参考技術
を説明するための概略図、図４（Ｂ）は本発明の実施例
による重ね露光を説明するための概略図、図４（Ｃ）は
本発明の実施例により与えられる全露光強度の分布を示
すグラフである。

【図５】本発明の実施例を示す。図５（Ａ）は参考技術
を説明するための概略図、図５（Ｂ）は本発明の実施例
による重ね露光を説明するための概略図である。

【図６】本発明の実施例を示す。図６（Ａ）は参考技術
を説明するための概略図、図６（Ｂ）は本発明の実施例
による分割マスクを示す概略図、図６（Ｃ）は分割マス
クの露光により形成される合成露光領域を示す概略平面
図である。

【図７】本発明の実施例を示す。図７（Ａ）は参考技術
を示す概略図、図７（Ｂ）は本発明の実施例による補正
を説明するための概略図である。

【図８】図１の構成において用いる可変透過率要素を説
明するための概念図である。

【図９】図１の構成に用いる基板マスクを示す。図９
（Ａ）は構成を示す斜視図、図９（Ｂ）は単位セルの等
価回路である。

【符号の説明】

１光源２反射鏡３コンデンサレンズ４マスク基板５可変透過率要素７、８信号線９投影レンズ１０シャッタ１１ステージ１２ウエハ１３コントローラ１４パターンデータ記憶装置１５パターンデータ発生装置１６補正データ発生装置２０制御信号

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスク（４）を透過した光を光学系
（９）により縮小投影して半導体ウエハ（１２）もしく
はレティクル上にパターン像を転写する縮小投影露光方
法において、前記マスク（４）が外部信号（２０）により光透過率を
変化させ得る多数の可変透過率要素（５）を含み、マスクおよび半導体ウエハもしくはレティクルを固定し
たまま、半導体ウエハもしくはレティクル上に複数回異
なるパターン像を縮小投影することを特徴とする縮小投
影露光方法。
【請求項２】前記異なるパターン像は共通部分を有さ
ない請求項１記載の縮小投影露光方法。
【請求項３】前記異なるパターン像は共通部分を有
し、縮小投影する光の強度は重ね焼きされる共通部分に
おいて所望の露光強度を満たすように選択されている請
求項１記載の縮小投影露光方法。
【請求項４】所定位置に固定され、光を発する光源
と、所定位置に固定され、印加信号によって透過率を変化さ
せる可変透過率要素を多数含んだマスクと、前記マスクに制御信号を印加する制御回路と、前記マスクを透過した光を像面上に縮小投影し、パター
ン像を形成する光学系とを含む縮小投影露光装置。
【請求項５】さらに、パターンデータを入力し、パタ
ーン間距離が所定の値以下の場合、パターンデータを分
割する手段を含む請求項４記載の縮小投影露光装置。
【請求項６】さらに、縮小投影されたパターン像に基
づく補正データを入力し、前記マスクに印加する制御信
号を補正する補正手段を含む請求項４ないし５記載の縮
小投影露光装置。