JPH06232024A - レティクルおよび投影露光装置 - Google Patents
レティクルおよび投影露光装置Info
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- JPH06232024A JPH06232024A JP1532193A JP1532193A JPH06232024A JP H06232024 A JPH06232024 A JP H06232024A JP 1532193 A JP1532193 A JP 1532193A JP 1532193 A JP1532193 A JP 1532193A JP H06232024 A JPH06232024 A JP H06232024A
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- liquid crystal
- exposure apparatus
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 様々なパターンを１枚のレティクルで処理す
ることが可能であり、転写パターンごとにレティクルを
製作する必要がない。 【構成】 光源５から放射された光が、コンデンサレン
ズ７，液晶レティクル８を通過し縮小投影レンズ１０に
て収束され、半導体基板１２に照射される。液晶レティ
クル８は投影する光を遮断する領域が電気信号により制
御可能であり、制御装置９にて制御される。
ることが可能であり、転写パターンごとにレティクルを
製作する必要がない。 【構成】 光源５から放射された光が、コンデンサレン
ズ７，液晶レティクル８を通過し縮小投影レンズ１０に
て収束され、半導体基板１２に照射される。液晶レティ
クル８は投影する光を遮断する領域が電気信号により制
御可能であり、制御装置９にて制御される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＬＳＩ等の製造工程
において使用されるレティクルおよび投影露光装置に関
するものである。
において使用されるレティクルおよび投影露光装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のレティクルを図７，図８に示す。
図７は概略図、図８はＢ−Ｂ’断面図であり、３０がガ
ラス基板、３１がクロムパターンである。設計パターン
データをコンピュータにより描画装置データに変換した
後、電子ビーム描画装置を用いて直接ガラス基板３０上
にクロムパターン３１を形成して、クロムレティクル３
８を形成する。
図７は概略図、図８はＢ−Ｂ’断面図であり、３０がガ
ラス基板、３１がクロムパターンである。設計パターン
データをコンピュータにより描画装置データに変換した
後、電子ビーム描画装置を用いて直接ガラス基板３０上
にクロムパターン３１を形成して、クロムレティクル３
８を形成する。
【０００３】次に、従来の投影露光装置の構成を図９に
示す。図において、３２が高圧水銀ランプ光源、３３が
積算露光計、３４がコンデンサレンズ、３５が縮小投影
レンズ、３６がウェハステージ、３７が半導体基板、３
８がクロムレティクルである。光源３２からの光は、図
の矢印で示すように進む。コンデンサレンズ３４によっ
てその光は収束され、クロムレティクル３８を通過した
後に縮小投影レンズ３５によって半導体基板３７上のレ
ジストに所望のパターンを転写する。
示す。図において、３２が高圧水銀ランプ光源、３３が
積算露光計、３４がコンデンサレンズ、３５が縮小投影
レンズ、３６がウェハステージ、３７が半導体基板、３
８がクロムレティクルである。光源３２からの光は、図
の矢印で示すように進む。コンデンサレンズ３４によっ
てその光は収束され、クロムレティクル３８を通過した
後に縮小投影レンズ３５によって半導体基板３７上のレ
ジストに所望のパターンを転写する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のレティクルでは、電子ビームによる直接描画法のた
めパターンの複雑化により描画時間が長時間化する問題
点を有していた。さらに、従来の投影露光装置では転写
パターンごとにレティクルを作成する必要があった。例
えば、ＬＳＩの製造では最低でも５枚程度のレティクル
が必要であり、１６ＭｂｉｔＤＲＡＭになると２０枚程
度のレティクルが必要である。従って、転写パターンが
異なるごとに投影露光装置にセットしたレティクルを取
り替えなければならず、その都度ダストの発生によるパ
ターン異常の危険を伴っていた。
来のレティクルでは、電子ビームによる直接描画法のた
めパターンの複雑化により描画時間が長時間化する問題
点を有していた。さらに、従来の投影露光装置では転写
パターンごとにレティクルを作成する必要があった。例
えば、ＬＳＩの製造では最低でも５枚程度のレティクル
が必要であり、１６ＭｂｉｔＤＲＡＭになると２０枚程
度のレティクルが必要である。従って、転写パターンが
異なるごとに投影露光装置にセットしたレティクルを取
り替えなければならず、その都度ダストの発生によるパ
ターン異常の危険を伴っていた。
【０００５】したがってこの発明は、上記従来の課題を
解決するもので、転写パターンごとにレティクルを製作
する必要がなく、１枚のレティクルですべてのパターン
を転写することのできるレティクルおよび投影露光装置
を提供するものである。
解決するもので、転写パターンごとにレティクルを製作
する必要がなく、１枚のレティクルですべてのパターン
を転写することのできるレティクルおよび投影露光装置
を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１のレティクル
は、投影する光を遮断する領域を、電気信号により制御
可能なものである。請求項２の投影露光装置は、光源
と、前記光源から放射された光が通過するコンデンサレ
ンズと、前記コンデンサレンズを通過した光が照射され
かつ投影する光を遮断する領域を電気信号により制御可
能なレティクルと、前記レティクルの光を遮断する領域
を制御する制御装置と、前記レティクルを通過した光を
収束する縮小投影レンズとを備えたものでる。
は、投影する光を遮断する領域を、電気信号により制御
可能なものである。請求項２の投影露光装置は、光源
と、前記光源から放射された光が通過するコンデンサレ
ンズと、前記コンデンサレンズを通過した光が照射され
かつ投影する光を遮断する領域を電気信号により制御可
能なレティクルと、前記レティクルの光を遮断する領域
を制御する制御装置と、前記レティクルを通過した光を
収束する縮小投影レンズとを備えたものでる。
【０００７】
【作用】この発明によれば、電気信号によりレティクル
の光の遮断領域を制御できるので、様々なパターンを１
枚のレティクルで処理することが可能となり、転写パタ
ーンごとにレティクルを製作する必要がなくなる。
の光の遮断領域を制御できるので、様々なパターンを１
枚のレティクルで処理することが可能となり、転写パタ
ーンごとにレティクルを製作する必要がなくなる。
【０００８】
【実施例】この発明のレティクルおよび投影露光装置の
実施例について図面を参照しながら説明する。図１，図
２は、本発明のレティクル８の一実施例を示す図であ
る。図１が概略図、図２がＡ−Ａ’断面図であり、１が
液晶パターン、２がガラス基板、３が透明電極、４が液
晶である。液晶は電界により配向性が変化するため、上
下の電極への電気信号によりパターンを変化させること
が可能である。すなわち、透明電極３をマトリクス状に
構成し、そのマトリックス状に配列した透明電極３へ選
択的に電圧を印加することで、任意のパターンを形成す
ることができる。従って、図１では井型のパターンの例
で示したが、電気信号を変化させることで異なったパタ
ーンを描くことができる。
実施例について図面を参照しながら説明する。図１，図
２は、本発明のレティクル８の一実施例を示す図であ
る。図１が概略図、図２がＡ−Ａ’断面図であり、１が
液晶パターン、２がガラス基板、３が透明電極、４が液
晶である。液晶は電界により配向性が変化するため、上
下の電極への電気信号によりパターンを変化させること
が可能である。すなわち、透明電極３をマトリクス状に
構成し、そのマトリックス状に配列した透明電極３へ選
択的に電圧を印加することで、任意のパターンを形成す
ることができる。従って、図１では井型のパターンの例
で示したが、電気信号を変化させることで異なったパタ
ーンを描くことができる。
【０００９】本発明のレティクルによれば、電気信号に
よりパターンを変化させることができる。このため、レ
ティクル１枚で様々なパターンを描かせることが可能と
なり、従来のような直接描画により長時間かかるパター
ンごとのレティクル製作を行う必要がない。次に、本発
明の投影露光装置の実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。
よりパターンを変化させることができる。このため、レ
ティクル１枚で様々なパターンを描かせることが可能と
なり、従来のような直接描画により長時間かかるパター
ンごとのレティクル製作を行う必要がない。次に、本発
明の投影露光装置の実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。
【００１０】図３は本発明の投影露光装置の一実施例を
示す概略図である。図において、５が高圧水銀ランプ光
源、６が積算露光計、７がコンデンサレンズ、８が液晶
レティクル、９が制御装置であるコンピュータ、１０が
縮小投影レンズ、１１がウェハステージ、１２が半導体
基板である。光源５からの光は、図の矢印で示すように
進む。コンデンサレンズ７によってその光は収束され、
液晶レティクル８を通過した後に縮小投影レンズ１０に
よって半導体基板１２上のレジストに所望のパターンを
転写する。コンピュータ９は液晶レティクル制御用であ
り、設計パターンデータの液晶データへの変換や液晶パ
ターンデータの保存、読み出しに使用する。
示す概略図である。図において、５が高圧水銀ランプ光
源、６が積算露光計、７がコンデンサレンズ、８が液晶
レティクル、９が制御装置であるコンピュータ、１０が
縮小投影レンズ、１１がウェハステージ、１２が半導体
基板である。光源５からの光は、図の矢印で示すように
進む。コンデンサレンズ７によってその光は収束され、
液晶レティクル８を通過した後に縮小投影レンズ１０に
よって半導体基板１２上のレジストに所望のパターンを
転写する。コンピュータ９は液晶レティクル制御用であ
り、設計パターンデータの液晶データへの変換や液晶パ
ターンデータの保存、読み出しに使用する。
【００１１】本装置によれば、予め設計パターンデータ
を液晶レティクルデータとして変換し、コンピュータ９
内に保存しておくことができる。保存されたパターンデ
ータは、必要に応じてコンピュータ９から読み出され液
晶レティクル８に直接出力される。従って、液晶レティ
クル８とデータ処理・保存用のコンピュータ９を搭載し
た本装置では、液晶レティクル１枚で所望のパターンを
描くことができる。そのため、所望のパターンごとにレ
ティクルを交換する必要がなく、レティクル交換に起因
するダストによるパターン異常の問題を発生させること
がない。
を液晶レティクルデータとして変換し、コンピュータ９
内に保存しておくことができる。保存されたパターンデ
ータは、必要に応じてコンピュータ９から読み出され液
晶レティクル８に直接出力される。従って、液晶レティ
クル８とデータ処理・保存用のコンピュータ９を搭載し
た本装置では、液晶レティクル１枚で所望のパターンを
描くことができる。そのため、所望のパターンごとにレ
ティクルを交換する必要がなく、レティクル交換に起因
するダストによるパターン異常の問題を発生させること
がない。
【００１２】次に、液晶レティクル制御用のコンピュー
タについて図面を参照しながら詳細に説明する。図４
は、コンピュータ制御のフローチャートである。まず、
コンピュータにより設計データの変換を行い（２０）、
液晶レティクルデータを作成する（２１）。次に、その
データを液晶レティクル８に出力してレティクルパター
ンとし、半導体基板１２上のレジストに対し露光（２
２）、現像（２３）を行い、半導体基板１２上に転写さ
れたパターンの測長を行う（２４）。測長結果に問題な
ければ目標パターンの形成が終了する（２５）。ここ
で、測長結果に不具合がある場合についてさらに詳しく
説明する。従来技術であるクロムレティクルを使用した
場合には、寸法補正は露光量の変更でしか行えない。従
って、寸法の補正は全てのパターンに対して均一でかつ
同方向となり、実際の半導体基板上で発生するレジスト
下地段差の存在による部分的な設計寸法に対する太りや
細りに対しては同一レティクルで対応することができな
い。
タについて図面を参照しながら詳細に説明する。図４
は、コンピュータ制御のフローチャートである。まず、
コンピュータにより設計データの変換を行い（２０）、
液晶レティクルデータを作成する（２１）。次に、その
データを液晶レティクル８に出力してレティクルパター
ンとし、半導体基板１２上のレジストに対し露光（２
２）、現像（２３）を行い、半導体基板１２上に転写さ
れたパターンの測長を行う（２４）。測長結果に問題な
ければ目標パターンの形成が終了する（２５）。ここ
で、測長結果に不具合がある場合についてさらに詳しく
説明する。従来技術であるクロムレティクルを使用した
場合には、寸法補正は露光量の変更でしか行えない。従
って、寸法の補正は全てのパターンに対して均一でかつ
同方向となり、実際の半導体基板上で発生するレジスト
下地段差の存在による部分的な設計寸法に対する太りや
細りに対しては同一レティクルで対応することができな
い。
【００１３】図５，図６は、測長結果に不具合がある場
合の、本発明における投影露光装置の寸法補正方法（２
６（図４））の一例を示したものである。１２が半導体
基板、１３が液晶レティクルパターン、１４がレジスト
パターン、１５が補正後の液晶レティクルパターン、１
６が補正後のレジストパターンである。図５のパターン
上の（Ｉ）、（II）部分における目標寸法をそれぞれ
Ｌ、Ｍとすると、設計データ変換により得られた液晶レ
ティクルパターン１３の寸法もＬ、Ｍである。この液晶
レティクルにより露光した結果、設計寸法に対し半導体
基板上のレジストパターン１４の（Ｉ）部分では両側で
Ｐの太りが、（II）部分では両側でＱの細りが発生した
と仮定する。この様な場合、本投影露光装置では、寸法
シフトのデータを図３に示したコンピュータ９にフィー
ドバックし、液晶レティクルデータを直接補正する（２
７（図４））。まず、液晶レティクルパターン１３の
（Ｉ）部分にはＰだけ寸法を細く、（II）部分にはＱだ
け寸法を太くなるように、コンピュータに補正データを
入力し、液晶レティクル８のデータを再作成する。再作
成したデータにより得られた補正後の液晶レティクルパ
ターン１５により、半導体基板１２上に露光、現像を行
う。その結果、図６に示すように液晶レティクル８にＰ
やＱの補正データをフィードバックしたことで、（III
）や（IV）のように目標寸法に忠実なそれぞれＬ、Ｍ
の寸法で、補正後のレジストパターン１６が半導体基板
１２上に転写され、目標のパターン形成が終了する。
合の、本発明における投影露光装置の寸法補正方法（２
６（図４））の一例を示したものである。１２が半導体
基板、１３が液晶レティクルパターン、１４がレジスト
パターン、１５が補正後の液晶レティクルパターン、１
６が補正後のレジストパターンである。図５のパターン
上の（Ｉ）、（II）部分における目標寸法をそれぞれ
Ｌ、Ｍとすると、設計データ変換により得られた液晶レ
ティクルパターン１３の寸法もＬ、Ｍである。この液晶
レティクルにより露光した結果、設計寸法に対し半導体
基板上のレジストパターン１４の（Ｉ）部分では両側で
Ｐの太りが、（II）部分では両側でＱの細りが発生した
と仮定する。この様な場合、本投影露光装置では、寸法
シフトのデータを図３に示したコンピュータ９にフィー
ドバックし、液晶レティクルデータを直接補正する（２
７（図４））。まず、液晶レティクルパターン１３の
（Ｉ）部分にはＰだけ寸法を細く、（II）部分にはＱだ
け寸法を太くなるように、コンピュータに補正データを
入力し、液晶レティクル８のデータを再作成する。再作
成したデータにより得られた補正後の液晶レティクルパ
ターン１５により、半導体基板１２上に露光、現像を行
う。その結果、図６に示すように液晶レティクル８にＰ
やＱの補正データをフィードバックしたことで、（III
）や（IV）のように目標寸法に忠実なそれぞれＬ、Ｍ
の寸法で、補正後のレジストパターン１６が半導体基板
１２上に転写され、目標のパターン形成が終了する。
【００１４】このように、本発明による投影露光装置に
よれば、転写されたレジスト寸法を補正する場合、コン
ピュータ制御により液晶レティクルパターンの補正を行
うため、同一レティクル上においてパターンに応じた細
かな補正を行うことが可能となり、目標寸法に忠実なレ
ジストパターンを半導体基板１２上に転写することがで
きる。
よれば、転写されたレジスト寸法を補正する場合、コン
ピュータ制御により液晶レティクルパターンの補正を行
うため、同一レティクル上においてパターンに応じた細
かな補正を行うことが可能となり、目標寸法に忠実なレ
ジストパターンを半導体基板１２上に転写することがで
きる。
【００１５】なお、実施例では液晶を含む材料により構
成されたレティクルについて示したが、光を遮断する領
域が電気信号により制御可能な物質により構成されてい
れば液晶に限定されることはない。
成されたレティクルについて示したが、光を遮断する領
域が電気信号により制御可能な物質により構成されてい
れば液晶に限定されることはない。
【００１６】
【発明の効果】この発明のレティクルおよび投影露光装
置によれば、電気信号により光の遮断領域を制御できる
ので、パターンごとにレティクルを製作する必要がな
く、１枚のレティクルで様々なパターンを描くことがで
きる。したがって、ＬＳＩの製造においてその製造時間
を大幅に短縮することが可能となる。
置によれば、電気信号により光の遮断領域を制御できる
ので、パターンごとにレティクルを製作する必要がな
く、１枚のレティクルで様々なパターンを描くことがで
きる。したがって、ＬＳＩの製造においてその製造時間
を大幅に短縮することが可能となる。
【図１】この発明の一実施例におけるレティクルの概略
図である。
図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】この発明の一実施例における投影露光装置の概
略図である。
略図である。
【図４】この発明の一実施例における投影露光装置のコ
ンピュータ制御のフローチャートである。
ンピュータ制御のフローチャートである。
【図５】この発明の一実施例における投影露光装置によ
る寸法補正の補正前の概略図である。
る寸法補正の補正前の概略図である。
【図６】この発明の一実施例における投影露光装置によ
る寸法補正の補正後の概略図である。
る寸法補正の補正後の概略図である。
【図７】従来例のレティクルの概略図である。
【図８】図７のＢ−Ｂ’断面図である。
【図９】従来例の投影露光装置の概略図である。
５ 光源 ７ コンデンサレンズ ８ 液晶レティクル ９ 制御装置 １０ 縮小投影レンズ
Claims (2)
- 【請求項１】 投影する光を遮断する領域を、電気信号
により制御可能なレティクル。 - 【請求項２】 光源と、前記光源から放射された光が通
過するコンデンサレンズと、前記コンデンサレンズを通
過した光が照射されかつ投影する光を遮断する領域を電
気信号により制御可能なレティクルと、前記レティクル
の光を遮断する領域を制御する制御装置と、前記レティ
クルを通過した光を収束する縮小投影レンズとを備えた
投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1532193A JPH06232024A (ja) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | レティクルおよび投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1532193A JPH06232024A (ja) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | レティクルおよび投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232024A true JPH06232024A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11885514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1532193A Pending JPH06232024A (ja) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | レティクルおよび投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232024A (ja) |
-
1993
- 1993-02-02 JP JP1532193A patent/JPH06232024A/ja active Pending
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