JPH051225U - Lead frame for semiconductor device - Google Patents

Lead frame for semiconductor device

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Publication number
JPH051225U
JPH051225U JP4669691U JP4669691U JPH051225U JP H051225 U JPH051225 U JP H051225U JP 4669691 U JP4669691 U JP 4669691U JP 4669691 U JP4669691 U JP 4669691U JP H051225 U JPH051225 U JP H051225U
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JP
Japan
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island
chip
lead frame
semiconductor device
hole
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Pending
Application number
JP4669691U
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
実子 太田
Original Assignee
山形日本電気株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 山形日本電気株式会社 filed Critical 山形日本電気株式会社
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Publication of JPH051225U publication Critical patent/JPH051225U/en
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】ダイボンディングするアイランド2に穴3を形
成する。 【効果】アイランド2に形成された穴3に、封止樹脂7
が侵入することによって、チップ6とアイランド2の熱
膨張率の差により発生する応力を緩和させ、チップ6の
クラックを防止することができる。このため、アイラン
ド2の上に緩衝材として形成する銀めっき層4も厚くす
る必要がなくなるため製造コストを低減できる。
(57) [Summary] [Structure] A hole 3 is formed in an island 2 to be die-bonded. [Effect] The sealing resin 7 is placed in the hole 3 formed in the island 2.
Can be mitigated the stress generated by the difference in the coefficient of thermal expansion between the chip 6 and the island 2, and the crack of the chip 6 can be prevented. For this reason, it is not necessary to thicken the silver plating layer 4 formed as a cushioning material on the island 2, so that the manufacturing cost can be reduced.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

本考案は半導体装置のリードフレームに関し、特に半導体チップをダイボンデ ィングするアイランドを有する半導体装置のリードフレームに関する。 The present invention relates to a lead frame of a semiconductor device, and more particularly to a lead frame of a semiconductor device having an island for die bonding a semiconductor chip.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior Art]

従来の半導体装置のリードフレームは、図3に示すように、半導体チップ(以 下チップと記す)6をダイボンディングするためのアイランド12が平坦な平板 形状をしていた。 In a conventional lead frame of a semiconductor device, as shown in FIG. 3, an island 12 for die-bonding a semiconductor chip (hereinafter referred to as a chip) 6 has a flat plate shape.

【0003】[0003]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

従来の半導体装置のリードフレームでは、ソルダ5を使用したダイボンディン グ時に、チップ6とチップ6をダイボンディングするためのアイランド12との 熱膨張率の違いにより発生するチップクラックが問題点となっていた。 In a conventional lead frame for a semiconductor device, a chip crack caused by a difference in coefficient of thermal expansion between a chip 6 and an island 12 for die-bonding the chip 6 is a problem during die bonding using a solder 5. It was

【0004】 また、チップクラック対策としてアイランド12上に銀めっき層4を形成し、 チップ6とアイランド12間の緩衝材として利用する方法が取られているが、チ ップ6の大きさと共にチップクラックの発生率が高くなることから銀めっき層4 の厚さもチップ6の大きさに比例して厚くする必要があり、製造コストが高くな るという問題点があった。As a countermeasure against chip cracks, a method of forming a silver plating layer 4 on the island 12 and using it as a cushioning material between the chip 6 and the island 12 is used. Since the occurrence rate of cracks increases, the thickness of the silver plating layer 4 also needs to be increased in proportion to the size of the chip 6, resulting in a problem of increased manufacturing cost.

【0005】 本考案の目的は、チップクラックの発生しない安価な半導体装置が得られる半 導体装置のリードフレームを提供することにある。An object of the present invention is to provide a lead frame of a semiconductor device which can obtain an inexpensive semiconductor device without chip cracks.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

本考案は、半導体チップを搭載するアイランドと、該アイランドを被覆する銀 めっき層と、前記半導体チップの電極に接続し、封止樹脂外部へ導出されるリー ドとを有する半導体装置のリードフレームにおいて、前記アイランドに穴を設け る。 The present invention relates to a lead frame of a semiconductor device having an island on which a semiconductor chip is mounted, a silver plating layer covering the island, and a lead connected to an electrode of the semiconductor chip and led out of a sealing resin. , Make a hole in the island.

【0007】[0007]

【実施例】【Example】

次に、本考案の実施例について図面を参照して説明する。 Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0008】 図1は本考案の一実施例の要部平面図、第2は図1のアイランドにチップを搭 載し封止樹脂にて封止した断面図である。FIG. 1 is a plan view of an essential part of an embodiment of the present invention, and second is a sectional view in which a chip is mounted on the island of FIG. 1 and sealed with a sealing resin.

【0009】 図1及び図2に示すように、チップ6をダイボンディングにて搭載するアイラ ンド2に、あらかじめ、穴3を形成する。この穴3の形状は、アイランド2のチ ップ搭載面の開口を小さくし、裏面の開口を大きくすり鉢状に形成することによ ってアイランド2の裏面からの封止樹脂7を侵入し易くし、チップ6とアイラン ド2の熱膨張率の差により発生する応力を穴3に充填された封止樹脂7によって 緩和させチップ6のクラックの発生を防止する。As shown in FIGS. 1 and 2, a hole 3 is formed in advance in an eyeland 2 on which a chip 6 is mounted by die bonding. The shape of the hole 3 is such that the opening of the chip mounting surface of the island 2 is made small and the opening of the back surface is made large in a mortar shape so that the sealing resin 7 can easily enter from the back surface of the island 2. Then, the stress generated by the difference in the coefficient of thermal expansion between the chip 6 and the island 2 is relaxed by the sealing resin 7 filled in the hole 3 to prevent the chip 6 from cracking.

【0010】 このため、アイランド2上に緩衝材として形成する銀めっき層4についても、 チップ6の大きさに比例して厚くする必要がなくなるため、製造コストが低減で きる。Therefore, the silver plating layer 4 formed as a cushioning material on the island 2 does not need to be thickened in proportion to the size of the chip 6, so that the manufacturing cost can be reduced.

【0011】[0011]

【考案の効果】[Effect of the device]

以上説明したように、本考案は、半導体装置のリードフレームにおいて、チッ プをダイボンディングするアイランドに穴を形成し、その穴に封止樹脂が侵入す るようにしたので、チップとアイランドの熱膨張率の差により発生する応力を緩 和しチップクラックを防止するという効果を有する。 As described above, according to the present invention, in the lead frame of the semiconductor device, a hole is formed in the island for die-bonding the chip, and the sealing resin penetrates into the hole. It has the effect of relaxing the stress generated by the difference in expansion coefficient and preventing chip cracks.

【0012】 また、チップの大きさに比例して銀めっき層の厚さを厚くする必要がなくなり 製造コストの低減効果も有する。Further, it is not necessary to increase the thickness of the silver plating layer in proportion to the size of the chip, and the manufacturing cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本考案の一実施例の要部平面図である。FIG. 1 is a plan view of an essential part of an embodiment of the present invention.

【図2】図1のアイランドにチップを搭載し封止樹脂に
て封止した断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a chip mounted on the island of FIG. 1 and sealed with a sealing resin.

【図3】従来の半導体装置のリードフレームの一例にチ
ップを搭載した断面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing a chip mounted on an example of a lead frame of a conventional semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 リード 2,12 アイランド 3 穴 4 銀めっき層 5 ソルダ 6 チップ 7 封止樹脂 1 Lead 2, 12 Island 3 Hole 4 Silver plating layer 5 Solder 6 Chip 7 Sealing resin

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 【請求項1】 半導体チップを搭載するアイランドと、
該アイランドを被覆する銀めっき層と、前記半導体チッ
プの電極に接続し、封止樹脂外部へ導出されるリードと
を有する半導体装置のリードフレームにおいて、前記ア
イランドに穴を設けたことを特徴とする半導体装置のリ
ードフレーム。
[Claims for utility model registration] [Claim 1] An island on which a semiconductor chip is mounted,
A hole is provided in the island in a lead frame of a semiconductor device having a silver plating layer covering the island and a lead connected to an electrode of the semiconductor chip and led out of a sealing resin. Lead frame for semiconductor devices.
JP4669691U 1991-06-21 1991-06-21 Lead frame for semiconductor device Pending JPH051225U (en)

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JP4669691U JPH051225U (en) 1991-06-21 1991-06-21 Lead frame for semiconductor device

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4669691U JPH051225U (en) 1991-06-21 1991-06-21 Lead frame for semiconductor device

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JPH051225U true JPH051225U (en) 1993-01-08

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ID=12754546

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JP4669691U Pending JPH051225U (en) 1991-06-21 1991-06-21 Lead frame for semiconductor device

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