JPH051225U - 半導体装置のリードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】ダイボンディングするアイランド２に穴３を形
成する。 【効果】アイランド２に形成された穴３に、封止樹脂７
が侵入することによって、チップ６とアイランド２の熱
膨張率の差により発生する応力を緩和させ、チップ６の
クラックを防止することができる。このため、アイラン
ド２の上に緩衝材として形成する銀めっき層４も厚くす
る必要がなくなるため製造コストを低減できる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は半導体装置のリードフレームに関し、特に半導体チップをダイボンデ ィングするアイランドを有する半導体装置のリードフレームに関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来の半導体装置のリードフレームは、図３に示すように、半導体チップ（以 下チップと記す）６をダイボンディングするためのアイランド１２が平坦な平板 形状をしていた。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

従来の半導体装置のリードフレームでは、ソルダ５を使用したダイボンディン グ時に、チップ６とチップ６をダイボンディングするためのアイランド１２との 熱膨張率の違いにより発生するチップクラックが問題点となっていた。

【０００４】 また、チップクラック対策としてアイランド１２上に銀めっき層４を形成し、 チップ６とアイランド１２間の緩衝材として利用する方法が取られているが、チ ップ６の大きさと共にチップクラックの発生率が高くなることから銀めっき層４ の厚さもチップ６の大きさに比例して厚くする必要があり、製造コストが高くな るという問題点があった。

【０００５】 本考案の目的は、チップクラックの発生しない安価な半導体装置が得られる半 導体装置のリードフレームを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

本考案は、半導体チップを搭載するアイランドと、該アイランドを被覆する銀 めっき層と、前記半導体チップの電極に接続し、封止樹脂外部へ導出されるリー ドとを有する半導体装置のリードフレームにおいて、前記アイランドに穴を設け る。

【０００７】

【実施例】

次に、本考案の実施例について図面を参照して説明する。

【０００８】 図１は本考案の一実施例の要部平面図、第２は図１のアイランドにチップを搭 載し封止樹脂にて封止した断面図である。

【０００９】 図１及び図２に示すように、チップ６をダイボンディングにて搭載するアイラ ンド２に、あらかじめ、穴３を形成する。この穴３の形状は、アイランド２のチ ップ搭載面の開口を小さくし、裏面の開口を大きくすり鉢状に形成することによ ってアイランド２の裏面からの封止樹脂７を侵入し易くし、チップ６とアイラン ド２の熱膨張率の差により発生する応力を穴３に充填された封止樹脂７によって 緩和させチップ６のクラックの発生を防止する。

【００１０】 このため、アイランド２上に緩衝材として形成する銀めっき層４についても、 チップ６の大きさに比例して厚くする必要がなくなるため、製造コストが低減で きる。

【００１１】

【考案の効果】

以上説明したように、本考案は、半導体装置のリードフレームにおいて、チッ プをダイボンディングするアイランドに穴を形成し、その穴に封止樹脂が侵入す るようにしたので、チップとアイランドの熱膨張率の差により発生する応力を緩 和しチップクラックを防止するという効果を有する。

【００１２】 また、チップの大きさに比例して銀めっき層の厚さを厚くする必要がなくなり 製造コストの低減効果も有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例の要部平面図である。

【図２】図１のアイランドにチップを搭載し封止樹脂に
て封止した断面図である。

【図３】従来の半導体装置のリードフレームの一例にチ
ップを搭載した断面図である。

【符号の説明】

１ リード ２，１２ アイランド ３ 穴 ４ 銀めっき層 ５ ソルダ ６ チップ ７ 封止樹脂

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 【請求項１】 半導体チップを搭載するアイランドと、
   該アイランドを被覆する銀めっき層と、前記半導体チッ
   プの電極に接続し、封止樹脂外部へ導出されるリードと
   を有する半導体装置のリードフレームにおいて、前記ア
   イランドに穴を設けたことを特徴とする半導体装置のリ
   ードフレーム。