JPH051228B2 - - Google Patents
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- JPH051228B2 JPH051228B2 JP62075070A JP7507087A JPH051228B2 JP H051228 B2 JPH051228 B2 JP H051228B2 JP 62075070 A JP62075070 A JP 62075070A JP 7507087 A JP7507087 A JP 7507087A JP H051228 B2 JPH051228 B2 JP H051228B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramics
- bonding agent
- bonding
- joint
- heating
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- Ceramic Products (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明はセラミツクスの接合方法に関するもの
である。 ［従来の技術］ セラミツクスの接合は一般に高温で溶融する接
合剤を塗布し、接合面を突合せて接合部を加熱す
る方法がとられる。加熱手段として一般に用いら
れるものに、電気炉とガスバーナがある。 電気炉による加熱は、セラミツクス全体を電気
炉中に収納して行うので、接合部だけでなくセラ
ミツクス全体が高温にさらされることになる。 ガスバーナによる加熱は、接合部にガスバーナ
（一般に複数個）を吹付け、ガス炎により接合部
を強熱するものである。ガスバーナによる加熱方
法においては、接合部の温度むらが生じやすいの
で、これを抑制するために、ガス炎の当る位置を
周期的に変える必要があり、セラミツクス側又は
ガスバーナ側に移動（又は回転）装置が設けられ
ている。 また、本発明者等は接合部をガスバーナにより
加熱しながら、接合剤部に電流を通電し、通電に
よるジユール熱により接合剤を溶融してセラミツ
クスの接合を行う方法を提案している。（特願昭
61−78697）。 この接合方法では、接合剤は高温において導電
性を有するものを使用する。 ［発明が解決しようとする問題点］ 前述した電気炉による加熱では、セラミツクス
全体を高温にさらすことになるので熱収縮及び熱
歪みが大きく現れ、母材の熱変質を生じやすいな
どの問題がある。 ガスバーナによる加熱では、接合部の温度コン
トロールがむずかしく、接合部の位置的な温度差
や時間的な温度変化が過大になることがあり、こ
のために、接合部にかなりの熱応力がかかり、接
合部に割れなどを生じることがある。 また、接合部をガスバーナにより加熱しなが
ら、接合剤部に通電し、ジユール熱により接合部
分を加熱する方法では、接合剤は高温において導
電性を有するものでなければならない。 本発明の目的は、熱収縮、熱歪み及び熱変質等
が小さく、熱応力による問題点を生じることもな
く、かつ高温において導電性を有しない接合剤で
も採用対象にしうるセラミツクスの接合方法を提
供することにある。 ［問題点を解決するための手段］ 誘導体損失がセラミツクスより大きい接合剤を
用い、この接合剤をセラミツクスの接合面に介在
させて、接合面同士を突合せる。 次に接合部近傍又はセラミツクス全体に短波帯
又はマイクロ波帯の高周波電界を加えて誘電加熱
を用い、前記接合剤を加熱溶融してセラミツクス
を接合する。 ［作用］ 交番電界下におかれた誘電体は、誘電体損失を
発生し発熱する。誘電体の単位体積当りの発生損
失をＰ（ｗ／cm3）とすれば、 Ｐ＝（5/9）fE2eεtanδ×10-12 で与えられる。 ここにｆ、Ｅ、ε、tanδは、それぞれ周波数
（Hz）、電界強度（Ｖ／cm）、比誘電率、誘電体力
率である。 また、εtanδを損失係数と呼び誘電体の発生損
失の程度を示し、損失係数の大きな物質ほど大き
な誘電体損失を発生する。セラミツクスの接合時
に、接合部を最高温度にするため接合剤の損失係
数はセラミツクスより大きいものを用いる。加熱
電源の周波数は短波帯又はマイクロ波帯を用いる
が、電波法により使用可能な周波数が定められて
いる。国内において工業、化学、医事用に割当て
られている周波数は、短波帯では13.56、27.12、
40.68MHzであり、マイクロ波帯では、2450、
5800MHz等であるから、これらの中から使用周波
数を選択する。短波電源を用いる場合はセラミツ
クスの接合部近傍を板状電極間に配設し、マイク
ロ波電源を用いる場合はマイクロ波が照射される
金属箱体内に、接合すべきセラミツクスを収納す
る。 このような配置において、板状電極間に高周波
電圧を印加することにより、又は金属箱体内に高
周波電力を照射することにより、セラミツクスの
接合部近傍又はセラミツクス全体に高周波電界が
かかり、前述の式に示されるような発熱を生じ
る。 接合剤の損失係数はセラミツクスの損失係数よ
りも大きいものを用いているから、接合剤部分が
セラミツクス部より強く加熱されることになり、
いわいる接合剤部分に選択加熱が起こる。 このようにして、効率よく接合剤部分を加熱溶
融して、セラミツクスの接合を行うことができ
る。 なお、誘電体の比誘電率（ε）及び誘電体力率
（tanδ）は同じ物質、組成であつても温度及び周
波数によつて変化するのが通例である。したがつ
て、損失係数（εtanδ）も温度及び周波数によつ
て変化するのが通例であり、これらの挙動を把握
して接合剤を採用することが望ましい。 ［実施例］ 本発明の実施例を図面を参照して説明する。 第１図Ａ及びＢは、本発明の方法を実施するた
めの接合装置を示す概略図であつて、それぞれ平
面図及び正面図を示す。本実施例においては、長
方形状のセラミツクス１ａ，１ｂを縦方向に斜め
突合せ接合する場合について述べる。 セラミツクス１ａ，１ｂは接合すべき面を厚さ
方向に対して傾斜面とし、接合剤２を介在させて
突合されている。接合剤の損失係数は被接合物の
損失係数よりも大きいことが必要であり、このた
めセラミツクス１ａ，１ｂの素材成分の粉体に損
失係数の大きい素材を混入し、その他適当な助
剤、水等を加えてねり合わせ、シート状又はペレ
ツト状に仕上げて接合剤２を得る。損失係数を大
きくする素材としては、KAlSi3O8、NaAlSi3O8、
Li2O、SiO2、MgO、TiO2、BaO、Al2O3、ZnO、
B2O3などがあり、これらのうちから適当な種類、
量の素材を混入することにより、接合剤２の損失
係数をセラミツクス１ａ，１ｂの損失係数よりも
数倍乃至数十倍大きくすることができる。 表１及び表２にセラミツクス、ガラス類等の誘
電特性例を示す。
である。 ［従来の技術］ セラミツクスの接合は一般に高温で溶融する接
合剤を塗布し、接合面を突合せて接合部を加熱す
る方法がとられる。加熱手段として一般に用いら
れるものに、電気炉とガスバーナがある。 電気炉による加熱は、セラミツクス全体を電気
炉中に収納して行うので、接合部だけでなくセラ
ミツクス全体が高温にさらされることになる。 ガスバーナによる加熱は、接合部にガスバーナ
（一般に複数個）を吹付け、ガス炎により接合部
を強熱するものである。ガスバーナによる加熱方
法においては、接合部の温度むらが生じやすいの
で、これを抑制するために、ガス炎の当る位置を
周期的に変える必要があり、セラミツクス側又は
ガスバーナ側に移動（又は回転）装置が設けられ
ている。 また、本発明者等は接合部をガスバーナにより
加熱しながら、接合剤部に電流を通電し、通電に
よるジユール熱により接合剤を溶融してセラミツ
クスの接合を行う方法を提案している。（特願昭
61−78697）。 この接合方法では、接合剤は高温において導電
性を有するものを使用する。 ［発明が解決しようとする問題点］ 前述した電気炉による加熱では、セラミツクス
全体を高温にさらすことになるので熱収縮及び熱
歪みが大きく現れ、母材の熱変質を生じやすいな
どの問題がある。 ガスバーナによる加熱では、接合部の温度コン
トロールがむずかしく、接合部の位置的な温度差
や時間的な温度変化が過大になることがあり、こ
のために、接合部にかなりの熱応力がかかり、接
合部に割れなどを生じることがある。 また、接合部をガスバーナにより加熱しなが
ら、接合剤部に通電し、ジユール熱により接合部
分を加熱する方法では、接合剤は高温において導
電性を有するものでなければならない。 本発明の目的は、熱収縮、熱歪み及び熱変質等
が小さく、熱応力による問題点を生じることもな
く、かつ高温において導電性を有しない接合剤で
も採用対象にしうるセラミツクスの接合方法を提
供することにある。 ［問題点を解決するための手段］ 誘導体損失がセラミツクスより大きい接合剤を
用い、この接合剤をセラミツクスの接合面に介在
させて、接合面同士を突合せる。 次に接合部近傍又はセラミツクス全体に短波帯
又はマイクロ波帯の高周波電界を加えて誘電加熱
を用い、前記接合剤を加熱溶融してセラミツクス
を接合する。 ［作用］ 交番電界下におかれた誘電体は、誘電体損失を
発生し発熱する。誘電体の単位体積当りの発生損
失をＰ（ｗ／cm3）とすれば、 Ｐ＝（5/9）fE2eεtanδ×10-12 で与えられる。 ここにｆ、Ｅ、ε、tanδは、それぞれ周波数
（Hz）、電界強度（Ｖ／cm）、比誘電率、誘電体力
率である。 また、εtanδを損失係数と呼び誘電体の発生損
失の程度を示し、損失係数の大きな物質ほど大き
な誘電体損失を発生する。セラミツクスの接合時
に、接合部を最高温度にするため接合剤の損失係
数はセラミツクスより大きいものを用いる。加熱
電源の周波数は短波帯又はマイクロ波帯を用いる
が、電波法により使用可能な周波数が定められて
いる。国内において工業、化学、医事用に割当て
られている周波数は、短波帯では13.56、27.12、
40.68MHzであり、マイクロ波帯では、2450、
5800MHz等であるから、これらの中から使用周波
数を選択する。短波電源を用いる場合はセラミツ
クスの接合部近傍を板状電極間に配設し、マイク
ロ波電源を用いる場合はマイクロ波が照射される
金属箱体内に、接合すべきセラミツクスを収納す
る。 このような配置において、板状電極間に高周波
電圧を印加することにより、又は金属箱体内に高
周波電力を照射することにより、セラミツクスの
接合部近傍又はセラミツクス全体に高周波電界が
かかり、前述の式に示されるような発熱を生じ
る。 接合剤の損失係数はセラミツクスの損失係数よ
りも大きいものを用いているから、接合剤部分が
セラミツクス部より強く加熱されることになり、
いわいる接合剤部分に選択加熱が起こる。 このようにして、効率よく接合剤部分を加熱溶
融して、セラミツクスの接合を行うことができ
る。 なお、誘電体の比誘電率（ε）及び誘電体力率
（tanδ）は同じ物質、組成であつても温度及び周
波数によつて変化するのが通例である。したがつ
て、損失係数（εtanδ）も温度及び周波数によつ
て変化するのが通例であり、これらの挙動を把握
して接合剤を採用することが望ましい。 ［実施例］ 本発明の実施例を図面を参照して説明する。 第１図Ａ及びＢは、本発明の方法を実施するた
めの接合装置を示す概略図であつて、それぞれ平
面図及び正面図を示す。本実施例においては、長
方形状のセラミツクス１ａ，１ｂを縦方向に斜め
突合せ接合する場合について述べる。 セラミツクス１ａ，１ｂは接合すべき面を厚さ
方向に対して傾斜面とし、接合剤２を介在させて
突合されている。接合剤の損失係数は被接合物の
損失係数よりも大きいことが必要であり、このた
めセラミツクス１ａ，１ｂの素材成分の粉体に損
失係数の大きい素材を混入し、その他適当な助
剤、水等を加えてねり合わせ、シート状又はペレ
ツト状に仕上げて接合剤２を得る。損失係数を大
きくする素材としては、KAlSi3O8、NaAlSi3O8、
Li2O、SiO2、MgO、TiO2、BaO、Al2O3、ZnO、
B2O3などがあり、これらのうちから適当な種類、
量の素材を混入することにより、接合剤２の損失
係数をセラミツクス１ａ，１ｂの損失係数よりも
数倍乃至数十倍大きくすることができる。 表１及び表２にセラミツクス、ガラス類等の誘
電特性例を示す。
【表】
【表】
セラミツクス１ａ，１ｂは図示しない支持治具
によつて定位置に保持されている。接合部に近接
して、その左右に電極３ａ，３ｂが対向して配設
され図示しない支持治具によつて定位置に保持さ
れている。電極３ａ，３ｂは高温に耐えるように
耐熱性のきわめて高い金属（例えばモリブデン
等）を用いる。 電極３ａ，３ｂの上下方向長さ及び前後方向長
さは、それぞれセラミツクス１ａ，１ｂの上下方
向長さ及びセラミツクス１ａ，１ｂの縦方向の接
合部長さよりも大きくする。電極３ａ，３ｂは、
その前後方向の端部はラツパ状に開いていて、対
向電極間の距離が増加するようになつている。こ
れは、接合部から前後方向にはなれた部分を、接
合部分よりも電界強度を小さくすることにより発
熱密度を小さくし、接合時のセラミツクス前後方
向の温度分布をなだらかにすることを目的とした
ものである。 高周波電力発生装置４は、自励発振器等からな
るもので、商用周波数の交流を直流に整流し、さ
らに高周波の周波数変換及び電圧変換を行い同軸
線等を用いた印加線５を通じて電極３ａ，３ｂに
高周波電圧を印加する。使用する周波数は前述の
［作用］の項で示した電波法で使用を認められた
周波数の中から選択する。 セラミツクスの接合手順の概要は下記のとおり
である。セラミツクス１ａ，１ｂの接合面に接合
剤３を介在させ、図示しない支持治具により接合
面同士を押しつけて固定する。電極３ａ，３ｂを
セラミツクス１ａ，１ｂの接合部分の左右に配設
し、電極中央部におけるセラミツクスとのギヤツ
プは２〜３mm程度にして、図示しない支持治具に
より定位置に固定しておき、高周波電力発生装置
４より高周波電圧を電極１ａ，１ｂ間に印加す
る。電極１ａ，１ｂ間に電界がかかりセラミツク
スの接合部に誘電加熱が起り、接合剤２の部分を
最高温度部とした温度上昇が生じる。通電後数分
乃至十数分たてば、接合に適した温度（接合剤が
溶融する温度…一般に１千数百度）に達するの
で、この時点で通電を停止し、加熱部を自然冷却
させる。なお、通電の最終段階でセラミツクス１
ａ，１ｂをたがいに押しつけ合う方向に加圧し
（接合面における法線方向圧力0.05〜２Kg／mm2）
余分の接合剤やボイドを外部に排出すれば、薄く
て緻密な接合金属が形成されるので、接合強度を
増大することができる。また、通電の断続制御を
行うようにし、通電率を小さくしながら最終的な
通電停止に至る方式等により徐冷を行い、接合応
力をより小さくすることができる。また、接合部
及び電極の近傍を不活性ガスの雰囲気下にして誘
電加熱を行うようにしてもよい。このようにすれ
ば、接合時の高温によるセラミツクスの酸化劣化
を防ぎ、接合部の外観も向上する。 その他の実施例 補助熱源における予熱方法 一般に誘電体の損失係数は、高温時に比べ常温
時は小さい傾向にある。このような場合は、誘電
加熱のみでは温度上昇の立ち上がりが遅くなるな
どの問題点を生じるが、補助熱源を用い、接合部
を予熱すればこれらの問題点を解消する。補助熱
源としては、放射放熱形の電熱ヒータを第１図Ｂ
におけるセラミツクス接合部の上面、下面付近に
取付けてセラミツクスの接合部を予熱するように
してもよい。 更に（又は）、電源３ａ，３ｂに接触加熱形の
電熱ヒータを埋込み、この熱を電極→セラミツク
ス接合部に伝熱するようにしてもよい。 これらの補助熱源によりセラミツクスの接合部
の温度が数百度に達つすると、補助熱源の入力を
遮断する。次に、高周波電圧印加時に支障をきた
さないように、セラミツクス接合部の上面及び下
面部に配設した電熱ヒータの接合面からの離隔、
電極埋込みヒータへの入力リード線の電極部から
の離隔等の処理を行い、その後誘電加熱を行う。 金属箱体内における誘電加熱方法 マイクロ波帯の周波数を用いる場合は、金属箱
体（１辺が波長の数倍程度）内に接合すべきセラ
ミツクスを設置し、この金属箱体内に高周波電力
を照射して、セラミツクスの接合を行うことがで
きる。 この方法では、マグネトロンで発生させた高周
波電力を導波管等で導き、金属箱体に開口部を設
けて、ここより金属箱体内に高周波電力を照射す
る。この方法においては、セラミツクスの支持治
具（金属製）等が放電を生じたり、接合部への電
力照射の影にならないように、これらの構造や配
置に注意する必要がある。 また、接合部の均一な加熱を行うには、接合部
における電界分布のかたよりの固定化は避けるこ
とが必要であり、このために、金属製スタラフア
ンの採用、又は被接合物系（セラミツクス及びこ
れらの支持物等）を回転させつつ高周波電力の照
射を行うなどの措置を講じる。 ［発明の効果］ 本発明によれば、接合剤及びその近傍を重点的
に加熱することができるので、接合にともなうセ
ラミツクスの熱劣化、熱変形を低減することがで
きる。 更に、接合部は全面にわたり時間的に一様に加
熱されるので、接合時における熱応力が極めて小
さくなり、接合強度が向上する。 また導電性が小さくジユール熱利用の通電接合
が行えない接合剤でも、本発明の方法によれば接
合剤として使用しうる。
によつて定位置に保持されている。接合部に近接
して、その左右に電極３ａ，３ｂが対向して配設
され図示しない支持治具によつて定位置に保持さ
れている。電極３ａ，３ｂは高温に耐えるように
耐熱性のきわめて高い金属（例えばモリブデン
等）を用いる。 電極３ａ，３ｂの上下方向長さ及び前後方向長
さは、それぞれセラミツクス１ａ，１ｂの上下方
向長さ及びセラミツクス１ａ，１ｂの縦方向の接
合部長さよりも大きくする。電極３ａ，３ｂは、
その前後方向の端部はラツパ状に開いていて、対
向電極間の距離が増加するようになつている。こ
れは、接合部から前後方向にはなれた部分を、接
合部分よりも電界強度を小さくすることにより発
熱密度を小さくし、接合時のセラミツクス前後方
向の温度分布をなだらかにすることを目的とした
ものである。 高周波電力発生装置４は、自励発振器等からな
るもので、商用周波数の交流を直流に整流し、さ
らに高周波の周波数変換及び電圧変換を行い同軸
線等を用いた印加線５を通じて電極３ａ，３ｂに
高周波電圧を印加する。使用する周波数は前述の
［作用］の項で示した電波法で使用を認められた
周波数の中から選択する。 セラミツクスの接合手順の概要は下記のとおり
である。セラミツクス１ａ，１ｂの接合面に接合
剤３を介在させ、図示しない支持治具により接合
面同士を押しつけて固定する。電極３ａ，３ｂを
セラミツクス１ａ，１ｂの接合部分の左右に配設
し、電極中央部におけるセラミツクスとのギヤツ
プは２〜３mm程度にして、図示しない支持治具に
より定位置に固定しておき、高周波電力発生装置
４より高周波電圧を電極１ａ，１ｂ間に印加す
る。電極１ａ，１ｂ間に電界がかかりセラミツク
スの接合部に誘電加熱が起り、接合剤２の部分を
最高温度部とした温度上昇が生じる。通電後数分
乃至十数分たてば、接合に適した温度（接合剤が
溶融する温度…一般に１千数百度）に達するの
で、この時点で通電を停止し、加熱部を自然冷却
させる。なお、通電の最終段階でセラミツクス１
ａ，１ｂをたがいに押しつけ合う方向に加圧し
（接合面における法線方向圧力0.05〜２Kg／mm2）
余分の接合剤やボイドを外部に排出すれば、薄く
て緻密な接合金属が形成されるので、接合強度を
増大することができる。また、通電の断続制御を
行うようにし、通電率を小さくしながら最終的な
通電停止に至る方式等により徐冷を行い、接合応
力をより小さくすることができる。また、接合部
及び電極の近傍を不活性ガスの雰囲気下にして誘
電加熱を行うようにしてもよい。このようにすれ
ば、接合時の高温によるセラミツクスの酸化劣化
を防ぎ、接合部の外観も向上する。 その他の実施例 補助熱源における予熱方法 一般に誘電体の損失係数は、高温時に比べ常温
時は小さい傾向にある。このような場合は、誘電
加熱のみでは温度上昇の立ち上がりが遅くなるな
どの問題点を生じるが、補助熱源を用い、接合部
を予熱すればこれらの問題点を解消する。補助熱
源としては、放射放熱形の電熱ヒータを第１図Ｂ
におけるセラミツクス接合部の上面、下面付近に
取付けてセラミツクスの接合部を予熱するように
してもよい。 更に（又は）、電源３ａ，３ｂに接触加熱形の
電熱ヒータを埋込み、この熱を電極→セラミツク
ス接合部に伝熱するようにしてもよい。 これらの補助熱源によりセラミツクスの接合部
の温度が数百度に達つすると、補助熱源の入力を
遮断する。次に、高周波電圧印加時に支障をきた
さないように、セラミツクス接合部の上面及び下
面部に配設した電熱ヒータの接合面からの離隔、
電極埋込みヒータへの入力リード線の電極部から
の離隔等の処理を行い、その後誘電加熱を行う。 金属箱体内における誘電加熱方法 マイクロ波帯の周波数を用いる場合は、金属箱
体（１辺が波長の数倍程度）内に接合すべきセラ
ミツクスを設置し、この金属箱体内に高周波電力
を照射して、セラミツクスの接合を行うことがで
きる。 この方法では、マグネトロンで発生させた高周
波電力を導波管等で導き、金属箱体に開口部を設
けて、ここより金属箱体内に高周波電力を照射す
る。この方法においては、セラミツクスの支持治
具（金属製）等が放電を生じたり、接合部への電
力照射の影にならないように、これらの構造や配
置に注意する必要がある。 また、接合部の均一な加熱を行うには、接合部
における電界分布のかたよりの固定化は避けるこ
とが必要であり、このために、金属製スタラフア
ンの採用、又は被接合物系（セラミツクス及びこ
れらの支持物等）を回転させつつ高周波電力の照
射を行うなどの措置を講じる。 ［発明の効果］ 本発明によれば、接合剤及びその近傍を重点的
に加熱することができるので、接合にともなうセ
ラミツクスの熱劣化、熱変形を低減することがで
きる。 更に、接合部は全面にわたり時間的に一様に加
熱されるので、接合時における熱応力が極めて小
さくなり、接合強度が向上する。 また導電性が小さくジユール熱利用の通電接合
が行えない接合剤でも、本発明の方法によれば接
合剤として使用しうる。
第１図Ａ及びＢは、それぞれ本発明の方法を実
施するための接合装置の概略を示す平面図及び正
面図である。 １ａ，１ｂ……セラミツクス、２……接合剤、
３ａ，３ｂ……電極、４……高周波電源装置。
施するための接合装置の概略を示す平面図及び正
面図である。 １ａ，１ｂ……セラミツクス、２……接合剤、
３ａ，３ｂ……電極、４……高周波電源装置。
Claims (1)
- １ セラミツクスの接合面に接合剤を介在させて
接合面を突合せ、接合部を加熱し、前記接合剤を
溶融してセラミツクスを接合する方法において、
前記セラミツクスの誘電体損失よりも大きな誘電
体損失を生じる接合剤を用い、接合部近傍又はセ
ラミツクス全体に短波帯又はマイクロ波帯の高周
波電界を加えて誘電加熱することにより前記接合
剤を加熱溶融するセラミツクスの接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7507087A JPS63239164A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | セラミックスの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7507087A JPS63239164A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | セラミックスの接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63239164A JPS63239164A (ja) | 1988-10-05 |
| JPH051228B2 true JPH051228B2 (ja) | 1993-01-07 |
Family
ID=13565567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7507087A Granted JPS63239164A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | セラミックスの接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63239164A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH031931A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-08 | Toshiba Seiki Kk | 加熱シール装置 |
| CN1236533A (zh) * | 1997-08-12 | 1999-11-24 | 松下电器产业株式会社 | 微波加热设备以及用此设备粘结物品的方法 |
| US7022198B2 (en) * | 2003-03-07 | 2006-04-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Microwave assisted reactive brazing of ceramic materials |
| EP2006268A4 (en) * | 2006-03-29 | 2009-11-04 | Tokuyama Corp | PROCESS FOR CONNECTING ALUMINUM NITRIDE INTERCODES AND COMPOUND ALUMINUM NITRIDE BODY |
| ES2385585B1 (es) * | 2010-12-29 | 2013-06-13 | Asociación De Investigación De Las Industrias Cerámicas A.I.C.E. | Sistema de colocación reversible de baldosas cerámicas. |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6311580A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-19 | 株式会社豊田中央研究所 | セラミツクスの接合装置 |
| JPS6311581A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-19 | ホソカワミクロン株式会社 | セラミツクスの接着法 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP7507087A patent/JPS63239164A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63239164A (ja) | 1988-10-05 |
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