JPH05124817A - チタン酸バリウム薄膜の形成方法 - Google Patents
チタン酸バリウム薄膜の形成方法Info
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Abstract
必要とすることなく、無機材料、金属材料などの種々の
材料からなる基材の表面にチタン酸バリウム薄膜を形成
する。 【構成】 バリウム(Ba)イオン及びチタン(Ti)
のアルコキシドを含有する水溶液に基材を浸漬すること
により、該基材の表面にチタン酸バリウム薄膜を形成す
る。
Description
方法、詳しくは、種々の基材上に強誘電体であるチタン
酸バリウムの薄膜を、複雑な工程によることなく、簡便
に形成する方法に関する。
強誘電体材料、圧電体材料、焦電体材料として優れた性
質を有し、超音波センサ、コンデンサ、アクチュエー
タ、焦電型赤外線センサ、不揮発性メモリーなどの種々
のデバイスに幅広く利用されており、さらに多くの分野
への応用が試みられている。そして、チタン酸バリウム
をこれらのデバイスに応用する場合、その特性を有効に
利用するために、チタン酸バリウムを薄膜として用いる
ことが一般的である。
TiO3)薄膜を形成する方法としては、従来より、 基材でもあるチタン金属表面を化成処理する方法(例
えば、特開昭61−30678号)、 スパッタ蒸発したターゲット物質を基板(基材)上に
沈着させて薄膜を形成するスパッタリング法(例えば、
特開平2−94209号)によるもの、 プラズマを利用して薄膜を形成するプラズマ蒸着法に
よるもの(例えば、特開平2−258700号)、 湿式の薄膜形成方法である水熱電気化学法によるもの
(例えば、JJAPVol.28 No.11(198
9))、 など種々の形成方法が知られている。
aTiO3薄膜の形成方法には、それぞれ次のような問
題点がある。すなわち、 のチタン金属表面を化成処理する方法は、基材がチタ
ン金属に限定され、チタン以外の材料を基材として用い
る場合には適用することができない、 のスパッタリング法は、複雑で高価な装置を必要と
し、設備費用が大きくなる、 のプラズマ蒸着法は、複雑で大掛かりな装置を必要と
し、さらに、高温に耐える基材にしか適用できない、 の水熱電気化学法は、基材自体を電極として用いるた
め、良導性の金属基材にしか適用することができず、ま
た、オートクレーブを用いて高温高圧下で成膜するた
め、耐熱性の小さい有機基材には適用できない、 など種々の問題点を包含している。
り、複雑で大掛かりな設備や、厳しい成膜条件を必要と
することなく、無機材料、金属材料、有機材料及びこれ
らの複合材料などの種々の材料からなる基材の表面にチ
タン酸バリウム薄膜を簡便に形成することが可能なチタ
ン酸バリウム薄膜の形成方法を提供することを目的とす
る。
製造方法としては、チタンのアルコキシドを加水分解さ
せてバリウムと低温で反応させることにより、チタン酸
バリウムの粉体を得る方法が知られている。発明者等
は、この方法を様々な角度から検討するとともに、鋭意
実験研究を行い、チタンのアルコキシドの加水分解速度
を抑制することにより、生成するチタン酸バリウムが粉
体とならずに、薄膜となることを知り、この発明を完成
した。
膜の形成方法は、バリウム(Ba)イオン及びチタン
(Ti)のアルコキシドを含有する水溶液に基材を浸漬
することにより、該基材の表面にチタン酸バリウム薄膜
を形成することを特徴としている。
びチタン(Ti)のアルコキシドをそれぞれ、Ba2+,
Ti(IV)に換算して、 Ba2+ :0.01〜150mM/l Ti(IV):0.01〜500mM/l の範囲で含有させることが好ましい。
℃の範囲にあることが好ましい。
ることが好ましい。
ドとしては、アルカノールアミン変性したアルコキシド
を用いることが好ましい。
法における薄膜形成のメカニズムは、概略以下のように
説明される。すなわち、チタンのアルコキシドの加水分
解速度、水溶液のイオン濃度、水溶液の温度、pHなど
の諸条件が適当な領域にあるとき、チタン酸バリウム
は、水溶液中で沈殿(すなわち粉体)を生じるような均
一核形成を行わず、水溶液中に浸漬した基材の表面及び
容器の壁面などの固体表面で不均一核形成を行い、その
核が成長することによって、チタン酸バリウムの薄膜を
形成する。
薄膜の形成方法によれば、組成を調整した水溶液に基材
を浸漬するだけで、複雑な工程を必要とすることなく、
基材の表面に均一なチタン酸バリウム薄膜を形成するこ
とができる。
示して、発明の特徴をさらに詳しく説明する。
ける水溶液(浸漬液)の組成や水溶液の温度(液温)な
どの薄膜形成条件を示す表である。なお、表1において
*印を付した試験番号1,2は、この発明の範囲外の比
較例の薄膜形成条件を示すものである。
に示す濃度になるように、試薬特級の硝酸バリウム、エ
タノ−ルアミン変性チタンブトキシド(TBEA)及び
水酸化カリウムを、イオン交換水に溶解して浸漬液を調
製する。なお、エタノ−ルアミン変性チタンブトキシド
は、チタンブトキシドの4つのブトキシ基の一部または
全部をエタノ−ルアミンで置換したものを用いている。
タンブトキシドに限られるものではなく、チタンエトキ
シドやチタンプロポキシドなど他のチタンアルコキシド
を用いることが可能である。
ブトキシドとしては、エタノ−ルアミン変性したものに
限らず、例えば、プロパノールアミンなどの他のアルカ
ノールアミンで変性したチタンブトキシドを用いること
も可能である。
加量を増減することによって調整する。また、加水分解
速度を一定に保つために、上記水溶液にトリエタノ−ル
アミンを5vol%添加する。
液)100mlをフッ素樹脂(テフロン)容器に入れ、こ
れに10×15×2mmの大きさのアルミナ焼結体、スラ
イドガラス及び白金からなる各基板を浸漬し、表1に示
す液温で20時間保持して反応を行わせた。
がこの発明の範囲外である比較例)以外の試料について
は、基板表面に均一なチタン酸バリウム薄膜が形成され
ていることが認められた。
ミン変性チタンブトキシドの濃度が0.01mM/l未満
(試験番号1(Ba2+=0.005mM/l)及び試験番号
2(TBEA=0.005mM/l))になると均一な薄膜
が形成されなかった。また、表1には示していないが、
Ba2+イオンの濃度が150mM/lを越えた場合(例え
ば、Ba2+=300mM/l))及びエタノ−ルアミン変性
チタンブトキシドの濃度が500mM/lを越えた場合(例
えば、TBEA=700mM/l))には、水溶液中で均一
核形成が行われて直接沈殿が生成してしまい、チタン酸
バリウムの薄膜は形成されなかった。
としては、Ba2+イオンが0.01〜150mM/l 、エ
タノ−ルアミン変性チタンブトキシドが0.01〜50
0mM/lの範囲にあることが好ましい。
結晶質のチタン酸バリウム薄膜が得られず、また、水溶
液の温度が110℃を越えると気泡が基板表面に付着
し、薄膜の連続性、均一性が急激に悪化する。したがっ
て、水溶液の温度は、50〜110℃の範囲に調整する
ことが好ましい。
チタン酸バリウム以外の相が析出するため、水溶液のp
Hは13以上であることが好ましい。
リウム薄膜を形成する基材として、アルミナ焼結体、ス
ライドガラス及び白金からなる各基板を用いた場合につ
いて説明したが、この発明は、これら以外の材料からな
る基板や、さらには、基板以外のフォイルなどを基材と
して、これにチタン酸バリウム薄膜を形成する場合に広
く適用することができる。
チタン酸バリウム薄膜を形成するので、基材が複雑な形
状を有している場合にも、その表面にチタン酸バリウム
薄膜を確実に形成することができる。
ウム薄膜の形成方法は、バリウムイオン及びチタンのア
ルコキシドを含有する水溶液に基材を浸漬することによ
り、該基材の表面にチタン酸バリウム薄膜を形成するよ
うにしているので、水溶液に基材を浸漬するだけで、容
易かつ経済的に、基材表面の広い面積に緻密で均一な強
誘電性のチタン酸バリウム薄膜を形成することができ
る。
の形状を問わず、基材表面にチタン酸バリウム薄膜を直
接形成することが可能になるため、基材を構成する材料
や形状の選択の自由度が向上し、さらにその応用分野を
拡大することができる。
Claims (5)
- 【請求項1】 バリウム(Ba)イオン及びチタン(T
i)のアルコキシドを含有する水溶液に基材を浸漬する
ことにより、該基材の表面にチタン酸バリウム薄膜を形
成することを特徴とするチタン酸バリウム薄膜の形成方
法。 - 【請求項2】 前記水溶液が、バリウム(Ba)及びチ
タン(Ti)のアルコキシドをそれぞれ、Ba2+,Ti
(IV)に換算して、 Ba2+ :0.01〜150mM/l Ti(IV):0.01〜500mM/l の範囲で含有することを特徴とする請求項1記載のチタ
ン酸バリウム薄膜の形成方法。 - 【請求項3】 前記水溶液の温度が、50〜110℃の
範囲にあることを特徴とする請求項1または2記載のチ
タン酸バリウム薄膜の形成方法。 - 【請求項4】 前記水溶液のpHが、13以上であるこ
とを特徴とする請求項1,2または3記載のチタン酸バ
リウム薄膜の形成方法。 - 【請求項5】 前記チタン(Ti)のアルコキシドが、
アルカノールアミン変性したアルコキシドであることを
特徴とする請求項1記載のチタン酸バリウム薄膜の形成
方法。
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| DE19924236551 DE4236551B4 (de) | 1991-11-01 | 1992-10-29 | Herstellung von Bariumtitanat-Dünnfilmen |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007074874A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-05 | Showa Denko K. K. | 複合酸化物膜及びその製造方法、複合体及びその製造方法、誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器 |
| WO2007074875A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-05 | Showa Denko K. K. | 複合酸化物膜及びその製造方法、複合体及びその製造方法、誘電材料、圧電材料、コンデンサ並びに電子機器 |
| WO2007077883A1 (ja) | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Showa Denko K. K. | コンデンサ及びその製造方法 |
| WO2012008041A1 (ja) * | 2010-07-12 | 2012-01-19 | 株式会社ユーテック | 強誘電体膜、ゾルゲル溶液、成膜方法及び強誘電体膜の製造方法 |
| US8524324B2 (en) | 2005-07-29 | 2013-09-03 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, dielectric material including complex oxide film, piezoelectric material, capacitor, piezoelectric element, and electronic device |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3225583B2 (ja) * | 1992-04-10 | 2001-11-05 | 株式会社村田製作所 | チタン酸バリウム薄膜形成方法 |
| US5624604A (en) * | 1994-05-09 | 1997-04-29 | Yasrebi; Mehrdad | Method for stabilizing ceramic suspensions |
| US5962654A (en) * | 1998-01-30 | 1999-10-05 | International Business Machines Operation | Alkoxyalkoxides and use to form films |
| US6002031A (en) * | 1998-09-04 | 1999-12-14 | International Business Machines Corporation | Metal alkoxyalkoxidecarboxylates and use to form films |
| US6503573B1 (en) | 1998-09-29 | 2003-01-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Bomb annealing of thin films |
| TW490439B (en) * | 1999-12-10 | 2002-06-11 | Nat Science Council | Method for preparing a barium fluorotitante (BaTiF6) powder and depositing a barium titanate (BaTiO3) thin film on a silicon wafer |
| US6589457B1 (en) | 2000-07-31 | 2003-07-08 | The Regents Of The University Of California | Polymer-assisted aqueous deposition of metal oxide films |
| TW200302296A (en) * | 2001-11-12 | 2003-08-01 | Toho Titanium Co Ltd | Composite titanium oxide film and method for formation thereof and titanium electrolytic capacitor |
| US20040135095A1 (en) * | 2003-01-13 | 2004-07-15 | Holmquist Glenn Allen | Gamma detecting discharge device and method of forming the same |
| US8882983B2 (en) | 2008-06-10 | 2014-11-11 | The Research Foundation For The State University Of New York | Embedded thin films |
| CN118851745B (zh) * | 2024-09-25 | 2024-12-20 | 四川大学 | 一种钛酸钡陶瓷压电薄膜及其制备方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3002861A (en) * | 1957-06-07 | 1961-10-03 | Lydia A Suchoff | Method of producing a coating of barium titanate |
| US3292994A (en) * | 1963-05-07 | 1966-12-20 | Horizons Inc | Controlled particle size batio3 |
| US4606906A (en) * | 1984-11-15 | 1986-08-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Process of synthesizing mixed BaO-TiO2 based powders for ceramic applications |
| US4636378A (en) * | 1985-06-11 | 1987-01-13 | Hughes Aircraft Company | Method of preparation of perovskite-type compounds |
| EP0237081B1 (en) * | 1986-03-14 | 1992-01-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Process for the preparation of complex perovskite type compounds |
| US4710227A (en) * | 1986-04-28 | 1987-12-01 | The Dow Chemical Company | Dispersion process for ceramic green body |
| US4764493A (en) * | 1986-06-16 | 1988-08-16 | Corning Glass Works | Method for the production of mono-size powders of barium titanate |
| FR2617151B1 (fr) * | 1987-06-29 | 1990-10-12 | Solvay | Procede pour la fabrication d'une poudre d'oxydes metalliques mixtes, et poudres d'oxydes metalliques mixtes |
| DE3869236D1 (de) * | 1987-07-02 | 1992-04-23 | Mitsui Petrochemical Ind | Verfahren zur herstellung von bariumtitanaten. |
| US5087437A (en) * | 1988-01-15 | 1992-02-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for preparing crystalline mixed metal oxides |
| JPH01286922A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-17 | Toray Ind Inc | チタン酸バリウム薄膜の形成方法 |
| FR2636060A1 (fr) * | 1988-09-02 | 1990-03-09 | Thomson Csf | Procede de fabrication de materiau ceramique par voie chimique hybride et materiau obtenu |
| EP0375594A1 (en) * | 1988-12-23 | 1990-06-27 | United Technologies Corporation | Preparation of thin films of ferroelectric materials |
| US5032559A (en) * | 1989-05-05 | 1991-07-16 | Gte Products Corporation | Method of preparing barium, titanium, zirconium oxide ferroelectric ceramic compositions |
| DE69021708T2 (de) * | 1989-08-07 | 1996-03-21 | Mitsui Toatsu Chemicals | Dünnfilmthermistor mit positivem koeffizienten. |
| JPH0383817A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Takuo Sugawara | チタン酸バリウム(BaTiO↓3)ゾルの調整方法 |
| DE4017518A1 (de) * | 1990-05-31 | 1991-12-05 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung von monolayer-kondensatoren |
| JPH115564A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Mitsubishi Motors Corp | 車両のサイドメンバ構造 |
-
1991
- 1991-11-01 JP JP31549791A patent/JP3235145B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-10-28 FR FR9212890A patent/FR2683389B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1992-10-29 DE DE19924236551 patent/DE4236551B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-10-30 US US07/969,027 patent/US5328718A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8524324B2 (en) | 2005-07-29 | 2013-09-03 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, dielectric material including complex oxide film, piezoelectric material, capacitor, piezoelectric element, and electronic device |
| WO2007074874A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-05 | Showa Denko K. K. | 複合酸化物膜及びその製造方法、複合体及びその製造方法、誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器 |
| WO2007074875A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-05 | Showa Denko K. K. | 複合酸化物膜及びその製造方法、複合体及びその製造方法、誘電材料、圧電材料、コンデンサ並びに電子機器 |
| WO2007077883A1 (ja) | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Showa Denko K. K. | コンデンサ及びその製造方法 |
| US7697267B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-04-13 | Showa Denko K.K. | Capacitor and method for manufacturing same |
| JP5094415B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2012-12-12 | 昭和電工株式会社 | 複合酸化物膜及びその製造方法、複合体及びその製造方法、誘電材料、圧電材料、コンデンサ並びに電子機器 |
| US8486493B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-07-16 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor and electronic device |
| US8486492B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-07-16 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor, piezoelectric element and electronic device |
| WO2012008041A1 (ja) * | 2010-07-12 | 2012-01-19 | 株式会社ユーテック | 強誘電体膜、ゾルゲル溶液、成膜方法及び強誘電体膜の製造方法 |
| JPWO2012008041A1 (ja) * | 2010-07-12 | 2013-09-05 | 株式会社ユーテック | 強誘電体膜、ゾルゲル溶液、成膜方法及び強誘電体膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3235145B2 (ja) | 2001-12-04 |
| DE4236551B4 (de) | 2004-06-09 |
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