JPH05125547A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH05125547A JPH05125547A JP3315265A JP31526591A JPH05125547A JP H05125547 A JPH05125547 A JP H05125547A JP 3315265 A JP3315265 A JP 3315265A JP 31526591 A JP31526591 A JP 31526591A JP H05125547 A JPH05125547 A JP H05125547A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- substrate
- plasma
- processing chamber
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオン衝撃による損傷が少なく且つ高性能、
高速に基体を処理するプラズマ処理装置を提供する。 【構成】 排気可能な処理室１内の外周部に同軸状で互
いに平行な二重の筒状電極９，１０が配置されており、
これらの電極間に電源１１により高周波を印加でき、電
極９，１０間に形成されるプラズマ発生用放電室８内に
処理用ガスの少なくとも一種を供給する導入管６が配置
されており、該放電室内に上下方向の磁界を形成する永
久磁石１２が処理室１外に配置されている。電極９には
複数個の孔があけられており且つ接地されて高周波シー
ルドとして機能する。２は被処理基体であり、３はその
支持体であり、７は第２の処理用ガス導入管である。
高速に基体を処理するプラズマ処理装置を提供する。 【構成】 排気可能な処理室１内の外周部に同軸状で互
いに平行な二重の筒状電極９，１０が配置されており、
これらの電極間に電源１１により高周波を印加でき、電
極９，１０間に形成されるプラズマ発生用放電室８内に
処理用ガスの少なくとも一種を供給する導入管６が配置
されており、該放電室内に上下方向の磁界を形成する永
久磁石１２が処理室１外に配置されている。電極９には
複数個の孔があけられており且つ接地されて高周波シー
ルドとして機能する。２は被処理基体であり、３はその
支持体であり、７は第２の処理用ガス導入管である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子や電子回路
等の製造に用いられるプラズマ処理装置に関し、特にイ
オン衝撃が少なく高性能且つ高速に処理を行うことがで
きるプラズマ処理装置に関する。
等の製造に用いられるプラズマ処理装置に関し、特にイ
オン衝撃が少なく高性能且つ高速に処理を行うことがで
きるプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や電子回路の製造プロセスな
かでも超ＬＳＩの製造プロセスにおいては、プラズマ処
理装置は重要な位置を占めている。最終保護膜用ＳｉＮ
や層間絶縁膜用のＳｉＯ2 等の薄膜形成にはプラズマＣ
ＶＤ装置が、配線用Ａｌの薄膜形成にはスパッタリング
装置が、各種薄膜のエッチングにはＲＩＥ装置等が、フ
ォトレジスト層の灰化にはプラズマアッシング装置が用
いられており、その他にも酸化窒化、クリーニング、ド
ーピング、エピタキシャルプロセス等への応用も研究さ
れている。実用化されているプラズマ処理装置の多く
は、１３．５６ＭＨｚの高周波や２．４５ＧＨｚのマイ
クロ波を励起源として用い、発生した１×１０10／ｃｍ
3 以上の密度をもつプラズマに基体を接触させ、プラズ
マ処理している。
かでも超ＬＳＩの製造プロセスにおいては、プラズマ処
理装置は重要な位置を占めている。最終保護膜用ＳｉＮ
や層間絶縁膜用のＳｉＯ2 等の薄膜形成にはプラズマＣ
ＶＤ装置が、配線用Ａｌの薄膜形成にはスパッタリング
装置が、各種薄膜のエッチングにはＲＩＥ装置等が、フ
ォトレジスト層の灰化にはプラズマアッシング装置が用
いられており、その他にも酸化窒化、クリーニング、ド
ーピング、エピタキシャルプロセス等への応用も研究さ
れている。実用化されているプラズマ処理装置の多く
は、１３．５６ＭＨｚの高周波や２．４５ＧＨｚのマイ
クロ波を励起源として用い、発生した１×１０10／ｃｍ
3 以上の密度をもつプラズマに基体を接触させ、プラズ
マ処理している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術では、基体とプラズマとの接触面に形成される
シース電界によってプラズマ中の多数のイオンが加速さ
れ、数１０〜１００ｅＶ程度の運動エネルギーをもって
基体に入射するため、基体表面に損傷が発生しやすい。
また、有機系の原料ガスを用いる場合には、Ｃ−Ｈ結合
の解離等の不適切な反応が生じ、形成される膜中に炭素
が混入しやすい。
従来技術では、基体とプラズマとの接触面に形成される
シース電界によってプラズマ中の多数のイオンが加速さ
れ、数１０〜１００ｅＶ程度の運動エネルギーをもって
基体に入射するため、基体表面に損傷が発生しやすい。
また、有機系の原料ガスを用いる場合には、Ｃ−Ｈ結合
の解離等の不適切な反応が生じ、形成される膜中に炭素
が混入しやすい。
【０００４】これらの問題を解決するために、プラズマ
発生室とプラズマ処理室とを分離した遠隔プラズマ処理
装置が検討されていて、損傷の少ない処理が可能になっ
ているが、発生室と基体とが空間的に離れているため
に、反応に有効な励起種が輸送途中で衝突により失活し
やすく、処理が不完全である（成膜の場合には緻密性が
低い）、処理速度が低い、等の問題がある。
発生室とプラズマ処理室とを分離した遠隔プラズマ処理
装置が検討されていて、損傷の少ない処理が可能になっ
ているが、発生室と基体とが空間的に離れているため
に、反応に有効な励起種が輸送途中で衝突により失活し
やすく、処理が不完全である（成膜の場合には緻密性が
低い）、処理速度が低い、等の問題がある。
【０００５】そこで、本発明は、以上の様な従来技術の
問題点を解決し、イオン衝撃による損傷が少なく且つ高
性能、高速に基体を処理するプラズマ処理装置を提供す
ることを目的とするものである。
問題点を解決し、イオン衝撃による損傷が少なく且つ高
性能、高速に基体を処理するプラズマ処理装置を提供す
ることを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、以上の
様な目的を達成するものとして、処理室と、該処理室内
を排気する手段と、該処理室内に処理用ガスを供給する
手段と、該処理室内の外周部に配置された同軸状で互い
に平行な二重の筒状電極間に高周波を供給するプラズマ
発生手段と、該処理室内にて被処理基体を保持する手段
とを有することを特徴とする、プラズマ処理装置、が提
供される。
様な目的を達成するものとして、処理室と、該処理室内
を排気する手段と、該処理室内に処理用ガスを供給する
手段と、該処理室内の外周部に配置された同軸状で互い
に平行な二重の筒状電極間に高周波を供給するプラズマ
発生手段と、該処理室内にて被処理基体を保持する手段
とを有することを特徴とする、プラズマ処理装置、が提
供される。
【０００７】本発明においては、上記二重の筒状電極間
に電界と垂直な磁界を発生する手段を設けることができ
る。また、上記二重の筒状電極のうちの内側の電極とし
ては、複数個の孔があけられており且つ接地されて高周
波シールドとして機能するものを用いることができる。
更に、上記処理用ガスの少なくとも一種を上記二重の筒
状電極間に供給するのが好ましい。
に電界と垂直な磁界を発生する手段を設けることができ
る。また、上記二重の筒状電極のうちの内側の電極とし
ては、複数個の孔があけられており且つ接地されて高周
波シールドとして機能するものを用いることができる。
更に、上記処理用ガスの少なくとも一種を上記二重の筒
状電極間に供給するのが好ましい。
【０００８】本発明によれば、二重の筒状高周波電極の
うち、内側の電極に複数個の孔をあけ且つ接地して被処
理基体周辺の空間に対する高周波シールドとして機能さ
せることができ、これにより被処理基体付近のプラズマ
密度を低下させて、イオン衝撃による被処理基体の損傷
を低減し、更に二重の筒状高周波電極間に電界と垂直な
磁界を発生させて、電極付近に局在した高周波のマグネ
トロン放電を発生させ、且つ処理用ガスの少なくとも一
種を二重の筒状電極間に形成されるプラズマ高密度部を
通過させることにより、反応に有効な励起種を大量に被
処理基体近傍に輸送して更に高性能で高速な処理が可能
となる。
うち、内側の電極に複数個の孔をあけ且つ接地して被処
理基体周辺の空間に対する高周波シールドとして機能さ
せることができ、これにより被処理基体付近のプラズマ
密度を低下させて、イオン衝撃による被処理基体の損傷
を低減し、更に二重の筒状高周波電極間に電界と垂直な
磁界を発生させて、電極付近に局在した高周波のマグネ
トロン放電を発生させ、且つ処理用ガスの少なくとも一
種を二重の筒状電極間に形成されるプラズマ高密度部を
通過させることにより、反応に有効な励起種を大量に被
処理基体近傍に輸送して更に高性能で高速な処理が可能
となる。
【０００９】本発明装置で用いる高周波の周波数として
は、１〜３００ＭＨｚの範囲の適当な値を選択すること
ができる。高周波電極近傍での磁束密度としては、必要
なプラズマ局在化の度合いに応じて１００〜１０００Ｇ
の適当な値を選択することができる。磁界発生手段は永
久磁石でも電磁石でもよい。処理用ガス供給手段として
は、リング状の導入管の導入孔がプラズマに接触する様
なものや、先端がプラズマに接触する２個の同軸円筒管
の間からガスを供給するもの等が適当である。低損傷を
達成するために基体からプラズマを隔離しているにもか
かわらず、ガスの励起効率が高められ、反応に有効な励
起種が大量に基体に供給されるので、高速且つ高性能な
処理が可能になる。
は、１〜３００ＭＨｚの範囲の適当な値を選択すること
ができる。高周波電極近傍での磁束密度としては、必要
なプラズマ局在化の度合いに応じて１００〜１０００Ｇ
の適当な値を選択することができる。磁界発生手段は永
久磁石でも電磁石でもよい。処理用ガス供給手段として
は、リング状の導入管の導入孔がプラズマに接触する様
なものや、先端がプラズマに接触する２個の同軸円筒管
の間からガスを供給するもの等が適当である。低損傷を
達成するために基体からプラズマを隔離しているにもか
かわらず、ガスの励起効率が高められ、反応に有効な励
起種が大量に基体に供給されるので、高速且つ高性能な
処理が可能になる。
【００１０】更に、基体または基体に付着した反応中間
体に吸収される可視紫外光を基体表面に照射する光アシ
ストプラズマ処理装置に本発明を適用すれば、尚一層の
低温で高性能な処理が可能になる。
体に吸収される可視紫外光を基体表面に照射する光アシ
ストプラズマ処理装置に本発明を適用すれば、尚一層の
低温で高性能な処理が可能になる。
【００１１】図１は本発明によるプラズマ処理装置の第
１の構成例を示す模式図である。
１の構成例を示す模式図である。
【００１２】図１において、処理室１は不図示のコンダ
クタンスバルブを介して不図示の排気手段により排気５
が可能とされている。該処理室は上下方向の方向性を有
する円筒形状をなしている。該処理室１内の下部には被
処理基体２を支持するための支持体３が配置されてい
る。該支持体内には基体２を加熱するためのヒータ４が
内蔵されている。処理室１内には第１の処理用ガスを供
給するための第１のリング状の導入管６及び第２の処理
用ガスを供給するための第２のリング状の導入管７が配
置されており、これら配管にあけられた導入孔から処理
室１内に処理用ガスが供給される。
クタンスバルブを介して不図示の排気手段により排気５
が可能とされている。該処理室は上下方向の方向性を有
する円筒形状をなしている。該処理室１内の下部には被
処理基体２を支持するための支持体３が配置されてい
る。該支持体内には基体２を加熱するためのヒータ４が
内蔵されている。処理室１内には第１の処理用ガスを供
給するための第１のリング状の導入管６及び第２の処理
用ガスを供給するための第２のリング状の導入管７が配
置されており、これら配管にあけられた導入孔から処理
室１内に処理用ガスが供給される。
【００１３】処理室１内の上部には円筒状多孔シールド
電極９と円筒状高周波電極１０とが同軸状に配置されて
おり、これら２つの電極の間にリング形状の放電室８が
形成されている。これら２つの電極９，１０間には高周
波電源１１により高周波電圧が印加される。この電界の
向きは水平方向であり処理室の半径方向を向いている。
尚、シールド電極９は接地されている。高周波電極１０
の周囲には、電界に対し直交する上下方向の磁界を形成
するための永久磁石１２が処理室１の上部外部の周囲に
配置されている。
電極９と円筒状高周波電極１０とが同軸状に配置されて
おり、これら２つの電極の間にリング形状の放電室８が
形成されている。これら２つの電極９，１０間には高周
波電源１１により高周波電圧が印加される。この電界の
向きは水平方向であり処理室の半径方向を向いている。
尚、シールド電極９は接地されている。高周波電極１０
の周囲には、電界に対し直交する上下方向の磁界を形成
するための永久磁石１２が処理室１の上部外部の周囲に
配置されている。
【００１４】本構成例の装置の使用に際しては、基体２
を支持体３上に固定保持し、ヒータ４に電流を流して基
体２を所望の温度（たとえば室温〜数百℃）まで上昇さ
せる。続いて、第１の導入管６から放電室８内に第１の
処理用ガスを供給し、第２の導入管７から基体２の近傍
に直接第２の処理用ガスを供給する。そして、処理室１
内を所望の真空度（たとえば１ｍＴｏｒｒ〜１Ｔｏｒ
ｒ）まで減圧し、高周波電源１１により高周波電極１０
に所望の高周波（たとえば電力数十〜数千Ｗ）を印加し
て、磁石１２によるマグネトロン磁界（たとえば磁束密
度数百Ｇ）の存在下で放電室８内に高周波電界を発生さ
せて、電極１０の近傍に局在化したプラズマを発生させ
る。かくして、第１の処理用ガスは放電室８内でプラズ
マ化され、反応に有効な励起種が大量に基体２の近傍へ
と供給される。この様にして処理用ガス供給を適宜の時
間行うことにより、基体２に対し所望の処理を行うこと
ができる。
を支持体３上に固定保持し、ヒータ４に電流を流して基
体２を所望の温度（たとえば室温〜数百℃）まで上昇さ
せる。続いて、第１の導入管６から放電室８内に第１の
処理用ガスを供給し、第２の導入管７から基体２の近傍
に直接第２の処理用ガスを供給する。そして、処理室１
内を所望の真空度（たとえば１ｍＴｏｒｒ〜１Ｔｏｒ
ｒ）まで減圧し、高周波電源１１により高周波電極１０
に所望の高周波（たとえば電力数十〜数千Ｗ）を印加し
て、磁石１２によるマグネトロン磁界（たとえば磁束密
度数百Ｇ）の存在下で放電室８内に高周波電界を発生さ
せて、電極１０の近傍に局在化したプラズマを発生させ
る。かくして、第１の処理用ガスは放電室８内でプラズ
マ化され、反応に有効な励起種が大量に基体２の近傍へ
と供給される。この様にして処理用ガス供給を適宜の時
間行うことにより、基体２に対し所望の処理を行うこと
ができる。
【００１５】図２は本発明によるプラズマ処理装置の第
２の構成例を示す模式図である。図２において、上記図
１におけると同様の部材には同一の符号が付されてい
る。
２の構成例を示す模式図である。図２において、上記図
１におけると同様の部材には同一の符号が付されてい
る。
【００１６】本構成例は、図１のプラズマ処理装置に光
アシスト機能を追加したものである。即ち、処理室１の
上部には窓１６が付されており、ここから処理室１内の
被処理基体に対し光照射する手段として、光源１３、イ
ンテグレータ１４及びコリメータレンズ１５が配置され
ている。本構成例では、上記図１の場合の操作に加え
て、光源１３から適宜の強度の可視紫外光を照射する。
アシスト機能を追加したものである。即ち、処理室１の
上部には窓１６が付されており、ここから処理室１内の
被処理基体に対し光照射する手段として、光源１３、イ
ンテグレータ１４及びコリメータレンズ１５が配置され
ている。本構成例では、上記図１の場合の操作に加え
て、光源１３から適宜の強度の可視紫外光を照射する。
【００１７】
【実施例】以下に、本発明装置を用いたプラズマ処理の
実施例を説明する。
実施例を説明する。
【００１８】（実施例１）本実施例は、図１に示される
装置をプラズマＣＶＤ装置に適用した例である。本実施
例では、基体２としてＳｉ基板を用い、第１の処理用ガ
スとして原料ガスＮ2 を２００ｓｃｃｍ、第２の処理用
ガスとして原料ガスＳｉＨ4 を２０ｓｃｃｍ供給した。
処理室１内の圧力０．１Ｔｏｒｒ、基体温度３００℃、
高周波電力２００Ｗ、磁束密度１３０Ｇの条件で、Ｓｉ
Ｎ膜を成膜した。
装置をプラズマＣＶＤ装置に適用した例である。本実施
例では、基体２としてＳｉ基板を用い、第１の処理用ガ
スとして原料ガスＮ2 を２００ｓｃｃｍ、第２の処理用
ガスとして原料ガスＳｉＨ4 を２０ｓｃｃｍ供給した。
処理室１内の圧力０．１Ｔｏｒｒ、基体温度３００℃、
高周波電力２００Ｗ、磁束密度１３０Ｇの条件で、Ｓｉ
Ｎ膜を成膜した。
【００１９】その結果、水素含有率１０ａｔｍ％、圧縮
応力２×１０9ｄｙｎ／ｃｍ2 の良質なＳｉＮ膜が、損
傷少なく、７０ｎｍ／ｍｉｎの高速で成膜された。
応力２×１０9ｄｙｎ／ｃｍ2 の良質なＳｉＮ膜が、損
傷少なく、７０ｎｍ／ｍｉｎの高速で成膜された。
【００２０】本実施例では、原料ガスとしてＮ2 及びＳ
ｉＨ4を用いてＳｉＮ膜を成膜したが、原料ガスを替
え、必要に応じて成膜条件を適宜変更することにより、
ＳｉＯ 2 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ等の絶縁膜
や、ａ−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＧａＡｓ等の半導体膜
や、Ａｌ、Ｗ等の金属膜を成膜することができる。
ｉＨ4を用いてＳｉＮ膜を成膜したが、原料ガスを替
え、必要に応じて成膜条件を適宜変更することにより、
ＳｉＯ 2 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ等の絶縁膜
や、ａ−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＧａＡｓ等の半導体膜
や、Ａｌ、Ｗ等の金属膜を成膜することができる。
【００２１】（実施例２）本実施例は、図１に示される
装置を表面改質処理装置に適用した例である。本実施例
では、基体２としてＳｉ基板を用い、第１の処理用ガス
として酸化処理用のＯ2 を２００ｓｃｃｍ供給した。処
理室１内の圧力０．２Ｔｏｒｒ、基体温度５００℃、高
周波電力５００Ｗ、磁束密度１３０Ｇの条件で、表面酸
化処理した。
装置を表面改質処理装置に適用した例である。本実施例
では、基体２としてＳｉ基板を用い、第１の処理用ガス
として酸化処理用のＯ2 を２００ｓｃｃｍ供給した。処
理室１内の圧力０．２Ｔｏｒｒ、基体温度５００℃、高
周波電力５００Ｗ、磁束密度１３０Ｇの条件で、表面酸
化処理した。
【００２２】その結果、耐圧１１ＭＶ／ｃｍの良質なＳ
ｉＯ2 膜が、界面電荷密度４×１０10／ｃｍ2 と損傷少
なく、１．５ｎｍ／ｍｉｎの高速で形成された。
ｉＯ2 膜が、界面電荷密度４×１０10／ｃｍ2 と損傷少
なく、１．５ｎｍ／ｍｉｎの高速で形成された。
【００２３】本実施例では、処理用ガスとしてＯ2 を用
いてＳｉの表面酸化を行ったが、基体及び処理用ガスの
適宜の組み合わせを採用し、必要に応じて処理条件を適
宜変更することにより、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｔａ
等の酸化窒化や、Ｂ、Ａｓ、Ｐ等のドーピングが可能で
ある。
いてＳｉの表面酸化を行ったが、基体及び処理用ガスの
適宜の組み合わせを採用し、必要に応じて処理条件を適
宜変更することにより、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｔａ
等の酸化窒化や、Ｂ、Ａｓ、Ｐ等のドーピングが可能で
ある。
【００２４】（実施例３）本実施例は、図１に示される
装置を表面クリーニング処理装置に適用した例である。
本実施例では、基体２としてＳｉ基板を用い、第１の処
理用ガスとしてクリーニング処理用のＮＦ3 ＋Ｈ2 をＮ
Ｆ3 ５０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ２００ｓｃｃｍ供給した。処理
室１内の圧力０．２Ｔｏｒｒ、基体温度３００℃、高周
波電力３００Ｗ、磁束密度１３０Ｇの条件で、クリーニ
ング処理した。
装置を表面クリーニング処理装置に適用した例である。
本実施例では、基体２としてＳｉ基板を用い、第１の処
理用ガスとしてクリーニング処理用のＮＦ3 ＋Ｈ2 をＮ
Ｆ3 ５０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ２００ｓｃｃｍ供給した。処理
室１内の圧力０．２Ｔｏｒｒ、基体温度３００℃、高周
波電力３００Ｗ、磁束密度１３０Ｇの条件で、クリーニ
ング処理した。
【００２５】その結果、１分間でＳｉ基板上の自然酸化
膜が完全に除去できた。
膜が完全に除去できた。
【００２６】本実施例では、処理用ガスとしてＮＦ3 ＋
Ｈ2 を用いて、Ｓｉの表面クリーニングを行ったが、基
体及び処理用ガスの適宜の組み合わせを採用し、必要に
応じて処理条件を適宜変更することにより、有機物や重
金属等の表面クリーニング処理が可能である。
Ｈ2 を用いて、Ｓｉの表面クリーニングを行ったが、基
体及び処理用ガスの適宜の組み合わせを採用し、必要に
応じて処理条件を適宜変更することにより、有機物や重
金属等の表面クリーニング処理が可能である。
【００２７】（実施例４）本実施例は、図２に示される
装置を光アシストプラズマＣＶＤ処理装置に適用した例
である。本実施例では、基体２としてＳｉ基板を用い、
第１の処理用ガスとして原料ガスＯ2 を５００ｓｃｃ
ｍ、第２の処理用ガスとして原料ガスＴＥＯＳ（テトラ
エチルオルソシリケート）を１００ｓｃｃｍ供給した。
処理室１内の圧力０．１Ｔｏｒｒ、基体温度３００℃、
光照度０．６Ｗ／ｃｍ2 、高周波電力５００Ｗ、磁束密
度１３０Ｇの条件で、ＳｉＯ2 膜を成膜した。
装置を光アシストプラズマＣＶＤ処理装置に適用した例
である。本実施例では、基体２としてＳｉ基板を用い、
第１の処理用ガスとして原料ガスＯ2 を５００ｓｃｃ
ｍ、第２の処理用ガスとして原料ガスＴＥＯＳ（テトラ
エチルオルソシリケート）を１００ｓｃｃｍ供給した。
処理室１内の圧力０．１Ｔｏｒｒ、基体温度３００℃、
光照度０．６Ｗ／ｃｍ2 、高周波電力５００Ｗ、磁束密
度１３０Ｇの条件で、ＳｉＯ2 膜を成膜した。
【００２８】その結果、水素含有率１ａｔｍ％以下、引
張り応力２×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2の良質で平坦なＳｉ
Ｏ2 膜が、１８０ｎｍ／ｍｉｎの高速で成膜された。
張り応力２×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2の良質で平坦なＳｉ
Ｏ2 膜が、１８０ｎｍ／ｍｉｎの高速で成膜された。
【００２９】本実施例では、原料ガスとしてＯ2 及びＴ
ＥＯＳを用いて、ＳｉＯ2 膜を成膜したが、原料ガスを
替え、必要に応じて成膜条件を適宜変更することによ
り、ＳｉＮ、Ｔａ2 Ｏ5 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ等の絶縁
膜や、ａ−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＧａＡｓ等の半導体
膜や、Ａｌ、Ｗ等の金属膜を成膜することができる。
ＥＯＳを用いて、ＳｉＯ2 膜を成膜したが、原料ガスを
替え、必要に応じて成膜条件を適宜変更することによ
り、ＳｉＮ、Ｔａ2 Ｏ5 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ等の絶縁
膜や、ａ−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＧａＡｓ等の半導体
膜や、Ａｌ、Ｗ等の金属膜を成膜することができる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理室内の外周部に配置された同軸状で互いに平行な二
重の筒状電極間に高周波を供給するプラズマ発生手段を
設けたので、これら二重の筒状電極間に処理用ガスの少
なくとも一種を供給して、この被処理基体から離れた位
置でプラズマを発生させることにより、被処理基体近傍
のプラズマ密度を低下させてイオン衝撃による基体の損
傷を少なくでき、且つ処理に有効な励起種を基体の近傍
に迅速に輸送でき、高性能、高速に基体を処理すること
ができる。
処理室内の外周部に配置された同軸状で互いに平行な二
重の筒状電極間に高周波を供給するプラズマ発生手段を
設けたので、これら二重の筒状電極間に処理用ガスの少
なくとも一種を供給して、この被処理基体から離れた位
置でプラズマを発生させることにより、被処理基体近傍
のプラズマ密度を低下させてイオン衝撃による基体の損
傷を少なくでき、且つ処理に有効な励起種を基体の近傍
に迅速に輸送でき、高性能、高速に基体を処理すること
ができる。
【図１】本発明によるプラズマ処理装置の第１の構成例
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図２】本発明によるプラズマ処理装置の第２の構成例
を示す模式図である。
を示す模式図である。
１ 処理室 ２ 基体 ３ 支持体 ４ ヒータ ５ 排気 ６ 処理用ガス導入管 ７ 処理用ガス導入管 ８ 放電室 ９ 多孔シールド電極 １０ 高周波電極 １１ 高周波電源 １２ 永久磁石 １３ 光源 １４ インテグレータ １５ コリメータレンズ １６ 窓
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｈ 1/46 9014−2Ｇ
Claims (4)
- 【請求項１】 処理室と、該処理室内を排気する手段
と、該処理室内に処理用ガスを供給する手段と、該処理
室内の外周部に配置された同軸状で互いに平行な二重の
筒状電極間に高周波を供給するプラズマ発生手段と、該
処理室内にて被処理基体を保持する手段とを有すること
を特徴とする、プラズマ処理装置。 - 【請求項２】 上記二重の筒状電極間に電界と垂直な磁
界を発生する手段をもつことを特徴とする、請求項１に
記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 上記二重の筒状電極のうちの内側の電極
には複数個の孔があけられており且つ接地されて高周波
シールドとして機能することを特徴とする、請求項１ま
たは請求項２に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 上記処理用ガスの少なくとも一種は上記
二重の筒状電極間に供給されることを特徴とする、請求
項１〜請求項３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3315265A JPH05125547A (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3315265A JPH05125547A (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05125547A true JPH05125547A (ja) | 1993-05-21 |
Family
ID=18063347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3315265A Pending JPH05125547A (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05125547A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09283518A (ja) * | 1996-04-12 | 1997-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US20080277064A1 (en) * | 2006-12-08 | 2008-11-13 | Tes Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JP2009280871A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | プラズマ−光複合ｃｖｄ成膜方法 |
-
1991
- 1991-11-05 JP JP3315265A patent/JPH05125547A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09283518A (ja) * | 1996-04-12 | 1997-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US7019385B1 (en) | 1996-04-12 | 2006-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating same |
| US7838968B2 (en) | 1996-04-12 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating same |
| US20080277064A1 (en) * | 2006-12-08 | 2008-11-13 | Tes Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JP2009280871A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | プラズマ−光複合ｃｖｄ成膜方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102918885B1 (ko) | 전자빔 매개 플라즈마 에칭 및 증착 공정을 위한 장치 및 공정 | |
| JPS5816078A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| TW200531160A (en) | Method for cleaning process chamber of substrate processing apparatus, substrate processing apparatus, and method for processing substrate | |
| JPH0689880A (ja) | エッチング装置 | |
| JP2003109941A (ja) | プラズマ処理装置および表面処理方法 | |
| JP6460853B2 (ja) | 磁性層をエッチングする方法 | |
| JP2008181710A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
| CN115004329B (zh) | 用于选择性间隙填充的双等离子体预清洁 | |
| JPH08115901A (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 | |
| JP2004186402A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2004047695A (ja) | プラズマドーピング方法及び装置 | |
| JPH0613196A (ja) | プラズマ発生方法および発生装置 | |
| JPH0718433A (ja) | Ｉｃｐスパッタリング処理装置 | |
| JPH11168090A (ja) | 半導体製造方法 | |
| JP3907444B2 (ja) | プラズマ処理装置及び構造体の製造方法 | |
| JPH05125547A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH05125546A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2807674B2 (ja) | 処理装置および処理装置のクリーニング方法 | |
| JP2002324760A (ja) | 成膜装置 | |
| JP3258441B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法 | |
| JP2023007231A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2004128210A (ja) | プラズマドーピング方法及び装置 | |
| JPH05259153A (ja) | シリコン酸化膜の製造方法と製造装置 | |
| JPH06333843A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JPH0221296B2 (ja) |