JPH0512644A

JPH0512644A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH0512644A
Application number: JP16554191A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Matsubaguchi; 敏松葉口; Akira Nahara; 明名原
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1991-07-05
Filing date: 1991-07-05
Publication date: 1993-01-22

Abstract

(57)【要約】【目的】非磁性基板の温度を高めることなく成膜が可
能であり、且つ高抗磁力、高飽和磁化である優れた磁気
特性を有する二層膜型垂直磁気記録媒体を得ること。【構成】非磁性基板上に、低抗磁力磁性層と、高抗磁
力磁性層を有する磁気記録媒体において、該高抗磁力磁
性層を（Ｃｏ_100-xＰｄ_x）_100-yＣｒ_y（１０≦ｘ≦
４０，５≦ｙ≦２５、ｘ及びｙは、at．％である。）で
表される組成を主成分とし、膜面にほぼ垂直な方向に磁
化容易軸を有する金属薄膜で構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、金属薄膜を磁性層とす
る磁気記録媒体に関し、特に磁性層の組成を改良するこ
とにより、磁気特性が向上せしめられた、いわゆる二層
膜型垂直磁気記録に好適な磁気記録媒体に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】近年の、高密度記録化の要求に応えるべ
く磁気記録媒体の改良が鋭意進められている。中でも記
録密度の向上が最も期待される記録方式として、磁性層
に垂直磁化膜を使用したいわゆる垂直磁気方式がある。

【０００３】即ち、垂直磁気記録は、磁性層の膜面に垂
直な方向に磁化容易軸を有する垂直磁化膜を用いる方式
であり、特に金属薄膜型垂直磁化膜を磁性層とする磁気
記録媒体において、優れた高密度記録が実現されるた
め、各種の磁気材料組成、層の構成及び成膜方法の改良
が提案されている。特に、高透磁率を有する低抗磁力軟
磁性層と垂直磁化膜層との組み合わせによる二層膜型垂
直磁化媒体が高再生出力が得られるため注目されてきた
（特公昭５８−９１）。

【０００４】薄膜型垂直磁化膜材料については、ＣｏＣ
ｒ，ＣｏＣｒＴａ，等でその優れた記録再生特性が知ら
れているが、通常のマグネトロンスパッタリング方式で
成膜する場合、垂直磁気異方性を得るためには少なくと
も１００℃以上に非磁性基板を加熱する必要があった。
また、真空蒸着法では、更に高温の加熱が必要であり、
これは実用化への大きな課題があった。

【０００５】即ち、磁性金属薄膜を成膜する際に、非磁
性基板を加熱するためには、成膜装置の構造が複雑とな
るとともに、基板材料からの放出ガスの影響、あるいは
使用可能な非磁性基板の種類が限定され、例えば、ポリ
エチレンテレフタレートフィルム等のプラスチック材料
の使用が困難である、等の問題点があった。

【０００６】これらの問題点のため、垂直磁気記録媒体
の実用化が未だ遅れている。

【０００７】一方、低温度での成膜でも高抗磁力が得ら
れる材料として、ＣｏＰｔ系の面内磁化膜、ＣｏＰｔＢ
Ｏ系垂直磁化膜（特開平２−７４０１２号など）が知ら
れているが、Ｐｔ材料は高価であるという実用上の問題
があった。

【０００８】Ｐｔより安価な材料で、且つ低温度の成膜
でも高抗磁力が得られる材料としてＣｏＰｄ系の金属薄
膜が特開平１−１９１３１８号、特開平２−３０１０４
号に開示されているが、Ｐｄ量が６０％以上必要であり
材料コスト的にもまだ高価であり、且つ飽和磁化Ｍｓが
約４００ emu／cc程度であり磁気特性の面でも充分なも
のではなかった。

【０００９】また、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，５２
（３），２４５３（１９８１）には、垂直磁化型の磁性
膜としてＣｏ−Ｃｒ系の金属薄膜の磁気異方性に関する
記載があり、その中でＣｏ−Ｃｒ中にＰｄやＲｈを少量
添加した合金薄膜の特性が開示されているが、大きな改
善がみられていない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術の問題点に鑑みなされたものであり、非磁性基板の温
度を高めることなく成膜が可能であり、且つ高抗磁力、
高飽和磁化である優れた磁気特性を有する二層膜型垂直
磁気記録媒体を得ることを目的としている。

【００１１】また、本発明の別の目的は、材料コストが
比較的安価である二層膜型垂直磁気記録媒体を提供する
ことにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、非
磁性基板上に、低抗磁力磁性層と、高抗磁力磁性層を有
する磁気記録媒体において、該高抗磁力磁性層は（Ｃｏ
_100-xＰｄ_x）_100-yＣｒ_y（１０≦ｘ≦４０，５≦ｙ
≦２５、ｘ及びｙは、at．％である。）で表される組成
を主成分とし、膜面にほぼ垂直な方向に磁化容易軸を有
する金属薄膜であることを特徴とする垂直磁気記録媒体
により達成される。

【００１３】さらに好ましくは、前記抵抗磁力磁性層が
膜面内に磁化容易軸を有する軟磁性層であることを特徴
とするものである。

【００１４】ここで「軟磁性層」というのは、膜面内の
抗磁力が１０Oe以下の高透磁率の磁性層を意味するもの
である。

【００１５】

【作用および効果】本発明の磁気記録媒体は、特定の組
成範囲にあるＣｏ−Ｐｄ系合金にＣｒを特定範囲の組成
比加えることにより、得られる金属薄膜磁性層の磁気特
性を改良し特に垂直磁気異方性に優れた媒体の提供を可
能にしたものであり、また、Ｃｏ−Ｐｄ系合金を主体と
した組成であるために、成膜の際の非磁性基板の温度を
高める必要がないので、製造方法が簡易なものでよく、
製造コストも比較的安価であり、また非磁性基板に要求
される耐熱性も軽減されているのでその選択の幅を広く
することができる。

【００１６】即ち、本発明では、高抗磁力磁性層の金属
薄膜中のＣｏにＰｄを加えることにより発生する磁歪の
逆効果が磁気異方性を誘起するために、非磁性基板を高
めなくとも磁気異方性に優れた磁性膜を得ることができ
ると考えられる。

【００１７】更に、Ｃｒを添加するとその偏析効果によ
り粒界分離性が高まるので、磁気特性が改良でき、特に
垂直磁気異方性に優れた金属薄膜を得ることができると
推定される。

【００１８】本発明における磁気記録媒体における高抗
磁力磁性層の垂直方向の抗磁力は、少なくとも４００Oe
以上、好ましくは５００Oe以上、特に好ましくは６００
Oe以上である。また、垂直方向の磁力線の成分の度合を
示す指標である垂直異方性磁界は、少なくとも３kOe 以
上が望ましい。この抗磁力は、一定の出力を保持するた
めに必要である。

【００１９】本発明の磁気記録媒体における前記高抗磁
力磁性層の組成は、（Ｃｏ_100-xＰｄ_x）_100-yＣｒ_y
と表示されるものであり、（Ｃｏ−Ｐｄ）系合金に対す
るＣｒの組成比ｙ（at．％）は５乃至２５at．％であ
り、好ましくは１０乃至２０at．％である。Ｃｒの添加
量が多すぎるとＭｓが低下し、また少なすぎると垂直異
方性磁界（Ｈkeff）が充分な大きさにならず、垂直磁気
異方性が優れた物とはならないので好ましくない。

【００２０】本発明の前記高抗磁力磁性層の組成のうち
（Ｃｏ−Ｐｄ）系合金のＣｏに対するＰｄの組成比ｘ
（at．％）は、１０乃至４０at．％であり、好ましくは
１０乃至３０at．％である。

【００２１】Ｐｄの添加量が多すぎると、垂直方向の抗
磁力Ｈｃが低くなり、また少なすぎると前記Ｈkeffが充
分に大きくならず好ましくない。

【００２２】以上のように、本発明の磁気記録媒体にお
ける高抗磁力磁性層の金属薄膜の組成をＣｏ−Ｐｄ−Ｃ
ｒの３元系合金となし、且つその組成比を前記の範囲に
特定することにより、製造上利点の多い垂直磁気異方性
に優れた磁気記録媒体を提供することを可能にしたもの
である。

【００２３】なお、前記薄幕磁性層は、更に特性の向上
を図るため、前記合金組成に加えてＰｄ，Ｃｒ添加効果
を損なわない範囲で、１０at．％以下の酸素、窒素、炭
素、不活性ガス、金属、あるいは半金属等の添加元素を
加えても良い。

【００２４】本発明の高抗磁力磁性層の金属薄膜の膜厚
は、通常、２００乃至１０，０００Ａ（オングストロー
ム）、望ましくは３００乃至５０００オングストローム
の範囲である。これは、余り薄いと出力が充分に取れ
ず、余り厚いと高域周波数での特性が低下する。

【００２５】低抗磁力磁性層としては、面内抗磁力が１
００エルステッド以下、好ましくは８０Oe以下、特に好
ましくは５０Oe以下の面内磁化膜であることが望まし
い。特に望ましくは高透磁率を有するいわゆる軟磁性薄
膜が望ましい。この軟磁性薄膜の抗磁力は、１０Oe以下
である。

【００２６】例えば、パーマロイ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ，Ｃｏある
いは部分酸化膜，Ｆｅ，等の薄膜が挙げられる。

【００２７】前記低抗磁力磁性層の膜厚としては、２０
０乃至１０，０００Ａ、望ましくは３００乃至５０００
オングストロームで選ばれる。これは、余り薄いと出力
が低下するし、余り厚すぎるとコスト的に不利となる。

【００２８】低抗磁力磁性層の磁気特性、特に透磁率に
ついては磁気ヘッドとの相対移動方向に対して一様であ
ることが望ましい。このため、ディスク形態においては
磁化容易軸方向がディスクの半径方向で、磁化困難軸方
向が円周方向を向くように形成するのが特に望ましい。

【００２９】本発明の磁性層の全厚（高抗磁力と低抗磁
力との膜厚の合計の膜厚）は、通常、５００乃至１５０
００オングストロームである。

【００３０】また、後述のように、上記の垂直磁気異方
性を有する高保磁力磁性層の下に中間層を介して、膜面
内に磁化容易軸を有する低抗磁力磁性層を設けた構造の
垂直磁化媒体として実施することも可能である。

【００３１】本発明の磁気記録媒体の金属薄膜磁性層の
形成には、各種薄膜形成方法を適用することができる
が、特にスパッタリング、真空蒸着等の真空成膜法が本
発明をより有効に実施しうる点で望ましい。

【００３２】所定の組成の合金薄膜を得るには、薄膜組
成に近い組成の合金ターゲット、あるいは複合ターゲッ
トにてスパッタリング成膜を行ってもよいし、また複数
のターゲットを同時にスパッタリング（多元同時スパッ
タ）することにより、非磁性基板上に所定の組成の合金
薄膜を形成してもよい。

【００３３】特に、後者の多元同時スパッタは、粒界の
分離性を高めるので磁気異方性を誘起し易く、本発明の
高抗磁力磁性層の形成に望ましい方法である。例えば、
ＣｏＰｄ合金ターゲットとＣｒターゲットを組み合わせ
た２元同時スパッタリングすることによりＣｒの偏析効
果を更に高めて、磁気異方性の優れた金属薄膜を得るこ
とができる。

【００３４】本発明においては、高抗磁力磁性薄膜層の
内部応力に起因する磁歪の効果が効いていると考えら
れ、スパッタリング時の成膜室の真空槽内の不活性ガス
の圧力により、得られる磁気特性が変化するので製造の
際にはガス圧に留意することが望ましい。

【００３５】例えば、不活性ガスにＡｒを使用する場
合、Ａｒガス圧は、５×１０^-3Torr以上にすることが望
ましい。

【００３６】一方、低抗磁力磁性層についても、合金タ
ーゲット、あるいは複合ターゲットによるスパッタリン
グ、あるいは多元ターゲットによる同時スパッタリング
等が、所望の磁気特性を得るために用いられる。

【００３７】また、上記の高抗磁力磁性層、及び低抗磁
力磁性層の特性をより向上させるため、例えばスパッタ
成膜時のスパッタガス圧力、真空中の残留ガス雰囲気、
基板温度、基板表面の吸着物除去、基板からの脱ガスの
低減、成膜速度、などについての最適化が望ましいのは
勿論である。

【００３８】本発明の磁気記録媒体における非磁性基板
としては、Ａｌ，Ａｌ合金などの金属、ガラス、セラミ
ックス、合成樹脂などから形成される非磁性基板、ある
いは表面処理、下地層を有する非磁性基板が用いられ
る。例えば、Ａｌ系合金、Ｎｉ−Ｐ下地付きＡｌ基板、
各種強化ガラス、各種セラミクス、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリイミド、ポリエーテルイミド、無機・有
機複合材料などが用いられる。

【００３９】従来の垂直磁気記録用媒体の製造には、磁
性層の垂直磁化性を高めるために磁性層の成膜の際に基
板温度を高めることが必要であった。しかし、本発明に
おいては、成膜時に非磁性基板を高温度に加熱する必要
がないから、ポリエチレンテレフタレート耐熱性が比較
的低いプラスチック材料を基板として採用することも可
能である。非磁性基板の形態としては、ディスク状形態
のほかに、テープ状形態にも勿論適用できる。

【００４０】また、本発明の磁気記録媒体においては、
磁気記録特性、あるいはヘッドと媒体間の摺動特性の更
なる改善のために、前記低抗磁力磁性層と高抗磁力磁性
層との間、あるいは非磁性基板と低抗磁力磁性層との間
に非磁性中間層を設けても良い。この非磁性中間層の組
成としては、例えば、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，などの金属、酸化物、窒化物、
あるいは炭化物などの薄膜を用いることができる。

【００４１】これらの非磁性中間層の効果は、エピタキ
シャルな効果、もしくは非磁性基板からの不純物ガス等
の磁性薄膜中への混入が防止されて、垂直磁化的に優れ
た構造の磁性層の形成を容易にするためではないかと考
えられる。

【００４２】非磁性中間層の膜厚としては、例えば２０
０〜１０，０００Ａであればよい。磁性層の成膜方法と
しては、磁性層と同じくスパッタリング、真空蒸着等の
真空成膜法が非磁性層の効果を薄膜磁気記録層に反映さ
せる上で好ましい。

【００４３】また、本発明をより効果的に実施するた
め、高抗磁力磁性層の上に、保護層および潤滑層を設け
ても良い。例えば、保護層としては、カーボン薄膜、酸
化膜、窒化膜、炭化膜、金属薄膜、合金薄膜、などが用
いられる。潤滑層としては、金属薄膜型磁気記録媒体用
の潤滑剤として知られている各種の化合物を使用するこ
とができる。中でもパーフロロカーボン系潤滑剤は、潤
滑効果の上で望ましい。

【００４４】このように、本発明によれば、軟磁性層上
にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｄ系合金垂直磁化膜を設けた磁気記録
媒体において、垂直磁化膜の各元素の組成比を（Ｃｏ
_100-xＰｄ_x）_100-yＣｒ_y（１０≦ｘ≦４０，５≦ｙ
≦２５、ｘ及びｙは、at．％である。）と特定すること
によって、成膜時の非磁性基板の温度を高めることなく
垂直磁気特性に優れた磁気記録媒体が得られる。

【００４５】

【実施例】

（実施例１）マグネトロン・スパッタ装置の真空槽内に
１２５mm径のＣｏ₈₀Ｐｄ₂₀at．％の組成を有する合金タ
ーゲットとＣｒターゲットを設置した。次いで前記真空
槽内にアルゴンガスを導入し１０×１０^-3Torrの雰囲気
下で２元同時スパッタリングをおこない、ガラス基板上
にＣｏＰｄＣｒ合金薄膜を形成した。

【００４６】ここでＣｏ₈₀Ｐｄ₂₀ターゲットには２．０
kWのＲＦ電力を、Ｃｒターゲットには０〜３００ＷのＤ
Ｃ電力をそれぞれ投入することにより、得られる金属薄
膜の組成を変化させた。

【００４７】このようにして作成された、２０００Ａの
膜厚の金属薄膜の組成を、ＩＣＰ（Inductively Couple
d Plasma Analysis ）で転正したＸＲＦ（蛍光Ｘ線分
析）によって定量した。

【００４８】その定量結果を下記の表１に示す。

【００４９】

【表１】

【００５０】本定量結果より、成膜されたＣｏＰｄＣｒ
系合金の薄膜には、ターゲット組成であるＣｏ：Ｐｄ＝
８０：２０の比率を保ちながら、Ｃｒの成膜パワーに比
例した組成のＣｒが金属薄膜中に取り込まれていること
が分かった。

【００５１】（実施例２〜６）実施例１において、Ｃｏ
₈₀Ｐｄ₂₀のターゲットをＣｏ₉₀Ｐｄ₁₀（実施例２），Ｃ
ｏ₇₀Ｐｄ₃₀（実施例３），Ｃｏ₇₅ｐｄ₂₅（実施例４），
Ｃｏ₆₅Ｐｄ₃₅（実施例５），Ｃｏ₆₀Ｐｄ₄₀（実施例６）
に替えた以外は、実施例１と同一の条件でそれぞれの組
成の磁性層を前記ガラス基板の上に成膜して実施例２、
実施例３、実施例４、実施例５及び実施例６の磁気記録
媒体の試料を得た。

【００５２】（比較例１）実施例１において、Ｃｏ₈₀Ｐ
ｄ₂₀のターゲットをＣｏに替えた以外は、実施例１と同
一の条件で磁気記録媒体の試料を得た。

【００５３】以上のようにして得られた磁気記録媒体の
試料の磁気特性を、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を使用
して測定した結果が以下の図１〜３である。

【００５４】垂直異方性は、面内の磁化曲線から実効的
な垂直異方性磁界Ｈkeffを求めて評価した。

【００５５】前記垂直磁気異方性磁界Ｈkeffには、ＩＥ
ＥＥＴｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．２３（５），２４４３
（１９８７）に記載されている方法を採用した。即ち、
図４に示す磁気記録媒体の金属薄膜磁性層の面内方向の
磁化曲線の原点Ｏから磁化曲線に引いた接線Ａと横軸の
Ｈ（抗磁力）軸に平行な直線Ｍ＝Ｍｓとの交点Ｐ座標の
抗磁力Ｈの値をＨkeffとした。

【００５６】図１は、ＣｏＰｄＣｒ金属薄膜の三元系の
各組成と垂直異方性磁界Ｈkeffとの関係図である。図１
の中で、各組成の点の側の数値は、kOe の単位で表した
垂直異方性磁界の測定値である。また、各測定点から読
み取られるＨkeffが２．０、３．０、４．０及び５．０
kOe である等磁界線も同図中に表示してある。

【００５７】図１よりＣｒ量が５at．％以上の領域で
は、ＣｏＰｄ組成比に関わらずＣｒ添加量の増加に伴
い、垂直異方性磁界Ｈkeffが大きくなることが確認され
た。

【００５８】また同一のＣｒ量で比較するとＰｄ量１０
at．％以上で垂直異方性磁界Ｈkeffが大きくなる効果が
あることが分かった。

【００５９】図２は、ＣｏＰｄＣｒ金属薄膜の三元系の
各組成と飽和磁化Ｍｓとの関係図であり、縦軸は飽和磁
化Ｍｓ(emu／cc），横軸はＣｒ濃度（at．％）であり、
パラメータとしてはＣｏＰｄ組成比である。

【００６０】図２からＰｄの添加によるＭｓの低下は、
Ｃｒ添加のＭｓの低下に比べて、はるかにその影響が小
さいことが分かった。

【００６１】図３はＣｏＰｄＣｒ金属薄膜の三元系の各
組成と膜面に垂直方向の抗磁力Ｈｃとの関係図である。
図３の中で、各組成の点の側の数値はOeの単位で表した
垂直方向の抗磁力である。また、各測定点から読み取ら
れる抗磁力が４００、５００、６００及び７００Oeの等
抗磁力線も同図中に表示してある。

【００６２】これにより、Ｐｄ添加量が多くなるとＨｃ
が低くなる傾向があることが分かった。

【００６３】（実施例７）１２５mm径の（Ｃｏ₈₀Ｐ
ｄ₂₀）₈₅Ｃｒ₁₅at．％の組成を有する合金ターゲット
を、マグネトロンスパッタ装置の真空槽内に設置した。

【００６４】次いで真空槽内にアルゴンガスを導入し
て、１０ｘ１０^-3Torrの雰囲気下で、１．０kWのＤＣ電
力を（Ｃｏ₈₀Ｐｄ₂₀）₈₅Ｃｒ₁₅at．％合金ターゲットに
投入することにより、磁気記録媒体の試料を得た。この
時、基板には厚さ７５ミクロンのポリエチレンテレフタ
ート（ＰＥＴ）を用いて、磁性層の膜厚は２０００Ａと
した。

【００６５】（実施例８）１２５mm径の（Ｃｏ₈₀Ｐ
ｄ₂₀）₈₅Ｃｒ₁₅at．％の組成を有する合金ターゲット及
びＣｕ−ＭｏＰｅｒｍａｌｌｏｙ（組成Ｃｕ：５．８
wt％，Ｆｅ：１３．９wt％，Ｍｏ：３．７wt％，Ｎｉ：
ｂａｌ）ターゲットを、マグネトロンスパッタ装置の真
空槽内に設置した。

【００６６】次いで真空槽内にアルゴンガスを導入し
て、１×１０^-3Torrの雰囲気下で、５００ＷのＤＣ電力
を用いてＣｕ−ＭｏＰｅｒｍａｌｌｏｙターゲットの
スパッタリングを行い、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）基板上に５０００Ａの膜厚のパーマロイ層を
形成した。

【００６７】さらにその上に（Ｃｏ₈₀Ｐｄ₂₀）₈₅Ｃｒ₁₅
at．％合金ターゲットを１．０kWのＤＣ電力でスパッタ
することにより、１０×１０^-3Torrの雰囲気下で１００
０Ａの膜厚の（Ｃｏ₈₀Ｐｄ₂₀）₈₅Ｃｒ₁₅高抗磁力層を形
成し、磁気記録媒体の試料を得た。

【００６８】以上のようにして得られた実施例７及び８
の両試料の（Ｃｏ₈₀Ｐｄ₂₀）₈₅Ｃｒ₁₅層の磁気特性を評
価するために、波長８３０nmの半導体レーザーを用いた
カーヒステリシス測定装置を用いて測定した結果を図５
に示す。

【００６９】図５に示したのは実施例７及び８の両試料
の、成膜面側から測定した記録膜の垂直方向のカーヒス
テリシスループである。パーマロイ層上の（Ｃｏ₈₀Ｐｄ
₂₀）₈₅Ｃｒ₁₅層の方が抗磁力が大きくなるのは、成長初
期層がなくなり膜厚方向に膜の均一性が増したためであ
ると考えられる。

【００７０】（実施例９）１２５mm径のＣｏ₈₀Ｐｄ₂₀a
t．％の組成を有する合金ターゲットとＣｒターゲット
及びＣｏ₈₄Ｃｒ₁₃Ｎｂ３at．％ターゲットを、マグネト
ロンスパッタ装置の真空槽内に設置した。

【００７１】次いで真空槽内にアルゴンガスを導入し
て、１×１０^-3Torrの雰囲気下で、５００ＷのＤＣ電力
を用いてＣｏＣｒＮｂターゲットのスパッタリングを行
い、厚さ７５ミクロンのＰＥＴベース上に９００Ａの膜
厚のＣｏＣｒＮｂ軟磁性層を形成した。

【００７２】さらにその上にＣｏ₈₀Ｐｄ₂₀ターゲットに
は２．０kWのＲＦ電力を、Ｃｒターゲットには１５０Ｗ
のＤＣ電力をそれぞれ投入することにより、１０×１０
^-3Torrの雰囲気下で１０００Ａの膜厚の（Ｃｏ₈₀Ｐ
ｄ₂₀）₈₆Ｃｒ₁₄高抗磁力層を形成し、磁気記録媒体の試
料を得た。

【００７３】（実施例１０）１２５mm径のＣｏ₈₀Ｐｄ₂₀
at．％の組成を有する合金ターゲットとＣｒターゲット
を、マグネトロンスパッタ装置の真空槽内に設置した。

【００７４】次いで真空槽内にアルゴンガスを導入し
て、１×１０^-3Torrの雰囲気下で、５００ＷのＤＣ電力
を用いてＣｏＰｄターゲットのスパッタリングを行い、
厚さ７５ミクロンのＰＥＴベース上に５００Ａの膜厚の
ＣｏＰｄ軟磁性層を形成した。さらにその上にＣｏ₈₀Ｐ
ｄ₂₀ターゲットには２．０kWのＲＦ電力を、Ｃｒターゲ
ットには１５０ＷのＤＣ電力をそれぞれ投入することに
より、１０×１０^-3Torrの雰囲気下で２０００Ａの膜厚
の（Ｃｏ₈₀Ｐｄ₂₀）₈₆Ｃｒ₁₄高抗磁力層を形成し、磁気
記録媒体の試料を得た。

【００７５】以上のようにして作成した磁気記録媒体
を、３．５インチの磁気ディスクに打ち抜き、アモルフ
ァスーフェライト複合型リングヘッド（ギャップ長さ
０．２３um）によって記録・再生特性を評価した。その
結果を図６に示す。

【００７６】軟磁性層が無い場合（実施例７）に比べ、
実施例８，９，１０では、広い記録密度範囲において、
一段と再生出力が向上し、極めて優れた記録・再生特性
を有することがわかる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＣｏＰｄＣｒ金属薄膜の三元系の各組成と垂直
異方性磁界Ｈkeffとの関係図

【図２】ＣｏＰｄＣｒ金属薄膜の三元系の各組成と飽和
磁化Ｍｓとの関係図

【図３】ＣｏＰｄＣｒ金属薄膜の三元系の各組成と膜面
に垂直方向の抗磁力Ｈｃとの関係図

【図４】磁気記録媒体の金属薄膜磁性層の面内方向の磁
化曲線を示す図

【図５】実施例７及び８の両試料の、成膜面側から測定
した記録膜の垂直方向のカーヒステリシスループ

【図６】実施例７，８，９および１０の記録密度と再生
出力との関係図

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【手続補正書】

【提出日】平成４年６月２６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４７】このようにして作成された、２０００Ａの
膜厚の金属薄膜の組成を、ＩＣＰ（Inductively Couple
d Plasma Analysis ）で較正したＸＲＦ（蛍光Ｘ線分
析）によって定量した。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に、低抗磁力磁性層と高抗
磁力磁性層を有する磁気記録媒体において、該高抗磁力
磁性層が（Ｃｏ_100-xＰｄ_x）_100-yＣｒ_y（１０≦ｘ
≦４０，５≦ｙ≦２５、ｘ及びｙは、at．％である。）
で表される組成を主成分とし、膜面にほぼ垂直な方向に
磁化容易軸を有する金属薄膜であることを特徴とする磁
気記録媒体。
【請求項２】前記低抗磁力磁性層が膜面内に磁化容易
軸を有する軟磁性層であることを特徴とする請求項１の
磁気記録媒体。