JPH05126865A - 電流検出装置あるいは電流検出方法 - Google Patents

電流検出装置あるいは電流検出方法

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JPH05126865A
JPH05126865A JP3273717A JP27371791A JPH05126865A JP H05126865 A JPH05126865 A JP H05126865A JP 3273717 A JP3273717 A JP 3273717A JP 27371791 A JP27371791 A JP 27371791A JP H05126865 A JPH05126865 A JP H05126865A
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JP
Japan
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current
conductor
bias
magnetoresistive effect
effect element
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Application number
JP3273717A
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English (en)
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Tadashi Takahashi
正 高橋
Shoichi Kawamata
昭一 川又
Shigeki Morinaga
茂樹 森永
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
    • G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
    • G01R15/205—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices using magneto-resistance devices, e.g. field plates

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Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明の目的は小形で精度の高い絶縁型の電流
センサを提供すること。 【構成】絶縁基板１の上に磁気抵抗効果素子２，バイア
ス導体３，電流導体４を配置してセンサ部を構成する。
磁気抵抗効果素子２の抵抗変化をアンプＯＰに入力し、
その出力Ｖｏからバイアス導体３にはバイアス電流ｉｂ
を流す。電流導体４に電流ｉを流せば磁界が発生し、磁
気抵抗効果素子２の抵抗が変わろうとするが、抵抗変化
をアンプでフィードバックするため、バイアス電流ｉｂ
を変化させて磁気抵抗効果素子２の磁界を一定に制御す
るので、磁気抵抗効果素子２のヒステリシスやバルクハ
ウゼンノイズも生じなく、広い範囲で精度の高い絶縁型
の電流検出が可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電流検出装置に関し、強
磁性体磁気抵抗効果素子とバイアス導体を用いたもの、
特に電流検出装置におけるバイアス導体，電流導体，磁
気抵抗効果素子を用いた電流検出装置あるいは方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の装置は、ＩＥＥＥ、Trans.Mag.Vol
MAG−１２，No.６(November,1976)の文献 C.H.Bajore
k 他（A PERMALLOY CURRENT SENSOR)に記載のように磁
気抵抗効果素子と電流導体を配置し、電流導体に流れる
電流を磁気抵抗効果素子の抵抗変化として検出してい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は磁気抵
抗効果素子のヒステリシスやバルクハウゼンノイズの対
策及び電流検出範囲の拡大などの点について配慮がされ
ておらず、検出精度や電流検出範囲が狭いなどの問題が
あった。
【０００４】本発明は磁気抵抗効果素子がヒステリシス
やバルクハウゼンノイズ等を発生しない高精度の電流検
出することを目的とし、さらに電流検出範囲を広く出来
る構成を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ガラスあるいはセラミック等からなる絶
縁基板と、この絶縁基板上に担持された電流導体と、同
じく絶縁基板上に担持され、この電流導体が発生する磁
界内に電流導体と平行に配置された磁気抵抗効果素子
と、この磁気抵抗効果素子の磁気特性を利用して前記電
流導体に流れる電流を検出するように構成した電流検出
装置において、前記電流導体に近接し、前記磁気抵抗効
果素子に平行にバイアス導体を設け、このバイアス導体
には、前記電流導体に流れる電流によって発生する磁界
の変化を打消す電流を流す回路を接続し、このバイアス
導体に流れている電流値から前記電流導体に流れている
電流を検出するように構成することによって達成され
る。
【０００６】
【作用】磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を加えるため
にバイアス導体に所定のバイアス電流を流しておく。こ
の状態で電流導体に電流を流せば磁界が発生するので、
磁気抵抗効果素子の抵抗が変わろうとするが、その抵抗
変化をフィードバックするようにバイアス電流を増減す
れば磁気抵抗効果素子の磁界をほぼ一定に制御できるの
で、磁気抵抗効果素子のヒステリシスやバルクハウゼン
ノイズも発生せず、さらに磁気抵抗効果素子の動作点が
常に同じなので電流測定範囲を磁気抵抗効果素子の動作
範囲に限定されることもなく広い範囲で電流測定が可能
になるように作用する。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。
【０００８】図１は電流検出装置の構成を示している。
【０００９】図において、１は基板でガラスやセラミッ
クあるいは強化プラスチック等の絶縁体で構成される。
この基板１の上に磁気抵抗効果素子(ＭＲ素子)２を配置
し、さらにその上にバイアス導体３を配置し、さらにそ
の上に電流導体４を配置してセンサ部を構成している。
さらに、センサ部になるＭＲ素子１は、端子部Ｔｍ１，
Ｔｍ２を持っており、定電流源Ｉｓに接続されて一定電
流ｉｓが供給されている。
【００１０】バイアス導体３も端子Ｔｂ１，Ｔｂ２を持
っており、アンプ（演算増幅器）ＯＰの出力に接続され
てバイアス電流をｉｂを流している。
【００１１】電流導体４も端子Ｔｉ１，Ｔｉ２を持って
おり各々外部端子Ｔｉ１，Ｔｉ２には外部リード線より
非測定電流を流す。
【００１２】また、アンプＯＰの入力にはＭＲ素子２の
Ｔｍ１端子と基準電圧Ｖｒが接続されている。
【００１３】このような構成において、今、電流導体４
の電流ｉが零の時を考えると、アンプＯＰの出力にはＶ
ｏ０が発生するように基準電圧Ｖｒ与える。この出力電
圧Ｖｏ０によりバイアス導体３にはバイアス電流ｉｓ０
が流れてＭＲ素子にはHb0の磁界が加えられる。次に電
流導体４に電流ｉ１が流れた時を考えるとアンプの出力
はＶｏ１になり、この出力電圧Ｖｏ１によりバイアス導
体のバイアス電流はｉｓ１になって電流導体４の電流ｉ
１による磁界Ｈｓ１を打ち消すようにバイアス導体の電
流がＩｂ０からＩｂ１に変化する。その結果、ＭＲ素子
に加わる磁界はＨｂ０で磁界の変化は生じない。この結
果、出力端子Ｖｏには電流導体４の電流に比例した電圧
変化（Ｖ００からＶ０１に変化）がアンプの出力が得ら
れる。
【００１４】この動作を図２で説明する。図２はＭＲ素
子の磁界に対する抵抗の特性を示しており、実線は理想
特性で破線はヒステリシスやバルクハウゼンノイズがあ
る場合の特性である。
【００１５】電流導体４の電流が零の時はＭＲ素子に加
わる磁界はＨｂ０であり、ＭＲ素子の抵抗値はＲｖであ
る。次に電流導体４に正弦波状の電流ｉが流れたとする
と、この電流により点線で示した磁界Ｈｓが生じるが、
さきに説明した図１の回路により、これを打ち消すよう
にバイアス導体の電流Ｉｂを変化させることにより実線
で示したバイアス磁界Ｈｂを変化させ、ＭＲ素子の磁界
を元のＨｂ０に保つのでＭＲ素子の抵抗は図示実線のＲ
ｖの様に一定に保たれる。また、本発明のようにバイア
ス磁界を制御しない一定バイアスの場合は電流による磁
界Ｈｓを打ち消せずにＭＲ素子の磁界がＨｓの様に変化
するのでＭＲ素子の抵抗は図示点線のＲｃの様になり、
ヒステリシスやバルクハウゼンノイズの影響を受けて入
力電流である正弦波が得られない。
【００１６】図３は図１のセンサ部の断面図である。
【００１７】バイアス導体３に図示のような方向にバイ
アス電流を流すことにより、点線で示すような磁界Ｈｂ
が発生し、ＭＲ素子に加えられる。また、電流導体の電
流が図示に方向に流れた場合は点線で示すような磁界Ｈ
ｉがＭＲ素子に加えられる。
【００１８】このように本実施例によればＭＲ素子に加
わる磁界が常に一定になるように動作して、検出電流に
比例した出力を得ることが出来、ＭＲ素子のヒステリシ
スやバルクハウゼンノイズ等の影響を受けず、広範囲で
精度の高い絶縁形の電流検出が可能であり、構造が簡単
で、小型化が可能になる。さらに、各導体をコイル状で
なく、直線状（ストライプ状）に配置したのでインダク
タンスが小さくでき、周波数特性の良い電流検出ができ
る等の効果がある。
【００１９】図４は他の実施例を示す図である。
【００２０】ＭＲ素子は温度特性があり温度により内部
抵抗が変化するので電流を流すことによる温度上昇を小
さくすることが望ましい。図４の構成は図３の電流導体
とバイアス導体の位置を入れ換えた例であり、小さな電
流を測定する場合に適した構成である。すなわち電流導
体がＭＲ素子に近いため図３より小さな電流でもＭＲ素
子に加わる磁界を大きくでき、検出感度を上げることが
できる効果がある。
【００２１】図５は他の実施例を示す図であり、図３の
ＭＲ素子，電流導体，バイアス導体の位置を入れ換えて
ＭＲ素子を真ん中に配置した例である。
【００２２】このように配置すると、ＭＲ素子と電流導
体，バイアス導体の両方が近くなるので、電流検出感度
も図３の構成より高くでき、バイアス電流も図４より小
さくできる効果がある。また、図５において電流導体４
とバイアス導体３の位置を入れ換えても同じ効果が得ら
れる。
【００２３】図６は他の実施例を示す図であり、図３の
ＭＲ素子，電流導体，バイアス導体の位置を入れ換えて
ＭＲ素子を一番上に配置した例である。
【００２４】このように配置すると電流導体を流れる電
流によって発生する熱が基板１を通して流れ易くなり、
センサ部の温度上昇を軽減できる効果がある。
【００２５】図７は他の実施例を示す図であり、図３の
構造でバイアス導体３より大きな電流を流す電流導体４
の厚みをバイアス導体３より厚くして電気抵抗を減らし
て電流による発熱を軽減し、同様にＭＲ素子より大きな
電流を流すバイアス導体３の厚みをＭＲ素子の厚みより
厚くして電流による発熱を軽減する効果がある。
【００２６】図８は他の実施例であり、図３の構造で電
流導体４とバイアス導体３及びＭＲ素子の幅を同じにす
ることにより作り易くする効果がある。
【００２７】図９は他の実施例であり、図３の構造で流
す電流の大きな順に導体の幅を広くして電気抵抗を下
げ、発熱を軽減して温度上昇を軽減する効果がある。更
にＭＲ素子よりバイアス導体の幅を広くするのでバイア
ス磁界が有効にＭＲ素子に加えられると共にＭＲ素子か
ら離れている電流導体の幅を一番広くし、次にバイアス
導体の幅を広くすることにより電流導体の作る磁界及び
バイアス磁界が有効にＭＲ素子に加えられる効果があ
る。
【００２８】図１０は他の実施例であり、図３の構造で
ＭＲ素子２とバイアス導体３及び電流導体４の間に絶縁
物５，６，７を配置した構成を示す。絶縁物５，６，７
はＳｉＯ２や樹脂などを使用でき、一層だけでなくＳｉ
ｏ2 と樹脂のように二層構造の方がさらに絶縁性を上げ
る効果がある。
【００２９】図１１は他の実施例であり、検出電流が大
きい場合または電流検出端子とバイアス導体またはＭＲ
素子との絶縁耐圧を高くしたい場合の構成である。これ
は図３の構造で電流導体４を基板１を介してＭＲ素子と
反対側に配置した構造である。このような構成にすると
ＭＲ素子及びバイアス導体と電流導体との間隔が広くな
り、大きな電流に対してもＭＲ素子に加わる磁界を小さ
くできるので大電流の検出も可能になる。更に電流導体
とＭＲ素子の絶縁体力も向上できる。また、大電流を流
す電流導体からの発熱を基板１で吸収できるのでＭＲ素
子の温度上昇を低減できる効果がある。
【００３０】図１２は他の実施例を示す図であり、図１
のセンサ部のＭＲ素子，バイアス導体，電流導体の各長
さを同じにした例である。このようにすると、各導体に
よって発生する磁界が効率よくＭＲ素子に加えることが
できる効果がある。
【００３１】図１３は他の実施例を示す図であり、図１
のセンサ部のＭＲ素子，バイアス導体，電流導体の各長
さを上になるに従って短くした構成である。このように
すると、導体のエッジ部が重ならないため、上に配置し
た導体が下の導体のエッジ部の段差で製作時に切れるの
を防止できる効果がある。
【００３２】図１４は他の実施例を示す図であり、電流
検出装置の応用例でモータの電流制御に応用した例であ
る。電流指令ＳＩとモータ回路に接続した電流センサＤ
Ｓの出力Ｖｏを加算点ＡＤＤ１で偏差をとり、その出力
をＧ１倍に増幅してモータを駆動する。したがってこの
構成では、加算点ＡＤＤ１の偏差が零に成るように動作
するのでモータ電流と指令電流が同じになるように制御
される。この電流センサに図１ないし図１３の様な電流
検出装置を使用するので、電流検出精度が向上し、高精
度のモータ制御ができる。また、装置が小形になり、更
に電流センサをモータ制御回路と共にプリント基盤の上
に配置できる。
【００３３】図１５は他の実施例を示す図であり、速度
制御装置に応用した例である。速度指令ＳＳとモータの
速度を検出するエンコーダＥからの速度信号ＳＭを加算
点ＡＤＤ２で比較して偏差をとり、その値を係数Ｇ２倍
して電流指令ＳＩとする。次に電流指令ＳＩとモータ回
路に接続した電流センサＤＳの出力Ｖｏを加算点ＡＤＤ
１で偏差をとり、その出力をＧ１倍に増幅してモータを
駆動する。したがってこの構成では加算点ＡＤＤ２の偏
差が零に成るように動作するのでモータ速度と指令速度
ＳＳが同じになるように制御される。この電流センサに
図１〜図１３の様な電流検出装置を使用するので、電流
検出精度が向上し、高精度の速度制御ができる。また、
装置が小型になり、更に電流センサをモータ制御回路と
共にプリント基盤の上に配置できる。
【００３４】図１６は他の実施例を示す図であり、位置
制御装置に応用した例である。位置指令ＳＰとモータの
位置を検出するエンコーダＥからの位置信号ＰＭを加算
点ＡＤＤ３で比較して偏差をとり、その値を係数Ｇ３倍
して速度指令ＳＳとする。この速度指令ＳＳとモータの
速度を検出するエンコーダＥからの速度信号ＳＭを加算
点ＡＤＤ２で比較して偏差をとり、その値を係数Ｇ２倍
して電流指令ＳＩとする。次に電流指令ＳＩとモータ回
路に接続した電流センサＤＳの出力Ｖｏを加算点ＡＤＤ
１で偏差をとり、その出力をＧ１倍に増幅してモータを
駆動する。したがってこの構成では加算点ＡＤＤ３の偏
差が零に成るように動作するのでモータ位置と指令位置
ＳＰが同じになるように制御され位置制御が行われる。
この電流センサに図１ないし図１３の様な電流検出装置
を使用するので、電流検出精度が向上し、高精度の位置
制御ができる。また、装置が小形になり、更に電流セン
サをモータ制御回路と共にプリント基盤の上に配置でき
る。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、ガラスあるいはセラミ
ック等からなる絶縁基板と、この絶縁基板上に担持され
た電流導体と、同じく絶縁基板上に担持され、この電流
導体が発生する磁界内に電流導体と平行に配置された磁
気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の磁気特性を
利用して前記電流導体に流れる電流を検出するように構
成した電流検出装置において、前記電流導体に近接し、
前記磁気抵抗効果素子に平行にバイアス導体を設け、こ
のバイアス導体には、前記電流導体に流れる電流によっ
て発生する磁界の変化を打ち消す電流を流す回路を接続
し、このバイアス導体に流れている電流値から前記電流
導体に流れている電流を検出するように構成し、あるい
は同様に電流を検出する方法としたので、常に磁気抵抗
効果素子の内部抵抗を一定にするように動作して、検出
電流に比例した出力を得ることが出来、磁気抵抗効果素
子のヒステリシスやバルクハウゼンノイズ等の影響を受
けず広い範囲で精度の高い絶縁型の電流検出が可能とな
るものである。
【００３６】また、付随的な効果としては、次に述べる
ものがある。
【００３７】すなわち、構成が簡単で、小形化が可能で
あり、更に各導体がコイル状に配置しないのでインダク
タンスが小さくでき、周波数特性の良い電流検出ができ
る等の効果がある。
【００３８】電流導体が磁気抵抗効果素子に近いため、
小さな電流でもＭＲ素子に加わる磁界を大きくでき、検
出感度を上げることができる効果がある。
【００３９】電流導体を流れる電流によって発生する熱
が基板１をとうして流れ易くなり、センサ部の温度上昇
を軽減できる効果がある。
【００４０】流す電流の大きな順に導体の幅を広くして
電気抵抗を下げ、発熱を軽減して温度上昇を軽減する効
果がある。
【００４１】磁気抵抗効果素子よりバイアス導体の幅を
広くするのでバイアス磁界が有効に磁気抵抗効果素子に
加えられると共に、磁気抵抗効果素子から離れている電
流導体の幅を一番広くし、次にバイアス導体の幅を広く
することにより電流導体の作る磁界及びバイアス磁界が
有効に磁気抵抗効果素子に加えられる効果がある。
【００４２】電流導体４を基板１を介して磁気抵抗効果
素子と反対側に配置した構造であり、磁気抵抗効果素子
及びバイアス導体と電流導体との間隔が広くなり、大き
な電流に対してもＭＲ素子に加わる磁界を小さくできる
ので大電流の検出も可能になる。
【００４３】電流導体と磁気抵抗効果素子の絶縁体力も
向上できる。また、大電流を流す電流導体からの発熱を
基板１で吸収できるので磁気抵抗効果素子の温度上昇を
低減できる効果がある。
【００４４】更に前記発明をモータ制御に応用すること
により、高精度で小型な制御回路を得ることができると
いう工業上その効果は顕著である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の構成を示す構成図。
【図２】本発明の動作を説明するための特性と動作説明
図。
【図３】図１のII−II断面図。
【図４】他の実施例の断面図。
【図５】他の実施例の断面図。
【図６】他の実施例の断面図。
【図７】他の実施例の断面図。
【図８】他の実施例の断面図。
【図９】他の実施例の断面図。
【図１０】他の実施例の断面図。
【図１１】他の実施例の断面図。
【図１２】他の実施例の構成を示す構成図。
【図１３】他の実施例の構成を示す構成図。
【図１４】モータ制御に応用した実施例の構成図。
【図１５】モータ制御に応用した他の実施例の構成図。
【図１６】モータ制御に応用したその他の実施例の構成
図。
【符号の説明】
１…センサ部の絶縁基板、２…磁気抵抗効果素子、３…
バイアス導体、４…電流導体、Ｔｉ１，Ｔｉ２…非検出
電流端子、Ｉｓ…定電流源、Ｖｒ…基準電圧、ＯＰ…演
算増幅器、Ｖｏ…電流出力端子，ｉｓ…定電流、ｉｂ…
バイアス電流、ｉ…非検出電流、Ｈｂ０…零電流のバイ
アス磁界、Ｈｓ…信号磁界、Ｈｂ…バイアス磁界、Ｒｖ
…磁気抵抗効果素子の抵抗、Ｈｉ…電流による磁界、Ｍ
…モータ、ＤＳ…電流センサ、ＳＩ…電流指令、ＡＤＤ
１，ＡＤＤ２，ＡＤＤ３…信号加算点、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ
３…増幅率、ＳＳ…速度指令、ＳＰ…位置指令、ＳＭ…
モータ速度、ＰＭ…モータ位置、Ｅ…エンコーダ。

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ガラスあるいはセラミック等からなる絶縁
    基板と、この絶縁基板上に担持された電流導体と、同じ
    く絶縁基板上に担持され、この電流導体が発生する磁界
    内に電流導体と平行に配置された磁気抵抗効果素子と、
    この磁気抵抗効果素子の磁気特性を利用して前記電流導
    体に流れる電流を検出するように構成した電流検出装置
    において、 前記電流導体に近接し、前記磁気抵抗効果素子に平行に
    バイアス導体を設け、このバイアス導体には、前記電流
    導体に流れる電流によって発生する磁界の変化を打消す
    電流を流す回路を接続し、このバイアス導体に流れてい
    る電流値から前記電流導体に流れている電流を検出する
    ように構成した電流検出装置。
  2. 【請求項２】ガラスあるいはセラミック等からなる絶縁
    基板と、この絶縁基板上に担持された電流導体と、同じ
    く絶縁基板上に担持され、この電流導体が発生する磁界
    内に電流導体と平行に配置された磁気抵抗効果素子と、
    この磁気抵抗効果素子の磁気特性を利用して前記電流導
    体に流れる電流を検出するように構成した電流検出装置
    において、 前記電流導体に近接し、前記磁気抵抗効果素子に平行に
    バイアス導体を設け、このバイアス導体には、前記電流
    導体に流れる電流の変化によって発生する磁界の変化に
    より前記磁気抵抗効果素子の抵抗変化を打消す電流を流
    すようにし、このバイアス導体に流れている電流値から
    前記電流導体に流れている電流を検出するように構成し
    た電流検出装置。
  3. 【請求項３】ガラスあるいはセラミック等からなる絶縁
    基板と、この絶縁基板上に担持された電流導体と、同じ
    く絶縁基板上に担持され、この電流導体が発生する磁界
    内に電流導体と平行に配置された磁気抵抗効果素子と、
    前記電流導体に近接し、前記磁気抵抗効果素子に平行に
    設けられたバイアス導体とを具備し、この磁気抵抗効果
    素子の磁気特性を利用して前記電流導体に流れる電流を
    バイアス導体に流れる電流値から検出する電流検出方法
    において、 前記バイアス導体には、前記電流導体に流れる電流の変
    化による磁界の変化により前記磁気抵抗効果素子の抵抗
    変化を打消し、この抵抗値を一定に保持する電流を流す
    ようにし、このバイアス導体に流れている電流値から前
    記電流導体に流れている電流を検出するようにした電流
    検出方法。
  4. 【請求項４】請求項１において、 磁気抵抗効果素子の長さを電流導体及びバイアス導体の
    長さより短くした電流検出装置。
  5. 【請求項５】請求項１において、 電流導体の長さをバイアス導体及び磁気抵抗効果素子の
    長さより長くした電流検出装置。
  6. 【請求項６】請求項１において、 電流導体の長さをバイアス導体の長さより長くし、バイ
    アス導体の長さを磁気抵抗効果素子より長くした電流検
    出装置。
  7. 【請求項７】請求項１において、 絶縁基板上にバイアス導体及び磁気抵抗効果素子を配置
    し、その上に電流導体を配置した電流検出装置。
  8. 【請求項８】請求項１において、 絶縁基板上に磁気抵抗効果素子、電流導体、バイアス導
    体の順番で配置した電流検出装置。
  9. 【請求項９】請求項１において、 電流導体の厚みをバイアス導体及び磁気抵抗効果素子の
    厚みより厚くした電流検出装置。
  10. 【請求項１０】請求項１において、 電流導体の厚みをバイアス導体の厚みより厚くし、バイ
    アス導体の厚みを磁気抵抗効果素子より厚くした電流検
    出装置。
  11. 【請求項１１】請求項１において、 磁気抵抗効果素子の厚みを電流導体及びバイアス導体の
    厚みより薄くした電流検出装置。
  12. 【請求項１２】請求項１において、 磁気抵抗効果素子の幅を電流導体及びバイアス導体の幅
    より広くした電流検出装置。
  13. 【請求項１３】請求項１において、 電流導体の幅をバイアス導体及び磁気抵抗効果素子の幅
    より狭くした電流検出装置。
  14. 【請求項１４】請求項１において、 電流導体の幅をバイアス導体の幅より狭くし、バイアス
    導体の幅を磁気抵抗効果素子の幅より狭くした電流検出
    装置。
  15. 【請求項１５】請求項１において、 磁気抵抗効果素子の幅を電流導体及びバイアス導体の幅
    より狭くした電流検出装置。
  16. 【請求項１６】請求項１において、 電流導体の幅をバイアス導体及び磁気抵抗効果素子の幅
    より広くした電流検出装置。
  17. 【請求項１７】請求項１において、 電流導体の幅をバイアス導体の幅より広くし、バイアス
    導体の幅を磁気抵抗効果素子の幅より広くした電流検出
    装置。
  18. 【請求項１８】請求項１において、 絶縁基板上に磁気抵抗効果素子，バイアス導体及び電流
    導体を配置し、これらの導体間及び素子間を絶縁物によ
    り絶縁した電流検出装置。
  19. 【請求項１９】請求項１８において、 導体間及び素子間の絶縁物はＳｉＯまたはＳｉＯ2 を含
    むこと電流検出装置。
  20. 【請求項２０】請求項１において、 絶縁基板の一方に磁気抵抗効果素子，バイアス導体を配
    置し、絶縁基板の他方に電流導体を配置した電流検出装
    置。
  21. 【請求項２１】請求項１において、 磁気抵抗効果素子の材料は強磁性体とし、バイアス導体
    および電流導体は非磁性体とした電流検出装置。
  22. 【請求項２２】請求項２１において、 磁気抵抗効果素子の材料はＮｉＦｅまたはＮｉＣｏと
    し、バイアス導体および電流導体はＡｌまたはＣｕを用
    いた電流検出装置。
  23. 【請求項２３】請求項１において、 絶縁基板をガラスまたはＳｉとし、磁気抵抗効果素子の
    材料は強磁性体とし、バイアス導体および電流導体は非
    磁性体とした電流検出装置。
  24. 【請求項２４】モータの電流を検出する電流センサを有
    し、この電流センサによって検出された電流を指令電流
    に合うように制御するモータ制御装置において、 前記電流センサは、ガラスあるいはセラミック等からな
    る絶縁基板と、この絶縁基板上に担持された電流導体
    と、同じく絶縁基板上に担持され、この電流導体が発生
    する磁界内に電流導体と平行に配置された磁気抵抗効果
    素子と、前記電流導体に近接し、前記磁気抵抗効果素子
    に平行に設けられたバイアス導体から構成され、このバ
    イアス導体には、前記電流導体に流れる電流によって発
    生する磁界の変化を打消す電流を流す回路を接続し、こ
    のバイアス導体に流れている電流値から前記電流導体に
    流れている電流を検出するように構成したものであるモ
    ータ制御装置。
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