JPH0512854B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は金属突起物を有するリード群と半導体
素子上の電極群との接続方法に関するものであ
る。

（従来例の構成とその問題点） 本発明者らはフイルムキヤリアを用いた新規な
る実装方式として特願昭56−34799号において転
写バンプ方式を提案した。

この方式を第１図に従つて説明する。ここでは
接続体１としてフイルムキヤリアを用いる。前記
接続体１には複数本のSnメツキされたCuリード
群２があり、その先端部分には他の基板（図示せ
ず）上に形成されたAu突起物３が転写され接合
している。前記接続体１のリード群２のAu突起
物３と半導体素子４上のAl電極５とを同時に一
活して接続するための方法を示す。半導体素子４
を載置するステージ６があり、その上方に加熱機
能を備えたボンデイングツール７が設置されてい
る。

半導体素子４上のAl電極５と複数本の金属リ
ード群２の先端のAu突起物３とを位置合わせし
た後にこれらをボンデイングツール７で加圧し圧
接する。この時ボンデイングツール７の加熱温度
は500℃程度である。接続体１の材料にはポリイ
ミドを用いており、この材料の最高使用温度は
400℃程度であるため、リード群２のAu突起物３
と半導体素子４上の電極群５との接続時にボンデ
イングツール７が接続体１に接近することにより
接続体１は大きく熱変形してしまう。そのためリ
ード群２間のピツチに狂いが生じ、また、リード
群２が半導体素子４のエツヂ部にシヨートするこ
とがあつた。

従来法による接続時の半導体素子上の温度と半
導体素子に加わる圧力のシーケンス図を第２図に
示す。ボンデイングツール７が半導体素子上に降
下した時をボンデイング開始とし、この時点から
一定の圧力下で半導体素子４上のAl電極５とリ
ード群２の先端部に形成されたAu突起物が加熱
される。

（発明の目的） そこで本発明はボンデイングツール７の加熱温
度を低下させ前記欠点を除去する接続方法を提供
するものである。

（発明の構成） 本発明は、基板上に形成した金属突起物をフイ
ルムキヤリアのリード先端部に転写接合し、しか
るのち加熱ツールに第１の圧力を印加した状態で
半導体素子上の電極と前記金属突起物とを加圧
し、その後、第２の圧力を印加してなる接続方法
である。

（実施例の説明） 本発明の一実施例のボンデイング方法における
圧力、温度のシーケンスを第３図に従つて説明す
る。なお、半導体素子４、接続体１、ボンデイン
グツール７の位置関係は第１図と同様である。即
ち第１図に示した従来例と同様にリード群２の先
端部のAu突起物３と半導体素子４上のAl電極５
とを位置合せする。その後ンデイングツール７に
より同時に一活して加熱加圧する。この時の加圧
力は従来法の場合に比べてきわめて低いもので、
突起電極と素子上電極がかろうじて接触する程度
で良い。（第３図のａ部分）、この状態で加熱し突
起電極と素子上電極との接合部の温度が合金化温
度に達した後、次に、第２の圧力を印加する。
（第３図のｂ部分）。第２の圧力の大きさは従来法
による場合と同じ程度であり、印加時間は0.1〜
1.5秒である。第２の圧力印加後にボンデイング
を終了する。

（発明の効果） 本発明による接続方法ではボンデイングツール
の加熱温度が約400℃程度で良く、従来に比べて
100℃低下をせしめることができる。これにより、
接続体の不用な熱変形を防止でき、リードピツチ
の狂いや、リード群が半導体素子のエツヂ部にシ
ヨートすることがない。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例及び本発明における半導体素子
と接続体、ボンデイングツールの位置関係を示す
図である。第２図は従来例における半導体素子上
の温度と加圧力のシーケンス図である。第３図は
本発明による半導体素子上の温度と加圧力のシー
ケンス図である。 １……接続体、２……リード群、３……Au突
起物、４……半導体素子、５……Al電極、６…
…ステージ、７……ボンデイングツール。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 金属突起物を有するリード群の前記金属突起
   物と半導体素子の電極とを一致させ第１の圧力を
   印加して加熱し、続いて第２の圧力を印加するこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。 ２ 第１の圧力を印加した状態で加熱し、接合面
   が合金形成温度に達した後に第２の圧力を印加す
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
   の半導体装置の製造方法。