JPH05128734A - 光磁気デイスク装置のデータ記録/再生方法 - Google Patents
光磁気デイスク装置のデータ記録/再生方法Info
- Publication number
- JPH05128734A JPH05128734A JP28501891A JP28501891A JPH05128734A JP H05128734 A JPH05128734 A JP H05128734A JP 28501891 A JP28501891 A JP 28501891A JP 28501891 A JP28501891 A JP 28501891A JP H05128734 A JPH05128734 A JP H05128734A
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- Japan
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- sector
- magneto
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- optical disk
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、二次欠陥セクタを有する光磁気ディ
スク装置の記録/再生方法に関し、光磁気ディスクのデ
ータを記録/再生する時間を短縮させた光磁気ディスク
装置の記録/再生方法を提供することを目的とする。 【構成】光磁気ディスクの記録領域の二次欠陥セクタの
リスト及び二次欠陥セクタのデータを格納している交替
セクタを有するスペアセクタ領域の内容を外部記憶装置
10に記憶させ、データ再生時に光磁気ディスクの二次
欠陥セクタに再生ヘッドが移動した際、二次欠陥セクタ
に対応する交替セクタのデータとして外部記憶装置に記
憶されたデータを用いることにより、二次欠陥セクタか
ら交替セクタへの再生ヘッドのシーク動作を行わせない
ようにように構成する。
スク装置の記録/再生方法に関し、光磁気ディスクのデ
ータを記録/再生する時間を短縮させた光磁気ディスク
装置の記録/再生方法を提供することを目的とする。 【構成】光磁気ディスクの記録領域の二次欠陥セクタの
リスト及び二次欠陥セクタのデータを格納している交替
セクタを有するスペアセクタ領域の内容を外部記憶装置
10に記憶させ、データ再生時に光磁気ディスクの二次
欠陥セクタに再生ヘッドが移動した際、二次欠陥セクタ
に対応する交替セクタのデータとして外部記憶装置に記
憶されたデータを用いることにより、二次欠陥セクタか
ら交替セクタへの再生ヘッドのシーク動作を行わせない
ようにように構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク装置の
記録/再生方法に関し、特に二次欠陥セクタを有する光
磁気ディスク装置の記録/再生方法に関するものであ
る。
記録/再生方法に関し、特に二次欠陥セクタを有する光
磁気ディスク装置の記録/再生方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来の光磁気ディスク装置の記録/再生
方法について図6及び図7を用いて説明する。光磁気デ
ィスクのレイアウトの詳細を第6図に示す。光磁気ディ
スクは第0トラックから第18750トラックまでの1
8751本のトラックで構成され、各トラックは第0セ
クタから第16セクタまでの17個のセクタにより構成
されている。
方法について図6及び図7を用いて説明する。光磁気デ
ィスクのレイアウトの詳細を第6図に示す。光磁気ディ
スクは第0トラックから第18750トラックまでの1
8751本のトラックで構成され、各トラックは第0セ
クタから第16セクタまでの17個のセクタにより構成
されている。
【0003】光磁気ディスクの記録領域の最内周及び最
外周には欠陥セクタを管理するためDMA(Defect Mana
gement Area)領域が設けられ、記録領域の残りがユーザ
領域である。光磁気ディスクの記録領域の最内周のDM
A領域は第0トラックから第2トラックまでの3トラッ
クの領域である。第0トラック第0セクタはDDS(Dis
k Definition Structure) の記録領域であり、光磁気デ
ィスクの構造に関する情報が記録されている。第0トラ
ック第1セクタから第1トラック第7セクタまではPD
L(Primary Defect List) とSDL(Secondary Defect
List) の記録領域である。PDLは光磁気ディスクのフ
ォーマット時に検出された欠陥である一次欠陥(PD=
Primary Defect)のあるセクタのリストであり、SDL
は光磁気ディスクの実際の記録/再生時に検出された欠
陥である二次欠陥(SD=Secondary Defect)のあるセ
クタのリストである。また、第1トラック第8セクタは
DDSの記録領域で、第1トラック第9セクタから第2
トラック第15セクタまではPDLとSDLの記録領域
である。DMA領域の最終の第2トラック第16セクタ
は予備(Res=Reserve)セクタである。
外周には欠陥セクタを管理するためDMA(Defect Mana
gement Area)領域が設けられ、記録領域の残りがユーザ
領域である。光磁気ディスクの記録領域の最内周のDM
A領域は第0トラックから第2トラックまでの3トラッ
クの領域である。第0トラック第0セクタはDDS(Dis
k Definition Structure) の記録領域であり、光磁気デ
ィスクの構造に関する情報が記録されている。第0トラ
ック第1セクタから第1トラック第7セクタまではPD
L(Primary Defect List) とSDL(Secondary Defect
List) の記録領域である。PDLは光磁気ディスクのフ
ォーマット時に検出された欠陥である一次欠陥(PD=
Primary Defect)のあるセクタのリストであり、SDL
は光磁気ディスクの実際の記録/再生時に検出された欠
陥である二次欠陥(SD=Secondary Defect)のあるセ
クタのリストである。また、第1トラック第8セクタは
DDSの記録領域で、第1トラック第9セクタから第2
トラック第15セクタまではPDLとSDLの記録領域
である。DMA領域の最終の第2トラック第16セクタ
は予備(Res=Reserve)セクタである。
【0004】光磁気ディスクの記録領域の最外周のDM
A領域は第18748トラックから第18750トラッ
クまでの3トラックの領域である。DMA領域と同様に
DDS、PDL、SDLの記録領域が設けられ、最終セ
クタが予備セクタとなっている。記録領域のユーザ領域
は、1又は2以上のグループに分割されている。各グル
ープは、データを記録するために設けられたユーザデー
タ領域と、ユーザデータ領域中の二次欠陥(SD)セク
タの交替セクタの領域として設けられたスペアセクタ領
域により構成されている。スペアセクタ領域の容量は最
大2048セクタ(最大2MB)である。ユーザデータ
領域中に二次欠陥セクタがあると、その二次欠陥セクタ
の代わりにスペアセクタ領域内の所定のスペアセクタに
データが記録される。
A領域は第18748トラックから第18750トラッ
クまでの3トラックの領域である。DMA領域と同様に
DDS、PDL、SDLの記録領域が設けられ、最終セ
クタが予備セクタとなっている。記録領域のユーザ領域
は、1又は2以上のグループに分割されている。各グル
ープは、データを記録するために設けられたユーザデー
タ領域と、ユーザデータ領域中の二次欠陥(SD)セク
タの交替セクタの領域として設けられたスペアセクタ領
域により構成されている。スペアセクタ領域の容量は最
大2048セクタ(最大2MB)である。ユーザデータ
領域中に二次欠陥セクタがあると、その二次欠陥セクタ
の代わりにスペアセクタ領域内の所定のスペアセクタに
データが記録される。
【0005】従来の光磁気ディスクにおける記録/再生
方法の詳細を図7を用いて説明する。フォーマット時に
欠陥(一次欠陥)が検出されると、その一次欠陥セクタ
PDは論理空間から排除され、あたかも存在しなかった
かのように取り扱われる。一次欠陥セクタPDに関する
情報はDMA領域にPDLとして既に記録されている。
方法の詳細を図7を用いて説明する。フォーマット時に
欠陥(一次欠陥)が検出されると、その一次欠陥セクタ
PDは論理空間から排除され、あたかも存在しなかった
かのように取り扱われる。一次欠陥セクタPDに関する
情報はDMA領域にPDLとして既に記録されている。
【0006】実際の記録/再生時に欠陥(二次欠陥)が
検出されると、この二次欠陥セクタSDを論理空間から
排除することはできないので、同じグループのスペアセ
クタに記録される。例えば、光磁気ヘッドが、あるトラ
ックのセクタK−2、K−1、Kの順にデータの記録を
行っていた場合、次に記録を行うセクタであるK+1が
二次欠陥セクタSDとして検出されデータの記録ができ
なくなると、光磁気ヘッドはスペアセクタ領域の交替セ
クタK+1にシークして、交替セクタK+1にデータを
記録してから再びシークして二次欠陥セクタSDの次の
セクタK+2にデータを記録する。再生時においても光
磁気ヘッドは同様なシーク動作を行う。二次欠陥セクタ
SDに関する情報は、二次欠陥セクタSDに交替セクタ
を設定する度に光磁気ヘッドによりDMA領域のSDL
に記録される。
検出されると、この二次欠陥セクタSDを論理空間から
排除することはできないので、同じグループのスペアセ
クタに記録される。例えば、光磁気ヘッドが、あるトラ
ックのセクタK−2、K−1、Kの順にデータの記録を
行っていた場合、次に記録を行うセクタであるK+1が
二次欠陥セクタSDとして検出されデータの記録ができ
なくなると、光磁気ヘッドはスペアセクタ領域の交替セ
クタK+1にシークして、交替セクタK+1にデータを
記録してから再びシークして二次欠陥セクタSDの次の
セクタK+2にデータを記録する。再生時においても光
磁気ヘッドは同様なシーク動作を行う。二次欠陥セクタ
SDに関する情報は、二次欠陥セクタSDに交替セクタ
を設定する度に光磁気ヘッドによりDMA領域のSDL
に記録される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このように、二次欠陥
セクタSDが発生すると、データの記録/再生時に光磁
気ヘッドをスペアセクタ領域の交替セクタへシークさせ
る必要があり、光磁気ディスクのデータの記録/再生に
要する時間が増大し、データ転送レートが低下するとい
う問題が生じている。さらに、二次欠陥セクタSDの発
生が増加すればするほど光磁気ヘッドのシーク時間の記
録/再生に要する時間に占める割合が増大するという問
題がある。
セクタSDが発生すると、データの記録/再生時に光磁
気ヘッドをスペアセクタ領域の交替セクタへシークさせ
る必要があり、光磁気ディスクのデータの記録/再生に
要する時間が増大し、データ転送レートが低下するとい
う問題が生じている。さらに、二次欠陥セクタSDの発
生が増加すればするほど光磁気ヘッドのシーク時間の記
録/再生に要する時間に占める割合が増大するという問
題がある。
【0008】本発明の目的は、光磁気ディスクのデータ
を記録/再生する時間を短縮させた光磁気ディスク装置
の記録/再生方法を提供することにある。
を記録/再生する時間を短縮させた光磁気ディスク装置
の記録/再生方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的は、光磁気ディ
スクの記録領域の二次欠陥セクタのリスト及び前記二次
欠陥セクタのデータを格納している交替セクタを有する
スペアセクタ領域の内容を外部記憶装置に記憶させ、デ
ータ再生時に前記光磁気ディスクの前記二次欠陥セクタ
に光磁気ヘッドが移動した際、前記二次欠陥セクタに対
応する前記交替セクタのデータとして前記外部記憶装置
に記憶されたデータを用いることにより、前記二次欠陥
セクタから前記交替セクタへの前記光磁気ヘッドのシー
ク動作を行わせないようにしたことを特徴とする光磁気
ディスク装置のデータ記録/再生方法によって達成され
る。
スクの記録領域の二次欠陥セクタのリスト及び前記二次
欠陥セクタのデータを格納している交替セクタを有する
スペアセクタ領域の内容を外部記憶装置に記憶させ、デ
ータ再生時に前記光磁気ディスクの前記二次欠陥セクタ
に光磁気ヘッドが移動した際、前記二次欠陥セクタに対
応する前記交替セクタのデータとして前記外部記憶装置
に記憶されたデータを用いることにより、前記二次欠陥
セクタから前記交替セクタへの前記光磁気ヘッドのシー
ク動作を行わせないようにしたことを特徴とする光磁気
ディスク装置のデータ記録/再生方法によって達成され
る。
【0010】
【作用】本発明によれば、光磁気ヘッドのシーク動作を
低減させることができるので光磁気ディスクのデータを
記録/再生する時間を短縮させることができる。
低減させることができるので光磁気ディスクのデータを
記録/再生する時間を短縮させることができる。
【0011】
【実施例】本発明の第1の実施例による光磁気ディスク
装置の記録/再生方法を図1及び図2を用いて説明す
る。本実施例による光磁気ディスク装置の記録/再生方
法は、二次欠陥セクタSDのデータを予め外部記憶装置
(RAM)に記憶させておくことにより、光磁気ヘッド
に無駄なシーク動作を行わせないようにしてデータの再
生速度を向上させたことに特徴を有する。
装置の記録/再生方法を図1及び図2を用いて説明す
る。本実施例による光磁気ディスク装置の記録/再生方
法は、二次欠陥セクタSDのデータを予め外部記憶装置
(RAM)に記憶させておくことにより、光磁気ヘッド
に無駄なシーク動作を行わせないようにしてデータの再
生速度を向上させたことに特徴を有する。
【0012】図1は、本実施例の光磁気ディスク装置の
記録/再生方法を説明するためのブロック図である。図
2は、本実施例の光磁気ディスク装置の記録/再生方法
の詳細を説明するための図である。まず、図1におい
て、光磁気ディスク装置1に電源を投入し、光磁気ディ
スクが所定の回転数に達して光磁気ディスク装置1の立
上げが終了したら、光磁気ディスクの記録領域の欠陥セ
クタを管理するDMA領域に記録されている二次欠陥セ
クタのリスト(SDL)を内部インタフェース2及び入
出力制御装置4内に設けられた光磁気ディスク制御装置
6を介して内部バス8に接続された外部RAM10にコ
ピーする。内部バス8には、誤り訂正のためのECC回
路18や一時的に入出力データを保持するデータバッフ
ァ20等も接続されている。なお、入出力制御装置4は
光磁気ディスク装置1の筐体内に内蔵され、光磁気ディ
スク装置1の電源投入と同時に電源が供給されるように
なっている。
記録/再生方法を説明するためのブロック図である。図
2は、本実施例の光磁気ディスク装置の記録/再生方法
の詳細を説明するための図である。まず、図1におい
て、光磁気ディスク装置1に電源を投入し、光磁気ディ
スクが所定の回転数に達して光磁気ディスク装置1の立
上げが終了したら、光磁気ディスクの記録領域の欠陥セ
クタを管理するDMA領域に記録されている二次欠陥セ
クタのリスト(SDL)を内部インタフェース2及び入
出力制御装置4内に設けられた光磁気ディスク制御装置
6を介して内部バス8に接続された外部RAM10にコ
ピーする。内部バス8には、誤り訂正のためのECC回
路18や一時的に入出力データを保持するデータバッフ
ァ20等も接続されている。なお、入出力制御装置4は
光磁気ディスク装置1の筐体内に内蔵され、光磁気ディ
スク装置1の電源投入と同時に電源が供給されるように
なっている。
【0013】次に、上記SDLのコピーと同様にして、
二次欠陥セクタのデータが格納されている交替セクタを
有するスペアセクタ領域の内容を外部RAM10にコピ
ーする。データを光磁気ディスク装置1から再生してホ
ストコンピュータ16に転送する際、光磁気ディスク装
置1の光磁気ヘッドが光磁気ディスクの二次欠陥セクタ
をアクセスしても、光磁気ヘッドはスペアセクタ領域の
交替セクタに移動するというシーク動作は行わない。図
2において、あるトラックのセクタK−2からセクタK
+2までのデータを再生しようとする場合、セクタK+
1が二次欠陥セクタSDであっても光磁気ヘッドはスペ
アセクタ領域の、K+1のデータが記録されている交替
セクタに移動するというシーク動作は行わない。そのか
わりに、二次欠陥セクタのデータをすでに保持している
外部RAM10から、必要な交替セクタのデータを内部
バス8に出力し、例えばSCSI等の入出力インタフェ
ース12及び入出力インタフェース・ケーブル14を介
してホストコンピュータ16に転送する。
二次欠陥セクタのデータが格納されている交替セクタを
有するスペアセクタ領域の内容を外部RAM10にコピ
ーする。データを光磁気ディスク装置1から再生してホ
ストコンピュータ16に転送する際、光磁気ディスク装
置1の光磁気ヘッドが光磁気ディスクの二次欠陥セクタ
をアクセスしても、光磁気ヘッドはスペアセクタ領域の
交替セクタに移動するというシーク動作は行わない。図
2において、あるトラックのセクタK−2からセクタK
+2までのデータを再生しようとする場合、セクタK+
1が二次欠陥セクタSDであっても光磁気ヘッドはスペ
アセクタ領域の、K+1のデータが記録されている交替
セクタに移動するというシーク動作は行わない。そのか
わりに、二次欠陥セクタのデータをすでに保持している
外部RAM10から、必要な交替セクタのデータを内部
バス8に出力し、例えばSCSI等の入出力インタフェ
ース12及び入出力インタフェース・ケーブル14を介
してホストコンピュータ16に転送する。
【0014】また、データを光磁気ディスクに記録する
際には、二次欠陥セクタが生じるとスペアセクタ領域の
交替セクタを割当てて、交替セクタにデータを記録する
とともにDMA領域の二次欠陥セクタのリスト(SD
L)を更新する。同時に外部RAM10内のSDLを更
新し、スペアセクタ領域の交替セクタのアドレスに相当
するRAM領域の中にデータを書込む。こうすることに
より、次の再生時に光磁気ヘッドをスペアセクタ領域の
交替セクタにシークさせる必要がなくなる。
際には、二次欠陥セクタが生じるとスペアセクタ領域の
交替セクタを割当てて、交替セクタにデータを記録する
とともにDMA領域の二次欠陥セクタのリスト(SD
L)を更新する。同時に外部RAM10内のSDLを更
新し、スペアセクタ領域の交替セクタのアドレスに相当
するRAM領域の中にデータを書込む。こうすることに
より、次の再生時に光磁気ヘッドをスペアセクタ領域の
交替セクタにシークさせる必要がなくなる。
【0015】このように、例えば入出力制御装置4内に
外部RAM10を持たせることにより、データ転送レー
トを高速にした光磁気ディスク装置のデータ記録/再生
を行なうことができるようになる。本発明の第2の実施
例による光磁気ディスク装置の記録/再生方法を図3乃
至図5を用いて説明する。
外部RAM10を持たせることにより、データ転送レー
トを高速にした光磁気ディスク装置のデータ記録/再生
を行なうことができるようになる。本発明の第2の実施
例による光磁気ディスク装置の記録/再生方法を図3乃
至図5を用いて説明する。
【0016】本実施例は、本願と同一の出願人による特
許出願(平成2年8月31日出願の特願平2−2321
47号)で提案された2つの光磁気ヘッドを備えた光磁
気ディスク装置に対して、本発明における光磁気ディス
ク装置の記録/再生方法を適用したことに特徴を有す
る。提案された光磁気ディスク装置は、ISO規格によ
り定められた光磁気ディスクカートリッジの幅40mm
のヘッド窓内に2つの光磁気ヘッドを備え、2つの光磁
気ヘッドの制御を工夫してデータの記録、再生を効率的
に行うことにより、大量のデータを高速で転送できるよ
うにしている。
許出願(平成2年8月31日出願の特願平2−2321
47号)で提案された2つの光磁気ヘッドを備えた光磁
気ディスク装置に対して、本発明における光磁気ディス
ク装置の記録/再生方法を適用したことに特徴を有す
る。提案された光磁気ディスク装置は、ISO規格によ
り定められた光磁気ディスクカートリッジの幅40mm
のヘッド窓内に2つの光磁気ヘッドを備え、2つの光磁
気ヘッドの制御を工夫してデータの記録、再生を効率的
に行うことにより、大量のデータを高速で転送できるよ
うにしている。
【0017】本実施例に用いた光磁気ディスク装置の光
磁気ディスクを図3に示す。本実施例に用いた光磁気デ
ィスクは、光磁気ディスクの全記録領域を内周側の記録
領域Raと外周側の記録領域Rbに2分割している。内
周側の記録領域Raは光磁気ヘッドA(図示せず)によ
りアクセスされ、外周側の記録領域Rbは光磁気ヘッド
B(図示せず)によりアクセスされる。
磁気ディスクを図3に示す。本実施例に用いた光磁気デ
ィスクは、光磁気ディスクの全記録領域を内周側の記録
領域Raと外周側の記録領域Rbに2分割している。内
周側の記録領域Raは光磁気ヘッドA(図示せず)によ
りアクセスされ、外周側の記録領域Rbは光磁気ヘッド
B(図示せず)によりアクセスされる。
【0018】記録領域Raの最内周には欠陥セクタを管
理するためDMA(Defect Management Area)領域Rad
が設けられ、記録領域Rbの最外周にもDMA領域Rb
dが設けられている。記録領域Raの残りがユーザ領域
Rauであり、記録領域Rbの残りがユーザ領域Rbu
である。光磁気ディスクのレイアウトの詳細を図4に示
す。光磁気ディスクは第0トラックから第18750ト
ラックまでの18751本のトラックで構成され、各ト
ラックは第0セクタから第16セクタまでの17個のセ
クタにより構成されている。
理するためDMA(Defect Management Area)領域Rad
が設けられ、記録領域Rbの最外周にもDMA領域Rb
dが設けられている。記録領域Raの残りがユーザ領域
Rauであり、記録領域Rbの残りがユーザ領域Rbu
である。光磁気ディスクのレイアウトの詳細を図4に示
す。光磁気ディスクは第0トラックから第18750ト
ラックまでの18751本のトラックで構成され、各ト
ラックは第0セクタから第16セクタまでの17個のセ
クタにより構成されている。
【0019】記録領域RaのDMA領域Radは第0ト
ラックから第2トラックまでの3トラックの領域であ
る。第0トラック第0セクタはDDS(DiskDefinition
Structure) の記録領域であり、光磁気ディスクの構造
に関する情報が記録されている。第0トラック第1セク
タから第1トラック第7セクタまではPDL(Primary D
efect List) とSDL(Secondary Defect List) の記録
領域である。PDLは光磁気ディスクのフォーマット時
に検出された欠陥である一次欠陥(PD=Primary Defe
ct)のあるセクタのリストであり、SDLは光磁気ディ
スクの実際の記録/再生時に検出された欠陥である二次
欠陥(SD=Secondary Defect)のあるセクタのリスト
である。また、第1トラック第8セクタはDDSの記録
領域で、第1トラック第9セクタから第2トラック第1
5セクタまではPDLとSDLの記録領域である。DM
A領域Radの最終の第2トラック第16セクタは予備
(Res=Reserve)セクタである。
ラックから第2トラックまでの3トラックの領域であ
る。第0トラック第0セクタはDDS(DiskDefinition
Structure) の記録領域であり、光磁気ディスクの構造
に関する情報が記録されている。第0トラック第1セク
タから第1トラック第7セクタまではPDL(Primary D
efect List) とSDL(Secondary Defect List) の記録
領域である。PDLは光磁気ディスクのフォーマット時
に検出された欠陥である一次欠陥(PD=Primary Defe
ct)のあるセクタのリストであり、SDLは光磁気ディ
スクの実際の記録/再生時に検出された欠陥である二次
欠陥(SD=Secondary Defect)のあるセクタのリスト
である。また、第1トラック第8セクタはDDSの記録
領域で、第1トラック第9セクタから第2トラック第1
5セクタまではPDLとSDLの記録領域である。DM
A領域Radの最終の第2トラック第16セクタは予備
(Res=Reserve)セクタである。
【0020】記録領域RbのDMA領域Rbdは第18
748トラックから第18750トラックまでの3トラ
ックの領域である。DMA領域Radと同様にDDS、
PDL、SDLの記録領域が設けられ、最終セクタが予
備セクタとなっている。記録領域Raのユーザ領域Ra
uにはグループ1からグループ4に分割され、記録領域
Rbのユーザ領域Rbuもグループ5からグループ8に
分割されている。各グループは、データを記録するため
に設けられたデータセクタと、データセクタ中の二次欠
陥(SD)セクタの交替セクタとして設けられたスペア
セクタにより構成されている。データセクタ中に二次欠
陥セクタがあると、その二次欠陥セクタの代わりにスペ
アセクタにデータが記録される。
748トラックから第18750トラックまでの3トラ
ックの領域である。DMA領域Radと同様にDDS、
PDL、SDLの記録領域が設けられ、最終セクタが予
備セクタとなっている。記録領域Raのユーザ領域Ra
uにはグループ1からグループ4に分割され、記録領域
Rbのユーザ領域Rbuもグループ5からグループ8に
分割されている。各グループは、データを記録するため
に設けられたデータセクタと、データセクタ中の二次欠
陥(SD)セクタの交替セクタとして設けられたスペア
セクタにより構成されている。データセクタ中に二次欠
陥セクタがあると、その二次欠陥セクタの代わりにスペ
アセクタにデータが記録される。
【0021】光磁気ディスクにおける記録状態の詳細
を、記録領域Raのグループ1と記録領域Rbのグルー
プ5を例として図5に示す。グループ1とグループ5に
それぞれ128セクタ分のデータを書込んだ状態を示し
ている。フォーマット時に欠陥(一次欠陥)が検出され
ると、その一次欠陥セクタPDは論理空間から排除さ
れ、あたかも存在しなかったかのように取り扱われる。
例えば、第5トラック第7セクタは一次欠陥セクタPD
であるので、第5トラック第6トラックに記録されたデ
ータ<40>に続く次のデータ<41>は第5トラック
第8トラックに記録される。なお、一次欠陥セクタPD
に関する情報はDMA領域RadにPDLとして既に記
録されている。
を、記録領域Raのグループ1と記録領域Rbのグルー
プ5を例として図5に示す。グループ1とグループ5に
それぞれ128セクタ分のデータを書込んだ状態を示し
ている。フォーマット時に欠陥(一次欠陥)が検出され
ると、その一次欠陥セクタPDは論理空間から排除さ
れ、あたかも存在しなかったかのように取り扱われる。
例えば、第5トラック第7セクタは一次欠陥セクタPD
であるので、第5トラック第6トラックに記録されたデ
ータ<40>に続く次のデータ<41>は第5トラック
第8トラックに記録される。なお、一次欠陥セクタPD
に関する情報はDMA領域RadにPDLとして既に記
録されている。
【0022】実際の記録/再生時に欠陥(二次欠陥)が
検出されると、この二次欠陥セクタSDを論理空間から
排除することはできないので、同じグループのスペアセ
クタに記録される。例えば、第5トラック第9セクタに
欠陥が検出され、二次欠陥セクタSDとしてデータの記
録ができなくなると、スペアセクタの先頭の第10トラ
ック第13セクタが交替セクタとなり、データ<42>
が記録される。なお、二次欠陥セクタSDに関する情報
は、二次欠陥セクタSDに交替セクタを設定する度に光
磁気ヘッドAによりDMA領域Radに記録される。
検出されると、この二次欠陥セクタSDを論理空間から
排除することはできないので、同じグループのスペアセ
クタに記録される。例えば、第5トラック第9セクタに
欠陥が検出され、二次欠陥セクタSDとしてデータの記
録ができなくなると、スペアセクタの先頭の第10トラ
ック第13セクタが交替セクタとなり、データ<42>
が記録される。なお、二次欠陥セクタSDに関する情報
は、二次欠陥セクタSDに交替セクタを設定する度に光
磁気ヘッドAによりDMA領域Radに記録される。
【0023】さらに、第1の実施例において図1を用い
て説明した外部RAM10にも上記交替セクタのデータ
<42>及びDMA領域RadのSDLの内容が記憶さ
れる。本実施例においては、2つの光磁気ヘッドA、B
を用いることから、各光磁気ヘッドA、Bそれぞれがア
クセスする領域の交替セクタのデータ及びDMA領域R
adのSDLの内容を記憶できるように、外部RAM1
0内を2つに分割して用いる。
て説明した外部RAM10にも上記交替セクタのデータ
<42>及びDMA領域RadのSDLの内容が記憶さ
れる。本実施例においては、2つの光磁気ヘッドA、B
を用いることから、各光磁気ヘッドA、Bそれぞれがア
クセスする領域の交替セクタのデータ及びDMA領域R
adのSDLの内容を記憶できるように、外部RAM1
0内を2つに分割して用いる。
【0024】このような光磁気ディスク装置により数セ
クタにも及ぶ連続データDを光磁気ディスクに記録する
ときの制御手段(図示せず)による制御を図1及び図5
を用いて説明する。記録すべき連続データDをセクタ容
量を単位としてデータd1、データd2、…に分割す
る。まず、図5において、最初のデータd1は一方の光
磁気ヘッドAにより記録領域Ra(グループ1)の第5
トラック第6セクタに書込まれる。次のデータd2は他
方の光磁気ヘッドBにより記録領域Rb(グループ5)
の第n+2トラック第7セクタに書込まれるべきである
が、このセクタが二次欠陥セクタとして検出されると、
光磁気ヘッドBはシーク動作を開始し、スペアセクタ領
域の第n+7トラック第13セクタを交替セクタとして
割り当てここにデータd2を書込む。次に、光磁気ディ
スク装置の立ち上げ時にすでに外部RAM10に記憶さ
せた二次欠陥セクタのリストに新たな二次欠陥セクタの
情報を追加し、交替セクタであるスペアセクタ領域の第
n+7トラック第13セクタのデータd2を追加して記
憶する。
クタにも及ぶ連続データDを光磁気ディスクに記録する
ときの制御手段(図示せず)による制御を図1及び図5
を用いて説明する。記録すべき連続データDをセクタ容
量を単位としてデータd1、データd2、…に分割す
る。まず、図5において、最初のデータd1は一方の光
磁気ヘッドAにより記録領域Ra(グループ1)の第5
トラック第6セクタに書込まれる。次のデータd2は他
方の光磁気ヘッドBにより記録領域Rb(グループ5)
の第n+2トラック第7セクタに書込まれるべきである
が、このセクタが二次欠陥セクタとして検出されると、
光磁気ヘッドBはシーク動作を開始し、スペアセクタ領
域の第n+7トラック第13セクタを交替セクタとして
割り当てここにデータd2を書込む。次に、光磁気ディ
スク装置の立ち上げ時にすでに外部RAM10に記憶さ
せた二次欠陥セクタのリストに新たな二次欠陥セクタの
情報を追加し、交替セクタであるスペアセクタ領域の第
n+7トラック第13セクタのデータd2を追加して記
憶する。
【0025】続いて、次のデータd3は再び光磁気ヘッ
ドAにより、一次欠陥セクタ(第5トラック第7セク
タ)を飛ばして第5トラック第8セクタに書込まれる。
次のデータd4は光磁気ヘッドBにより第n+2トラッ
ク第7セクタに続く第n+2トラック第8セクタに書込
まれる。以下同様にして2つの光磁気ヘッドA、Bを同
時に使用して連続データを記録する。
ドAにより、一次欠陥セクタ(第5トラック第7セク
タ)を飛ばして第5トラック第8セクタに書込まれる。
次のデータd4は光磁気ヘッドBにより第n+2トラッ
ク第7セクタに続く第n+2トラック第8セクタに書込
まれる。以下同様にして2つの光磁気ヘッドA、Bを同
時に使用して連続データを記録する。
【0026】このように連続データを2つの光磁気ヘッ
ドA、Bに振分けて書込むようにすることにより記録時
間をほぼ半分にすることができる。このようにして記録
された光磁気ディスクから連続データDを再生する時に
は、まず、光磁気ヘッドAにより第5トラック第6セク
タにアクセスし、データd1を読取る。同時に、データ
d2を読取るため、光磁気ヘッドBにより第n+2トラ
ック第7セクタをアクセスするが、このセクタが二次欠
陥セクタであるので図1における外部RAM10内に記
憶されたデータd2が入出力制御装置14内の内部バス
8に出力され、ホストコンピュータ16に転送される。
このとき光磁気ヘッドBは交替セクタへのシーク動作は
行わず、外部RAM10によりデータd2の転送が終了
すると二次欠陥セクタである第n+2トラック第7セク
タの次のセクタである第8セクタの読出し動作に入る。
ドA、Bに振分けて書込むようにすることにより記録時
間をほぼ半分にすることができる。このようにして記録
された光磁気ディスクから連続データDを再生する時に
は、まず、光磁気ヘッドAにより第5トラック第6セク
タにアクセスし、データd1を読取る。同時に、データ
d2を読取るため、光磁気ヘッドBにより第n+2トラ
ック第7セクタをアクセスするが、このセクタが二次欠
陥セクタであるので図1における外部RAM10内に記
憶されたデータd2が入出力制御装置14内の内部バス
8に出力され、ホストコンピュータ16に転送される。
このとき光磁気ヘッドBは交替セクタへのシーク動作は
行わず、外部RAM10によりデータd2の転送が終了
すると二次欠陥セクタである第n+2トラック第7セク
タの次のセクタである第8セクタの読出し動作に入る。
【0027】続いて、光磁気ヘッドAにより第5トラッ
ク第8セクタにアクセスし、データd3を読取ると共
に、光磁気ヘッドBにより第n+2トラック第8セクタ
にアクセスし、データd4を読取る。以下同様にして2
つの光磁気ヘッドA、Bによりデータd5、d6、…を
読み取り、光磁気ヘッドA、Bにより読取られたデータ
d1、d2、…を交互になるように配置して連続データ
Dを構成する。
ク第8セクタにアクセスし、データd3を読取ると共
に、光磁気ヘッドBにより第n+2トラック第8セクタ
にアクセスし、データd4を読取る。以下同様にして2
つの光磁気ヘッドA、Bによりデータd5、d6、…を
読み取り、光磁気ヘッドA、Bにより読取られたデータ
d1、d2、…を交互になるように配置して連続データ
Dを構成する。
【0028】このように2つの光磁気ヘッドA、Bによ
りデータを読出すようにしたことに加えて、二次欠陥セ
クタを検出しても、光磁気ヘッドが交替セクタにシーク
動作をする必要がないので、より読出時間を短縮させる
ことができる。したがって、本実施例によれば大量のデ
ータを高速で転送して記録/再生することができる。
りデータを読出すようにしたことに加えて、二次欠陥セ
クタを検出しても、光磁気ヘッドが交替セクタにシーク
動作をする必要がないので、より読出時間を短縮させる
ことができる。したがって、本実施例によれば大量のデ
ータを高速で転送して記録/再生することができる。
【0029】本実施例ではスピンドルモータにより光磁
気ディスクが1800rpmで回転されているので、光
磁気ヘッド毎に522Kbyte/secのデータが転
送できる。このため、2つの光磁気ヘッドA、Bにより
同時に記録/再生することにより1Mbyte/sec
のデータ転送が可能となる。なお、スピンドルモータを
更に高速回転すればデータの高速転送が可能であるが、
機械的共振を考慮すると、現在のところ従来の2倍以上
に高速回転することは困難である。本実施例では、対物
レンズサーボ系および信号処理系の負担を増すことな
く、従来の限界を越えた高速回転に匹敵するデータの高
速転送が可能である。
気ディスクが1800rpmで回転されているので、光
磁気ヘッド毎に522Kbyte/secのデータが転
送できる。このため、2つの光磁気ヘッドA、Bにより
同時に記録/再生することにより1Mbyte/sec
のデータ転送が可能となる。なお、スピンドルモータを
更に高速回転すればデータの高速転送が可能であるが、
機械的共振を考慮すると、現在のところ従来の2倍以上
に高速回転することは困難である。本実施例では、対物
レンズサーボ系および信号処理系の負担を増すことな
く、従来の限界を越えた高速回転に匹敵するデータの高
速転送が可能である。
【0030】本発明は、上記実施例に限らず種々の変形
が可能である。例えば、上記実施例では、記録時に二次
欠陥セクタが発生すると、光磁気ディスク上のスペアセ
クタ領域の交替セクタにデータを書込み、DMA領域の
SDLを更新すると共に、外部RAM10の内容も同時
に更新するようにしていたが、光磁気ディスク装置の立
ち上げ時にだけ外部RAM10にSDL及びスペアセク
タ領域の内容をコピーし、ホストコンピュータ16と光
磁気ディスク装置1とのデータ転送時に新たに発生した
二次欠陥セクタについてのSDL及びスペアセクタ領域
の更新は、外部RAM10内のみで行うことも可能であ
る。
が可能である。例えば、上記実施例では、記録時に二次
欠陥セクタが発生すると、光磁気ディスク上のスペアセ
クタ領域の交替セクタにデータを書込み、DMA領域の
SDLを更新すると共に、外部RAM10の内容も同時
に更新するようにしていたが、光磁気ディスク装置の立
ち上げ時にだけ外部RAM10にSDL及びスペアセク
タ領域の内容をコピーし、ホストコンピュータ16と光
磁気ディスク装置1とのデータ転送時に新たに発生した
二次欠陥セクタについてのSDL及びスペアセクタ領域
の更新は、外部RAM10内のみで行うことも可能であ
る。
【0031】この場合は、ホストコンピュータ16と光
磁気ディスク装置1とのデータ転送を終了させる場合
は、光磁気ディスク装置の電源を切る前に、更新された
SDL及びデータを有する外部RAM10の内容を光磁
気ディスク装置1の光磁気ディスクのDMA領域及び所
定のスペアセクタ領域に記録して更新しておく必要があ
る。
磁気ディスク装置1とのデータ転送を終了させる場合
は、光磁気ディスク装置の電源を切る前に、更新された
SDL及びデータを有する外部RAM10の内容を光磁
気ディスク装置1の光磁気ディスクのDMA領域及び所
定のスペアセクタ領域に記録して更新しておく必要があ
る。
【0032】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、光磁気デ
ィスクのデータを記録/再生する時間を短縮させること
ができる。
ィスクのデータを記録/再生する時間を短縮させること
ができる。
【図1】本発明の第1の実施例による光磁気ディスク装
置の記録/再生方法を示すブロック図である。
置の記録/再生方法を示すブロック図である。
【図2】本発明の第1の実施例による光磁気ディスク装
置の記録/再生方法を示す図である。
置の記録/再生方法を示す図である。
【図3】本発明の第2の実施例に用いる光磁気ディスク
装置の光磁気ディスクの記録領域の詳細を示す図であ
る。
装置の光磁気ディスクの記録領域の詳細を示す図であ
る。
【図4】本発明の第2の実施例に用いる光磁気ディスク
装置の光磁気ディスクの記録領域の詳細を示す図であ
る。
装置の光磁気ディスクの記録領域の詳細を示す図であ
る。
【図5】本発明の第2の実施例に用いられる光磁気ディ
スクのデータの記録状態の詳細を示す図である
スクのデータの記録状態の詳細を示す図である
【図6】光磁気ディスクのレイアウトの詳細を示す図で
ある。
ある。
【図7】従来の光磁気ディスク装置の記録/再生方法を
示す図である。
示す図である。
1…光磁気ディスク装置 2…内部インタフェース 4…入出力制御装置 6…光磁気ディスク制御装置 8…内部バス 10…外部RAM 12…入出力インタフェース 14…入出力インタフェース・ケーブル 16…ホストコンピュータ 18…ECC回路 20…データバッファ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年1月6日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0021
【補正方法】変更
【補正内容】
【0021】光磁気ディスクにおける記録状態の詳細
を、記録領域Raのグループ1と記録領域Rbのグルー
プ5を例として図5に示す。グループ1とグループ5に
それぞれ128セクタ分のデータを書込んだ状態を示し
ている。フォーマット時に欠陥(一次欠陥)が検出され
ると、その一次欠陥セクタPDは論理空間から排除さ
れ、あたかも存在しなかったかのように取り扱われる。
例えば、第5トラック第7セクタは一次欠陥セクタPD
であるので、第5トラック第6セクタに記録されたデー
タ<40>に続く次のデータ<41>は第5トラック第
8セクタに記録される。なお、一次欠陥セクタPDに関
する情報はDMA領域RadにPDLとして既に記録さ
れている。
を、記録領域Raのグループ1と記録領域Rbのグルー
プ5を例として図5に示す。グループ1とグループ5に
それぞれ128セクタ分のデータを書込んだ状態を示し
ている。フォーマット時に欠陥(一次欠陥)が検出され
ると、その一次欠陥セクタPDは論理空間から排除さ
れ、あたかも存在しなかったかのように取り扱われる。
例えば、第5トラック第7セクタは一次欠陥セクタPD
であるので、第5トラック第6セクタに記録されたデー
タ<40>に続く次のデータ<41>は第5トラック第
8セクタに記録される。なお、一次欠陥セクタPDに関
する情報はDMA領域RadにPDLとして既に記録さ
れている。
Claims (3)
- 【請求項1】 光磁気ディスクの記録領域の二次欠陥セ
クタのリスト及び前記二次欠陥セクタのデータを格納し
ている交替セクタを有するスペアセクタ領域の内容を外
部記憶装置に記憶させ、 データ再生時に前記光磁気ディスクの前記二次欠陥セク
タに光磁気ヘッドが移動した際、 前記二次欠陥セクタに対応する前記交替セクタのデータ
として前記外部記憶装置に記憶されたデータを用いるこ
とにより、 前記二次欠陥セクタから前記交替セクタへの前記光磁気
ヘッドのシーク動作を行わせないようにしたことを特徴
とする光磁気ディスク装置のデータ記録/再生方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の光磁気ディスク装置のデ
ータ記録/再生方法において、 データ記録時に新たな二次欠陥セクタが発生すると、 前記光磁気ディスクの前記二次欠陥セクタのリストを更
新し、前記スペアセクタ領域内の新たな交替セクタにデ
ータを記録するとともに、 前記新たな二次欠陥セクタの情報を追加して前記外部記
憶装置に記憶された前記二次欠陥セクタのリストを更新
し、前記新たな交替セクタのデータを前記外部記憶装置
に記憶された前記スペアセクタ領域の内容に追加して記
憶させることを特徴とする光磁気ディスク装置のデータ
記録/再生方法。 - 【請求項3】 請求項1記載の光磁気ディスク装置のデ
ータ記録/再生方法において、 データ記録時に新たな二次欠陥セクタが発生すると、 前記新たな二次欠陥セクタの情報を追加して前記外部記
憶装置に記憶された前記二次欠陥セクタのリストを更新
し、前記外部記憶装置に記憶された前記スペアセクタ領
域の内容に前記新たな二次欠陥セクタに記録するべきデ
ータを追加して記憶させ、 データ記録/再生作業の終了時に、前記外部記憶装置に
記憶された前記二次欠陥セクタのリスト及び前記外部記
憶装置に記憶された前記スペアセクタ領域の内容を用い
て、前記光磁気ディスクの前記二次欠陥セクタのリスト
を更新し、前記スペアセクタ領域内の新たな交替セクタ
にデータを追加記録して前記スペアセクタ領域を更新す
ることを特徴とする光磁気ディスク装置のデータ記録/
再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28501891A JPH05128734A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 光磁気デイスク装置のデータ記録/再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28501891A JPH05128734A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 光磁気デイスク装置のデータ記録/再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05128734A true JPH05128734A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17686094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28501891A Pending JPH05128734A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 光磁気デイスク装置のデータ記録/再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05128734A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09259538A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | 情報記録再生装置および交替処理方法 |
| JPH09265733A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-07 | Toshiba Corp | 情報記録再生装置および交替処理方法 |
| US5859823A (en) * | 1996-03-25 | 1999-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk device method for detecting and replacing a defective sector within a block containing recording data and error correction data on an optical disk |
| US5883867A (en) * | 1996-03-25 | 1999-03-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk device and method for replacing a defective sector within a block containing recording data and error correction data on an optical disk |
| US5982729A (en) * | 1996-03-25 | 1999-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk device and replacement processing method |
| KR20010063164A (ko) * | 1999-12-22 | 2001-07-09 | 구자홍 | 광기록재생기의 결함 영역 관리 방법 |
| KR100440791B1 (ko) * | 1997-05-02 | 2004-10-14 | 삼성전자주식회사 | 다이내믹(dynamic)디펙관리방법 |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP28501891A patent/JPH05128734A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5956309A (en) * | 1996-03-25 | 1999-09-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk device and replacement processing method |
| US6031804A (en) * | 1996-03-25 | 2000-02-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk device having defect detection information |
| US5805547A (en) * | 1996-03-25 | 1998-09-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk device and replacement processing method |
| US5841748A (en) * | 1996-03-25 | 1998-11-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk device and replacement processing method |
| US5859823A (en) * | 1996-03-25 | 1999-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk device method for detecting and replacing a defective sector within a block containing recording data and error correction data on an optical disk |
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| US5982729A (en) * | 1996-03-25 | 1999-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk device and replacement processing method |
| US5963522A (en) * | 1996-03-25 | 1999-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk device and method for detecting and replacing a defective sector within a block containing recording data and error correction data on an optical disk |
| JPH09265733A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-07 | Toshiba Corp | 情報記録再生装置および交替処理方法 |
| US5991253A (en) * | 1996-03-25 | 1999-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk device and replacement processing method |
| JPH09259538A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | 情報記録再生装置および交替処理方法 |
| US6049515A (en) * | 1996-03-25 | 2000-04-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk device and replacement processing method |
| KR100440791B1 (ko) * | 1997-05-02 | 2004-10-14 | 삼성전자주식회사 | 다이내믹(dynamic)디펙관리방법 |
| KR20010063164A (ko) * | 1999-12-22 | 2001-07-09 | 구자홍 | 광기록재생기의 결함 영역 관리 방법 |
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