JPH05129512A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH05129512A JPH05129512A JP3285776A JP28577691A JPH05129512A JP H05129512 A JPH05129512 A JP H05129512A JP 3285776 A JP3285776 A JP 3285776A JP 28577691 A JP28577691 A JP 28577691A JP H05129512 A JPH05129512 A JP H05129512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- metal layer
- dimples
- resin
- frame body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＳＭＤ製造後から実装までに吸湿することがす
くなく、加熱時にはパッケージ内の接着界面に生じる剪
断力による剥離を生ずることがなく、その結果パッケー
ジクラックを生ずることのない改良されたリードフレー
ムを提供する。 【構成】リードフレームの半導体チップ搭載面の反対の
面にリードフレーム本体の第１の金属層１ａに比べ、エ
ッチング速度の遅い第２の金属層４ａが設けられ、その
第２の金属層４ａを貫通、前記リードフレーム本体の第
１の金属層１ａ内部迄エッチングされた逆つぼ状のディ
ンプル５ａを有している。 【効果】ディンプルが逆つぼ状の構造をしていることよ
り、ディンプル内部のレジンはリードフレームに強固に
接着されている。その結果レジンとリードフレーム接着
界面の剪断力に対して充分強く剥離は生じない。従って
パッケージクラック発生を改善する効果がある。
くなく、加熱時にはパッケージ内の接着界面に生じる剪
断力による剥離を生ずることがなく、その結果パッケー
ジクラックを生ずることのない改良されたリードフレー
ムを提供する。 【構成】リードフレームの半導体チップ搭載面の反対の
面にリードフレーム本体の第１の金属層１ａに比べ、エ
ッチング速度の遅い第２の金属層４ａが設けられ、その
第２の金属層４ａを貫通、前記リードフレーム本体の第
１の金属層１ａ内部迄エッチングされた逆つぼ状のディ
ンプル５ａを有している。 【効果】ディンプルが逆つぼ状の構造をしていることよ
り、ディンプル内部のレジンはリードフレームに強固に
接着されている。その結果レジンとリードフレーム接着
界面の剪断力に対して充分強く剥離は生じない。従って
パッケージクラック発生を改善する効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームに関し、
特にパッケージクラックを改善できる効果の高いリード
フレームに関する。
特にパッケージクラックを改善できる効果の高いリード
フレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、電子機器の小型・高機能化にとも
ない、表面実装半導体デバイス（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏ
ｕｎｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ 以下ＳＭＤという）は広
く普及している。
ない、表面実装半導体デバイス（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏ
ｕｎｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ 以下ＳＭＤという）は広
く普及している。
【０００３】ＳＭＤはリフロー方式（クリームはんだを
印刷したプリント配線板上にチップを搭載後、搭載面全
体を加熱することではんだ接合する）により、効率のよ
い実装が可能になった。しかしその反面実装時にパッケ
ージ全体がはんだの融点以上に加熱されるために、パッ
ケージ内の接着剥離、パッケージクラックが発生すると
いう問題点がある。パッケージクラックは次のような過
程を経て起る。
印刷したプリント配線板上にチップを搭載後、搭載面全
体を加熱することではんだ接合する）により、効率のよ
い実装が可能になった。しかしその反面実装時にパッケ
ージ全体がはんだの融点以上に加熱されるために、パッ
ケージ内の接着剥離、パッケージクラックが発生すると
いう問題点がある。パッケージクラックは次のような過
程を経て起る。
【０００４】まず、雰囲気中の水分がＳＭＤ製造後から
実装前までの保管中にレジン内に拡散（吸湿）する。加
熱時には、パッケージ内の接着界面に剪断力で剥離が生
じ、その剥離部に高温下で拡散速度を速めた（拡散速度
は室温の数千倍）水分がレジン中から水蒸気として吹き
出し、次第に圧力が上昇することで剥離部が拡大し、応
力が集中した箇所が破壊するものである。
実装前までの保管中にレジン内に拡散（吸湿）する。加
熱時には、パッケージ内の接着界面に剪断力で剥離が生
じ、その剥離部に高温下で拡散速度を速めた（拡散速度
は室温の数千倍）水分がレジン中から水蒸気として吹き
出し、次第に圧力が上昇することで剥離部が拡大し、応
力が集中した箇所が破壊するものである。
【０００５】そこでリードフレームとレジンの接着性を
良くする目的から従来この種のリードフレームは例えば
図２に示すように半導体チップ搭載面と反対の面にディ
ンプル４ｂを設けたものが知られている。
良くする目的から従来この種のリードフレームは例えば
図２に示すように半導体チップ搭載面と反対の面にディ
ンプル４ｂを設けたものが知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来のリードフレ
ームではレジンとリードフレームとの接着性が充分でな
いため、ＳＭＤ実装の加熱時にレジンとリードフレーム
接着界面の剪断力により剥離が生じ、パッケージクラッ
クに対して弱いという問題点があった。
ームではレジンとリードフレームとの接着性が充分でな
いため、ＳＭＤ実装の加熱時にレジンとリードフレーム
接着界面の剪断力により剥離が生じ、パッケージクラッ
クに対して弱いという問題点があった。
【０００７】本発明の目的は、ＳＭＤ製造後から実装ま
でに吸湿することがなく、加熱時にはパッケージ内の接
着界面に生じる剪断力による剥離を生じることがなく、
その結果パッケージクラックを生ずることのない改良さ
れたリードフレームを提供することにある。
でに吸湿することがなく、加熱時にはパッケージ内の接
着界面に生じる剪断力による剥離を生じることがなく、
その結果パッケージクラックを生ずることのない改良さ
れたリードフレームを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は半導体チップ搭載面と反対の面に、リードフレーム本
体の第１の金属層に比べエッチング速度が遅い第２の金
属層が設けられたリードフレームを使用することによ
り、前記第２の金属層を貫通、前記リードフレーム本体
の第１の金属層内部迄エッチングされた逆テーパーのデ
ィンプルを備えている。
は半導体チップ搭載面と反対の面に、リードフレーム本
体の第１の金属層に比べエッチング速度が遅い第２の金
属層が設けられたリードフレームを使用することによ
り、前記第２の金属層を貫通、前記リードフレーム本体
の第１の金属層内部迄エッチングされた逆テーパーのデ
ィンプルを備えている。
【０００９】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。図１は本発明の一実施例を示す断面図であ
る。
説明する。図１は本発明の一実施例を示す断面図であ
る。
【００１０】図１に於いて、リードフレームの半導体チ
ップ搭載面と反対の面に、リードフレーム本体の第１の
金属層１ａに比べエッチング速度の遅い第２の金属層４
ａが設けられ、前記第２の金属層を貫通、前記リードフ
レーム本体の第１の金属層内部迄エッチングされた逆つ
ぼ状のディンプル５ａを有している。
ップ搭載面と反対の面に、リードフレーム本体の第１の
金属層１ａに比べエッチング速度の遅い第２の金属層４
ａが設けられ、前記第２の金属層を貫通、前記リードフ
レーム本体の第１の金属層内部迄エッチングされた逆つ
ぼ状のディンプル５ａを有している。
【００１１】前記第２の金属層４ａは前記リードフレー
ム本体の第１の金属層１ａに比べ、エッチング速度が遅
いことから、ある大きさで第２の金属層を貫通し、リー
ドフレーム本体の第１の金属層内部迄エッチングすれ
ば、逆つぼ状のディンプル５ａが形成される。ディンプ
ルが逆つぼ状の構造をしていることより、ディンプル内
部のレジンはリードフレームに強固に接着されている。
その結果ＳＭＤ実装の加熱時にレジンとリードフレーム
接着界面で起こる剪断力に対して充分強く剥離は生じな
い。従ってパッケージクラック発生を改善することが可
能となる。
ム本体の第１の金属層１ａに比べ、エッチング速度が遅
いことから、ある大きさで第２の金属層を貫通し、リー
ドフレーム本体の第１の金属層内部迄エッチングすれ
ば、逆つぼ状のディンプル５ａが形成される。ディンプ
ルが逆つぼ状の構造をしていることより、ディンプル内
部のレジンはリードフレームに強固に接着されている。
その結果ＳＭＤ実装の加熱時にレジンとリードフレーム
接着界面で起こる剪断力に対して充分強く剥離は生じな
い。従ってパッケージクラック発生を改善することが可
能となる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、半導体
チップ搭載面と反対の面に、リードフレーム本体の第１
の金属層に比べエッチング速度が遅い第２の金属層が設
けられているリードフレームに於いて、前記第２の金属
層を貫通、前記リードフレーム本体の第１の金属層内部
迄エッチングされたディンプルを具備する。
チップ搭載面と反対の面に、リードフレーム本体の第１
の金属層に比べエッチング速度が遅い第２の金属層が設
けられているリードフレームに於いて、前記第２の金属
層を貫通、前記リードフレーム本体の第１の金属層内部
迄エッチングされたディンプルを具備する。
【００１３】前記第２の金属層として、前記リードフエ
ーム本体の第１の金属層に比べ、エッチング速度が遅い
ものを適用し、ある大きさで第２の金属層を貫通、リー
ドフレーム本体の第１の金属層内部迄エッチングすれ
ば、逆つぼ状のディンプルが形成される。ディンプルが
逆つぼ状の構造をしていることより、ディンプル内部の
レジンはリードフレームに強固に接着されている。その
結果ＳＭＤ実装の加熱時にレジンとリードフレーム接着
界面で起こる剪断力に対して充分強く剥離は生じない。
従ってパッケージクラック発生を改善することが可能に
なるという効果を有する。
ーム本体の第１の金属層に比べ、エッチング速度が遅い
ものを適用し、ある大きさで第２の金属層を貫通、リー
ドフレーム本体の第１の金属層内部迄エッチングすれ
ば、逆つぼ状のディンプルが形成される。ディンプルが
逆つぼ状の構造をしていることより、ディンプル内部の
レジンはリードフレームに強固に接着されている。その
結果ＳＭＤ実装の加熱時にレジンとリードフレーム接着
界面で起こる剪断力に対して充分強く剥離は生じない。
従ってパッケージクラック発生を改善することが可能に
なるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を使用して製造された樹脂封
止型半導体装置の断面図である。
止型半導体装置の断面図である。
【図２】ディンプルを有する従来のリードフレームを使
用して製造された樹脂封止型半導体装置の断面図であ
る。
用して製造された樹脂封止型半導体装置の断面図であ
る。
１ａ，１ｂ リードフレーム（第１の金属層） ２ａ，２ｂ 半導体チップ ３ａ，３ｂ レジン ４ａ 第２の金属層 ５ａ，５ｂ ディンプル
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップ搭載面の反対の面に、ディ
ンプルを有するリードフレームに於いて、リードフレー
ム本体の第１の金属層に比べエッチング速度が遅い第２
の金属層が設けられ、前記第２の金属層を貫通し前記リ
ードフレーム本体の第１の金属層内部迄エッチングされ
た逆テーパーのディンプルを備えることを特徴とするリ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3285776A JPH05129512A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3285776A JPH05129512A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129512A true JPH05129512A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17695921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3285776A Pending JPH05129512A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129512A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5753535A (en) * | 1991-09-18 | 1998-05-19 | Fujitsu Limited | Leadframe and resin-sealed semiconductor device |
| JP2016152384A (ja) * | 2015-02-19 | 2016-08-22 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法及びパワージュールの製造方法 |
-
1991
- 1991-10-31 JP JP3285776A patent/JPH05129512A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5753535A (en) * | 1991-09-18 | 1998-05-19 | Fujitsu Limited | Leadframe and resin-sealed semiconductor device |
| JP2016152384A (ja) * | 2015-02-19 | 2016-08-22 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法及びパワージュールの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990525 |