JPH1140704A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH1140704A JPH1140704A JP9189455A JP18945597A JPH1140704A JP H1140704 A JPH1140704 A JP H1140704A JP 9189455 A JP9189455 A JP 9189455A JP 18945597 A JP18945597 A JP 18945597A JP H1140704 A JPH1140704 A JP H1140704A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- resin
- die pad
- adhesive
- semiconductor element
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】実装前に半導体装置が吸湿していると、実装工
程で吸湿した水分が急激に膨張しパッケージクラックを
生じさせる。 【解決手段】半導体素子はリードフレームのダイパッド
上に接着剤を介して接着され、半導体素子とリードフレ
ームのインナーリードが金線等で接続された後、樹脂で
封止される方式において、半導体素子とダイパッドの接
着に多孔質の接着シートを用い、その接着シートの一部
が半導体装置の樹脂封止部の外に露出した形態となる。
程で吸湿した水分が急激に膨張しパッケージクラックを
生じさせる。 【解決手段】半導体素子はリードフレームのダイパッド
上に接着剤を介して接着され、半導体素子とリードフレ
ームのインナーリードが金線等で接続された後、樹脂で
封止される方式において、半導体素子とダイパッドの接
着に多孔質の接着シートを用い、その接着シートの一部
が半導体装置の樹脂封止部の外に露出した形態となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
その製造方法に関し、特に小形・薄型の半導体装置のプ
リント配線板への実装時の信頼性向上に有効な技術であ
る。
その製造方法に関し、特に小形・薄型の半導体装置のプ
リント配線板への実装時の信頼性向上に有効な技術であ
る。
【０００２】
【従来の技術】各種電子機器は高機能化あるいは小形化
の傾向にあり、これに搭載する半導体装置は、電子機器
の実装密度を向上させるため、小型・薄型化の傾向にあ
る。これら半導体装置はプリント配線板上に実装される
際、実装密度を向上させるため面実装方式が採用される
のが一般的である。すなわち、プリント配線板上の所定
箇所にはんだペースト等を塗布し、半導体装置の端子が
はんだペースト部に来るように半導体装置を搭載し、エ
アーリフロ炉、赤外線リフロ炉あるいは窒素リフロ炉等
ではんだの溶融温度以上まで加熱し、プリント配線板上
に半導体装置を接続する方法が採られていた。
の傾向にあり、これに搭載する半導体装置は、電子機器
の実装密度を向上させるため、小型・薄型化の傾向にあ
る。これら半導体装置はプリント配線板上に実装される
際、実装密度を向上させるため面実装方式が採用される
のが一般的である。すなわち、プリント配線板上の所定
箇所にはんだペースト等を塗布し、半導体装置の端子が
はんだペースト部に来るように半導体装置を搭載し、エ
アーリフロ炉、赤外線リフロ炉あるいは窒素リフロ炉等
ではんだの溶融温度以上まで加熱し、プリント配線板上
に半導体装置を接続する方法が採られていた。
【０００３】実装前に半導体装置が吸湿しているとこの
実装工程で吸湿した水分が急激に膨張しパッケージクラ
ックを生じさせるという問題が生じる。このような問題
を解決する方法として、例えば特許公開公告 平成２年
第３９８６５号公報記載のように、半導体素子を搭載す
るリードフレームのダイパッドの下側に、ダイパッド部
に薄い樹脂層が残るような開口部を設け、実装時に膨張
した水分が前記薄い樹脂層を破壊して外部に排出される
ことにより、パッケージクラックを防止するという方法
がある。
実装工程で吸湿した水分が急激に膨張しパッケージクラ
ックを生じさせるという問題が生じる。このような問題
を解決する方法として、例えば特許公開公告 平成２年
第３９８６５号公報記載のように、半導体素子を搭載す
るリードフレームのダイパッドの下側に、ダイパッド部
に薄い樹脂層が残るような開口部を設け、実装時に膨張
した水分が前記薄い樹脂層を破壊して外部に排出される
ことにより、パッケージクラックを防止するという方法
がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記ダイパッド下側に
薄い樹脂層を形成し膨張した水分を排出させる方法は実
装時の吸湿した水分の膨張によるパッケージクラック確
かに有効な手段ではあるが、実際に半導体装置を製造す
る場合、ダイパッドの垂直方向の位置がばらつくため樹
脂層の厚さが異なり、その効果もばらつく。また、膨張
した水分を排出する際に薄い樹脂層が破壊されるが、そ
の際クラックや剥離がダイパッド下面あるいは半導体素
子下面に進展し以後の信頼性を低下させることがある。
薄い樹脂層を形成し膨張した水分を排出させる方法は実
装時の吸湿した水分の膨張によるパッケージクラック確
かに有効な手段ではあるが、実際に半導体装置を製造す
る場合、ダイパッドの垂直方向の位置がばらつくため樹
脂層の厚さが異なり、その効果もばらつく。また、膨張
した水分を排出する際に薄い樹脂層が破壊されるが、そ
の際クラックや剥離がダイパッド下面あるいは半導体素
子下面に進展し以後の信頼性を低下させることがある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する方法
として、樹脂層の破壊等を起こさずに膨張した水分を排
出する方式として、半導体素子とダイパッドの接着に多
孔質の接着シートを用い、その接着シートの一部が半導
体装置の樹脂封止部の外に露出した形態となることによ
り、樹脂層の破壊を伴わずに膨張した水分が排出される
ため、以後の半導体装置の信頼性を確保することが可能
なことを見い出した。
として、樹脂層の破壊等を起こさずに膨張した水分を排
出する方式として、半導体素子とダイパッドの接着に多
孔質の接着シートを用い、その接着シートの一部が半導
体装置の樹脂封止部の外に露出した形態となることによ
り、樹脂層の破壊を伴わずに膨張した水分が排出される
ため、以後の半導体装置の信頼性を確保することが可能
なことを見い出した。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明について、図を参照
して実施の形態とともに詳細に説明する。
して実施の形態とともに詳細に説明する。
【０００７】なお、実施の形態を説明するための全図に
おいて、同一の機能を有するものは同一符号を付け、そ
の繰り返しの説明は省略する。
おいて、同一の機能を有するものは同一符号を付け、そ
の繰り返しの説明は省略する。
【０００８】図５は従来の技術による基板に半導体装置
の断面概略図である。
の断面概略図である。
【０００９】従来方式では、図５（ａ）に示したよう
に、半導体素子はリードフレームのダイパッド上に接着
剤９を介して接着され、半導体素子とリードフレームの
インナーリード６が金線等で接続された後、樹脂で封止
される。実装時に吸湿した水分の膨張は、半導体装置の
中で相対的に接着力の弱い部分、例えば接着層やダイパ
ッドと封止樹脂層界面を剥離させ、図５（ｂ）に示した
ように樹脂層が変形しパッケージクラック１０が発生す
る。
に、半導体素子はリードフレームのダイパッド上に接着
剤９を介して接着され、半導体素子とリードフレームの
インナーリード６が金線等で接続された後、樹脂で封止
される。実装時に吸湿した水分の膨張は、半導体装置の
中で相対的に接着力の弱い部分、例えば接着層やダイパ
ッドと封止樹脂層界面を剥離させ、図５（ｂ）に示した
ように樹脂層が変形しパッケージクラック１０が発生す
る。
【００１０】図１は、本方式の実施の形態を示した図で
ある。本発明では半導体素子１はリードフレームのダイ
パッド上に接着剤を介して接着され、半導体素子とリー
ドフレームのインナーリードが金線４等で接続された
後、樹脂５で封止された構造であるが、ダイパッドと半
導体素子の接着に多孔質の接着フィルム３を用いること
が特徴である。多孔質フィルムは、たとえばふっ素樹脂
繊維、シリコーン樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維を含有
したエポキシ樹脂、フェノール樹脂等の接着フィルム
で、フィルム側面にこれら繊維がつながっているもの、
あるいは、フィルム中に２０μｍ以下の無数の穴があい
ており、相互に連結してフィルム側面につながっている
ものが利用可能である。本方式では、半導体装置実装時
に吸湿した水分が膨張しても、前記のフィルムの外部に
連結した繊維や穴を通って水分が排出されパッケージク
ラックにいたらない。
ある。本発明では半導体素子１はリードフレームのダイ
パッド上に接着剤を介して接着され、半導体素子とリー
ドフレームのインナーリードが金線４等で接続された
後、樹脂５で封止された構造であるが、ダイパッドと半
導体素子の接着に多孔質の接着フィルム３を用いること
が特徴である。多孔質フィルムは、たとえばふっ素樹脂
繊維、シリコーン樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維を含有
したエポキシ樹脂、フェノール樹脂等の接着フィルム
で、フィルム側面にこれら繊維がつながっているもの、
あるいは、フィルム中に２０μｍ以下の無数の穴があい
ており、相互に連結してフィルム側面につながっている
ものが利用可能である。本方式では、半導体装置実装時
に吸湿した水分が膨張しても、前記のフィルムの外部に
連結した繊維や穴を通って水分が排出されパッケージク
ラックにいたらない。
【００１１】図２は、本方式による多孔質フィルムと半
導体素子、封止樹脂外形の関係を示したものである。本
方式では、半導体装置実装時に膨張した水分が半導体装
置外部へ容易に排出されるように、ワイヤボンディング
等に支障を起こさない範囲で、多孔質フィルムを外部へ
露出させる必要がある。図２では、半導体装置の四隅に
多孔質フィルムを露出させているが、少なくとも一箇所
が樹脂封止部の外に露出していれば、加熱時の水分排出
の効果はある。
導体素子、封止樹脂外形の関係を示したものである。本
方式では、半導体装置実装時に膨張した水分が半導体装
置外部へ容易に排出されるように、ワイヤボンディング
等に支障を起こさない範囲で、多孔質フィルムを外部へ
露出させる必要がある。図２では、半導体装置の四隅に
多孔質フィルムを露出させているが、少なくとも一箇所
が樹脂封止部の外に露出していれば、加熱時の水分排出
の効果はある。
【００１２】図３は、本発明の実施の形態を製造するた
めの、製造工程の概略を示したものである。本発明で
は、半導体装置とリードフレームのダイパッドの接着に
多孔質の接着フィルムを使用すること以外は、通常の半
導体装置の製造工程を適用することができる。
めの、製造工程の概略を示したものである。本発明で
は、半導体装置とリードフレームのダイパッドの接着に
多孔質の接着フィルムを使用すること以外は、通常の半
導体装置の製造工程を適用することができる。
【００１３】図３（ａ）は、リードフレームのダイパッ
ド部分２に多孔質フィルム３を適当な治具を用いて貼り
付ける工程である。
ド部分２に多孔質フィルム３を適当な治具を用いて貼り
付ける工程である。
【００１４】その後、図３（ｂ）では、多孔質接着フィ
ルム上に半導体素子１を貼り付ける。その後、必要が有
れば加熱炉等で多孔質接着フィルムを硬化させる。
ルム上に半導体素子１を貼り付ける。その後、必要が有
れば加熱炉等で多孔質接着フィルムを硬化させる。
【００１５】図３（ｃ）では、接着後の半導体装置とリ
ードフレームのインナーリード部を金線４等でワイヤボ
ンディング接続を行う。
ードフレームのインナーリード部を金線４等でワイヤボ
ンディング接続を行う。
【００１６】その後、図３（ｄ）では、ワイヤボンディ
ング終了後の半導体装置を樹脂５で封止し最終製品の半
導体装置が得られる。
ング終了後の半導体装置を樹脂５で封止し最終製品の半
導体装置が得られる。
【００１７】図４は、リードフレームを用いない半導体
装置で、基板７上に半導体素子を多孔質接着フィルムを
用いて接着し、基板上の端子と半導体素子を金線等で接
続し、その後樹脂封止し、はんだバンプ８を設けた実施
の形態を示す図である。図４の方法においても、図１の
場合と同様、吸湿した水分が実装時に膨張しても、多孔
質フィルムを介してその水分が排出されるため、樹脂層
と基板の剥離やパッケージクラックを起こし難くなる。
装置で、基板７上に半導体素子を多孔質接着フィルムを
用いて接着し、基板上の端子と半導体素子を金線等で接
続し、その後樹脂封止し、はんだバンプ８を設けた実施
の形態を示す図である。図４の方法においても、図１の
場合と同様、吸湿した水分が実装時に膨張しても、多孔
質フィルムを介してその水分が排出されるため、樹脂層
と基板の剥離やパッケージクラックを起こし難くなる。
【００１８】以上、本発明について実施の形態を用いて
具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変
更可能である。
具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変
更可能である。
【００１９】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下
記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下
記の通りである。
【００２０】半導体素子はリードフレームのダイパッド
上に接着剤を介して接着され、半導体素子とリードフレ
ームのインナーリードが金線等で接続された後、樹脂で
封止される方式において、半導体素子とダイパッドの接
着に多孔質の接着シートを用い、その接着シートの一部
が半導体装置の樹脂封止部の外に露出した形態となるこ
とにより、樹脂層の破壊を伴わずに膨張した水分が排出
されるため、以後の半導体装置の信頼性を確保すること
が可能となる。
上に接着剤を介して接着され、半導体素子とリードフレ
ームのインナーリードが金線等で接続された後、樹脂で
封止される方式において、半導体素子とダイパッドの接
着に多孔質の接着シートを用い、その接着シートの一部
が半導体装置の樹脂封止部の外に露出した形態となるこ
とにより、樹脂層の破壊を伴わずに膨張した水分が排出
されるため、以後の半導体装置の信頼性を確保すること
が可能となる。
【図１】本発明の実施の形態を示す断面概略図である。
【図２】本発明の実施の形態である図１の多孔質接着フ
ィルクを示した図である。
ィルクを示した図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造工程を説明した図で
ある。
ある。
【図４】本発明の他の実施の形態を示す断面概略図であ
る。
る。
【図５】従来技術による半導体装置の断面概略図であ
る。
る。
１…半導体素子、 ２…ダイパッド、 ３…
接着フィルム、４…金線、 ５…樹脂、
６…インナーリード、７…基板、
８…はんだバンプ、 ９…接着剤、10…パッケー
ジクラック。
接着フィルム、４…金線、 ５…樹脂、
６…インナーリード、７…基板、
８…はんだバンプ、 ９…接着剤、10…パッケー
ジクラック。
Claims (3)
- 【請求項１】リードフレームのダイパッド上に接着剤を
用いて半導体素子を接着し、半導体素子とリードフレー
ムのインナーリードを金線等を用いて接続した後、樹脂
によって封止される樹脂封止型半導体装置において、接
着剤が多孔質の接着剤で、少なくともその一部が樹脂封
止型半導体装置の露出していることを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項２】基板上に接着剤を介して半導体素子を接着
し、半導体素子と基板上の端子を金線等を用いて接続し
た後、樹脂によって封止される半導体装置において、接
着剤が多孔質の接着剤で、少なくともその一部が樹脂封
止型半導体装置の露出していることを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項３】前記接着剤がフィルム状であることを特徴
とする請求項１および２に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9189455A JPH1140704A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9189455A JPH1140704A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140704A true JPH1140704A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16241554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9189455A Pending JPH1140704A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1140704A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006103918A1 (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | フリップチップ実装体とフリップチップ実装方法及びフリップチップ実装装置 |
| JP2016225373A (ja) * | 2015-05-27 | 2016-12-28 | 日立化成株式会社 | 半導体装置及び接着シート |
-
1997
- 1997-07-15 JP JP9189455A patent/JPH1140704A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006103918A1 (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | フリップチップ実装体とフリップチップ実装方法及びフリップチップ実装装置 |
| US7732920B2 (en) | 2005-03-28 | 2010-06-08 | Panasonic Corporation | Flip chip mounting body, flip chip mounting method and flip chip mounting apparatus |
| US8071425B2 (en) | 2005-03-28 | 2011-12-06 | Panasonic Corporation | Flip chip mounting body, flip chip mounting method and flip chip mounting apparatus |
| JP2016225373A (ja) * | 2015-05-27 | 2016-12-28 | 日立化成株式会社 | 半導体装置及び接着シート |
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