JPH05129727A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH05129727A JPH05129727A JP18442691A JP18442691A JPH05129727A JP H05129727 A JPH05129727 A JP H05129727A JP 18442691 A JP18442691 A JP 18442691A JP 18442691 A JP18442691 A JP 18442691A JP H05129727 A JPH05129727 A JP H05129727A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体発光装置に関し、しきい値
電流を任意の値に調節した半導体発光装置およびその製
造方法を提供することを目的とする。 【構成】 第１の導電型の化合物半導体基板１と、その
上に形成された第１の導電型で任意のキャリア濃度、屈
折率、エネルギー幅を有するクラッド層２と、その上に
形成された任意の導電型、キャリア濃度、屈折率、エネ
ルギー幅を有する活性層３と、その上に形成された第２
の導電型で任意のキャリア濃度、屈折率、エネルギー幅
を有するクラッド層４、１０と、その上に形成された第
２の導電型のコンタクト層１１を有し、活性層３あるい
はクラッド層４、１０の全体もしくは一部に所期の導電
型とキャリア濃度を維持しながら、第１の導電型および
第２の導電型の不純物を共に導入して活性層３あるいは
クラッド層４、１０の不純物による吸収損失を調節し、
所望の発振しきい値電流を得るように構成した。
電流を任意の値に調節した半導体発光装置およびその製
造方法を提供することを目的とする。 【構成】 第１の導電型の化合物半導体基板１と、その
上に形成された第１の導電型で任意のキャリア濃度、屈
折率、エネルギー幅を有するクラッド層２と、その上に
形成された任意の導電型、キャリア濃度、屈折率、エネ
ルギー幅を有する活性層３と、その上に形成された第２
の導電型で任意のキャリア濃度、屈折率、エネルギー幅
を有するクラッド層４、１０と、その上に形成された第
２の導電型のコンタクト層１１を有し、活性層３あるい
はクラッド層４、１０の全体もしくは一部に所期の導電
型とキャリア濃度を維持しながら、第１の導電型および
第２の導電型の不純物を共に導入して活性層３あるいは
クラッド層４、１０の不純物による吸収損失を調節し、
所望の発振しきい値電流を得るように構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光装置、特
に、半導体レーザ装置に関する。
に、半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の半導体レーザ装置の基本
構成説明図である。この図において、２１はｎ型ＩｎＰ
基板、２２はｎ型ＩｎＰクラッド層、２３はＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層、２４はｐ型ＩｎＰクラッド層、２５はＩｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層である。
構成説明図である。この図において、２１はｎ型ＩｎＰ
基板、２２はｎ型ＩｎＰクラッド層、２３はＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層、２４はｐ型ＩｎＰクラッド層、２５はＩｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層である。
【０００３】この装置は、基本的には、ｎ型ＩｎＰ基板
２１の上に、Ｓｉをドーピングしたｎ型ＩｎＰクラッド
層２２、ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ活性層２３、Ｚｎ
をドーピングしたｐ型ＩｎＰクラッド層２４、ＩｎＧａ
ＡｓＰコンタクト層２５が成長された構成を有してい
る。
２１の上に、Ｓｉをドーピングしたｎ型ＩｎＰクラッド
層２２、ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ活性層２３、Ｚｎ
をドーピングしたｐ型ＩｎＰクラッド層２４、ＩｎＧａ
ＡｓＰコンタクト層２５が成長された構成を有してい
る。
【０００４】この装置の構成は、活性層を除いては、後
に説明する本発明と本質的に変わるところがないが、活
性層には、希望する導電型とキャリア濃度を得るために
不純物を添加しないか、もしくは単一種類の不純物のみ
を添加していた。
に説明する本発明と本質的に変わるところがないが、活
性層には、希望する導電型とキャリア濃度を得るために
不純物を添加しないか、もしくは単一種類の不純物のみ
を添加していた。
【０００５】図５は、従来の発展型半導体レーザ装置の
構成説明図である。この図において３１はｎ型ＩｎＰ基
板、３２はｎ型ＩｎＰクラッド層、３３はＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層、３４はｐ型ＩｎＰ層、３５はｎ型ＩｎＰ層、
３６はｐ型ＩｎＰ層、３７はＩｎＧａＡｓＰコンタクト
層である。
構成説明図である。この図において３１はｎ型ＩｎＰ基
板、３２はｎ型ＩｎＰクラッド層、３３はＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層、３４はｐ型ＩｎＰ層、３５はｎ型ＩｎＰ層、
３６はｐ型ＩｎＰ層、３７はＩｎＧａＡｓＰコンタクト
層である。
【０００６】この発展型半導体レーザ装置においては、
ｎ型ＩｎＰ基板３１の上に、Ｓｉをドープしたｎ型Ｉｎ
Ｐクラッド層３２、ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ活性層
３３を成長し、メサ型にエッチングし、その斜面にＺｎ
をドーピングしたｐ型ＩｎＰ層３４とＳｉをドーピグし
たｎ型ＩｎＰ層３５を成長し、その上にｐ型ＩｎＰ層３
６とＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３７を成長して構成さ
れる。
ｎ型ＩｎＰ基板３１の上に、Ｓｉをドープしたｎ型Ｉｎ
Ｐクラッド層３２、ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ活性層
３３を成長し、メサ型にエッチングし、その斜面にＺｎ
をドーピングしたｐ型ＩｎＰ層３４とＳｉをドーピグし
たｎ型ＩｎＰ層３５を成長し、その上にｐ型ＩｎＰ層３
６とＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３７を成長して構成さ
れる。
【０００７】この発展型半導体レーザ装置の特徴は、ｐ
型ＩｎＰ層３４とｎ型ＩｎＰ層３５によって電流狭窄領
域を形成して、電流を活性層３３に集中して発光効率を
改善していることである。
型ＩｎＰ層３４とｎ型ＩｎＰ層３５によって電流狭窄領
域を形成して、電流を活性層３３に集中して発光効率を
改善していることである。
【０００８】図６は、従来の半導体レーザ装置の電流光
出力特性図である。この図に見られるように、従来の半
導体レーザ装置の特性は、発振しきい値電流が１０〜１
５ｍＡ程度と小さく、図には示されていないが、発光効
率は、０．２２０ｍＷ／ｍＡ以上あり、非常に良好な特
性を示している。
出力特性図である。この図に見られるように、従来の半
導体レーザ装置の特性は、発振しきい値電流が１０〜１
５ｍＡ程度と小さく、図には示されていないが、発光効
率は、０．２２０ｍＷ／ｍＡ以上あり、非常に良好な特
性を示している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記従来の
半導体レーザ装置を使用する場合、駆動回路によって
は、しきい値電流が低すぎるために、低レベルのノイズ
によって発光したり、駆動回路に使用される能動素子の
動作点と整合しない等使いづらい場合があった。
半導体レーザ装置を使用する場合、駆動回路によって
は、しきい値電流が低すぎるために、低レベルのノイズ
によって発光したり、駆動回路に使用される能動素子の
動作点と整合しない等使いづらい場合があった。
【００１０】また、この半導体レーザ装置にしきい値電
流を超える電流を供給すると発熱して寿命を短縮するこ
とにもなっていた。したがって、本発明は、しきい値電
流を任意の値に調節した半導体発光装置およびその製造
方法を提供することを目的とする。
流を超える電流を供給すると発熱して寿命を短縮するこ
とにもなっていた。したがって、本発明は、しきい値電
流を任意の値に調節した半導体発光装置およびその製造
方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる半導体発
光装置の製造方法においては、第１の導電型の化合物半
導体基板と、その上に形成された第１の導電型で任意の
キャリア濃度、屈折率、エネルギー幅を有するクラッド
層と、その上に形成された任意の導電型、キャリア濃
度、屈折率、エネルギー幅を有する活性層と、その上に
形成された第２の導電型で任意のキャリア濃度、屈折
率、エネルギー幅を有するクラッド層と、その上に形成
された第２の導電型のコンタクト層を有し、所望の発振
しきい値電流が得られるように、該活性層あるいはクラ
ッド層の全体もしくは一部に所期の導電型とキャリア濃
度を維持しながら、第１の導電型および第２の導電型の
不純物が共に導入され、活性層あるいはクラッド層の不
純物による吸収損失が調節されるように構成した。
光装置の製造方法においては、第１の導電型の化合物半
導体基板と、その上に形成された第１の導電型で任意の
キャリア濃度、屈折率、エネルギー幅を有するクラッド
層と、その上に形成された任意の導電型、キャリア濃
度、屈折率、エネルギー幅を有する活性層と、その上に
形成された第２の導電型で任意のキャリア濃度、屈折
率、エネルギー幅を有するクラッド層と、その上に形成
された第２の導電型のコンタクト層を有し、所望の発振
しきい値電流が得られるように、該活性層あるいはクラ
ッド層の全体もしくは一部に所期の導電型とキャリア濃
度を維持しながら、第１の導電型および第２の導電型の
不純物が共に導入され、活性層あるいはクラッド層の不
純物による吸収損失が調節されるように構成した。
【００１２】
【作用】上記のように、活性層あるいはクラッド層の導
電型およびキャリア濃度を維持しながら、ｎ型不純物と
ｐ型不純物を共に導入することによって吸収損失を調節
し、半導体発光装置の寿命特性や他の光特性を変えない
で、しきい値電流のみを任意の値に調節することができ
る。
電型およびキャリア濃度を維持しながら、ｎ型不純物と
ｐ型不純物を共に導入することによって吸収損失を調節
し、半導体発光装置の寿命特性や他の光特性を変えない
で、しきい値電流のみを任意の値に調節することができ
る。
【００１３】すなわち、半導体レーザ装置の発振条件
は、閉じ込め係数をΓV 、しきい値増幅利得をｇth、吸
収損失を afc、ヘテロ界面での散乱損失を asc、反射率
をＲ、共振器長をＬとするとき、 ΓV ・ｇth＝ΓV ・ afc（活性層）＋（１−ΓV ）・ afc（クラッド層） ＋ asc＋（ｌｎ（１／Ｒ）／Ｌ） で示される。
は、閉じ込め係数をΓV 、しきい値増幅利得をｇth、吸
収損失を afc、ヘテロ界面での散乱損失を asc、反射率
をＲ、共振器長をＬとするとき、 ΓV ・ｇth＝ΓV ・ afc（活性層）＋（１−ΓV ）・ afc（クラッド層） ＋ asc＋（ｌｎ（１／Ｒ）／Ｌ） で示される。
【００１４】ΓV ・ｇthが大きいほど発振しにくく、し
きい値電流が大きくなるから、活性層またはクラッド層
に、ｎ型およびｐ型の不純物をキャリア補償して導入す
ることによって損失を調節し、しきい値電流を任意の値
に調節することができる。
きい値電流が大きくなるから、活性層またはクラッド層
に、ｎ型およびｐ型の不純物をキャリア補償して導入す
ることによって損失を調節し、しきい値電流を任意の値
に調節することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１
（Ａ）〜（Ｅ）は、第１実施例の半導体レーザ装置の製
造工程説明図である。
（Ａ）〜（Ｅ）は、第１実施例の半導体レーザ装置の製
造工程説明図である。
【００１６】この図において、１はｐ−ＩｎＰ基板、２
はｐ−ＩｎＰクラッド層、３はＩｎＧａＡｓＰ活性層、
４はｎ−ＩｎＰクラッド層、５はＩｎＧａＡｓＰキャッ
プ層、６はＳｉＯ2 膜、７はｐ−ＩｎＰ層、８はｎ−Ｉ
ｎＰ層、９はｐ−ＩｎＰ層、１０はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ
層、１１はｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層である。
はｐ−ＩｎＰクラッド層、３はＩｎＧａＡｓＰ活性層、
４はｎ−ＩｎＰクラッド層、５はＩｎＧａＡｓＰキャッ
プ層、６はＳｉＯ2 膜、７はｐ−ＩｎＰ層、８はｎ−Ｉ
ｎＰ層、９はｐ−ＩｎＰ層、１０はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ
層、１１はｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層である。
【００１７】第１工程（図１（Ａ）参照） ｐ−ＩｎＰ基板１上にＺｎをドーピングしたｐ−ＩｎＰ
クラッド層２、ＳｉとＺｎを図２に示した量だけドーピ
ングしたＩｎＧａＡｓＰ活性層３、Ｓｉをドーピングし
たｎ−ＩｎＰクラッド層４、ノンドープのＩｎＧａＡｓ
Ｐキャップ層５を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）
によって成長する。
クラッド層２、ＳｉとＺｎを図２に示した量だけドーピ
ングしたＩｎＧａＡｓＰ活性層３、Ｓｉをドーピングし
たｎ−ＩｎＰクラッド層４、ノンドープのＩｎＧａＡｓ
Ｐキャップ層５を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）
によって成長する。
【００１８】第２工程（図１（Ｂ）参照） ＩｎＧａＡｓＰキャップ層５の上にＣＶＤ法によってＳ
ｉＯ2 膜６を形成し、パターニングして一部に残す。
ｉＯ2 膜６を形成し、パターニングして一部に残す。
【００１９】第３工程（図１（Ｃ）参照） 一部に残されたＳｉＯ2 膜６をマスクにしてＩｎＧａＡ
ｓＰキャップ層５、ｎ−ＩｎＰクラッド層４、ＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層３、ｐ−ＩｎＰクラッド層２とｐ−ＩｎＰ
基板１の一部をブロム（Ｂｒ）系エッチャントを使用し
てエッチングしてメサ型構造を形成する。
ｓＰキャップ層５、ｎ−ＩｎＰクラッド層４、ＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層３、ｐ−ＩｎＰクラッド層２とｐ−ＩｎＰ
基板１の一部をブロム（Ｂｒ）系エッチャントを使用し
てエッチングしてメサ型構造を形成する。
【００２０】上記のＩｎＧａＡｓＰキャップ層５は、こ
のエッチャントによるエッチングレートがＩｎＰ層４よ
り大きく、このエッチングによって不所望な逆メサ型構
造が生じるのを防ぐために設けられている。
のエッチャントによるエッチングレートがＩｎＰ層４よ
り大きく、このエッチングによって不所望な逆メサ型構
造が生じるのを防ぐために設けられている。
【００２１】第４工程（図１（Ｄ）参照） 上記の工程によって形成したメサ型構造の斜面の上に液
相エピタキシャル（ＬＰＥ）法によってＣｄをドーピン
グしたｐ−ＩｎＰ層７、Ｔｅをドーピングしたｎ−Ｉｎ
Ｐ層８、Ｃｄをドーピングしたｐ−ＩｎＰ層９を成長し
て、電流狭窄領域を形成する。
相エピタキシャル（ＬＰＥ）法によってＣｄをドーピン
グしたｐ−ＩｎＰ層７、Ｔｅをドーピングしたｎ−Ｉｎ
Ｐ層８、Ｃｄをドーピングしたｐ−ＩｎＰ層９を成長し
て、電流狭窄領域を形成する。
【００２２】第５工程（図１（Ｅ）参照） ＳｉＯ2 膜６、ＩｎＧａＡｓＰキャップ層５をエッチン
グ除去する。その上にＬＰＥ法によってＴｅをドーピン
グしたｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層１０、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ
コンタクト層１１を成長する。上記のｎ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層１０は、ｎ−ＩｎＰクラッド層４の幅が１０μｍ程
度と微小面積で、電極の形成が困難であるため、その面
積を拡大するために形成されている。
グ除去する。その上にＬＰＥ法によってＴｅをドーピン
グしたｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層１０、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ
コンタクト層１１を成長する。上記のｎ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層１０は、ｎ−ＩｎＰクラッド層４の幅が１０μｍ程
度と微小面積で、電極の形成が困難であるため、その面
積を拡大するために形成されている。
【００２３】図２は、本発明の実施例の半導体レーザ装
置の製造条件説明図である。図中の（ａ）は従来例であ
り、活性層３の成長するときｐ型ドーパントとして３０
０ｐｐｍのジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）だけを添加してい
るのに対して、本発明の第１実施例である（ｂ）では、
活性層３を成長するとき、ｎ型ドーパントとして４０ｐ
ｐｍのＳｉＨ4 を９．８ｃｃｍの流量で、また、ｐ型ド
ーパントとして３００ｐｐｍのジメチル亜鉛（ＤＭＺ
ｎ）を５０ｃｃｍの流量で共に供給している。
置の製造条件説明図である。図中の（ａ）は従来例であ
り、活性層３の成長するときｐ型ドーパントとして３０
０ｐｐｍのジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）だけを添加してい
るのに対して、本発明の第１実施例である（ｂ）では、
活性層３を成長するとき、ｎ型ドーパントとして４０ｐ
ｐｍのＳｉＨ4 を９．８ｃｃｍの流量で、また、ｐ型ド
ーパントとして３００ｐｐｍのジメチル亜鉛（ＤＭＺ
ｎ）を５０ｃｃｍの流量で共に供給している。
【００２４】また本発明の第２実施例である（ｃ）で
は、活性層３を成長するとき、ｎ型ドーパントとして４
０ｐｐｍのＳｉＨ4 を３４ｃｃｍの流量で、また、ｐ型
ドーパントとして３００ｐｐｍのジメチル亜鉛（ＤＭＺ
ｎ）を１００ｃｃｍの流量で共に供給している。そし
て、その他の層の成長条件は同じにしてある。
は、活性層３を成長するとき、ｎ型ドーパントとして４
０ｐｐｍのＳｉＨ4 を３４ｃｃｍの流量で、また、ｐ型
ドーパントとして３００ｐｐｍのジメチル亜鉛（ＤＭＺ
ｎ）を１００ｃｃｍの流量で共に供給している。そし
て、その他の層の成長条件は同じにしてある。
【００２５】その図において明らかなように、（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）を通じて、導電型はすべてｐ型であり、
そのキャリア濃度は、等しく４．０×１０17ｃｍ-3であ
る。これらの実施例においては、活性層のみに本発明に
従った不純物の導入を行っているが、活性層の他にクラ
ッド層にも本発明に従った不純物の導入を行うことがで
きる。また、活性層やクラッド層の全体に本発明に従っ
た不純物の導入を行う代わりに、これらの層の一部に本
発明に従った不純物の導入を行うこともできる。
（ｂ）、（ｃ）を通じて、導電型はすべてｐ型であり、
そのキャリア濃度は、等しく４．０×１０17ｃｍ-3であ
る。これらの実施例においては、活性層のみに本発明に
従った不純物の導入を行っているが、活性層の他にクラ
ッド層にも本発明に従った不純物の導入を行うことがで
きる。また、活性層やクラッド層の全体に本発明に従っ
た不純物の導入を行う代わりに、これらの層の一部に本
発明に従った不純物の導入を行うこともできる。
【００２６】図３は、本発明の実施例の半導体レーザ装
置の電流光出力特性図である。この特性図によると、図
２に示された製造条件にしたがって、ｐ型、ｎ型の合計
の不純物量を多くするにしたがって、キャリア濃度が等
しくても、しきい値電流が高くなっていることが判る。
置の電流光出力特性図である。この特性図によると、図
２に示された製造条件にしたがって、ｐ型、ｎ型の合計
の不純物量を多くするにしたがって、キャリア濃度が等
しくても、しきい値電流が高くなっていることが判る。
【００２７】この特性を用いると、発光特性を大きく変
えることなく、回路上の要望に対応してしきい値電流を
調節することができる。本実施例では、活性層を成長す
る方法としてＭＯＣＶＤ法を用いているが、ＬＰＥ法で
も同様の結果が得られる。
えることなく、回路上の要望に対応してしきい値電流を
調節することができる。本実施例では、活性層を成長す
る方法としてＭＯＣＶＤ法を用いているが、ＬＰＥ法で
も同様の結果が得られる。
【００２８】また、上記の実施例の導電型を逆にした場
合でも上記と同様の効果を生じることはいうまでもな
く、説明の便宜上、ｎ型およびｐ型、またはその逆導電
型を、第１の導電型、第２の導電型と称することができ
る。また、一方または両方のクラッド層の活性層側の一
部を、活性層よりも屈折率が小さく、クラッド層よりも
屈折率が大きい結晶で置換することによって、活性層か
らの光のしみだしを大きくでき、このことにより、レー
ザ光の放射角を小さくし大きな光出力を得ることができ
る。また、上記の実施例においては半導体レーザについ
て説明したが、本発明はそれに限られず広く半導体発光
装置に適用できる。
合でも上記と同様の効果を生じることはいうまでもな
く、説明の便宜上、ｎ型およびｐ型、またはその逆導電
型を、第１の導電型、第２の導電型と称することができ
る。また、一方または両方のクラッド層の活性層側の一
部を、活性層よりも屈折率が小さく、クラッド層よりも
屈折率が大きい結晶で置換することによって、活性層か
らの光のしみだしを大きくでき、このことにより、レー
ザ光の放射角を小さくし大きな光出力を得ることができ
る。また、上記の実施例においては半導体レーザについ
て説明したが、本発明はそれに限られず広く半導体発光
装置に適用できる。
【００２９】
【発明の効果】前記説明のように、本発明によって半導
体レーザ等の半導体発光素子のしきい値電流を任意の値
に制御することが可能で、光通信技術、光信号処理技術
等において寄与するところが大きい。
体レーザ等の半導体発光素子のしきい値電流を任意の値
に制御することが可能で、光通信技術、光信号処理技術
等において寄与するところが大きい。
【図１】（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の実施例の半導体レ
ーザ装置の製造工程説明図である。
ーザ装置の製造工程説明図である。
【図２】本発明の実施例の半導体レーザ装置の製造条件
説明図である。
説明図である。
【図３】本発明の実施例の半導体レーザ装置の電流光出
力特性図である。
力特性図である。
【図４】従来の半導体レーザ装置の基本構成説明図であ
る。
る。
【図５】従来の発展型半導体レーザ装置の構成説明図で
ある。
ある。
【図６】従来の半導体レーザ装置の電流光出力特性図で
ある。
ある。
１ ｐ−ＩｎＰ基板 ２ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ３ ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ４ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ５ ＩｎＧａＡｓＰキャップ層 ６ ＳｉＯ2 膜 ７ ｐ−ＩｎＰ層 ８ ｎ−ＩｎＰ層 ９ ｐ−ＩｎＰ層 １０ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層 １１ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の導電型の化合物半導体基板と、そ
の上に形成された第１の導電型で任意のキャリア濃度、
屈折率、エネルギー幅を有するクラッド層と、その上に
形成された任意の導電型、キャリア濃度、屈折率、エネ
ルギー幅を有する活性層と、その上に形成された第２の
導電型で任意のキャリア濃度、屈折率、エネルギー幅を
有するクラッド層と、その上に形成された第２の導電型
のコンタクト層を有し、所望の発振しきい値電流が得ら
れるように、該活性層あるいはクラッド層の全体もしく
は一部に所期の導電型とキャリア濃度を維持しながら、
第１の導電型および第２の導電型の不純物が共に導入さ
れ、活性層あるいはクラッド層の不純物による吸収損失
が調節されてなることを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】 一方または両方のクラッド層の活性層側
の一部が、活性層よりも屈折率が小さく、クラッド層よ
りも屈折率が大きい結晶で置換された構造を有すること
を特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18442691A JPH05129727A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18442691A JPH05129727A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129727A true JPH05129727A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=16152950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18442691A Withdrawn JPH05129727A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129727A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0851255A (ja) * | 1993-11-01 | 1996-02-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| US5856207A (en) * | 1993-11-01 | 1999-01-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a semiconductor laser |
-
1991
- 1991-07-24 JP JP18442691A patent/JPH05129727A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
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