JPH05129728A - 金属偏光子及び半導体レーザ装置 - Google Patents
金属偏光子及び半導体レーザ装置Info
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- JPH05129728A JPH05129728A JP28883191A JP28883191A JPH05129728A JP H05129728 A JPH05129728 A JP H05129728A JP 28883191 A JP28883191 A JP 28883191A JP 28883191 A JP28883191 A JP 28883191A JP H05129728 A JPH05129728 A JP H05129728A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、半導体レーザとモノリシック集積が
可能な金属偏光子、及びその金属偏光子を用いて戻り光
による雑音を低減し、小型軽量化を可能にする半導体レ
ーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】ブダルヘテロ構造の半導体レーザ４０と導波路
型金属偏光子２１と導波路型位相子６０が、同一のｎ−
ＧａＡｓ基板２２上に、光結合されて形成されている。
半導体レーザ４０と導波路型金属偏光子２１とが向かい
合う端面にそれぞれ低反射コート４１、４２が設けら
れ、他方の端面にそれぞれ高反射コート４３、４４が設
けら、これら高反射コート４３、４４によりファブリペ
ロー共振器が形成されている。導波路型金属偏光子２１
は、ｎ−ＧａＡｓ基板２２上に、誘電体膜１１と金属膜
１２とが交互に積層された積層部１３を有し、この積層
部１３の上面及び両側面にクラッド層１６が形成されて
いる。
可能な金属偏光子、及びその金属偏光子を用いて戻り光
による雑音を低減し、小型軽量化を可能にする半導体レ
ーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】ブダルヘテロ構造の半導体レーザ４０と導波路
型金属偏光子２１と導波路型位相子６０が、同一のｎ−
ＧａＡｓ基板２２上に、光結合されて形成されている。
半導体レーザ４０と導波路型金属偏光子２１とが向かい
合う端面にそれぞれ低反射コート４１、４２が設けら
れ、他方の端面にそれぞれ高反射コート４３、４４が設
けら、これら高反射コート４３、４４によりファブリペ
ロー共振器が形成されている。導波路型金属偏光子２１
は、ｎ−ＧａＡｓ基板２２上に、誘電体膜１１と金属膜
１２とが交互に積層された積層部１３を有し、この積層
部１３の上面及び両側面にクラッド層１６が形成されて
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は金属偏光子及び半導体レ
ーザ装置に係り、特に半導体レーザと接続が容易な金属
偏光子、及びその金属偏光子を用いて光ディスク等の光
情報処理機器用の光源として使用される半導体レーザ装
置に関する。
ーザ装置に係り、特に半導体レーザと接続が容易な金属
偏光子、及びその金属偏光子を用いて光ディスク等の光
情報処理機器用の光源として使用される半導体レーザ装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク装置などにおいて、その光源
として半導体レーザ装置を用いて光学系を形成すると、
半導体レーザ装置から出射された半導体レーザ装置光は
レンズ或いは光ディスク等の表面でその一部が反射され
半導体レーザ装置に戻される。この出射された光が反射
され半導体レーザ装置に戻ってくると、レーザ共振器中
の光と干渉を生じ、半導体レーザ装置の雑音が増加す
る。
として半導体レーザ装置を用いて光学系を形成すると、
半導体レーザ装置から出射された半導体レーザ装置光は
レンズ或いは光ディスク等の表面でその一部が反射され
半導体レーザ装置に戻される。この出射された光が反射
され半導体レーザ装置に戻ってくると、レーザ共振器中
の光と干渉を生じ、半導体レーザ装置の雑音が増加す
る。
【０００３】この戻り光の影響を低減するため、従来、
ファブリペロー型半導体レーザ装置において端面反射率
を増大させる方法などが用いられてきたが、この方法で
は外部量子効率が高く取れないという問題があった。そ
こで半導体レーザ装置の出射端に、λ／４板又は偏光面
を角度π／２だけ回転させるファラデーローテイタを用
い、反射光を半導体レーザ装置の出射光と角度π／２だ
け偏光面のずれた光としてしまう方法が知られている。
ファブリペロー型半導体レーザ装置において端面反射率
を増大させる方法などが用いられてきたが、この方法で
は外部量子効率が高く取れないという問題があった。そ
こで半導体レーザ装置の出射端に、λ／４板又は偏光面
を角度π／２だけ回転させるファラデーローテイタを用
い、反射光を半導体レーザ装置の出射光と角度π／２だ
け偏光面のずれた光としてしまう方法が知られている。
【０００４】即ち、図１２に示されるように、半導体レ
ーザ装置９０から出射された光はＴＥモード又はＴＭモ
ードの直線偏光の光として得られる。そしてこの直線偏
光の光は、偏光子９１を通過することにより所定の偏光
面をもつ直線偏光の光となる。次いで、位相子としてλ
／４板９２に垂直に入射することにより、直線偏光が円
偏光となる。
ーザ装置９０から出射された光はＴＥモード又はＴＭモ
ードの直線偏光の光として得られる。そしてこの直線偏
光の光は、偏光子９１を通過することにより所定の偏光
面をもつ直線偏光の光となる。次いで、位相子としてλ
／４板９２に垂直に入射することにより、直線偏光が円
偏光となる。
【０００５】この円偏光が、例えば光ディスクのミラー
表面等の反射板９３によって反射され、再びλ／４板９
２を逆方向に通過すると、円偏光の反射光は更に位相が
ずれて、最初の直線偏光と角度π／２だけ偏光面がずれ
た直線偏光の光となる。このようにして最初の直線偏光
の光と角度π／２だけ偏光面がずれた直線偏光の戻り光
は、偏光子９１によりカットされる。即ち、光アイソレ
ータとしての機能を発揮する。このため、戻り光誘起型
雑音を大幅に低減することができ、特性は大幅に改善さ
れる。
表面等の反射板９３によって反射され、再びλ／４板９
２を逆方向に通過すると、円偏光の反射光は更に位相が
ずれて、最初の直線偏光と角度π／２だけ偏光面がずれ
た直線偏光の光となる。このようにして最初の直線偏光
の光と角度π／２だけ偏光面がずれた直線偏光の戻り光
は、偏光子９１によりカットされる。即ち、光アイソレ
ータとしての機能を発揮する。このため、戻り光誘起型
雑音を大幅に低減することができ、特性は大幅に改善さ
れる。
【０００６】また、図１３に示されるように、λ／４板
９２の代わりに、ファラデーローテイタ９４を用いても
よい。この場合には、偏光子９１を通過した直線偏光の
光の偏光面が、ファラデーローテイタ９４により、角度
π／４だけ回転する。そしてこの直線偏光の光が反射板
９３によって反射され、再びファラデーローテイタ９４
を逆方向に通過すると、直線偏光の偏光面が更に角度π
／４だけ回転して、最初の直線偏光と角度π／２だけ偏
光面がずれた直線偏光の光となる。
９２の代わりに、ファラデーローテイタ９４を用いても
よい。この場合には、偏光子９１を通過した直線偏光の
光の偏光面が、ファラデーローテイタ９４により、角度
π／４だけ回転する。そしてこの直線偏光の光が反射板
９３によって反射され、再びファラデーローテイタ９４
を逆方向に通過すると、直線偏光の偏光面が更に角度π
／４だけ回転して、最初の直線偏光と角度π／２だけ偏
光面がずれた直線偏光の光となる。
【０００７】従って、λ／４板９２の場合と同様に、最
初の直線偏光の光と角度π／２だけ偏光面がずれた直線
偏光の戻り光は、偏光子９１によりカットされる。この
ため、戻り光誘起型雑音を大幅に低減することができ、
特性は大幅に改善される。
初の直線偏光の光と角度π／２だけ偏光面がずれた直線
偏光の戻り光は、偏光子９１によりカットされる。この
ため、戻り光誘起型雑音を大幅に低減することができ、
特性は大幅に改善される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光ディスク装置などの光学系に用いられてきた位相
子や偏光子は水晶や方解石等の個別素子であり、光源と
しての半導体レーザ装置とモノリシック集積に耐えるよ
うな小型な物ができない問題があった。その一方で、レ
ーザディスク装置においては、ベアチップ実装などヘッ
ド部分を小軽量化する要求は、近年、更に強まってお
り、従来技術ではこれに対応できない。
来の光ディスク装置などの光学系に用いられてきた位相
子や偏光子は水晶や方解石等の個別素子であり、光源と
しての半導体レーザ装置とモノリシック集積に耐えるよ
うな小型な物ができない問題があった。その一方で、レ
ーザディスク装置においては、ベアチップ実装などヘッ
ド部分を小軽量化する要求は、近年、更に強まってお
り、従来技術ではこれに対応できない。
【０００９】そこで本発明は、半導体レーザとモノリシ
ック集積が可能な金属偏光子、及びその金属偏光子を用
いて戻り光による雑音を低減し、小型軽量化を可能にす
る半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
ック集積が可能な金属偏光子、及びその金属偏光子を用
いて戻り光による雑音を低減し、小型軽量化を可能にす
る半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題は、金属薄膜と
所定の波長の光に透明な誘電体薄膜とが交互に積層さ
れ、積層方向と垂直方向に入射された光に対して、前記
積層方向と平行な電界の光を吸収し、前記積層方向と垂
直な電界の光を透過する積層部と、前記積層部を挟んで
設けられ、前記積層部よりも実効屈折率が小さいクラッ
ド部とを有し、前記クラッド部に挟まれた前記積層部
が、光導波路構造をなしていることを特徴とする金属偏
光子によって達成される。
所定の波長の光に透明な誘電体薄膜とが交互に積層さ
れ、積層方向と垂直方向に入射された光に対して、前記
積層方向と平行な電界の光を吸収し、前記積層方向と垂
直な電界の光を透過する積層部と、前記積層部を挟んで
設けられ、前記積層部よりも実効屈折率が小さいクラッ
ド部とを有し、前記クラッド部に挟まれた前記積層部
が、光導波路構造をなしていることを特徴とする金属偏
光子によって達成される。
【００１１】また、上記課題は、半導体基板上に形成さ
れたダブルへテロ構造を有するレーザ増幅部と、前記半
導体基板上に形成され、前記レーザ増幅部に光結合され
た請求項１記載の金属偏光子とを有し、前記レーザ増幅
部を用いて発光されるレーザ光が、前記金属偏光子の透
過方向で且つ前記レーザ増幅部の活性層の積層方向と垂
直な方向に電界が偏光した直線偏光の光であることを特
徴とする半導体レーザ装置によって達成される。
れたダブルへテロ構造を有するレーザ増幅部と、前記半
導体基板上に形成され、前記レーザ増幅部に光結合され
た請求項１記載の金属偏光子とを有し、前記レーザ増幅
部を用いて発光されるレーザ光が、前記金属偏光子の透
過方向で且つ前記レーザ増幅部の活性層の積層方向と垂
直な方向に電界が偏光した直線偏光の光であることを特
徴とする半導体レーザ装置によって達成される。
【００１２】また、上記の半導体レーザ装置において、
前記レーザ増幅部に、回折格子が分布反射ミラーとして
設けられており、前記回折格子により、前記レーザ増幅
部から発振されるレーザ光が、前記レーザ増幅部の活性
層の積層方向と垂直な方向に電界が偏光した直線偏光の
光となるように制御され、前記直線偏光の光が、前記金
属偏光子を透過することを特徴とする半導体レーザ装置
によって達成される。
前記レーザ増幅部に、回折格子が分布反射ミラーとして
設けられており、前記回折格子により、前記レーザ増幅
部から発振されるレーザ光が、前記レーザ増幅部の活性
層の積層方向と垂直な方向に電界が偏光した直線偏光の
光となるように制御され、前記直線偏光の光が、前記金
属偏光子を透過することを特徴とする半導体レーザ装置
によって達成される。
【００１３】また、上記の半導体レーザ装置において、
前記レーザ増幅部の活性層が、引っ張り応力を受ける歪
超格子によって形成されており、前記活性層の積層方向
と垂直な方向に電界が偏光した直線偏光の光が、前記レ
ーザ増幅部から発振され、前記直線偏光の光が、前記金
属偏光子を透過することを特徴とする半導体レーザ装置
によって達成される。
前記レーザ増幅部の活性層が、引っ張り応力を受ける歪
超格子によって形成されており、前記活性層の積層方向
と垂直な方向に電界が偏光した直線偏光の光が、前記レ
ーザ増幅部から発振され、前記直線偏光の光が、前記金
属偏光子を透過することを特徴とする半導体レーザ装置
によって達成される。
【００１４】また、上記の半導体レーザ装置において、
前記レーザ増幅部及び前記金属偏光子の相対向する端面
にそれぞれ低反射コートが設けられ、前記レーザ増幅部
及び前記金属偏光子の他方の端面にそれぞれ高反射コー
トが設けられ、前記高反射コートを反射鏡とするファブ
リペロー共振器及び前記ファブリペロー共振器内に存在
する前記金属偏光子により、前記金属偏光子の透過方向
で且つ前記レーザ増幅部の活性層の積層方向と垂直な方
向に電界が偏光した直線偏光の光を発振することを特徴
とする半導体レーザ装置によって達成される。
前記レーザ増幅部及び前記金属偏光子の相対向する端面
にそれぞれ低反射コートが設けられ、前記レーザ増幅部
及び前記金属偏光子の他方の端面にそれぞれ高反射コー
トが設けられ、前記高反射コートを反射鏡とするファブ
リペロー共振器及び前記ファブリペロー共振器内に存在
する前記金属偏光子により、前記金属偏光子の透過方向
で且つ前記レーザ増幅部の活性層の積層方向と垂直な方
向に電界が偏光した直線偏光の光を発振することを特徴
とする半導体レーザ装置によって達成される。
【００１５】また、上記の半導体レーザ装置において、
前記金属偏光子に光結合してファラデーローテイタが設
けられており、前記ファラデーローテイタにより、前記
レーザ増幅部から発振され、前記金属偏光子を透過した
前記直線偏光の光が、所定の角度だけ偏光面を回転する
ことを特徴とする半導体レーザ装置によって達成され
る。
前記金属偏光子に光結合してファラデーローテイタが設
けられており、前記ファラデーローテイタにより、前記
レーザ増幅部から発振され、前記金属偏光子を透過した
前記直線偏光の光が、所定の角度だけ偏光面を回転する
ことを特徴とする半導体レーザ装置によって達成され
る。
【００１６】また、上記の半導体レーザ装置において、
前記金属偏光子に光結合して位相子が設けられており、
前記位相子により、前記レーザ増幅部から発振され前記
金属偏光子を透過した前記直線偏光の光が、広義楕円偏
光に変換されることを特徴とする半導体レーザ装置によ
って達成される。また、上記の半導体レーザ装置におい
て、前記位相子が、前記金属偏光子の前記積層部の積層
方向と所定の角度をなして設けられ、伝搬定数の異なる
２つ以上の伝搬モードを有する所定の長さの光導波路層
であり、前記レーザ増幅部から発振され前記金属偏光子
を透過した前記直線偏光の光が、前記光導波路層によっ
て伝搬定数の異なる２つの伝搬モードに同時に励振され
ることにより、広義楕円偏光に変換されることを特徴と
する半導体レーザ装置によって達成される。
前記金属偏光子に光結合して位相子が設けられており、
前記位相子により、前記レーザ増幅部から発振され前記
金属偏光子を透過した前記直線偏光の光が、広義楕円偏
光に変換されることを特徴とする半導体レーザ装置によ
って達成される。また、上記の半導体レーザ装置におい
て、前記位相子が、前記金属偏光子の前記積層部の積層
方向と所定の角度をなして設けられ、伝搬定数の異なる
２つ以上の伝搬モードを有する所定の長さの光導波路層
であり、前記レーザ増幅部から発振され前記金属偏光子
を透過した前記直線偏光の光が、前記光導波路層によっ
て伝搬定数の異なる２つの伝搬モードに同時に励振され
ることにより、広義楕円偏光に変換されることを特徴と
する半導体レーザ装置によって達成される。
【００１７】また、上記の半導体レーザ装置において、
前記半導体導波路層を上下に挟む半導体層が、それぞれ
相異なる導電型を有しており、前記半導体層を介して、
前記半導体導波路層にキャリアを注入するか又は逆バイ
アスを印加するかし、前記半導体導波路層の屈折率を変
化させることにより、偏光状態を制御することを特徴と
する半導体レーザ装置によって達成される。
前記半導体導波路層を上下に挟む半導体層が、それぞれ
相異なる導電型を有しており、前記半導体層を介して、
前記半導体導波路層にキャリアを注入するか又は逆バイ
アスを印加するかし、前記半導体導波路層の屈折率を変
化させることにより、偏光状態を制御することを特徴と
する半導体レーザ装置によって達成される。
【００１８】
【作用】本発明による金属偏光子は、金属薄膜と誘電体
薄膜とが交互に積層された積層部によって構成されてい
ることにより、所定の波長の光に対するして偏光子作用
を有すると共に、半導体レーザと接続が容易である。こ
のため、この金属偏光子を導波路型構造にして、同一基
板上にレーザ増幅部とモノリシック集積することが可能
となる。従って、レーザ増幅部から発振された直線偏光
の光の２つの伝搬モードのうち、一方のみが金属偏光子
によって透過され、他方が吸収されることになり、所定
の直線偏光の光を出射することができる。
薄膜とが交互に積層された積層部によって構成されてい
ることにより、所定の波長の光に対するして偏光子作用
を有すると共に、半導体レーザと接続が容易である。こ
のため、この金属偏光子を導波路型構造にして、同一基
板上にレーザ増幅部とモノリシック集積することが可能
となる。従って、レーザ増幅部から発振された直線偏光
の光の２つの伝搬モードのうち、一方のみが金属偏光子
によって透過され、他方が吸収されることになり、所定
の直線偏光の光を出射することができる。
【００１９】但し、通常のダブルヘテロ構造の半導体レ
ーザでは、基板上に活性層やクラッド層が積層される積
層方向と平行な電界を有する直線偏光、即ちＴＥモード
のレーザ光が発振され、このＴＥモードの偏光方向は同
一基板上に形成された導波路型金属偏光子が吸収する偏
光方向と一致する。従って、レーザ増幅部と金属偏光子
とを同一基板上に形成するだけでは、レーザ増幅部が発
したレーザ光は、すべて金属偏光子によって吸収されて
しまう。それ故、ＴＥモードと垂直方向の偏光方向を有
するＴＭモードが発振されるようにする必要がある。
ーザでは、基板上に活性層やクラッド層が積層される積
層方向と平行な電界を有する直線偏光、即ちＴＥモード
のレーザ光が発振され、このＴＥモードの偏光方向は同
一基板上に形成された導波路型金属偏光子が吸収する偏
光方向と一致する。従って、レーザ増幅部と金属偏光子
とを同一基板上に形成するだけでは、レーザ増幅部が発
したレーザ光は、すべて金属偏光子によって吸収されて
しまう。それ故、ＴＥモードと垂直方向の偏光方向を有
するＴＭモードが発振されるようにする必要がある。
【００２０】そして本発明による半導体レーザ装置は、
ＴＥモードよりＴＭモードに対して高い反射率を有する
回折格子ミラーをレーザ増幅部に設け、ＴＭモードを発
振させる分布帰還型半導体レーザとすることにより、金
属偏光子に吸収されないＴＭモードを発振することがで
き、従って金属偏光子を透過したＴＭモードの直線偏光
の光を出射することができる。
ＴＥモードよりＴＭモードに対して高い反射率を有する
回折格子ミラーをレーザ増幅部に設け、ＴＭモードを発
振させる分布帰還型半導体レーザとすることにより、金
属偏光子に吸収されないＴＭモードを発振することがで
き、従って金属偏光子を透過したＴＭモードの直線偏光
の光を出射することができる。
【００２１】また、レーザ増幅部の活性層に引っ張り応
力を受ける歪超格子を用いることによっても、同様に、
金属偏光子に吸収されないＴＭモードを発振することが
できる。また、レーザ増幅部と金属偏光子とを内包する
ようにファブリペロー共振器を設け、このファブリペロ
ー共振器内における金属偏光子によるＴＥモードとＴＭ
モードとの損失差を利用することによっても、同様に、
金属偏光子に吸収されないＴＭモードを選択的に発振す
ることができる。
力を受ける歪超格子を用いることによっても、同様に、
金属偏光子に吸収されないＴＭモードを発振することが
できる。また、レーザ増幅部と金属偏光子とを内包する
ようにファブリペロー共振器を設け、このファブリペロ
ー共振器内における金属偏光子によるＴＥモードとＴＭ
モードとの損失差を利用することによっても、同様に、
金属偏光子に吸収されないＴＭモードを選択的に発振す
ることができる。
【００２２】また、本発明による半導体レーザ装置は、
上記のごとくＴＭモードの直線偏光の光を出射するよう
に組み合わせたレーザ増幅部及び金属偏光子に、更に、
ＴＭモードの偏光面を所定の角度だけ回転するファラデ
ーローテイタを組み合わせることにより、半導体レーザ
装置への戻り光の偏光面を所望の角度だけ回転すること
ができるため、この戻り光と発振光との重なりを減少さ
せ、戻り光雑音を低減することができる。
上記のごとくＴＭモードの直線偏光の光を出射するよう
に組み合わせたレーザ増幅部及び金属偏光子に、更に、
ＴＭモードの偏光面を所定の角度だけ回転するファラデ
ーローテイタを組み合わせることにより、半導体レーザ
装置への戻り光の偏光面を所望の角度だけ回転すること
ができるため、この戻り光と発振光との重なりを減少さ
せ、戻り光雑音を低減することができる。
【００２３】また、上記のファラデーローテイタの代わ
りに、ＴＭモードの直線偏光の光を楕円偏又は光円偏光
（以下、「広義楕円偏光」という）に変換する位相子を
組み合わせることにより、同様に、半導体レーザ装置へ
の戻り光の偏光面を回転することができるため、戻り光
雑音を低減することができる。そしてこの位相子が、伝
搬定数の異なる２つ以上の伝搬モードを有する所定の長
さの光導波路構造であることにより、ＴＭモードの直線
偏光の光を出射するレーザ増幅部及び金属偏光子と同一
基板上にモノリシック集積することが可能となる。
りに、ＴＭモードの直線偏光の光を楕円偏又は光円偏光
（以下、「広義楕円偏光」という）に変換する位相子を
組み合わせることにより、同様に、半導体レーザ装置へ
の戻り光の偏光面を回転することができるため、戻り光
雑音を低減することができる。そしてこの位相子が、伝
搬定数の異なる２つ以上の伝搬モードを有する所定の長
さの光導波路構造であることにより、ＴＭモードの直線
偏光の光を出射するレーザ増幅部及び金属偏光子と同一
基板上にモノリシック集積することが可能となる。
【００２４】また、この導波路型の位相子が、ｐ−ｎ接
合構造を有することにより、導波路型位相子の導波路層
にキャリアを注入するか又は逆バイアスを印加するかし
て導波路層の屈折率を変化させ、偏光状態を制御するこ
とができるため、戻り光雑音の大幅な低減を実現するこ
とができる。
合構造を有することにより、導波路型位相子の導波路層
にキャリアを注入するか又は逆バイアスを印加するかし
て導波路層の屈折率を変化させ、偏光状態を制御するこ
とができるため、戻り光雑音の大幅な低減を実現するこ
とができる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明を図示する実施例を基づいて説
明する。図１は、本発明に用いる金属偏光子を示す斜視
図である。例えば厚さ２５ｎｍのＳｉＯ2 （シリコン酸
化膜）からなる誘電体膜１１と例えば厚さ１．５ｎｍの
Ａｌ（アルミニウム）からなる金属薄膜１２とが交互に
積層されている。この積層構造は、スパッタリング法を
用いて、誘電体膜１１と金属薄膜１２とを交互に膜形成
していくことにより、容易に形成される。
明する。図１は、本発明に用いる金属偏光子を示す斜視
図である。例えば厚さ２５ｎｍのＳｉＯ2 （シリコン酸
化膜）からなる誘電体膜１１と例えば厚さ１．５ｎｍの
Ａｌ（アルミニウム）からなる金属薄膜１２とが交互に
積層されている。この積層構造は、スパッタリング法を
用いて、誘電体膜１１と金属薄膜１２とを交互に膜形成
していくことにより、容易に形成される。
【００２６】このような積層構造においては、金属薄膜
１２内に存在する自由電子は、積層方向と平行方向には
自由に動くことができるが、積層方向と垂直方向にはそ
の動きが制約される。従って、誘電体膜１１と金属薄膜
１２との積層方向と平行な光が入射した場合、積層方向
と平行な電界の光に対しては、その光電界により金属薄
膜１２内の自由電子が動かされる結果、光吸収が生じ
る。他方、積層方向と垂直な電界の光に対しては、光吸
収は生じない。
１２内に存在する自由電子は、積層方向と平行方向には
自由に動くことができるが、積層方向と垂直方向にはそ
の動きが制約される。従って、誘電体膜１１と金属薄膜
１２との積層方向と平行な光が入射した場合、積層方向
と平行な電界の光に対しては、その光電界により金属薄
膜１２内の自由電子が動かされる結果、光吸収が生じ
る。他方、積層方向と垂直な電界の光に対しては、光吸
収は生じない。
【００２７】このように、誘電体膜１１と金属薄膜１２
との積層方向と平行な入射光に対し、偏光子作用を有す
る。また、誘電体膜１１と金属薄膜１２とを交互に積層
して形成されるため、半導体プロセスとの整合性がよ
く、また小型にできるという特徴をもっている。次に、
本発明の第１の実施例による金属偏光子を、図２を用い
て説明する。
との積層方向と平行な入射光に対し、偏光子作用を有す
る。また、誘電体膜１１と金属薄膜１２とを交互に積層
して形成されるため、半導体プロセスとの整合性がよ
く、また小型にできるという特徴をもっている。次に、
本発明の第１の実施例による金属偏光子を、図２を用い
て説明する。
【００２８】図２は、第１の実施例による金属偏光子を
示す斜視図である。なお、上記図１の金属偏光子と同一
の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。上
記図１の例と同様に誘電体膜１１と金属薄膜１２とが交
互に積層され、積層部１３が形成されている。そしてこ
の積層部１３の上下には、積層部１３の屈折率ｎ1 より
も低い屈折率ｎ2 をもつクラッド層１４、１５が設けら
れている。また、上部のクラッド層１４はリッジ構造と
なっている。
示す斜視図である。なお、上記図１の金属偏光子と同一
の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。上
記図１の例と同様に誘電体膜１１と金属薄膜１２とが交
互に積層され、積層部１３が形成されている。そしてこ
の積層部１３の上下には、積層部１３の屈折率ｎ1 より
も低い屈折率ｎ2 をもつクラッド層１４、１５が設けら
れている。また、上部のクラッド層１４はリッジ構造と
なっている。
【００２９】こうして縦方向においては、積層部１３の
屈折率ｎ1 が積層部１３を上下に挟むクラッド層１４、
１５の屈折率ｎ2 よりも高くなる材料を用いることによ
り、また横方向においては、上部のクラッド層１４にリ
ッジ構造を形成して積層部１３に等価屈折率の高い領域
を形成することにより、周囲より屈折率が高い部分が存
在する導波路構造を構成している。即ち、偏光子構造を
内在した光導波路となっている。
屈折率ｎ1 が積層部１３を上下に挟むクラッド層１４、
１５の屈折率ｎ2 よりも高くなる材料を用いることによ
り、また横方向においては、上部のクラッド層１４にリ
ッジ構造を形成して積層部１３に等価屈折率の高い領域
を形成することにより、周囲より屈折率が高い部分が存
在する導波路構造を構成している。即ち、偏光子構造を
内在した光導波路となっている。
【００３０】このように第１の実施例によれば、金属偏
光子がリッジ型導波路構造となっているため、上記図１
の例と同様の効果を奏することができると共に、半導体
レーザとの整合性がよく、同一の基板上に半導体レーザ
とモノリシックに集積することが可能であるという特徴
をもっている。次に、本発明の第２の実施例による金属
偏光子を、図３を用いて説明する。
光子がリッジ型導波路構造となっているため、上記図１
の例と同様の効果を奏することができると共に、半導体
レーザとの整合性がよく、同一の基板上に半導体レーザ
とモノリシックに集積することが可能であるという特徴
をもっている。次に、本発明の第２の実施例による金属
偏光子を、図３を用いて説明する。
【００３１】図３は、第２の実施例による金属偏光子を
示す斜視図である。なお、上記図１の金属偏光子と同一
の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。上
記図１の例と同様に誘電体膜１１と金属薄膜１２とが交
互に積層され、積層部１３が形成されている。そしてこ
の積層部１３の上面及び両側面と底面に、誘電体膜１１
の屈折率ｎ1 よりも低い屈折率ｎ3 をもつクラッド層１
６、１７が設けられている。
示す斜視図である。なお、上記図１の金属偏光子と同一
の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。上
記図１の例と同様に誘電体膜１１と金属薄膜１２とが交
互に積層され、積層部１３が形成されている。そしてこ
の積層部１３の上面及び両側面と底面に、誘電体膜１１
の屈折率ｎ1 よりも低い屈折率ｎ3 をもつクラッド層１
６、１７が設けられている。
【００３２】こうして積層部１３の屈折率ｎ1 が積層部
１３の周囲を取り囲むクラッド層１６、１７の屈折率ｎ
3 よりも高くなる材料を用いることにより、偏光子構造
を内在した光導波路となっている。このように第２の実
施例によれば、金属偏光子が埋め込み型導波路構造とな
っているため、上記第１の実施例と同様の効果を奏する
ことができる。
１３の周囲を取り囲むクラッド層１６、１７の屈折率ｎ
3 よりも高くなる材料を用いることにより、偏光子構造
を内在した光導波路となっている。このように第２の実
施例によれば、金属偏光子が埋め込み型導波路構造とな
っているため、上記第１の実施例と同様の効果を奏する
ことができる。
【００３３】次に、本発明の第３の実施例による半導体
レーザ装置を、図４を用いて説明する。図４（ａ）は半
導体レーザ装置を示す斜視図、図４（ｂ）はそのレーザ
増幅部の共振器方向の断面図である。なお、上記図３の
金属偏光子と同一の構成要素には同一の符号を付して説
明を省略する。また、レーザ増幅部に設けられているｐ
型及びｎ型の金属電極は、図を見易くするために省略し
てあるが、実際には形成されており、順バイアスの電流
を流しながら使用される。
レーザ装置を、図４を用いて説明する。図４（ａ）は半
導体レーザ装置を示す斜視図、図４（ｂ）はそのレーザ
増幅部の共振器方向の断面図である。なお、上記図３の
金属偏光子と同一の構成要素には同一の符号を付して説
明を省略する。また、レーザ増幅部に設けられているｐ
型及びｎ型の金属電極は、図を見易くするために省略し
てあるが、実際には形成されており、順バイアスの電流
を流しながら使用される。
【００３４】本実施例による半導体レーザ装置は、同一
の基板上に半導体レーザと導波路型金属偏光子とがモノ
リシックに形成され、光結合されている点に特徴がある
が、このように半導体レーザと導波路型金属偏光子とが
モノリシックに集積される場合には、次の点に注意しな
くてはならない。通常の半導体レーザは、基板上に活性
層やクラッド層が積層される積層方向と平行な電界を有
する直線偏光、即ちＴＥモードのレーザビームを発振す
る。そしてこのＴＥモードの偏光方向は、半導体レーザ
とモノリシックに集積する導波路型金属偏光子が吸収す
る偏光方向と一致する。
の基板上に半導体レーザと導波路型金属偏光子とがモノ
リシックに形成され、光結合されている点に特徴がある
が、このように半導体レーザと導波路型金属偏光子とが
モノリシックに集積される場合には、次の点に注意しな
くてはならない。通常の半導体レーザは、基板上に活性
層やクラッド層が積層される積層方向と平行な電界を有
する直線偏光、即ちＴＥモードのレーザビームを発振す
る。そしてこのＴＥモードの偏光方向は、半導体レーザ
とモノリシックに集積する導波路型金属偏光子が吸収す
る偏光方向と一致する。
【００３５】従って、このままでは半導体レーザ装置が
発したレーザビームは、すべて光導波路型金属偏光子に
よって吸収されてしまう。それ故、半導体レーザ装置が
ＴＥモードと垂直方向の偏光を有する光、即ちＴＭモー
ドのレーザビームを発振するように手段を講じる必要が
ある。以上の理由から、第３の実施例による半導体レー
ザ装置の半導体レーザ増幅部は、分布帰還型半導体レー
ザが用いられている。
発したレーザビームは、すべて光導波路型金属偏光子に
よって吸収されてしまう。それ故、半導体レーザ装置が
ＴＥモードと垂直方向の偏光を有する光、即ちＴＭモー
ドのレーザビームを発振するように手段を講じる必要が
ある。以上の理由から、第３の実施例による半導体レー
ザ装置の半導体レーザ増幅部は、分布帰還型半導体レー
ザが用いられている。
【００３６】即ち、図４（ａ）に示されるように、分布
帰還型半導体レーザ２０と導波路型金属偏光子２１が、
同一のｎ−ＧａＡｓ基板２２上に、光結合されて形成さ
れている。この分布帰還型半導体レーザ２０において
は、図４（ａ）、（ｂ）に示されるように、ｎ−ＧａＡ
ｓ基板２２上に、ｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層
２３を介して、ＧａＡｓ活性層２４が形成されている。
このＧａＡｓ活性層２４上には、ｐ−Ａｌ0.1 Ｇａ0.9
Ａｓ導波路層２５が設けられている。
帰還型半導体レーザ２０と導波路型金属偏光子２１が、
同一のｎ−ＧａＡｓ基板２２上に、光結合されて形成さ
れている。この分布帰還型半導体レーザ２０において
は、図４（ａ）、（ｂ）に示されるように、ｎ−ＧａＡ
ｓ基板２２上に、ｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層
２３を介して、ＧａＡｓ活性層２４が形成されている。
このＧａＡｓ活性層２４上には、ｐ−Ａｌ0.1 Ｇａ0.9
Ａｓ導波路層２５が設けられている。
【００３７】また、このｐ−Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波
路層２５上には、回折格子２６を介して、ｐ−Ａｌ0.3
Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層２７が形成され、このｐ−Ａｌ
0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層２７上には、ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層２８が形成されている。従って、この回折
格子２６の形成条件を適宜選ぶことにより、分布帰還型
半導体レーザ２０は、ＴＭモードの発振を実現すること
可能となる。
路層２５上には、回折格子２６を介して、ｐ−Ａｌ0.3
Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層２７が形成され、このｐ−Ａｌ
0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層２７上には、ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層２８が形成されている。従って、この回折
格子２６の形成条件を適宜選ぶことにより、分布帰還型
半導体レーザ２０は、ＴＭモードの発振を実現すること
可能となる。
【００３８】更に、これらｐ−ＧａＡｓコンタクト層２
８、ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層２７、ｐ−Ａ
ｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層２５、ＧａＡｓ活性層２４
及びｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層２３の両側に
は、ＳＩ（半絶縁性）−ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層２９が
形成されている。他方、導波路型金属偏光子２１におい
ては、上記第２の実施例による埋め込み型導波路構造の
金属偏光子と同様に、ｎ−ＧａＡｓ基板２２上に、誘電
体膜１１と金属薄膜１２とが交互に積層された積層部１
３が形成され、この積層部１３の上面及び両側面がクラ
ッド層１６によって覆われている。
８、ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層２７、ｐ−Ａ
ｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層２５、ＧａＡｓ活性層２４
及びｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層２３の両側に
は、ＳＩ（半絶縁性）−ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層２９が
形成されている。他方、導波路型金属偏光子２１におい
ては、上記第２の実施例による埋め込み型導波路構造の
金属偏光子と同様に、ｎ−ＧａＡｓ基板２２上に、誘電
体膜１１と金属薄膜１２とが交互に積層された積層部１
３が形成され、この積層部１３の上面及び両側面がクラ
ッド層１６によって覆われている。
【００３９】このように第３の実施例によれば、分布帰
還型半導体レーザ２０と導波路型金属偏光子２１とが同
一のｎ−ＧａＡｓ基板２２上に光結合されて形成され、
分布帰還型半導体レーザ２０からＴＭモードのレーザビ
ームが発振されて導波路型金属偏光子２１に入射される
ことにより、所定の偏光面をもつ直線偏光の光を得るこ
とができる。
還型半導体レーザ２０と導波路型金属偏光子２１とが同
一のｎ−ＧａＡｓ基板２２上に光結合されて形成され、
分布帰還型半導体レーザ２０からＴＭモードのレーザビ
ームが発振されて導波路型金属偏光子２１に入射される
ことにより、所定の偏光面をもつ直線偏光の光を得るこ
とができる。
【００４０】なお、第３の実施例においては、導波路型
金属偏光子２１として埋め込み型光導波路構造の金属偏
光子を用いたが、その代わりに、上記第１の実施例に示
したリッジ型光導波路構造の金属偏光子を用いてもよ
い。次に、本発明の第４の実施例による半導体レーザ装
置を、図５を用いて説明する。
金属偏光子２１として埋め込み型光導波路構造の金属偏
光子を用いたが、その代わりに、上記第１の実施例に示
したリッジ型光導波路構造の金属偏光子を用いてもよ
い。次に、本発明の第４の実施例による半導体レーザ装
置を、図５を用いて説明する。
【００４１】図５（ａ）は半導体レーザ装置を示す斜視
図、図５（ｂ）はそのレーザ増幅部の共振器方向と垂直
方向の断面図である。なお、上記図４の半導体レーザ装
置と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略
する。また、レーザ増幅部に設けられているｐ型及びｎ
型の金属電極は、図を見易くするために省略してある。
図、図５（ｂ）はそのレーザ増幅部の共振器方向と垂直
方向の断面図である。なお、上記図４の半導体レーザ装
置と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略
する。また、レーザ増幅部に設けられているｐ型及びｎ
型の金属電極は、図を見易くするために省略してある。
【００４２】本実施例による半導体レーザ装置は、ＴＭ
モードで発振させるための別の方法として、上記第３の
実施例における分布帰還型半導体レーザ２０の代わり
に、レーザ増幅部の活性層が引っ張り応力を受ける歪超
格子層である半導体レーザを用い、この歪み量子井戸構
造の活性層を有する半導体レーザと導波路型金属偏光子
とがモノリシックに形成されている点に特徴がある。
モードで発振させるための別の方法として、上記第３の
実施例における分布帰還型半導体レーザ２０の代わり
に、レーザ増幅部の活性層が引っ張り応力を受ける歪超
格子層である半導体レーザを用い、この歪み量子井戸構
造の活性層を有する半導体レーザと導波路型金属偏光子
とがモノリシックに形成されている点に特徴がある。
【００４３】即ち、図５（ａ）に示されるように、歪み
量子井戸レーザ３０と導波路型金属偏光子２１とが、同
一のｎ−ＧａＡｓ基板２２上に、光結合されて形成され
ている。そして歪み量子井戸レーザ３０においては、図
５（ｂ）に示されるように、ｎ−ＧａＡｓ基板２２上
に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３１を介して、厚さ
３０ｎｍ以下で引っ張り応力を受けるＩｎＧａＰ歪み量
子井戸活性層３２が形成されている。このＩｎＧａＰ歪
み量子井戸活性層３２上には、両側にｎ−ＧａＡｓ電流
狭窄層３３が設けられたｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
３４が形成されている。また、このｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層３４上には、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層３５
が形成されている。
量子井戸レーザ３０と導波路型金属偏光子２１とが、同
一のｎ−ＧａＡｓ基板２２上に、光結合されて形成され
ている。そして歪み量子井戸レーザ３０においては、図
５（ｂ）に示されるように、ｎ−ＧａＡｓ基板２２上
に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３１を介して、厚さ
３０ｎｍ以下で引っ張り応力を受けるＩｎＧａＰ歪み量
子井戸活性層３２が形成されている。このＩｎＧａＰ歪
み量子井戸活性層３２上には、両側にｎ−ＧａＡｓ電流
狭窄層３３が設けられたｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
３４が形成されている。また、このｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層３４上には、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層３５
が形成されている。
【００４４】このようにＡｌＧａＩｎＰ／ＩｎＧａＰ系
材料を用い、ＩｎＧａＰ活性層に引っ張り応力が生じる
半導体レーザにおいては、通常ではＴＥモードの発振が
観測されるファブリペロー型の半導体レーザであって
も、ＴＭモードによる発振が観測される。これは、歪み
量子井戸活性層におけるホールのバンドの縮退の状態変
化により、ＴＭモードのほうにより大きな光利得を生じ
させるメカニズムによるものである。従って、歪み量子
井戸レーザ３０は、ＴＭモードの発振を実現することが
可能となる。
材料を用い、ＩｎＧａＰ活性層に引っ張り応力が生じる
半導体レーザにおいては、通常ではＴＥモードの発振が
観測されるファブリペロー型の半導体レーザであって
も、ＴＭモードによる発振が観測される。これは、歪み
量子井戸活性層におけるホールのバンドの縮退の状態変
化により、ＴＭモードのほうにより大きな光利得を生じ
させるメカニズムによるものである。従って、歪み量子
井戸レーザ３０は、ＴＭモードの発振を実現することが
可能となる。
【００４５】このように第４の実施例によれば、歪み量
子井戸レーザ３０と導波路型金属偏光子２１とが同一の
ｎ−ＧａＡｓ基板２２上に光結合されて形成され、歪み
量子井戸レーザ３０からＴＭモードのレーザビームが発
振されて導波路型金属偏光子２１に入射されることによ
り、所定の偏光面をもつ直線偏光の光を得ることができ
る。次に、本発明の第５の実施例による半導体レーザ装
置を、図６を用いて説明する。
子井戸レーザ３０と導波路型金属偏光子２１とが同一の
ｎ−ＧａＡｓ基板２２上に光結合されて形成され、歪み
量子井戸レーザ３０からＴＭモードのレーザビームが発
振されて導波路型金属偏光子２１に入射されることによ
り、所定の偏光面をもつ直線偏光の光を得ることができ
る。次に、本発明の第５の実施例による半導体レーザ装
置を、図６を用いて説明する。
【００４６】図６（ａ）は半導体レーザ装置を示す斜視
図、図６（ｂ）はそのレーザ増幅部の共振器方向と垂直
方向の断面図である。なお、上記図４の半導体レーザ装
置と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略
する。また、レーザ増幅部に設けられたｐ型及びｎ型の
金属電極は、図を見易くするために省略してある。本実
施例による半導体レーザ装置は、ＴＭモードで発振させ
るための更に別の方法として、上記第３又は第４の実施
例におけるＴＭモードで発振する分布帰還型半導体レー
ザ２０又は歪み量子井戸レーザ３０と導波路型偏光子を
縦列的に接続するの代わりに、ＴＥモード及びＴＭモー
ドに増幅率を有する普通のブダルヘテロ構造の半導体レ
ーザを用い、この半導体レーザと導波路型金属偏光子と
を内包するようにファブリペロー共振器が構成されてい
る点に特徴がある。
図、図６（ｂ）はそのレーザ増幅部の共振器方向と垂直
方向の断面図である。なお、上記図４の半導体レーザ装
置と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略
する。また、レーザ増幅部に設けられたｐ型及びｎ型の
金属電極は、図を見易くするために省略してある。本実
施例による半導体レーザ装置は、ＴＭモードで発振させ
るための更に別の方法として、上記第３又は第４の実施
例におけるＴＭモードで発振する分布帰還型半導体レー
ザ２０又は歪み量子井戸レーザ３０と導波路型偏光子を
縦列的に接続するの代わりに、ＴＥモード及びＴＭモー
ドに増幅率を有する普通のブダルヘテロ構造の半導体レ
ーザを用い、この半導体レーザと導波路型金属偏光子と
を内包するようにファブリペロー共振器が構成されてい
る点に特徴がある。
【００４７】即ち、図６（ａ）に示されるように、普通
のブダルヘテロ構造の半導体レーザ４０と導波路型金属
偏光子２１とが、同一のｎ−ＧａＡｓ基板２２上に、光
結合されて形成されている。また、半導体レーザ４０と
導波路型金属偏光子２１とが相対向する端面には、それ
ぞれ低反射コート４１、４２が設けられ、半導体レーザ
４０及び導波路型金属偏光子２１の他方の端面には、そ
れぞれ反射率９０％の高反射コート４３及び反射率３０
％の高反射コート４４が設けられている。そしてこれら
２つの高反射コート４３、４４により、ファブリペロー
共振器が形成されている。
のブダルヘテロ構造の半導体レーザ４０と導波路型金属
偏光子２１とが、同一のｎ−ＧａＡｓ基板２２上に、光
結合されて形成されている。また、半導体レーザ４０と
導波路型金属偏光子２１とが相対向する端面には、それ
ぞれ低反射コート４１、４２が設けられ、半導体レーザ
４０及び導波路型金属偏光子２１の他方の端面には、そ
れぞれ反射率９０％の高反射コート４３及び反射率３０
％の高反射コート４４が設けられている。そしてこれら
２つの高反射コート４３、４４により、ファブリペロー
共振器が形成されている。
【００４８】そして半導体レーザ４０においては、図６
（ｂ）に示されるように、ｎ−ＧａＡｓ基板２２上に、
ｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層４５、ＧａＡｓ活
性層４６、ｐ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層４７、
及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層４８が順に積層されてい
る。また、これらｐ−ＧａＡｓコンタクト層４８、ｐ−
Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層４７、ＧａＡｓ活性層
４６、及びｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層４５の
両側には、ＳＩ−ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層４９が形成さ
れている。
（ｂ）に示されるように、ｎ−ＧａＡｓ基板２２上に、
ｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層４５、ＧａＡｓ活
性層４６、ｐ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層４７、
及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層４８が順に積層されてい
る。また、これらｐ−ＧａＡｓコンタクト層４８、ｐ−
Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層４７、ＧａＡｓ活性層
４６、及びｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層４５の
両側には、ＳＩ−ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層４９が形成さ
れている。
【００４９】この半導体レーザ４０から発振されるＴＥ
モード及びＴＭモードのレーザビームは、導波路型金属
偏光子２１によりＴＭモードとＴＥモードとの損失差が
与えられるため、高反射コート４３、４４を反射鏡とす
るファブリペロー共振器においてＴＭモードが選択的に
発振される。従って、このＴＭモードのレーザビーム
は、導波路型金属偏光子２１側の相対的に反射率の低い
高反射コート４４の端面から出射される。
モード及びＴＭモードのレーザビームは、導波路型金属
偏光子２１によりＴＭモードとＴＥモードとの損失差が
与えられるため、高反射コート４３、４４を反射鏡とす
るファブリペロー共振器においてＴＭモードが選択的に
発振される。従って、このＴＭモードのレーザビーム
は、導波路型金属偏光子２１側の相対的に反射率の低い
高反射コート４４の端面から出射される。
【００５０】このように第５の実施例によれば、高反射
コート４３、４４からなるファブリペロー共振器内に、
光の増幅媒質たる半導体レーザ４０と導波路型金属偏光
子２１が導入され、半導体レーザ４０から発振されるＴ
Ｅモードのレーザビームが導波路型金属偏光子２１によ
って光吸収され、ＴＭモードのレーザビームのみが選択
的に発振されて導波路型金属偏光子２１端面から出射さ
れることにより、所定の偏光面をもつ直線偏光光を得る
ことができる。
コート４３、４４からなるファブリペロー共振器内に、
光の増幅媒質たる半導体レーザ４０と導波路型金属偏光
子２１が導入され、半導体レーザ４０から発振されるＴ
Ｅモードのレーザビームが導波路型金属偏光子２１によ
って光吸収され、ＴＭモードのレーザビームのみが選択
的に発振されて導波路型金属偏光子２１端面から出射さ
れることにより、所定の偏光面をもつ直線偏光光を得る
ことができる。
【００５１】次に、本発明の第６の実施例による半導体
レーザ装置を、図７を用いて説明する。図７（ａ）、
（ｂ）は、それぞれ半導体レーザ装置の出射系及び反射
系を説明するための概略図である。本実施例による半導
体レーザ装置は、上記第５の実施例による半導体レーザ
装置と導波路型位相子とを組み合わせたものである。
レーザ装置を、図７を用いて説明する。図７（ａ）、
（ｂ）は、それぞれ半導体レーザ装置の出射系及び反射
系を説明するための概略図である。本実施例による半導
体レーザ装置は、上記第５の実施例による半導体レーザ
装置と導波路型位相子とを組み合わせたものである。
【００５２】上記第５の実施例による半導体レーザ装置
５０の出射側、即ち導波路型金属偏光子側に、例えば屈
折率の異なる層に挟まれた光導波路層を有するリッジ型
の３層スラブ導波路５１が、導波路型位相子として光結
合されて設けられている。このような３層スラブ導波路
５１では、光の電界が光導波路層の層方向に平行なＴＥ
モードと光の電界が層方向に垂直なＴＭモードとが存在
し、これらのモード間で伝搬定数βTE、βTMが異なるこ
と、即ち光が伝わる方向での等価屈折率が光電界の方向
により異なることが知られている。
５０の出射側、即ち導波路型金属偏光子側に、例えば屈
折率の異なる層に挟まれた光導波路層を有するリッジ型
の３層スラブ導波路５１が、導波路型位相子として光結
合されて設けられている。このような３層スラブ導波路
５１では、光の電界が光導波路層の層方向に平行なＴＥ
モードと光の電界が層方向に垂直なＴＭモードとが存在
し、これらのモード間で伝搬定数βTE、βTMが異なるこ
と、即ち光が伝わる方向での等価屈折率が光電界の方向
により異なることが知られている。
【００５３】そしてこの３層スラブ導波路５１の光導波
路層の長さ、即ち導波路長Ｌが ｜（βTE−βTM）Ｌ｜＝π／２ の関係を満足させるように調整され、またその光導波路
層の層方向が半導体レーザ装置５０の金属偏光子の積層
部の積層方向と角度θをなすように制御されている。
路層の長さ、即ち導波路長Ｌが ｜（βTE−βTM）Ｌ｜＝π／２ の関係を満足させるように調整され、またその光導波路
層の層方向が半導体レーザ装置５０の金属偏光子の積層
部の積層方向と角度θをなすように制御されている。
【００５４】従って、図７（ａ）に示されるように、半
導体レーザ装置５０から発せられた直線偏光の光が３層
スラブ導波路５１の光導波路層に入射されると、伝搬定
数の異なるＴＥモードとＴＭモードとが同時に励振さ
れ、広義楕円偏光に変換され、出射される。次いで、３
層スラブ導波路５１から出射された広義楕円偏光は、光
ディスクに入射されると共に光ディスクのミラー表面等
の反射板５２によって反射され、図７（ｂ）に示される
ように、再び３層スラブ導波路５１に戻ってくる。この
とき、３層スラブ導波路５１において広義楕円偏光の反
射光は更に位相がずれ、半導体レーザ装置５０から発せ
られた最初の直線偏光と角度２θだけ偏光面がずれた直
線偏光に変換される。そしてこの直線偏光光が半導体レ
ーザ装置５０への戻り光となる。
導体レーザ装置５０から発せられた直線偏光の光が３層
スラブ導波路５１の光導波路層に入射されると、伝搬定
数の異なるＴＥモードとＴＭモードとが同時に励振さ
れ、広義楕円偏光に変換され、出射される。次いで、３
層スラブ導波路５１から出射された広義楕円偏光は、光
ディスクに入射されると共に光ディスクのミラー表面等
の反射板５２によって反射され、図７（ｂ）に示される
ように、再び３層スラブ導波路５１に戻ってくる。この
とき、３層スラブ導波路５１において広義楕円偏光の反
射光は更に位相がずれ、半導体レーザ装置５０から発せ
られた最初の直線偏光と角度２θだけ偏光面がずれた直
線偏光に変換される。そしてこの直線偏光光が半導体レ
ーザ装置５０への戻り光となる。
【００５５】従って、この直線偏光の戻り光は、半導体
レーザ装置５０の発振光と偏光面が角度２θずれること
になる。このとき、半導体レーザ装置発振光と垂直な成
分は半導体レーザ装置５０内の電界と重なり合わないた
め、半導体レーザ装置５０における戻り光と発振光との
重なりは少なくなり、戻り光誘起型雑音を低減すること
ができる。
レーザ装置５０の発振光と偏光面が角度２θずれること
になる。このとき、半導体レーザ装置発振光と垂直な成
分は半導体レーザ装置５０内の電界と重なり合わないた
め、半導体レーザ装置５０における戻り光と発振光との
重なりは少なくなり、戻り光誘起型雑音を低減すること
ができる。
【００５６】このように第６の実施例によれば、半導体
レーザ及び導波路型金属偏光子がモノリシックに形成さ
れている半導体レーザ装置５０と導波路型位相子として
の３層スラブ導波路５１が所定の角度θをもって組み合
わされていることにより、半導体レーザ装置５０から発
せられた直線偏光の光が３層スラブ導波路５１によって
広義楕円偏光に変換され、また光ディスクのミラー表面
等の反射板５２によって反射された広義楕円偏光が再び
３層スラブ導波路５１によって最初の直線偏光と角度２
θだけ偏光面がずれた直線偏光に変換されるため、半導
体レーザ装置５０へのこの直線偏光の戻り光は、半導体
レーザ装置５０の発振光と偏光面が角度２θずれること
になり、戻り光誘起型雑音を低減することができる。
レーザ及び導波路型金属偏光子がモノリシックに形成さ
れている半導体レーザ装置５０と導波路型位相子として
の３層スラブ導波路５１が所定の角度θをもって組み合
わされていることにより、半導体レーザ装置５０から発
せられた直線偏光の光が３層スラブ導波路５１によって
広義楕円偏光に変換され、また光ディスクのミラー表面
等の反射板５２によって反射された広義楕円偏光が再び
３層スラブ導波路５１によって最初の直線偏光と角度２
θだけ偏光面がずれた直線偏光に変換されるため、半導
体レーザ装置５０へのこの直線偏光の戻り光は、半導体
レーザ装置５０の発振光と偏光面が角度２θずれること
になり、戻り光誘起型雑音を低減することができる。
【００５７】また、導波路型位相子としての３層スラブ
導波路５１は、導波路の作用により光を楕円偏光に変換
するため、従来のように位相子材料自身が複屈折を持つ
必要はない。従って、ガラスや半導体などそれ自身複屈
折を示さない、通常の半導体デバイス製作に用いる材料
をそのまま用いて製作が可能となる。導波路としては、
光を透過する材料であれば何でも用いることができるこ
ととなる。
導波路５１は、導波路の作用により光を楕円偏光に変換
するため、従来のように位相子材料自身が複屈折を持つ
必要はない。従って、ガラスや半導体などそれ自身複屈
折を示さない、通常の半導体デバイス製作に用いる材料
をそのまま用いて製作が可能となる。導波路としては、
光を透過する材料であれば何でも用いることができるこ
ととなる。
【００５８】また、この導波路長Ｌをできるだけ小さく
し小型軽量化を図るためにはＴＥ，ＴＭモードの伝搬定
数差（βTE−βTM）をできるだけ大きくすればよい。こ
のためには、コア層とクラッド層の屈折率差を大きく取
ること、横方向、縦方向での導波路の寸法の比を大きく
取ること、適宜、ガイド層を層構造に加える等の設計方
法を取り得ることは、導波路技術者には自明のことであ
ろう。
し小型軽量化を図るためにはＴＥ，ＴＭモードの伝搬定
数差（βTE−βTM）をできるだけ大きくすればよい。こ
のためには、コア層とクラッド層の屈折率差を大きく取
ること、横方向、縦方向での導波路の寸法の比を大きく
取ること、適宜、ガイド層を層構造に加える等の設計方
法を取り得ることは、導波路技術者には自明のことであ
ろう。
【００５９】特に、３層スラブ導波路５１の光導波路層
と半導体レーザ装置５０の活性層とのなす角度θをθ＝
π／４となるように設定した場合、３層スラブ導波路５
１はλ／４板となり、そのλ／４位相子としての作用に
よって半導体レーザ装置５０から発せられた直線偏光が
円偏光に変換され、また反射板５２等によって反射され
た円偏光が最初の直線偏光と角度２θ＝π／２だけ偏光
面がずれた直線偏光に変換されることにより、半導体レ
ーザ装置５０へのこの直線偏光の戻り光は、半導体レー
ザ装置５０の発振光と偏光面が角度２θ＝π／２ずれる
ことになるため、互いに重なり合うことがなくなり、戻
り光誘起型雑音を低減する効果は特に著しくなる。
と半導体レーザ装置５０の活性層とのなす角度θをθ＝
π／４となるように設定した場合、３層スラブ導波路５
１はλ／４板となり、そのλ／４位相子としての作用に
よって半導体レーザ装置５０から発せられた直線偏光が
円偏光に変換され、また反射板５２等によって反射され
た円偏光が最初の直線偏光と角度２θ＝π／２だけ偏光
面がずれた直線偏光に変換されることにより、半導体レ
ーザ装置５０へのこの直線偏光の戻り光は、半導体レー
ザ装置５０の発振光と偏光面が角度２θ＝π／２ずれる
ことになるため、互いに重なり合うことがなくなり、戻
り光誘起型雑音を低減する効果は特に著しくなる。
【００６０】なお、第６の実施例においては、半導体レ
ーザ装置５０として上記第５の実施例による半導体レー
ザ装置を用いたが、その代わりに、上記第３又は第４の
実施例による半導体レーザ装置を用いてもよい。次に、
本発明の第７の実施例による半導体レーザ装置を、図８
を用いて説明する。
ーザ装置５０として上記第５の実施例による半導体レー
ザ装置を用いたが、その代わりに、上記第３又は第４の
実施例による半導体レーザ装置を用いてもよい。次に、
本発明の第７の実施例による半導体レーザ装置を、図８
を用いて説明する。
【００６１】図８（ａ）、（ｂ）は、それぞれ半導体レ
ーザ装置の出射系及び反射系を説明するための概略図で
ある。なお、上記図７の半導体レーザ装置と同一の構成
要素には同一の符号を付して説明を省略する。本実施例
による半導体レーザ装置は、上記第５の実施例における
導波路型位相子としての３層スラブ導波路５１の代わり
に、偏光方向を所定の角度θだけ回転させるファラデー
ローテイタを用いたものである。
ーザ装置の出射系及び反射系を説明するための概略図で
ある。なお、上記図７の半導体レーザ装置と同一の構成
要素には同一の符号を付して説明を省略する。本実施例
による半導体レーザ装置は、上記第５の実施例における
導波路型位相子としての３層スラブ導波路５１の代わり
に、偏光方向を所定の角度θだけ回転させるファラデー
ローテイタを用いたものである。
【００６２】上記第６の実施例と同様に、半導体レーザ
装置５０の出射側、即ち導波路型金属偏光子側に、ファ
ラデーローテイタ５３が、光結合されて設けられてい
る。従って、図８（ａ）に示されるように、半導体レー
ザ装置５０から発せられた直線偏光の光が、ファラデー
ローテイタ５３によって偏光方向を角度θだけ回転させ
られ、出射される。
装置５０の出射側、即ち導波路型金属偏光子側に、ファ
ラデーローテイタ５３が、光結合されて設けられてい
る。従って、図８（ａ）に示されるように、半導体レー
ザ装置５０から発せられた直線偏光の光が、ファラデー
ローテイタ５３によって偏光方向を角度θだけ回転させ
られ、出射される。
【００６３】次いで、この広義楕円偏光は、光ディスク
に入射されると共に光ディスクのミラー表面等の反射板
５２によって反射され、図８（ｂ）に示されるように、
再びファラデーローテイタ５３に戻る。従って、偏光方
向が角度θだけ回転した反射光が更に偏光方向を角度θ
だけ回転させられ、最初の直線偏光と角度２θだけ偏光
面がずれた直線偏光の光が半導体レーザ装置５０への戻
り光となる。
に入射されると共に光ディスクのミラー表面等の反射板
５２によって反射され、図８（ｂ）に示されるように、
再びファラデーローテイタ５３に戻る。従って、偏光方
向が角度θだけ回転した反射光が更に偏光方向を角度θ
だけ回転させられ、最初の直線偏光と角度２θだけ偏光
面がずれた直線偏光の光が半導体レーザ装置５０への戻
り光となる。
【００６４】このため、この直線偏光の戻り光は、半導
体レーザ装置５０の発振光と偏光面が角度２θずれるこ
とになるため、半導体レーザ装置５０における戻り光と
発振光との重なりは少なくなり、戻り光誘起型雑音を低
減することができる。このように第７の実施例によれ
ば、半導体レーザ及び導波路型金属偏光子がモノリシッ
クに形成されている半導体レーザ装置５０と偏光方向を
角度θだけ回転させるファラデーローテイタ５３が組み
合わされていることにより、上記第６の実施例と同様の
効果を奏し、戻り光誘起型雑音を低減することができ
る。
体レーザ装置５０の発振光と偏光面が角度２θずれるこ
とになるため、半導体レーザ装置５０における戻り光と
発振光との重なりは少なくなり、戻り光誘起型雑音を低
減することができる。このように第７の実施例によれ
ば、半導体レーザ及び導波路型金属偏光子がモノリシッ
クに形成されている半導体レーザ装置５０と偏光方向を
角度θだけ回転させるファラデーローテイタ５３が組み
合わされていることにより、上記第６の実施例と同様の
効果を奏し、戻り光誘起型雑音を低減することができ
る。
【００６５】特に、ファラデーローテイタ５３が偏光方
向を回転させる角度θをθ＝π／４となるように設定し
た場合、上記のλ／４板を用いた場合と同様に、半導体
レーザ装置５０へのこの直線偏光の戻り光が、半導体レ
ーザ装置５０の発振光と偏光面が角度２θ＝π／２ずれ
ることになるため、互いに重なり合うことがなくなり、
戻り光誘起型雑音を低減する効果は特に著しくなる。
向を回転させる角度θをθ＝π／４となるように設定し
た場合、上記のλ／４板を用いた場合と同様に、半導体
レーザ装置５０へのこの直線偏光の戻り光が、半導体レ
ーザ装置５０の発振光と偏光面が角度２θ＝π／２ずれ
ることになるため、互いに重なり合うことがなくなり、
戻り光誘起型雑音を低減する効果は特に著しくなる。
【００６６】次に、本発明の第８の実施例による半導体
レーザ装置を、図９を用いて説明する。図９（ａ）は半
導体レーザ装置を示す斜視図、図９（ｂ）はその導波路
型位相子の断面図である。なお、上記図６の半導体レー
ザ装置と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を
省略する。また、レーザ増幅部に設けられたｐ型及びｎ
型の金属電極は、図を見易くするために省略してある。
レーザ装置を、図９を用いて説明する。図９（ａ）は半
導体レーザ装置を示す斜視図、図９（ｂ）はその導波路
型位相子の断面図である。なお、上記図６の半導体レー
ザ装置と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を
省略する。また、レーザ増幅部に設けられたｐ型及びｎ
型の金属電極は、図を見易くするために省略してある。
【００６７】本実施例による半導体レーザ装置は、上記
第５の実施例による半導体レーザ装置と導波路型位相子
とが同一の基板上にモノリシックに形成され、光結合さ
れている点に特徴がある。即ち、普通のブダルヘテロ構
造の半導体レーザ４０と導波路型金属偏光子２１と導波
路型位相子６０が、同一のｎ−ＧａＡｓ基板２２上に、
光結合されて形成されている。また、半導体レーザ４０
と導波路型金属偏光子２１と相対向する端面には、それ
ぞれ低反射コート４１、４２が設けられ、他方の端面に
は、それぞれ高反射コート４３、４４が設けられてい
る。そしてこれら２つの高反射コート４３、４４によ
り、ファブリペロー共振器が形成されている。
第５の実施例による半導体レーザ装置と導波路型位相子
とが同一の基板上にモノリシックに形成され、光結合さ
れている点に特徴がある。即ち、普通のブダルヘテロ構
造の半導体レーザ４０と導波路型金属偏光子２１と導波
路型位相子６０が、同一のｎ−ＧａＡｓ基板２２上に、
光結合されて形成されている。また、半導体レーザ４０
と導波路型金属偏光子２１と相対向する端面には、それ
ぞれ低反射コート４１、４２が設けられ、他方の端面に
は、それぞれ高反射コート４３、４４が設けられてい
る。そしてこれら２つの高反射コート４３、４４によ
り、ファブリペロー共振器が形成されている。
【００６８】また、導波路型位相子６０においては、ｎ
−ＧａＡｓ基板２２上に、Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッ
ド層６１、Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層６２、Ａｌ
0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層６３が順に積層されてい
る。ここで、Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層６２の屈折
率ｎ4 は、その上下を挟むＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッ
ド層６１、６３の屈折率ｎ5 よりも大きい。また、Ａｌ
0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層６２は、中央部が半導体レー
ザ４０の活性層等の積層方向と角度θ＝π／４をなすよ
うに傾斜し、全体として２つの折れ曲がり構造の３次元
導波路となっている。
−ＧａＡｓ基板２２上に、Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッ
ド層６１、Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層６２、Ａｌ
0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層６３が順に積層されてい
る。ここで、Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層６２の屈折
率ｎ4 は、その上下を挟むＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッ
ド層６１、６３の屈折率ｎ5 よりも大きい。また、Ａｌ
0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層６２は、中央部が半導体レー
ザ４０の活性層等の積層方向と角度θ＝π／４をなすよ
うに傾斜し、全体として２つの折れ曲がり構造の３次元
導波路となっている。
【００６９】更に、Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層６２
の導波路長Ｌは、 ｜（βTE−βTM）Ｌ｜＝π／２ の関係を満足させるように設定されている。そして勿
論、半導体レーザ４０のＧａＡｓ活性層４６と、導波路
型金属偏光子２１の積層部１３と、導波路型位相子６０
のＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層６２傾斜部分とは、光
軸を同じくして光結合されている。
の導波路長Ｌは、 ｜（βTE−βTM）Ｌ｜＝π／２ の関係を満足させるように設定されている。そして勿
論、半導体レーザ４０のＧａＡｓ活性層４６と、導波路
型金属偏光子２１の積層部１３と、導波路型位相子６０
のＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層６２傾斜部分とは、光
軸を同じくして光結合されている。
【００７０】このように第８の実施例によれば、半導体
レーザ４０及び導波路型金属偏光子２１と導波路型位相
子６０とが同一のｎ−ＧａＡｓ基板２２上に光結合され
て形成され、半導体レーザ４０及び導波路型金属偏光子
２１の端面にそれぞれ設けられた高反射コート４３、４
４によって半導体レーザ４０及び導波路型金属偏光子２
１を内包するファブリペロー共振器が構成されているこ
とにより、導波路型金属偏光子２１端面から出射された
所定の偏光面をもつ直線偏光光が導波路型位相子６０に
よって円偏光に変換され、また反射されてきた円偏光が
再び導波路型位相子６０によって最初の直線偏光と角度
２θ＝π／２だけ偏光面がずれた直線偏光に変換される
ため、上記のλ／４板を用いて位相子作用を行わせる場
合と同様に、半導体レーザ４０への直線偏光の戻り光
が、半導体レーザ４０の発振光と偏光面が角度２θ＝π
／２ずれて互いに重なり合うことがなくなり、戻り光の
妨害に強い半導体レーザ装置を構成することができる。
レーザ４０及び導波路型金属偏光子２１と導波路型位相
子６０とが同一のｎ−ＧａＡｓ基板２２上に光結合され
て形成され、半導体レーザ４０及び導波路型金属偏光子
２１の端面にそれぞれ設けられた高反射コート４３、４
４によって半導体レーザ４０及び導波路型金属偏光子２
１を内包するファブリペロー共振器が構成されているこ
とにより、導波路型金属偏光子２１端面から出射された
所定の偏光面をもつ直線偏光光が導波路型位相子６０に
よって円偏光に変換され、また反射されてきた円偏光が
再び導波路型位相子６０によって最初の直線偏光と角度
２θ＝π／２だけ偏光面がずれた直線偏光に変換される
ため、上記のλ／４板を用いて位相子作用を行わせる場
合と同様に、半導体レーザ４０への直線偏光の戻り光
が、半導体レーザ４０の発振光と偏光面が角度２θ＝π
／２ずれて互いに重なり合うことがなくなり、戻り光の
妨害に強い半導体レーザ装置を構成することができる。
【００７１】次に、本発明の第８の実施例による半導体
レーザ装置における導波路型位相子の第１の変形例を、
図１０を用いて説明する。図１０は第１の変形例による
導波路型位相子を示す斜視図である。上記第８の実施例
による半導体レーザ装置においては、導波路型位相子６
０が、ＴＥ、ＴＭ偏光に対してπ／２の位相差を与える
ものとしたが、このようにいつも正確な位相差を与える
ためには、発振波長、導波路長などを厳密に制御する必
要があり、製作は難しい。しかし、導波路型位相子が半
導体導波路を用いて形成されていることにより、付加的
な機能を持たせることが可能となる。
レーザ装置における導波路型位相子の第１の変形例を、
図１０を用いて説明する。図１０は第１の変形例による
導波路型位相子を示す斜視図である。上記第８の実施例
による半導体レーザ装置においては、導波路型位相子６
０が、ＴＥ、ＴＭ偏光に対してπ／２の位相差を与える
ものとしたが、このようにいつも正確な位相差を与える
ためには、発振波長、導波路長などを厳密に制御する必
要があり、製作は難しい。しかし、導波路型位相子が半
導体導波路を用いて形成されていることにより、付加的
な機能を持たせることが可能となる。
【００７２】そこで本変形例は、π／２の位相差を電気
的に調整できるようにするため、半導体導波路にｐｎ構
造を形成し、更にこの半導体導波路に電流注入用の電極
を設けていることに特徴がある。即ち、この導波路型位
相子は、ｎ−ＧａＡｓ層７０上に、ｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.
7 Ａｓクラッド層７１、Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層
７２、ｐ−Ａｌ0.3 Ｇａ 0.7 Ａｓクラッド層７３、及び
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７４が順に積層されている。
ここで、Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層７２の屈折率ｎ
6 は、その上下を挟むｐ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッ
ド層７３及びｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層７１
の屈折率ｎ7 よりも大きい。
的に調整できるようにするため、半導体導波路にｐｎ構
造を形成し、更にこの半導体導波路に電流注入用の電極
を設けていることに特徴がある。即ち、この導波路型位
相子は、ｎ−ＧａＡｓ層７０上に、ｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.
7 Ａｓクラッド層７１、Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層
７２、ｐ−Ａｌ0.3 Ｇａ 0.7 Ａｓクラッド層７３、及び
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７４が順に積層されている。
ここで、Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層７２の屈折率ｎ
6 は、その上下を挟むｐ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッ
ド層７３及びｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層７１
の屈折率ｎ7 よりも大きい。
【００７３】また、ｎ−ＧａＡｓ層７０は中央部の表面
が傾斜しているため、Ａｌ0.1 Ｇａ 0.9 Ａｓ導波路層７
２は、中央部が半導体レーザ４０の活性層等の積層方向
と角度θ＝π／４をなすように傾斜し、全体として２つ
の折れ曲がり構造の３次元導波路となっている。更に、
Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層７２の傾斜部上方のｐ−
ＧａＡｓコンタクト層７４上には、ｐ−コンタクト電極
７５が形成されている。そしてこのｐ−コンタクト電極
７５とｎ−ＧａＡｓ層７０との間には順方向電圧が印加
され、Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層７２にキャリアを
注入するようになっている。
が傾斜しているため、Ａｌ0.1 Ｇａ 0.9 Ａｓ導波路層７
２は、中央部が半導体レーザ４０の活性層等の積層方向
と角度θ＝π／４をなすように傾斜し、全体として２つ
の折れ曲がり構造の３次元導波路となっている。更に、
Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層７２の傾斜部上方のｐ−
ＧａＡｓコンタクト層７４上には、ｐ−コンタクト電極
７５が形成されている。そしてこのｐ−コンタクト電極
７５とｎ−ＧａＡｓ層７０との間には順方向電圧が印加
され、Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層７２にキャリアを
注入するようになっている。
【００７４】このように第１の変形例によれば、ｐ−コ
ンタクト電極７５からＡｌ0.1 Ｇａ 0.9 Ａｓ導波路層７
２に電流を注入することにより、Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ
導波路層７２のキャリア密度を変化させてその屈折率を
変化させることができるため、ＴＥ，ＴＭモードの伝搬
定数差を変化させて、位相差を電気的に制御することが
できる。従って、ＴＥ，ＴＭ偏光に対して所望の位相差
π／２に高精度に調整することができる。
ンタクト電極７５からＡｌ0.1 Ｇａ 0.9 Ａｓ導波路層７
２に電流を注入することにより、Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ
導波路層７２のキャリア密度を変化させてその屈折率を
変化させることができるため、ＴＥ，ＴＭモードの伝搬
定数差を変化させて、位相差を電気的に制御することが
できる。従って、ＴＥ，ＴＭ偏光に対して所望の位相差
π／２に高精度に調整することができる。
【００７５】次に、本発明の第８の実施例による半導体
レーザ装置における導波路型位相子の第２の変形例を、
図１１を用いて説明する。図１１は第２の変形例による
導波路型位相子を示す斜視図である。上記第１の変形例
においては、Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層７２に電流
を注入してその屈折率を変化させることにより、位相差
を電気的に制御したが、この場合、電流注入による発熱
が問題となる。そこで本変形例は、π／２の位相差を電
気的に調整するために、光導波路層に逆バイアスを加え
ることによりこの問題を解決していることに特徴があ
る。
レーザ装置における導波路型位相子の第２の変形例を、
図１１を用いて説明する。図１１は第２の変形例による
導波路型位相子を示す斜視図である。上記第１の変形例
においては、Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層７２に電流
を注入してその屈折率を変化させることにより、位相差
を電気的に制御したが、この場合、電流注入による発熱
が問題となる。そこで本変形例は、π／２の位相差を電
気的に調整するために、光導波路層に逆バイアスを加え
ることによりこの問題を解決していることに特徴があ
る。
【００７６】即ち、この導波路型位相子は、ｎ−ＧａＡ
ｓ層８０上に、ｎ−Ａｌ0.4 Ｇａ0. 6 Ａｓクラッド層８
１、Ｇａ0.95Ａｌ0.05Ａｓ層とＧａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ層
とが交互に積層されて量子井戸構造をなしているＧａ
0.95Ａｌ0.05Ａｓ／Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ量子井戸導波
路層８２、ｐ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層８３、
及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層８４が順に積層されてい
る。
ｓ層８０上に、ｎ−Ａｌ0.4 Ｇａ0. 6 Ａｓクラッド層８
１、Ｇａ0.95Ａｌ0.05Ａｓ層とＧａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ層
とが交互に積層されて量子井戸構造をなしているＧａ
0.95Ａｌ0.05Ａｓ／Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ量子井戸導波
路層８２、ｐ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層８３、
及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層８４が順に積層されてい
る。
【００７７】ここで、Ｇａ0.95Ａｌ0.05Ａｓ／Ｇａ0.3
Ａｌ0.7 Ａｓ量子井戸導波路層８２の屈折率ｎ8 は、そ
の上下を挟むｐ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層８３
及びｎ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層８１の屈折率
ｎ9 よりも大きい。また、Ｇａ0.95Ａｌ0.05Ａｓ／Ｇａ
0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ量子井戸導波路層８２は、中央部が半
導体レーザ４０の活性層等の積層方向と角度θ＝π／４
をなすように傾斜し、全体として２つの折れ曲がり構造
の３次元導波路となっている。
Ａｌ0.7 Ａｓ量子井戸導波路層８２の屈折率ｎ8 は、そ
の上下を挟むｐ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層８３
及びｎ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層８１の屈折率
ｎ9 よりも大きい。また、Ｇａ0.95Ａｌ0.05Ａｓ／Ｇａ
0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ量子井戸導波路層８２は、中央部が半
導体レーザ４０の活性層等の積層方向と角度θ＝π／４
をなすように傾斜し、全体として２つの折れ曲がり構造
の３次元導波路となっている。
【００７８】更に、Ｇａ0.95Ａｌ0.05Ａｓ／Ｇａ0.3 Ａ
ｌ0.7 Ａｓ量子井戸導波路層８２の傾斜部上方のｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層８４上には、ｐ−コンタクト電極８
５が形成されている。そしてこのｐ−コンタクト電極７
５とｎ−ＧａＡｓ層８０との間には逆方向電圧が印加さ
れるようになっている。このように第２の変形例によれ
ば、ｐ−コンタクト電極７５とｎ−ＧａＡｓ層８０との
間に逆方向電圧を印加してＧａ0.95Ａｌ0.05Ａｓ／Ｇａ
0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ量子井戸導波路層８２に逆バイアスを
印加することにより、発熱を生じることなく、Ｇａ0.95
Ａｌ0.05Ａｓ／Ｇａ0.3Ａｌ0.7 Ａｓ量子井戸導波路層
８２の屈折率を変化させることができるため、ＴＥ、Ｔ
Ｍモードの伝搬定数差を変化させて位相差を電気的に制
御し、ＴＥ、ＴＭ偏光に対して所望の位相差π／２に高
精度に調整することができる。
ｌ0.7 Ａｓ量子井戸導波路層８２の傾斜部上方のｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層８４上には、ｐ−コンタクト電極８
５が形成されている。そしてこのｐ−コンタクト電極７
５とｎ−ＧａＡｓ層８０との間には逆方向電圧が印加さ
れるようになっている。このように第２の変形例によれ
ば、ｐ−コンタクト電極７５とｎ−ＧａＡｓ層８０との
間に逆方向電圧を印加してＧａ0.95Ａｌ0.05Ａｓ／Ｇａ
0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ量子井戸導波路層８２に逆バイアスを
印加することにより、発熱を生じることなく、Ｇａ0.95
Ａｌ0.05Ａｓ／Ｇａ0.3Ａｌ0.7 Ａｓ量子井戸導波路層
８２の屈折率を変化させることができるため、ＴＥ、Ｔ
Ｍモードの伝搬定数差を変化させて位相差を電気的に制
御し、ＴＥ、ＴＭ偏光に対して所望の位相差π／２に高
精度に調整することができる。
【００７９】特に、導波路層が量子井戸構造の場合、小
さいバイアス変化により大きな屈折率変化が得られるこ
とが知られており、位相差の調整範囲を増大させるのに
有効である。
さいバイアス変化により大きな屈折率変化が得られるこ
とが知られており、位相差の調整範囲を増大させるのに
有効である。
【００８０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、金属偏光
子が、金属薄膜と所定の波長の光に透明な誘電体薄膜と
が交互に積層された積層部によって構成されることによ
り、所定の波長の光に対するして偏光子作用を有すると
共に、半導体レーザと接続が容易な導波路型構造にし
て、レーザ増幅部と同一基板上にモノリシック集積する
ことが可能となる。
子が、金属薄膜と所定の波長の光に透明な誘電体薄膜と
が交互に積層された積層部によって構成されることによ
り、所定の波長の光に対するして偏光子作用を有すると
共に、半導体レーザと接続が容易な導波路型構造にし
て、レーザ増幅部と同一基板上にモノリシック集積する
ことが可能となる。
【００８１】また、レーザ増幅部と金属偏光子とをモノ
リシック集積し、レーザ増幅部に回折格子ミラーを設け
たり、レーザ増幅部の活性層に引っ張り応力を受ける歪
超格子を用いたり、レーザ増幅部と金属偏光子とを内包
するファブリペロー共振器を設けたりすることにより、
金属偏光子に吸収されない直線偏光の光を発振すること
ができ、所定の直線偏光の光を出射することができる。
リシック集積し、レーザ増幅部に回折格子ミラーを設け
たり、レーザ増幅部の活性層に引っ張り応力を受ける歪
超格子を用いたり、レーザ増幅部と金属偏光子とを内包
するファブリペロー共振器を設けたりすることにより、
金属偏光子に吸収されない直線偏光の光を発振すること
ができ、所定の直線偏光の光を出射することができる。
【００８２】また、レーザ増幅部と金属偏光子とが組み
合わされて所定の直線偏光の光を出射する半導体レーザ
装置に、偏光面を回転するファラデーローテイタ又は直
線偏光の光を広義楕円偏光に変換する位相子を更に組み
合わせることにより、半導体レーザ装置への戻り光の偏
光面を回転させ、この戻り光と発振光との重なりを減少
させ、戻り光雑音を低減することができる。
合わされて所定の直線偏光の光を出射する半導体レーザ
装置に、偏光面を回転するファラデーローテイタ又は直
線偏光の光を広義楕円偏光に変換する位相子を更に組み
合わせることにより、半導体レーザ装置への戻り光の偏
光面を回転させ、この戻り光と発振光との重なりを減少
させ、戻り光雑音を低減することができる。
【００８３】更に、この位相子が、伝搬定数の異なる２
つ以上の伝搬モードを有する所定の長さの光導波路構造
であることにより、レーザ増幅部及び金属偏光子と同一
基板上にモノリシック集積することが可能となる。そし
てこの導波路型の位相子が、ｐ−ｎ接合構造を有するこ
とにより、導波路型位相子の導波路層にキャリアを注入
するか又は逆バイアスを印加するかして導波路層の屈折
率を変化させ、偏光状態を制御することができるため、
戻り光雑音の大幅な低減を実現することができる。
つ以上の伝搬モードを有する所定の長さの光導波路構造
であることにより、レーザ増幅部及び金属偏光子と同一
基板上にモノリシック集積することが可能となる。そし
てこの導波路型の位相子が、ｐ−ｎ接合構造を有するこ
とにより、導波路型位相子の導波路層にキャリアを注入
するか又は逆バイアスを印加するかして導波路層の屈折
率を変化させ、偏光状態を制御することができるため、
戻り光雑音の大幅な低減を実現することができる。
【００８４】このようにしてレーザ増幅部及び金属偏光
子、更には位相子をモノリシック集積することにより、
小型軽量で戻り光雑音の小さい半導体レーザ装置を構成
することができる。
子、更には位相子をモノリシック集積することにより、
小型軽量で戻り光雑音の小さい半導体レーザ装置を構成
することができる。
【図１】本発明の第１の実施例による金属偏光子を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施例による金属偏光子を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図３】本発明の第２の実施例による金属偏光子を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図４】本発明の第３の実施例による半導体レーザ装置
を示す図である。
を示す図である。
【図５】本発明の第４の実施例による半導体レーザ装置
を示す図である。
を示す図である。
【図６】本発明の第５の実施例による半導体レーザ装置
を示す図である。
を示す図である。
【図７】本発明の第６の実施例による半導体レーザ装置
の出射系及び反射系を説明するための概略図である。
の出射系及び反射系を説明するための概略図である。
【図８】本発明の第７の実施例による半導体レーザ装置
の出射系及び反射系を説明するための概略図である。
の出射系及び反射系を説明するための概略図である。
【図９】本発明の第８の実施例による半導体レーザ装置
を示す図である。
を示す図である。
【図１０】図９に示す半導体レーザ装置における導波路
型位相子の第１の変形例を示す図である。
型位相子の第１の変形例を示す図である。
【図１１】図９に示す半導体レーザ装置における導波路
型位相子の第２の変形例を示す図である。
型位相子の第２の変形例を示す図である。
【図１２】従来の半導体レーザ装置の出射系及び反射系
を説明するための概略図である。
を説明するための概略図である。
【図１３】従来の半導体レーザ装置の出射系及び反射系
を説明するための概略図である。
を説明するための概略図である。
１１…誘電体膜 １２…金属薄膜 １３…積層部 １４、１５、１６、１７…クラッド層 ２０…分布帰還型半導体レーザ ２１…導波路型金属偏光子 ２２…ｎ−ＧａＡｓ基板 ２３、４５、７１…ｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド
層 ２４、４６…ＧａＡｓ活性層 ２５…ｐ−Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層 ２６…回折格子 ２７、４７、７３…ｐ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド
層 ２８、３５、４８、７４、８４…ｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層 ２９、４９…ＳＩ−ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層 ３０…歪み量子井戸レーザ ３１…ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ３２…ＩｎＧａＰ歪み量子井戸活性層 ３３…ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層 ３４…ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ４０…半導体レーザ ４１、４２…低反射コート ４３、４４…高反射コート ５０、９０…半導体レーザ装置 ５１…３層スラブ導波路 ５２、９３…反射板 ５３、９４…ファラデーローテイタ ６０…導波路型位相子 ６１、６３…Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層 ６２、７２…Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層 ７０、８０…ｎ−ＧａＡｓ層 ７５、８５…ｐ−コンタクト電極 ８１…ｎ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層 ８２…Ｇａ0.95Ａｌ0.05Ａｓ／Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ量
子井戸導波路層 ８３…ｐ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層 ９１…偏光子 ９２…λ／４板
層 ２４、４６…ＧａＡｓ活性層 ２５…ｐ−Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層 ２６…回折格子 ２７、４７、７３…ｐ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド
層 ２８、３５、４８、７４、８４…ｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層 ２９、４９…ＳＩ−ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層 ３０…歪み量子井戸レーザ ３１…ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ３２…ＩｎＧａＰ歪み量子井戸活性層 ３３…ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層 ３４…ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ４０…半導体レーザ ４１、４２…低反射コート ４３、４４…高反射コート ５０、９０…半導体レーザ装置 ５１…３層スラブ導波路 ５２、９３…反射板 ５３、９４…ファラデーローテイタ ６０…導波路型位相子 ６１、６３…Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層 ６２、７２…Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ導波路層 ７０、８０…ｎ−ＧａＡｓ層 ７５、８５…ｐ−コンタクト電極 ８１…ｎ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層 ８２…Ｇａ0.95Ａｌ0.05Ａｓ／Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ量
子井戸導波路層 ８３…ｐ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層 ９１…偏光子 ９２…λ／４板
Claims (9)
- 【請求項１】 金属薄膜と所定の波長の光に透明な誘電
体薄膜とが交互に積層され、積層方向と垂直方向に入射
された光に対して、前記積層方向と平行な電界の光を吸
収し、前記積層方向と垂直な電界の光を透過する積層部
と、 前記積層部を挟んで設けられ、前記積層部よりも実効屈
折率が小さいクラッド部とを有し、 前記クラッド部に挟まれた前記積層部が、光導波路構造
をなしていることを特徴とする金属偏光子。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成され、ダブルへテロ
構造を有するレーザ増幅部と、 前記半導体基板上に形成され、前記レーザ増幅部に光結
合された請求項１記載の金属偏光子とを有し、 前記レーザ増幅部を用いて発光されるレーザ光が、前記
金属偏光子の透過方向で且つ前記レーザ増幅部の活性層
の積層方向と垂直な方向に電界が偏光した直線偏光の光
であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体レーザ装置におい
て、 前記レーザ増幅部に、回折格子が分布反射ミラーとして
設けられており、 前記回折格子により、前記レーザ増幅部から発振される
レーザ光が、前記レーザ増幅部の活性層の積層方向と垂
直な方向に電界が偏光した直線偏光の光となるように制
御され、 前記直線偏光の光が、前記金属偏光子を透過することを
特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 請求項２記載の半導体レーザ装置におい
て、 前記レーザ増幅部の活性層が、引っ張り応力を受ける歪
超格子によって形成されており、 前記活性層の積層方向と垂直な方向に電界が偏光した直
線偏光の光が、前記レーザ増幅部から発振され、 前記直線偏光の光が、前記金属偏光子を透過することを
特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 請求項２記載の半導体レーザ装置におい
て、 前記レーザ増幅部及び前記金属偏光子の相対向する端面
にそれぞれ低反射コートが設けられ、 前記レーザ増幅部及び前記金属偏光子の他方の端面にそ
れぞれ高反射コートが設けられ、 前記高反射コートを反射鏡とするファブリペロー共振器
及び前記ファブリペロー共振器内に存在する前記金属偏
光子により、前記金属偏光子の透過方向で且つ前記レー
ザ増幅部の活性層の積層方向と垂直な方向に電界が偏光
した直線偏光の光を発振することを特徴とする半導体レ
ーザ装置。 - 【請求項６】 請求項２乃至５のいずれかに記載の半導
体レーザ装置において、 前記金属偏光子に光結合してファラデーローテイタが設
けられており、 前記ファラデーローテイタにより、前記レーザ増幅部か
ら発振され前記金属偏光子を透過した前記直線偏光の光
が、所定の角度だけ偏光面を回転することを特徴とする
半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 請求項２乃至５のいずれかに記載の半導
体レーザ装置において、 前記金属偏光子に光結合して位相子が設けられており、 前記位相子により、前記レーザ増幅部から発振され、前
記金属偏光子を透過した前記直線偏光の光が、広義楕円
偏光に変換されることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項８】 請求項７記載の半導体レーザ装置におい
て、 前記位相子が、前記金属偏光子の前記積層部の積層方向
と所定の角度をなして設けられ、伝搬定数の異なる２つ
以上の伝搬モードを有する所定の長さの光導波路層であ
り、 前記レーザ増幅部から発振され前記金属偏光子を透過し
た前記直線偏光の光が、前記光導波路層によって伝搬定
数の異なる２つの伝搬モードに同時に励振されることに
より、広義楕円偏光に変換されることを特徴とする半導
体レーザ装置。 - 【請求項９】 請求項８記載の半導体レーザ装置におい
て、 前記半導体導波路層を上下に挟む半導体層が、それぞれ
相異なる導電型を有しており、 前記半導体層を介して、前記半導体導波路層にキャリア
を注入するか又は逆バイアスを印加するかし、前記半導
体導波路層の屈折率を変化させることにより、偏光状態
を制御することを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28883191A JPH05129728A (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 金属偏光子及び半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28883191A JPH05129728A (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 金属偏光子及び半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129728A true JPH05129728A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17735313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28883191A Withdrawn JPH05129728A (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 金属偏光子及び半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129728A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08201176A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-08-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マイクロ偏光計、マイクロセンサ・システム、および薄膜の特性を測定する方法 |
| JP2010123219A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Sharp Corp | 近接場光発生素子および光アシスト磁気記録素子 |
| JP2019057543A (ja) * | 2017-09-19 | 2019-04-11 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積素子 |
| GB2615989A (en) * | 2021-12-31 | 2023-08-30 | Smart Photonics Holding B V | Polarisation converter and method of fabrication |
-
1991
- 1991-11-05 JP JP28883191A patent/JPH05129728A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08201176A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-08-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マイクロ偏光計、マイクロセンサ・システム、および薄膜の特性を測定する方法 |
| JP2010123219A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Sharp Corp | 近接場光発生素子および光アシスト磁気記録素子 |
| US8254213B2 (en) | 2008-11-21 | 2012-08-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Near-field light generating device and optically-assisted magnetic recording device with absorbing waveguide |
| JP2019057543A (ja) * | 2017-09-19 | 2019-04-11 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積素子 |
| GB2615989A (en) * | 2021-12-31 | 2023-08-30 | Smart Photonics Holding B V | Polarisation converter and method of fabrication |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |