JPH05134384A - レチクルの作成方法 - Google Patents
レチクルの作成方法Info
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- JPH05134384A JPH05134384A JP29311891A JP29311891A JPH05134384A JP H05134384 A JPH05134384 A JP H05134384A JP 29311891 A JP29311891 A JP 29311891A JP 29311891 A JP29311891 A JP 29311891A JP H05134384 A JPH05134384 A JP H05134384A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、自己整合型位相シフトにより解像力
を向上させたレチクルの作成方法に関し、精度良く遮光
膜を形成して位相シフトの効果が十分に発揮され、解像
力の向上を図ることができるレチクルの作成方法を提供
することを目的とする。 【構成】感光性膜のパターン膜８ａ，８ｂ及び位相変換
膜６ａ，６ｂをマスクとして、第１の幅の遮光膜７ｅ，
７ｆが残存するように遮光膜７ｃ，７ｄをエッチング液
によりサイドエッチングする工程と、感光性膜のパター
ン膜８ａ，８ｂ，遮光膜７ｅ，７ｆ及び位相変換膜６
ａ，６ｂを乾燥する工程と、感光性膜のパターン膜８
ａ，８ｂ及び位相変換膜６ａ，６ｂをマスクとして、第
１の幅よりも狭い第２の幅の遮光膜７ａ，７ｂが残存す
るように遮光膜を再びエッチング液によりサイドエッチ
ングする工程とを含み構成する。
を向上させたレチクルの作成方法に関し、精度良く遮光
膜を形成して位相シフトの効果が十分に発揮され、解像
力の向上を図ることができるレチクルの作成方法を提供
することを目的とする。 【構成】感光性膜のパターン膜８ａ，８ｂ及び位相変換
膜６ａ，６ｂをマスクとして、第１の幅の遮光膜７ｅ，
７ｆが残存するように遮光膜７ｃ，７ｄをエッチング液
によりサイドエッチングする工程と、感光性膜のパター
ン膜８ａ，８ｂ，遮光膜７ｅ，７ｆ及び位相変換膜６
ａ，６ｂを乾燥する工程と、感光性膜のパターン膜８
ａ，８ｂ及び位相変換膜６ａ，６ｂをマスクとして、第
１の幅よりも狭い第２の幅の遮光膜７ａ，７ｂが残存す
るように遮光膜を再びエッチング液によりサイドエッチ
ングする工程とを含み構成する。
Description
【０００１】（目次） ・産業上の利用分野 ・従来の技術（図４） ・発明が解決しようとする課題 ・課題を解決するための手段 ・作用 ・実施例（図１〜図３） ・発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、レチクルの作成方法に
関し、更に詳しく言えば、位相シフトにより解像力を向
上させた自己整合型位相シフトレチクルの作成方法に関
する。
関し、更に詳しく言えば、位相シフトにより解像力を向
上させた自己整合型位相シフトレチクルの作成方法に関
する。
【０００３】
【従来の技術】近年、半導体集積回路装置の高密度化に
伴い、パターンの微細化を要し、幅０．３〜０．５μｍ
程度のレジストパターンを形成することが必要となって
いる。
伴い、パターンの微細化を要し、幅０．３〜０．５μｍ
程度のレジストパターンを形成することが必要となって
いる。
【０００４】これを達成するために、露光の際の解像力
を向上すべく、位相シフトレチクルが用いられている。
図３は自己整合型位相シフトレチクルの構造及び自己整
合型位相シフトレチクルを用いた露光方法について説明
する図である。図中符号１は透明基板、２ａ，２ｂは透
明基板１上に形成すべきマスクパターンに対応するよう
に選択的に形成された位相変換膜、３ａ，３ｂは隣接し
て形成されるマスクパターン同士が分離されるように、
かつ位相シフトによる露光光の相殺が適度に行われるよ
うな幅で位相変換膜２ａ，２ｂ上に形成された遮光膜で
ある。
を向上すべく、位相シフトレチクルが用いられている。
図３は自己整合型位相シフトレチクルの構造及び自己整
合型位相シフトレチクルを用いた露光方法について説明
する図である。図中符号１は透明基板、２ａ，２ｂは透
明基板１上に形成すべきマスクパターンに対応するよう
に選択的に形成された位相変換膜、３ａ，３ｂは隣接し
て形成されるマスクパターン同士が分離されるように、
かつ位相シフトによる露光光の相殺が適度に行われるよ
うな幅で位相変換膜２ａ，２ｂ上に形成された遮光膜で
ある。
【０００５】このような自己整合型位相シフトレチクル
を用いて露光を行うと、光の性質上照射すべき領域と照
射すべきでない領域との境界部分で照射すべきでない領
域に広がる露光光が、位相変換膜２ａ，２ｂを通過し、
位相が１８０°シフトした露光光により打ち消されて、
境界部分の強度差が大きくなる。これにより、解像度が
向上する。
を用いて露光を行うと、光の性質上照射すべき領域と照
射すべきでない領域との境界部分で照射すべきでない領
域に広がる露光光が、位相変換膜２ａ，２ｂを通過し、
位相が１８０°シフトした露光光により打ち消されて、
境界部分の強度差が大きくなる。これにより、解像度が
向上する。
【０００６】図４（ａ）〜（ｅ）は、上記の自己整合型
位相シフトレチクルの従来例の作成方法について説明す
る断面図である。まず、図４（ａ）に示すように、透明
基板１上に位相変換膜２ａ及び遮光膜３ａを順次形成す
る。次いで、遮光膜３上にレジスト膜を形成した後、レ
ジスト膜をパターニングし、レジストパターン膜４ａ，
４ｂを形成する。
位相シフトレチクルの従来例の作成方法について説明す
る断面図である。まず、図４（ａ）に示すように、透明
基板１上に位相変換膜２ａ及び遮光膜３ａを順次形成す
る。次いで、遮光膜３上にレジスト膜を形成した後、レ
ジスト膜をパターニングし、レジストパターン膜４ａ，
４ｂを形成する。
【０００７】次に、レジストパターン膜４ａ，４ｂをマ
スクとして遮光膜３及び位相変換膜２を順次エッチング
・除去する（図４（ｂ），（ｃ））。次いで、図４
（ｄ）に示すように、レジストパターン膜４ａ，４ｂ及
び位相変換膜２ａ，２ｂをマスクとして、遮光膜３ｃ，
３ｄをエッチング液によりサイドエッチングし、所望の
幅の遮光膜３ａ，３ｂを残存し、遮光膜のパターン膜３
ａ，３ｂを形成する。
スクとして遮光膜３及び位相変換膜２を順次エッチング
・除去する（図４（ｂ），（ｃ））。次いで、図４
（ｄ）に示すように、レジストパターン膜４ａ，４ｂ及
び位相変換膜２ａ，２ｂをマスクとして、遮光膜３ｃ，
３ｄをエッチング液によりサイドエッチングし、所望の
幅の遮光膜３ａ，３ｂを残存し、遮光膜のパターン膜３
ａ，３ｂを形成する。
【０００８】その後、図４（ｅ）に示すように、レジス
トパターン膜４ａ，４ｂを除去すると、自己整合型位相
シフトレチクルが完成する。
トパターン膜４ａ，４ｂを除去すると、自己整合型位相
シフトレチクルが完成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図４（ｄ）
に示すように、遮光膜３ｃ，３ｄをエッチング液により
サイドエッチングする際、遮光膜３ｃ，３ｄとレジスト
パターン膜４ａ，４ｂとの密着性の良否やエッチング液
の循環の良否がエッチングに影響する。即ち、遮光膜３
ｃ，３ｄとレジストパターン膜４ａ，４ｂとの密着性が
悪い場合、エッチング液の染み込みが生じて遮光膜のパ
ターン膜３ａ，３ｂの形状の悪化を招く。また、位相変
換膜２ａ，２ｂとレジストパターン膜４ａ，４ｂとの間
の遮光膜３ｃ，３ｄの除去部分が狭い場合、この除去部
分に入り込んでエッチング反応を終えた古いエッチング
液と新しいエッチング液との循環がスムーズに行われな
いので、エッチングレートの不安定化による制御性の低
下を招く。このため、レチクル上に所望の幅の位相変換
領域を形成することができず、その結果、位相シフトの
効果が十分に発揮されないという問題がある。
に示すように、遮光膜３ｃ，３ｄをエッチング液により
サイドエッチングする際、遮光膜３ｃ，３ｄとレジスト
パターン膜４ａ，４ｂとの密着性の良否やエッチング液
の循環の良否がエッチングに影響する。即ち、遮光膜３
ｃ，３ｄとレジストパターン膜４ａ，４ｂとの密着性が
悪い場合、エッチング液の染み込みが生じて遮光膜のパ
ターン膜３ａ，３ｂの形状の悪化を招く。また、位相変
換膜２ａ，２ｂとレジストパターン膜４ａ，４ｂとの間
の遮光膜３ｃ，３ｄの除去部分が狭い場合、この除去部
分に入り込んでエッチング反応を終えた古いエッチング
液と新しいエッチング液との循環がスムーズに行われな
いので、エッチングレートの不安定化による制御性の低
下を招く。このため、レチクル上に所望の幅の位相変換
領域を形成することができず、その結果、位相シフトの
効果が十分に発揮されないという問題がある。
【００１０】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、精度良く遮光膜を形成して位相シフトの
効果が十分に発揮され、解像力の向上を図ることができ
るレチクルの作成方法を提供することを目的とするもの
である。
されたもので、精度良く遮光膜を形成して位相シフトの
効果が十分に発揮され、解像力の向上を図ることができ
るレチクルの作成方法を提供することを目的とするもの
である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、透
明基板上に位相変換膜及び遮光膜を順次形成する工程
と、前記遮光膜上に感光性膜を形成した後、該感光性膜
をパターニングし、感光性膜のパターン膜を形成する工
程と、前記感光性膜のパターン膜をマスクとして遮光膜
及び位相変換膜をエッチング・除去する工程と、前記感
光性膜のパターン膜及び位相変換膜をマスクとして、第
１の幅の前記遮光膜が残存するように該遮光膜をエッチ
ング液によりサイドエッチングする工程と、前記感光性
膜のパターン膜，遮光膜及び位相変換膜を乾燥する工程
と、前記感光性膜のパターン膜及び位相変換膜をマスク
として、前記第１の幅よりも狭い第２の幅の遮光膜が残
存するように前記遮光膜を再びエッチング液によりサイ
ドエッチングする工程とを有するレチクルの作成方法に
よって達成され、第２に、前記位相変換膜はＳＯＧ膜又
はSiO2膜であり、かつ前記遮光膜は少なくともクロム
（Ｃｒ）膜を含む１層以上の膜であり、かつ前記感光性
膜はレジスト膜であり、かつ前記エッチング液は硝酸第
２セリウムアンモニウムであることを特徴とするレチク
ルの作成方法によって達成される。
明基板上に位相変換膜及び遮光膜を順次形成する工程
と、前記遮光膜上に感光性膜を形成した後、該感光性膜
をパターニングし、感光性膜のパターン膜を形成する工
程と、前記感光性膜のパターン膜をマスクとして遮光膜
及び位相変換膜をエッチング・除去する工程と、前記感
光性膜のパターン膜及び位相変換膜をマスクとして、第
１の幅の前記遮光膜が残存するように該遮光膜をエッチ
ング液によりサイドエッチングする工程と、前記感光性
膜のパターン膜，遮光膜及び位相変換膜を乾燥する工程
と、前記感光性膜のパターン膜及び位相変換膜をマスク
として、前記第１の幅よりも狭い第２の幅の遮光膜が残
存するように前記遮光膜を再びエッチング液によりサイ
ドエッチングする工程とを有するレチクルの作成方法に
よって達成され、第２に、前記位相変換膜はＳＯＧ膜又
はSiO2膜であり、かつ前記遮光膜は少なくともクロム
（Ｃｒ）膜を含む１層以上の膜であり、かつ前記感光性
膜はレジスト膜であり、かつ前記エッチング液は硝酸第
２セリウムアンモニウムであることを特徴とするレチク
ルの作成方法によって達成される。
【００１２】
【作用】本発明のレチクルの作成方法によれば、遮光膜
のサイドエッチングの途中で位相変換膜，遮光膜及び感
光性膜の乾燥を行っている。
のサイドエッチングの途中で位相変換膜，遮光膜及び感
光性膜の乾燥を行っている。
【００１３】従って、位相変換膜と遮光膜との界面及び
遮光膜と感光性膜との界面に入り込んだエッチング液を
除去することができるので、これらの界面へのエッチン
グ液の染み込みによる遮光膜のパターン膜の形状の悪化
を防止することができる。また、位相変換膜と感光性膜
との間の遮光膜の除去部分に入り込んでエッチング反応
を終えた古いエッチング液を除去し、新しいエッチング
液をエッチング部分に供給することができるので、エッ
チングレートの安定化を図ることができる。これによ
り、精度良く遮光膜を形成して位相シフトの効果が十分
に発揮され、解像力の向上を図ることができる。
遮光膜と感光性膜との界面に入り込んだエッチング液を
除去することができるので、これらの界面へのエッチン
グ液の染み込みによる遮光膜のパターン膜の形状の悪化
を防止することができる。また、位相変換膜と感光性膜
との間の遮光膜の除去部分に入り込んでエッチング反応
を終えた古いエッチング液を除去し、新しいエッチング
液をエッチング部分に供給することができるので、エッ
チングレートの安定化を図ることができる。これによ
り、精度良く遮光膜を形成して位相シフトの効果が十分
に発揮され、解像力の向上を図ることができる。
【００１４】
【実施例】図１（ａ）〜（ｅ），図２（ｆ），（ｇ）
は、本発明の実施例の自己整合型位相シフトレチクルの
作成方法について説明する断面図である。
は、本発明の実施例の自己整合型位相シフトレチクルの
作成方法について説明する断面図である。
【００１５】まず、図１（ａ）に示すように、合成石英
からなる透明基板５上に塗布法により膜厚約０．４μｍ
のＳＯＧ膜からなる位相変換膜６を形成する。なお、位
相変換膜６は膜厚（ｔ） ｔ＝λ／２（ｎ−１） 但し、λ：露光光の波長 ｎ：位相変換膜６の屈折率 を満たすように形成される。
からなる透明基板５上に塗布法により膜厚約０．４μｍ
のＳＯＧ膜からなる位相変換膜６を形成する。なお、位
相変換膜６は膜厚（ｔ） ｔ＝λ／２（ｎ−１） 但し、λ：露光光の波長 ｎ：位相変換膜６の屈折率 を満たすように形成される。
【００１６】次に、この位相変換膜６上にスパッタによ
り膜厚約1000Åのクロム（Ｃｒ）膜からなる遮光膜７を
形成する。なお、遮光膜７として下層Ｃｒ膜／上層酸化
クロム（ＣｒＯ）膜の２層の膜を用いることもできる。
り膜厚約1000Åのクロム（Ｃｒ）膜からなる遮光膜７を
形成する。なお、遮光膜７として下層Ｃｒ膜／上層酸化
クロム（ＣｒＯ）膜の２層の膜を用いることもできる。
【００１７】次いで、遮光膜７上にレジスト膜を形成し
た後、レジスト膜をパターニングし、幅約１．５μｍの
レジストパターン膜（感光性膜のパターン膜）８ａ，８
ｂを形成する。
た後、レジスト膜をパターニングし、幅約１．５μｍの
レジストパターン膜（感光性膜のパターン膜）８ａ，８
ｂを形成する。
【００１８】次に、図１（ｂ）に示すように、レジスト
パターン膜８ａ，８ｂをマスクとしてＣＣｌ4 ガスやＣ
Ｈ2CＣｌ2 ガスを用いたドライエッチング法により遮光
膜７をエッチング・除去する。
パターン膜８ａ，８ｂをマスクとしてＣＣｌ4 ガスやＣ
Ｈ2CＣｌ2 ガスを用いたドライエッチング法により遮光
膜７をエッチング・除去する。
【００１９】続いて、図１（ｃ）に示すように、同じレ
ジストパターン膜８ａ，８ｂをマスクとしてＣＦ4 ガス
を用いたドライエッチング法により位相変換膜６をエッ
チング・除去する。
ジストパターン膜８ａ，８ｂをマスクとしてＣＦ4 ガス
を用いたドライエッチング法により位相変換膜６をエッ
チング・除去する。
【００２０】次いで、図１（ｄ）に示すように、レジス
トパターン膜８ａ，８ｂ及び位相変換膜６ａ，６ｂをマ
スクとして、遮光膜７ｃ，７ｄを硝酸セリウムアンモニ
ウムからなるエッチング液により両サイド各々約０．２
μｍほどサイドエッチングし、幅約１．１μｍの遮光膜
７ｅ，７ｆを残存する。
トパターン膜８ａ，８ｂ及び位相変換膜６ａ，６ｂをマ
スクとして、遮光膜７ｃ，７ｄを硝酸セリウムアンモニ
ウムからなるエッチング液により両サイド各々約０．２
μｍほどサイドエッチングし、幅約１．１μｍの遮光膜
７ｅ，７ｆを残存する。
【００２１】次に、図１（ｅ）に示すように、透明基板
１を温度約１１０℃の恒温槽にいれて約６０分間加熱
し、乾燥する。これにより、位相変換膜６ａ，６ｂと遮
光膜７ｅ，７ｆとの界面及び遮光膜７ｅ，７ｆとレジス
トパターン膜８ａ，８ｂとの界面に入り込んだエッチン
グ液が除去されるとともに、位相変換膜６ａ，６ｂとレ
ジストパターン膜８ａ，８ｂとの間の遮光膜７ｃ，７ｄ
の除去部分に入り込んでエッチング反応を終えた古いエ
ッチング液が除去される。
１を温度約１１０℃の恒温槽にいれて約６０分間加熱
し、乾燥する。これにより、位相変換膜６ａ，６ｂと遮
光膜７ｅ，７ｆとの界面及び遮光膜７ｅ，７ｆとレジス
トパターン膜８ａ，８ｂとの界面に入り込んだエッチン
グ液が除去されるとともに、位相変換膜６ａ，６ｂとレ
ジストパターン膜８ａ，８ｂとの間の遮光膜７ｃ，７ｄ
の除去部分に入り込んでエッチング反応を終えた古いエ
ッチング液が除去される。
【００２２】次いで、図２（ｆ）に示すように、再び、
レジストパターン膜８ａ，８ｂ及び位相変換膜６ａ，６
ｂをマスクとして、硝酸セリウムアンモニウムからなる
エッチング液により遮光膜７ｅ，７ｆを更に両サイド各
々約０．３μｍほどサイドエッチングし、幅約０．５μ
ｍの遮光膜７ａ，７ｂを残存して遮光膜のパターン膜７
ａ，７ｂを形成する。
レジストパターン膜８ａ，８ｂ及び位相変換膜６ａ，６
ｂをマスクとして、硝酸セリウムアンモニウムからなる
エッチング液により遮光膜７ｅ，７ｆを更に両サイド各
々約０．３μｍほどサイドエッチングし、幅約０．５μ
ｍの遮光膜７ａ，７ｂを残存して遮光膜のパターン膜７
ａ，７ｂを形成する。
【００２３】その後、図２（ｇ）に示すように、レジス
トパターン膜８ａ，８ｂを除去すると、自己整合型位相
シフトレチクルが完成する。このようにして作成された
レチクルを用いて露光を行う方法について図３を参照し
ながら説明する。即ち、光の性質上照射すべき領域と照
射すべきでない領域との境界部分で照射すべきでない領
域に広がる露光光が、位相変換膜６ａ，６ｂを通過し、
位相が１８０°シフトした露光光により打ち消されて、
境界部分の強度差が大きくなる。これにより、解像度が
向上する。
トパターン膜８ａ，８ｂを除去すると、自己整合型位相
シフトレチクルが完成する。このようにして作成された
レチクルを用いて露光を行う方法について図３を参照し
ながら説明する。即ち、光の性質上照射すべき領域と照
射すべきでない領域との境界部分で照射すべきでない領
域に広がる露光光が、位相変換膜６ａ，６ｂを通過し、
位相が１８０°シフトした露光光により打ち消されて、
境界部分の強度差が大きくなる。これにより、解像度が
向上する。
【００２４】以上のように、本発明のレチクルの作成方
法によれば、図１（ｅ）に示すように、遮光膜７ｅ，７
ｆのサイドエッチングの途中で位相変換膜６ａ，６ｂ，
遮光膜７ｅ，７ｆ及びレジストパターン膜８ａ，８ｂの
乾燥を行っている。
法によれば、図１（ｅ）に示すように、遮光膜７ｅ，７
ｆのサイドエッチングの途中で位相変換膜６ａ，６ｂ，
遮光膜７ｅ，７ｆ及びレジストパターン膜８ａ，８ｂの
乾燥を行っている。
【００２５】従って、位相変換膜６ａ，６ｂと遮光膜７
ｅ，７ｆとの界面及び遮光膜７ｅ，７ｆとレジストパタ
ーン膜８ａ，８ｂとの界面に入り込んだエッチング液を
除去することができるので、これらの界面へのエッチン
グ液の染み込みによる遮光膜のパターン膜７ａ，７ｂの
形状の悪化を防止することができる。また、位相変換膜
６ａ，６ｂとレジストパターン膜８ａ，８ｂとの間の遮
光膜７ｃ，７ｄの除去部分に入り込んでエッチング反応
を終えた古いエッチング液を除去し、新しいエッチング
液をエッチング部分に供給することができるので、エッ
チングレートの安定化を図ることができる。これによ
り、精度良く遮光膜のパターン膜７ａ，７ｂを形成して
位相シフトの効果が十分に発揮され、解像力の向上を図
ることができる。
ｅ，７ｆとの界面及び遮光膜７ｅ，７ｆとレジストパタ
ーン膜８ａ，８ｂとの界面に入り込んだエッチング液を
除去することができるので、これらの界面へのエッチン
グ液の染み込みによる遮光膜のパターン膜７ａ，７ｂの
形状の悪化を防止することができる。また、位相変換膜
６ａ，６ｂとレジストパターン膜８ａ，８ｂとの間の遮
光膜７ｃ，７ｄの除去部分に入り込んでエッチング反応
を終えた古いエッチング液を除去し、新しいエッチング
液をエッチング部分に供給することができるので、エッ
チングレートの安定化を図ることができる。これによ
り、精度良く遮光膜のパターン膜７ａ，７ｂを形成して
位相シフトの効果が十分に発揮され、解像力の向上を図
ることができる。
【００２６】なお、実施例では、位相変換膜６としてＳ
ＯＧ膜を用いているが、SiO2膜その他の膜を用いてもよ
い。また、乾燥はエッチングの途中で１回行っている
が、２回以上行ってもよい。
ＯＧ膜を用いているが、SiO2膜その他の膜を用いてもよ
い。また、乾燥はエッチングの途中で１回行っている
が、２回以上行ってもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、本発明のレチクルの作成
方法によれば、遮光膜のサイドエッチングの途中で位相
変換膜，遮光膜及び感光性膜の乾燥を行っている。
方法によれば、遮光膜のサイドエッチングの途中で位相
変換膜，遮光膜及び感光性膜の乾燥を行っている。
【００２８】従って、位相変換膜と遮光膜との界面及び
遮光膜と感光性膜との界面に入り込んだエッチング液や
位相変換膜と感光性膜との間の遮光膜の除去部分に入り
込んでエッチング反応を終えた古いエッチング液を除去
することができるので、これらの界面へのエッチング液
の染み込みによる遮光膜のパターン膜の形状の悪化を防
止するとともに、新しいエッチング液をエッチング部分
に供給してエッチングレートの安定化を図ることができ
る。これにより、精度良く遮光膜を形成して位相シフト
の効果が十分に発揮され、解像力の向上を図ることがで
きる。
遮光膜と感光性膜との界面に入り込んだエッチング液や
位相変換膜と感光性膜との間の遮光膜の除去部分に入り
込んでエッチング反応を終えた古いエッチング液を除去
することができるので、これらの界面へのエッチング液
の染み込みによる遮光膜のパターン膜の形状の悪化を防
止するとともに、新しいエッチング液をエッチング部分
に供給してエッチングレートの安定化を図ることができ
る。これにより、精度良く遮光膜を形成して位相シフト
の効果が十分に発揮され、解像力の向上を図ることがで
きる。
【図１】本発明の実施例のレチクルの作成方法について
説明する断面図（その１）である。
説明する断面図（その１）である。
【図２】本発明の実施例のレチクルの作成方法について
説明する断面図（その２）である。
説明する断面図（その２）である。
【図３】位相シフトレチクルを用いた露光方法について
説明する図である。
説明する図である。
【図４】従来例のレチクルの作成方法について説明する
断面図である。
断面図である。
５ 透明基板、 ６，６ａ，６ｂ 位相変換膜、 ７，７ｃ〜７ｆ 遮光膜、 ７ａ，７ｂ 遮光膜のパターン膜、 ８ａ，８ｂ レジストパターン膜（感光性膜のパターン
膜）。
膜）。
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板上に位相変換膜及び遮光膜を順
次形成する工程と、 前記遮光膜上に感光性膜を形成した後、該感光性膜をパ
ターニングし、感光性膜のパターン膜を形成する工程
と、 前記感光性膜のパターン膜をマスクとして遮光膜及び位
相変換膜をエッチング・除去する工程と、 前記感光性膜のパターン膜及び位相変換膜をマスクとし
て、第１の幅の前記遮光膜が残存するように該遮光膜を
エッチング液によりサイドエッチングする工程と、 前記感光性膜のパターン膜，遮光膜及び位相変換膜を乾
燥する工程と、 前記感光性膜のパターン膜及び位相変換膜をマスクとし
て、前記第１の幅よりも狭い第２の幅の遮光膜が残存す
るように前記遮光膜を再びエッチング液によりサイドエ
ッチングする工程とを有するレチクルの作成方法。 - 【請求項２】 前記位相変換膜はＳＯＧ膜又はSiO2膜で
あり、かつ前記遮光膜は少なくともクロム（Ｃｒ）膜を
含む１層以上の膜であり、かつ前記感光性膜はレジスト
膜であり、かつ前記エッチング液は硝酸第２セリウムア
ンモニウムであることを特徴とするレチクルの作成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29311891A JPH05134384A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | レチクルの作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29311891A JPH05134384A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | レチクルの作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05134384A true JPH05134384A (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=17790666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29311891A Withdrawn JPH05134384A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | レチクルの作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05134384A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4438616B4 (de) * | 1993-10-29 | 2004-02-05 | Hyundai Display Technology, Inc. | Halbton-Phasenverschiebermaske |
| JP2011215614A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-10-27 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク、多階調フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 |
| JP2013134435A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Hoya Corp | フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法 |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP29311891A patent/JPH05134384A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4438616B4 (de) * | 1993-10-29 | 2004-02-05 | Hyundai Display Technology, Inc. | Halbton-Phasenverschiebermaske |
| JP2011215614A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-10-27 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク、多階調フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 |
| JP2014219693A (ja) * | 2010-03-15 | 2014-11-20 | Hoya株式会社 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 |
| JP2013134435A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Hoya Corp | フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法 |
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