JPH10104819A - 位相シフトマスクとその形成方法 - Google Patents

位相シフトマスクとその形成方法

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JPH10104819A
JPH10104819A JP15951097A JP15951097A JPH10104819A JP H10104819 A JPH10104819 A JP H10104819A JP 15951097 A JP15951097 A JP 15951097A JP 15951097 A JP15951097 A JP 15951097A JP H10104819 A JPH10104819 A JP H10104819A
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    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ポジ形ホトレジストを用いて半導体ウエハー
上に複数の平行ラインとスペースパターンを形成するた
めに使用される位相シフトマスクにおいて発生する位相
コンフリクト問題を防止するマスク及びその形成方法を
提供する。 【解決手段】 マスクは、交互対の平行で不透明なライ
ンの間で位相シフト材料を使用する。マスク上の不透明
な平行ラインの延長部として形成された不透明な微細チ
ップが、ラインの端部でブリッジを生じさせる位相コン
フリクトを防止する。マスクの形成方法は、透明な基板
の一部又は位相シフト材料として追加された層を用い
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、位相コンフリクト
問題が生じないようにした位相シフトマスク及びその形
成方法に係わり、特に、明視野ラインとポジ形フォトレ
ジストを用いてウエハー上で露光されたスペース・パタ
ーンとの間で、レベンソン(Levenson)の位相シフトマス
クでの位相コンフリクトにより、ブリッジ問題が生じな
いようにした位相シフトマスク及びその形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路ウエハー上に多数の間隔
が小さい平行な等しいラインとスペース明視野パターン
を形成する際に、パターン・サイズが照射（露光）波長
の分解能の限度を越える場合には、特に、位相シフトマ
スクが良く使用される。０°位相シフトの領域と１８０
°位相シフトの領域の間の位相コンフリクト問題は、こ
れらのパターンの端部でブリッジの問題を生じさせる。
ロルフソン(Rolfson) に付与された米国特許第 5,468,5
78号明細書には、不透明領域と透明領域を持つマスクパ
ターンを用いて複数のマスクパターンを形成してマスク
パターンの隣接する透明領域を結合し、これにより、位
相コンフリクトを防止するようにした方法が開示されて
いる。
【０００３】ハセガワ(Hasegawa)らに付与された米国特
許第 5,318,868号明細書には、マスクの異なる領域に異
なる透過率の位相シフト材料を用いるようにしたものが
開示あれている。マーク・ディー・レベンソン(Marc D.
Levenson)の論文“位相シフトマスクの戦略：分離暗ラ
イン”（マイクロリソグラフィー・ワールド(Microlith
ographyWorld)，３月／４月，１９９２年，６−１２
頁）には、分離された暗ラインをパターン化する方法が
開示されている。位相遷移でのブリッジが、ブリッジを
制御するために位相シフト領域の端部の細ポイントの使
用するものとして、議論されている。マーク・ディー・
レベンソン(Marc D. Levenson)の論文“位相シフトマス
クの戦略：ライン・スペース・パターン”（マイクロリ
ソグラフィー・ワールド(Microlithography World)，９
月／１０月，１９９２年，６−１２頁）には、ライン・
スペース・パターンをパターン化する方法が開示されて
いる。位相遷移でのブリッジが、ブリッジを制御するた
めに６０°と１２０°の追加の位相シフト層を使用する
ものとして、議論されている。
【０００４】本発明は、微細な間隔の平行不透明ライン
の端部で不透明微細ポイントを形成することにより、位
相コンフリクト問題の発生を防止するようにした位相シ
フトマスクに係わる。位相シフト領域の端部での微細ポ
イントは、マスクが等ライン・スペース明視野パターン
を形成するために使用される際に、半導体ウエハー上に
残された残留レジストの問題を有する。この問題は、最
終的に離間した平行不透明ラインの端部で不透明微細ポ
イントを用いることにより、防止される。また、本発明
は、位相シフトマスクを形成する方法にも係わる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】半導体集積回路ウエハ
ーの製造のための最小特徴長さが、サブミクロン領域ま
で小さくなってきているため、ホトリソグラフ処理に用
いられるマスクに、大きな分解能が要求される。位相シ
フトマスクは、これらのマスクの分解能の限界を向上さ
せるために良く使用される。マスクからウエハーに転写
されるパターンが一連の平行ラインを有する場合には、
一連の平行ラインを有するグレーティング・パターンが
使用可能である。これらの場合には、マスクは、それら
の間にスペースを有する一連の平行不透明ラインを有す
る。この種の従来のマスクが図１に示されている。即
ち、図１は、透明なマスク基板１０上に、それらの間に
スペース１４を持つ平行な不透明ライン１２が形成され
た従来のマスクを示している。不透明ライン１２は、斜
め影線で示されている。
【０００６】図１に示されたタイプのマスクの分解能を
向上させるために、位相シフト材料が良く使用される。
図２に示すように、平行不透明ライン２２が透明基板２
０上に形成される。位相シフト材料２４が、交互に対と
なるラインの間のスペースに形成される。図２におい
て、本明細書中の他の全ての平面図と同様に、不透明領
域は斜め影線で示され、位相シフト領域は水平な影線で
示され、０°位相シフトの透明領域は影線で示されてい
ない。図２に示すように、不透明ライン２２の間又は最
外部の不透明ラインに隣接する残りのスペース２１は、
透明材料のみを有する。このタイプのマスクは、レベン
ソン(Levenson)又は交互アパチャーの位相シフトマスク
と呼ばれることが多い。図２に示された交互アパチャー
位相シフトマスクを半導体ウエハー上のポジ形レジスト
と共に使用すると、ライン端部の位相コンフリクトによ
り問題が生じる。この位相コンフリクトは、位相シフト
材料から、それらの間に位相シフト材料を持つライン対
の端部の透明材料への急激な変化に起因する。図３に示
すように、この位相コンフリクトにより、半導体ウエハ
ー７０上に形成されたライン７２の端部でブリッジ・パ
ターン７４が生じる。
【０００７】また、不透明なラインの端部で生じる位相
コンフリクトの問題を防止するために他の方法が用いら
れている。図４は、マスクの位相シフト領域の端部に３
角形状のセクションを有する位相微細チップを用いた従
来のマスクの平面図を示している。図５は、マスクの位
相シフト領域の端部に６０°と１２０°の位相シフトス
テップを用いた従来のマスクの平面図を示している。図
４は、位相微細チップを用いて位相コンフリクト問題の
発生を防止するようにしたマスクを示す。１８０°の位
相シフトを行う位相シフト材料２４は、水平な影線で示
されている。不透明な材料２２は、斜めの影線で示され
ている。不透明なライン２２と位相シフトライン２４
は、透明なマスク基板２０上に形成されている。底辺２
７と高さ２８を持つ３角形状セクション２５が、位相シ
フトラインの端部に形成されている。底辺幅２７に対す
る高さ２８の比が約３と等しくなったとき、ラインの端
部で発生するブリッジ問題が防止される。しかしなが
ら、この方法には、マスクを用いて等ラインとスペース
明視野パターンを形成する場合、半導体ウエハー上に残
留レジストが発生するという問題がある。
【０００８】図５は、透明なマスク基板２０上に形成さ
れた１８０°位相シフトライン２４の端部で６０°の位
相シフト領域３２と１２０°の位相シフト領域３０を使
用するマスクの平面図である。図５において、不透明領
域２２は斜めの影線で示され、１８０°の位相シフト領
域２４は水平な影線で示され、１２０°の位相シフト領
域３０は垂直な影線で示され、６０°の位相シフト領域
３２は水平な破線の影線で示されている。このマスクに
おいて、１８０°の位相シフトから０°の位相シフトま
で緩やかに遷移するため、位相コンフリクト問題の発生
が防止される。しかしながら、この方法には、余分なレ
ベルである６０°と１２０°位相シフトを形成しなけれ
ばならないため、コストが高くなり複雑となるという問
題がある。
【０００９】本発明の目的は、位相コンフリクト及びラ
イン端部のブリッジの発生を防止する平行ラインを形成
する位相シフトマスクを提供することにある。また、本
発明の目的は、位相コンフリクト及びライン端部のブリ
ッジの発生を防止する平行ラインを形成する位相シフト
マスクの形成方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の位相シフトマスクは、位相シフトマスクの
不透明なラインの端部で不透明な微細なチップ又は３角
形状のセグメントを有することを特徴としている。この
ように構成された本発明おいては、不透明な微細なチッ
プにより、位相コンフリクト問題の発生が防止され、さ
らに、残留ホトレジスト及び６０°と１２０°の余分の
位相シフトレベルの発生が防止される。
【００１１】
【発明の実施の形態】図６乃至図８により、微細な不透
明(opaque)チップを用いた本発明の位相シフトマスクの
一実施形態を説明する。図６は、クロムなどの材料から
作られた平行な不透明なライン２２を示し、この平行な
不透明なライン２２は石英などの透明な(transparent)
マスク基板上に形成される。図６において、不透明な領
域は斜めの影線で示され、１８０°位相シフト領域は水
平な影線で示される。平行な不透明ライン２２の各々の
端部には３角形状のセグメント４０が形成され、各３角
形状セグメント４０は、平行不透明ライン２２の幅３４
及び高さ３６と等しい底辺幅を有する。位相シフト材料
２４は、マスクを照らすために使用するライトのために
約１８０°の位相シフトを持ち、この位相シフト材料２
４は、各不透明ライン２２が位相シフト材料２４の一つ
のみの領域と透明な材料２０の一つの領域とに隣接する
ように、対の平行な不透明ライン２２の間に形成され
る。位相シフト材料２４の各領域の端部が広がって対応
する不透明な微細チップ４０の間の領域を満たしてい
る。
【００１２】図６のマスクは、ラインとスペースのパタ
ーンを形成するポジ形ホトレジストを用いて、半導体ウ
エハー上に平行なラインとスペースを形成するために使
用される。不透明な微細チップの底辺幅３４に対する高
さ３６の比が約２〜５の場合には、この不透明な微細チ
ップにより、隣接するラインの端部の間でブリッジを生
じさせる０°位相シフト領域と１８０°位相シフト領域
の間の急激な位相シフトが防止される。図７は、図６の
７−７’線に沿う位相シフトマスクの断面図である。こ
の位相シフトマスクは、不透明な微細チップを用いてい
る。この位相シフトマスクでは、位相シフトパターンが
透明なマスク基板内でエッチングされ、さらに、透明な
マスク基板の厚みが異なるため位相シフトが１８０°異
なる。透明なマスク基板のマスク部分では、石英などの
材料が、エッチングにより取り除かれ、透明な基板材料
２４が位相シフト領域を形成するのに用いられる。不透
明な領域２２はクロムなどの材料により形成される。
【００１３】図８は、図６の８−８’線に沿う位相シフ
トマスクの断面図である。この位相シフトマスクは、不
透明な微細チップを用いている。この位相シフトマスク
では、位相シフト材料が透明なマスク基板の上に形成さ
れ１８０°相違する位相シフトを与えている。このマス
クでは、酸化珪素やスピンオングラス(spin-on-glass)
が、透明なマスク基板２０の上で且つ対の不透明なライ
ン２２の間に形成されている。位相シフト材料２４の厚
みが調整され、マスクを照らすために使用される光の波
長、例えば、３６５ナノメータのアイライン(i-line)、
２４８ナノメータのクリプトンフッ化物、又は１９３ナ
ノメータのアルゴンフッ化物で、約１８０°の位相シフ
トを与えている。次に、図９乃至図１４を参照して本発
明の不透明な微細チップを有する位相シフトマスクの形
成方法の一実施形態を説明する。この位相シフトマスク
では、位相シフトパターンが透明なマスク基板内でエッ
チングされ、透明なマスク基板の厚みが異なりこれによ
り１８０°相違する位相シフトが与えられる。
【００１４】図９に示すように、約８００乃至１４００
オングストロームの厚みを有するクロムなどの材料の不
透明層２１が、透明なマスク基板２０の上に形成され
る。この透明なマスク基板２０は、５インチのレティク
ル（網状のマスクパターン）用の約０．０９０インチの
厚み又は６インチのレティクル用の約０．２５インチの
厚みを有する石英などの材料である。ホトレジスト５０
の層が、不透明材料２１の上に形成される。その後、平
行な不透明なラインと不透明な微細チップのパターン
が、電子ビーム露光法により、ホトレジスト５０の層に
形成される。マスクとしてホトレジストパターンを使用
して、パターンがウエットエッチング法により不透明な
クロム層に形成される。図１０は、不透明マスク基板２
０上の不透明材料に形成された不透明な平行ライン２０
と不透明な微細チップ４０を示している。図１１は、図
１０の１１−１１’線に沿う断面図であり、透明なマス
ク基板２０上に形成され不透明なライン２２の断面を示
している。
【００１５】次に、図１２と図１３に示すように、ホト
レジストパターン５２が、透明なマスク基板のこれらの
領域の上に形成され、透明なマスク基板の余分な厚みに
より、１８０°の位相シフトが与えられことになる。こ
のホトレジストパターン５２は、ホトレジスト層の電子
ビーム露光により形成される。図１３は、図１２の１３
−１３’線に沿う断面図であり、透明なマスク基板２０
上の不透明な平行ライン２２の上に形成されたホトレジ
ストパターン５２の断面を示している。次に、図１４に
示すように、透明なマスク基板２０のホトレジストパタ
ーンに覆われていない部分が、異方性のドライエッチン
グにより部分的に取り除かれ、さらに、ホトレジストが
取り去られる。平行で不透明なラインパターン２２の一
部が、エッチングマスクの一部分となり、それがエッチ
ングを不透明な材料に形成されるパターンに自動的に整
合させる。透明なマスク基板の異方性ドライエッチング
は、完成したマスクを照らすのに使用される波長の光の
ために１８０°の位相シフトを与える材料の量となるよ
うに、制御される。透明なマスク基板２４のエッテング
されない部分は、完成されたマスクで１８０°の位相シ
フトを与える。
【００１６】次に、図９乃至図１１及び図１５乃至図１
８を参照して、本発明の不透明な微細チップを有する位
相シフトマスクの形成方法の他の実施形態を説明する。
この位相シフトマスクでは、透明なマスク基板上に位相
シフトを形成しこれにより１８０°相違する位相シフト
が与えられる。不透明な微細チップを有する不透明な平
行ラインのパターンが、上述した実施形態（図９乃至図
１１参照）と同様に形成される。次に、図１５に示すよ
うに、位相シフト材料６０の層が、透明なマスク基板２
０上で不透明なライン２２を覆うように形成される。位
相シフト材料は、酸化珪素又はスピン・オン・グラスの
ような材料であり、さらに、完成されたマスクを照らす
のに使用される光の波長のために１８０°の位相シフト
を与える厚みを有する。次に、ホトレジストパターン５
５が、１８０°の位相シフトを与えるためにその後に残
される位相シフト材料の領域を覆うように、位相シフト
材料の層の上に形成される（図１６と図１７参照）。ホ
トレジストパターンが、電子ビーム露光及び成長したホ
トレジスト層を用いて、形成される。
【００１７】次に、図１８に示すように、ホトレジスト
により覆われていない位相シフト材料６２の層の部分
が、異方性のドライエッチングにより取り除かれ、さら
に、ホトレジストが取り去られる。位相シフト材料が、
交互に対をなす隣接した平行で不透明なライン２２と不
透明な微細チップの間の透明な基板２０の領域の上に依
然として残っている。位相シフト材料６２は、不透明な
平行ライン２２の一部分を覆っており、これにより、位
相シフト材料の端部位置が臨界的なものとならない。位
相シフト材料６２が１８０°の位相シフトを与える。以
上、本発明を好適な実施形態に関して説明したが、当業
者は特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々
の変更・修正等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 半導体ウエハー上に平行なラインとスペース
を形成する平行な不透明ラインを有し、通常バイナリー
又はクロム・マスクと呼ばれている従来のマスクを示す
平面図
【図２】 複数対の不透明ラインの間に位相シフト材料
を有する平行な不透明ラインを備え、通常レベルソン位
相シフトマスク又は交互位相シフトマスクと呼ばれてい
る従来のマスクを示す平面図
【図３】 図２の従来のマスクを用いて形成された半導
体ウエハー上の隣接する平行ラインの間のブリッジを示
す平面図
【図４】 微細位相チップを用いて位相コンフリクト問
題の発生を防止するようにした従来のマスクを示す平面
図
【図５】 ６０°と１２０°の位相領域を用いて位相コ
ンフリクト問題の発生を防止するようにした従来のマス
クを示す平面図
【図６】 本発明による不透明な微細チップを用いた位
相シフトマスクを示す平面図
【図７】 透明なマスク基板の異なる厚みにより１８０
°位相シフトパターンが形成され、不透明な微細チップ
を用いた本発明の位相シフトマスクの図６の７−７’線
に沿う断面図
【図８】 透明なマスク基板上の位相シフト材料のパタ
ーン化された層が１８０°の位相シフトパターンを形成
し、不透明な微細チップを用いた本発明の位相シフトマ
スクの図６の８−８’線に沿う断面図
【図９】 透明なマスク基板上に形成された不透明材料
層とホトレジスト層を示す断面図
【図１０】 本発明のマスクのために不透明ラインの端
部に形成された不透明微細チップを示す平面図
【図１１】 図１０の１１−１１’線に沿う断面図
【図１２】 透明マスク基板をエッチングして１８０°
の位相シフトパターンを形成するために、透明なマスク
基板上の不透明なラインの上に形成されたホトレジスト
パターンを示す平面図
【図１３】 図１２の１３−１３’線に沿う断面図
【図１４】 透明なマスク基板をエッチングして１８０
°の位相シフトパターンを形成する本発明の完成した位
相シフトマスクを示す断面図
【図１５】 透明なマスク基板と不透明なラインの上に
位相シフト材料の層が形成され、この透明なマスク基板
上に形成された不透明なラインを示す断面図
【図１６】 位相シフト材料の層で１８０°位相シフト
パターンをエッチングするために図１５に示す不透明な
ラインと位相シフト材料の層の上に形成されたホトレジ
ストのパターンを示す平面図
【図１７】 図１６の１７−１７’線に沿う断面図
【図１８】 位相シフト材料内でエッチングされた１８
０°の位相シフトパターンを用いた本発明の完成した位
相シフトマスクを示す断面図
【符号の説明】
２０ 透明なマスク基板 ２１ 不透明層（不透明材料） ２２ 不透明なライン（不透明な領域） ２４ 位相シフト材料 ３４ 幅 ３６ 高さ ４０ 不透明な微細チップ（３角形状のセグメント） ５０ ホトレジスト ５２ ホトレジストパターン ５５ ホトレジストパターン ６０ 位相シフト材料 ６２ 位相シフト材料

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明な基板と；この透明な基板上に形成
    された複数の平行で不透明なパターンであって、この不
    透明なパターンの各々が、２つの平行な側部と、これら
    の２つの平行な側部の間の距離に等しい幅と、これらの
    ２つの平行な側部と垂直な端部と、この端部から延びる
    ３角形状領域であってこの３角形状領域が底辺と高さを
    有し且つこの底辺が上記端部により形成されている３角
    形状領域とを有する上記不透明なパターンと；上記透明
    な基板上に形成された複数の位相シフトパターンであっ
    て、この位相シフトパターンの各々が上記不透明なパタ
    ーンの一つに隣接している位相シフトパターンと；及び
    上記透明な基板上に形成された複数の透明なパターンで
    あって、この透明なパターンの各々が上記不透明なパタ
    ーンの一つに隣接している上記透明なパターンと；を有
    することを特徴とする位相シフトマスク。
  2. 【請求項２】 上記透明な基板が石英であることを特徴
    とする請求項１記載の位相シフトマスク。
  3. 【請求項３】 上記不透明なパターンがクロムから形成
    されていることを特徴とする請求項１記載の位相シフト
    マスク。
  4. 【請求項４】 上記幅が約０．５から２．５ミクロンで
    あることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマス
    ク。
  5. 【請求項５】 上記の高さ／幅が、約２から５であるこ
    とを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスク。
  6. 【請求項６】 上記位相シフトパターンがスピン・オン
    ・グラスから形成されていることを特徴とする請求項１
    記載の位相シフトマスク。
  7. 【請求項７】 上記位相シフトパターンが、約３６５ナ
    ノメータの波長を有する光のために約１８０°の位相シ
    フトを与えることを特徴とする請求項１記載の位相シフ
    トマスク。
  8. 【請求項８】 上記位相シフトパターンが、約２４８ナ
    ノメータの波長を有する光のために約１８０°の位相シ
    フトを与えることを特徴とする請求項１記載の位相シフ
    トマスク。
  9. 【請求項９】 上記位相シフトパターンが、約１９３ナ
    ノメータの波長を有する光のために約１８０°の位相シ
    フトを与えることを特徴とする請求項１記載の位相シフ
    トマスク。
  10. 【請求項１０】 位相シフトマスクの形成方法であっ
    て、この方法が：透明な基板を準備する工程と；この透
    明な基板上に不透明な材料の層を形成する工程と；この
    不透明な材料の層の上にホトレジスト第１層を形成する
    工程と；このホトレジスト第１層に第１パターンを形成
    する工程と；上記ホトレジスト第１層の上記第１パター
    ンをマスクとして使用してエッチングにより上記不透明
    な材料の層に第１パターンを形成し、これにより複数の
    不透明な材料の第１パターン要素を形成し、この不透明
    な材料の第１パターン要素の各々が、２つの平行な側部
    と、これらの２つの平行な側部の間の距離に等しい幅
    と、これらの２つの平行な側部と垂直な端部と、この端
    部から延びる３角形状領域であってこの３角形状領域が
    底辺と高さを有し且つこの底辺が上記端部により形成さ
    れている３角形状領域とを有する工程と；上記ホトレジ
    スト第１層に形成された上記第１パターンを取り除く工
    程と；上記透明な基板の上に、上記不透明な材料の層に
    形成された上記第１パターンを覆うホトレジスト第２層
    を形成する工程と；このホトレジスト第２層に第２パタ
    ーンを形成する工程であって、このホトレジスト第２層
    の第２パターンは複数の第２パターン要素を有し、この
    ホトレジスト第２層の第２パターン要素の各々が２つの
    隣接する上記不透明な材料の第１パターン要素の間の上
    記透明な基板の部分を覆い且つこれらの２つの隣接する
    不透明な第１パターン要素と接触し、これにより、上記
    不透明な材料の第１パターン要素の各々が上記ホトレジ
    スト第２層の一つのみの第２パターン要素と接触する工
    程と；上記不透明な材料の層に形成された上記第１パタ
    ーン又は上記ホトレジスト第２層に形成された第２パタ
    ーンに覆われていない上記透明な基板の部分を第１深さ
    だけエッチングにより取り去る工程と；及び上記ホトレ
    ジスト第２層に形成された上記第２パターンを取り除く
    工程と；を有することを特徴とする位相シフトマスクの
    形成方法。
  11. 【請求項１１】 上記透明な基板が石英であることを特
    徴とする請求項１０記載の位相シフトマスクの形成方
    法。
  12. 【請求項１２】 上記不透明な材料がクロムであること
    を特徴とする請求項１０記載の位相シフトマスクの形成
    方法。
  13. 【請求項１３】 上記幅が約０．５から２．５ミクロン
    であることを特徴とする請求項１０記載の位相シフトマ
    スクの形成方法。
  14. 【請求項１４】 上記の高さ／幅が、約２から５である
    ことを特徴とする請求項１０記載の位相シフトマスクの
    形成方法。
  15. 【請求項１５】 上記透明な基板の上記第１深さが、約
    ３６５ナノメータの波長を有する光のために約１８０°
    の位相シフトを与えることを特徴とする請求項１０記載
    の位相シフトマスクの形成方法。
  16. 【請求項１６】 上記透明な基板の上記第１深さが、約
    ２４８ナノメータの波長を有する光のために約１８０°
    の位相シフトを与えることを特徴とする請求項１０記載
    の位相シフトマスクの形成方法。
  17. 【請求項１７】 上記透明な基板の上記第１深さが、約
    １９３ナノメータの波長を有する光のために約１８０°
    の位相シフトを与えることを特徴とする請求項１０記載
    の位相シフトマスクの形成方法。
  18. 【請求項１８】 位相シフトマスクの形成方法であっ
    て、この方法が：透明な基板を準備する工程と；この透
    明な基板上に不透明な材料の層を形成する工程と；この
    不透明な材料の層の上にホトレジスト第１層を形成する
    工程と；このホトレジスト第１層に第１パターンを形成
    する工程と；上記ホトレジスト第１層の上記第１パター
    ンをマスクとして使用してエッチングにより上記不透明
    な材料の層に第１パターンを形成し、これにより複数の
    不透明な材料の第１パターン要素を形成し、この不透明
    な材料の第１パターン要素の各々が、２つの平行な側部
    と、これらの２つの平行な側部の間の距離に等しい幅
    と、これらの２つの平行な側部と垂直な端部と、この端
    部から延びる３角形状領域であってこの３角形状領域が
    底辺と高さを有し且つこの底辺が上記端部により形成さ
    れている３角形状領域とを有する工程と；上記ホトレジ
    スト第１層に形成された上記第１パターンを取り除く工
    程と；上記透明な基板の上に、上記不透明な材料の層に
    形成された上記第１パターンを覆う位相シフト材料層を
    形成する工程と；この位相シフト材料層の上にホトレジ
    スト第２層を形成する工程と；このホトレジスト第２層
    に第２パターンを形成する工程であって、このホトレジ
    スト第２層の第２パターンは複数の第２パターン要素を
    有し、このホトレジスト第２層の第２パターン要素の各
    々が２つの隣接する上記不透明な材料の第１パターン要
    素の間の上記透明な基板の部分を覆い且つ２つの隣接す
    る上記不透明な材料の第１パターン要素の部分を覆い、
    これにより、上記不透明な材料の第１パターン要素の各
    々の上記部分が上記ホトレジスト第２層の一つのみの第
    ２パターン要素に覆われる工程と；上記ホトレジスト第
    ２層に形成された上記第２パターンにより覆われていな
    い上記位相シフト材料の上記部分をエッチングにより取
    り去る工程と；及び上記ホトレジスト第２層に形成され
    た上記第２パターンを取り除く工程と；を有することを
    特徴とする位相シフトマスクの形成方法。
  19. 【請求項１９】 上記透明な基板が石英であることを特
    徴とする請求項１８記載の位相シフトマスクの形成方
    法。
  20. 【請求項２０】 上記不透明な材料がクロムであること
    を特徴とする請求項１８記載の位相シフトマスクの形成
    方法。
  21. 【請求項２１】 上記幅が約０．５から２．５ミクロン
    であることを特徴とする請求項１８記載の位相シフトマ
    スクの形成方法。
  22. 【請求項２２】 上記の高さ／幅が、約２から５である
    ことを特徴とする請求項１８記載の位相シフトマスクの
    形成方法。
  23. 【請求項２３】 上記位相シフト材料がスピン・オン・
    グラスであることを特徴とする請求項１８記載の位相シ
    フトマスクの形成方法。
  24. 【請求項２４】 上記位相シフト材料が酸化珪素である
    ことを特徴とする請求項１８記載の位相シフトマスクの
    形成方法。
  25. 【請求項２５】 上記位相シフト材料が、約３６５ナノ
    メータの波長を有する光のために約１８０°の位相シフ
    トを与える厚みを有することを特徴とする請求項１８記
    載の位相シフトマスクの形成方法。
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