JPS649621B2 - - Google Patents
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- JPS649621B2 JPS649621B2 JP7050383A JP7050383A JPS649621B2 JP S649621 B2 JPS649621 B2 JP S649621B2 JP 7050383 A JP7050383 A JP 7050383A JP 7050383 A JP7050383 A JP 7050383A JP S649621 B2 JPS649621 B2 JP S649621B2
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- tank
- photomask
- cleaning
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- mask
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- Expired
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はIC、LSI、VLSI等の半導体素子製造
に用いる光露乎用マスクの洗浄方法及びそれに用
いる洗浄装置に係るものである。
に用いる光露乎用マスクの洗浄方法及びそれに用
いる洗浄装置に係るものである。
半導体素子製造工程に於て経済性を最も大きく
支配しているものは、光露光工程であり、従来、
光露光用マスクへの欠陥発生及び光露光工程での
半導体基板からマスクへの異物付着に対する対策
が種々検討されている。とくに密着式露光方式か
ら投影式露光方式や縮小投影式露光方式への露光
技術の変更は、半導体基板からマスクへの異物転
写がなくなり顕著に製造コストを減少した。しか
しながら、光露光方式は遠紫外、紫外線をマスク
に照射するため、マスクの透明基板の一主表面上
に形成されている遮光用の所要パターンの導電層
もしくは半導体層への静電荷蓄積により、マスク
の使用前後に浮遊塵埃が表裏面に吸着される。こ
の吸着された塵埃は、従来のマスク洗浄機におい
て、中性洗剤、純水、ジエツトスクラブ等で片面
もしくは両面（表裏面）を洗浄しているが、従来
装置では転写パターンチツプの５％未満に塵埃が
出ないことを保証することも不可能であつた。更
に、縮小投影露光装置では、3μ以上の欠陥を
“０”とし、且つ洗浄液の乾燥時のシミ、ヨゴレ
等を発生することのないレチクルマスク洗浄機が
要望されており、この種の要望に応じ、且つ作業
性の良好なマスク洗浄技術は未知であつた。
支配しているものは、光露光工程であり、従来、
光露光用マスクへの欠陥発生及び光露光工程での
半導体基板からマスクへの異物付着に対する対策
が種々検討されている。とくに密着式露光方式か
ら投影式露光方式や縮小投影式露光方式への露光
技術の変更は、半導体基板からマスクへの異物転
写がなくなり顕著に製造コストを減少した。しか
しながら、光露光方式は遠紫外、紫外線をマスク
に照射するため、マスクの透明基板の一主表面上
に形成されている遮光用の所要パターンの導電層
もしくは半導体層への静電荷蓄積により、マスク
の使用前後に浮遊塵埃が表裏面に吸着される。こ
の吸着された塵埃は、従来のマスク洗浄機におい
て、中性洗剤、純水、ジエツトスクラブ等で片面
もしくは両面（表裏面）を洗浄しているが、従来
装置では転写パターンチツプの５％未満に塵埃が
出ないことを保証することも不可能であつた。更
に、縮小投影露光装置では、3μ以上の欠陥を
“０”とし、且つ洗浄液の乾燥時のシミ、ヨゴレ
等を発生することのないレチクルマスク洗浄機が
要望されており、この種の要望に応じ、且つ作業
性の良好なマスク洗浄技術は未知であつた。
本発明の目的は、縮小投影露光装置に用いるレ
チクルマスクの3μ以上の付着物を完全に除去で
きるレチクルマスク洗浄方法とその洗浄装置を提
供することにある。
チクルマスクの3μ以上の付着物を完全に除去で
きるレチクルマスク洗浄方法とその洗浄装置を提
供することにある。
次に本発明の実施例について図面を参照して説
明する。
明する。
図は本発明の実施例を表わした図であり、本実
施例のマスク洗浄方法および装置は次の通りであ
る。すなわち、マスク洗浄装置は電解液槽１０
０、シヤワー槽２００、蒸気槽３００の３つの洗
浄槽より成るものである。まず、電解槽１００
は、二重槽の構造を持ち、ポンプ１によりアンモ
ニア水２が内槽に供給される。供給されたアンモ
ニア水２は内槽３よりあふれ出て外槽４へ溜ま
る。外槽４へはポンプ１の吸引側が接続されてお
り、ポンプ１を通して、再び内槽３にアンモニア
水２が供給される。尚、電解液２の清浄度維持の
ため電解液２の循環ラインには、フイルタ１６が
取り付けてある。
施例のマスク洗浄方法および装置は次の通りであ
る。すなわち、マスク洗浄装置は電解液槽１０
０、シヤワー槽２００、蒸気槽３００の３つの洗
浄槽より成るものである。まず、電解槽１００
は、二重槽の構造を持ち、ポンプ１によりアンモ
ニア水２が内槽に供給される。供給されたアンモ
ニア水２は内槽３よりあふれ出て外槽４へ溜ま
る。外槽４へはポンプ１の吸引側が接続されてお
り、ポンプ１を通して、再び内槽３にアンモニア
水２が供給される。尚、電解液２の清浄度維持の
ため電解液２の循環ラインには、フイルタ１６が
取り付けてある。
一方シヤワー槽２００は、ホトマスク１０を出
し入れするだけのスリツトを設けた密閉槽５の中
に、図に表すように、ホトマスク１０に対して両
側の上、中、下段にシヤワーノズル６が取り付け
られている。密閉槽５の底にはドレンを設け、そ
の下にイソプロピルアルコール９を溜めるタンク
７が取り付けられている。このタンク７より、ポ
ンプ８によつてイソプロピルアルコール９は加圧
され、シヤワーノズル６に達する。イソプロピル
アルコール９のシヤワーにより、ホトマスク１０
は洗浄される。このように、イソプロピルアルコ
ール９はポンプ８により循環され、又その循環ラ
インにはイソプロピルアルコール清浄度維持のた
め、フイルタ１１が取り付けられている。
し入れするだけのスリツトを設けた密閉槽５の中
に、図に表すように、ホトマスク１０に対して両
側の上、中、下段にシヤワーノズル６が取り付け
られている。密閉槽５の底にはドレンを設け、そ
の下にイソプロピルアルコール９を溜めるタンク
７が取り付けられている。このタンク７より、ポ
ンプ８によつてイソプロピルアルコール９は加圧
され、シヤワーノズル６に達する。イソプロピル
アルコール９のシヤワーにより、ホトマスク１０
は洗浄される。このように、イソプロピルアルコ
ール９はポンプ８により循環され、又その循環ラ
インにはイソプロピルアルコール清浄度維持のた
め、フイルタ１１が取り付けられている。
蒸気槽３００は、これもまた、ホトマスク１０
を出し入れするだけのスリツトを開け、他は密閉
された槽１２の中にトリクロロトリクルオロエタ
ン１３を入れ、槽１２の底部にヒーター１４を取
りつける。一方、槽１２の上部には冷却水が流れ
ている冷却パイプ１５が設けられて、蒸発したト
リクロロトリフルオロエタン１３を結露させて、
槽１２の底部に戻す構造となつている。
を出し入れするだけのスリツトを開け、他は密閉
された槽１２の中にトリクロロトリクルオロエタ
ン１３を入れ、槽１２の底部にヒーター１４を取
りつける。一方、槽１２の上部には冷却水が流れ
ている冷却パイプ１５が設けられて、蒸発したト
リクロロトリフルオロエタン１３を結露させて、
槽１２の底部に戻す構造となつている。
以上のような構成で、順次ホトマスク１０を上
下させながら、各槽を通して洗浄することにより
下記のような効果が得られる。
下させながら、各槽を通して洗浄することにより
下記のような効果が得られる。
まず、第１工程である電解液槽１００におい
て、フイルタ１６にて過された常にある一定の清
浄度に維持されたアンモニア水２により、ホトマ
スク１０は洗浄され、かつ、ホトマスク１０をこ
の電解液槽１００より取り出したときにも、アン
モニア水２であるがゆえに、ホトマスク１０上に
静電気が帯びることがないため、静電気によるホ
トマスクへのゴミ、チリの吸着等が皆無となる。
又アンモニア水中を浮遊している塵埃等は、アン
モニア水２がオーバーフローするとともに外槽４
に流れ込み、ポンプ１、フイルタ１６を通して濾
過される。
て、フイルタ１６にて過された常にある一定の清
浄度に維持されたアンモニア水２により、ホトマ
スク１０は洗浄され、かつ、ホトマスク１０をこ
の電解液槽１００より取り出したときにも、アン
モニア水２であるがゆえに、ホトマスク１０上に
静電気が帯びることがないため、静電気によるホ
トマスクへのゴミ、チリの吸着等が皆無となる。
又アンモニア水中を浮遊している塵埃等は、アン
モニア水２がオーバーフローするとともに外槽４
に流れ込み、ポンプ１、フイルタ１６を通して濾
過される。
次に第２工程であるシヤワー槽２００において
イソプロピルアルコール９をホトマスク１０に吹
きかけることにより、ホトマスク表面上のアンモ
ニア水２をイソプロピルアルコール９に置換し、
次工程の乾燥を安易にかつ確実に行なわしめる。
又イソプロピルアルコール９のシヤワーを用いて
ホトマスク１０を洗浄するため、ホトマスク１０
に付着している塵埃を除去する効果は、通常の浸
せき方式に比較して、非常に高く、時間も短いた
め効率的である。
イソプロピルアルコール９をホトマスク１０に吹
きかけることにより、ホトマスク表面上のアンモ
ニア水２をイソプロピルアルコール９に置換し、
次工程の乾燥を安易にかつ確実に行なわしめる。
又イソプロピルアルコール９のシヤワーを用いて
ホトマスク１０を洗浄するため、ホトマスク１０
に付着している塵埃を除去する効果は、通常の浸
せき方式に比較して、非常に高く、時間も短いた
め効率的である。
最後の第３工程である蒸気槽３００は、トリク
ロロトリフルオロエタン１３の蒸気にホトマスク
１０を浸すことを目的とする。ホトマスク１０を
一旦、トリクロロトリフルオロエタン１３の蒸気
に浸した後、ホトマスク１０を蒸気槽より取り出
すとホトマスク１０は、短時間で、かつ自然乾燥
に近い状態で完全に乾燥される。この第３工程で
は、塵埃等の付着、吸着のこと考えると、短い時
間で完全に自然乾燥させることが是非必要であ
り、本蒸気槽はその役割りを充分に果すものであ
る。
ロロトリフルオロエタン１３の蒸気にホトマスク
１０を浸すことを目的とする。ホトマスク１０を
一旦、トリクロロトリフルオロエタン１３の蒸気
に浸した後、ホトマスク１０を蒸気槽より取り出
すとホトマスク１０は、短時間で、かつ自然乾燥
に近い状態で完全に乾燥される。この第３工程で
は、塵埃等の付着、吸着のこと考えると、短い時
間で完全に自然乾燥させることが是非必要であ
り、本蒸気槽はその役割りを充分に果すものであ
る。
以上、実施例にもとづいて、本発明の説明を行
なつたが、電解液にはアンモニア水以外炭酸水で
も良く、要するに静電気を帯びないでフイルタに
より清浄度が維持出来る薬液なら良い。又シヤワ
ー槽においてもイソプロピルアルコール以外のア
ルコール系有機薬品なら効果は同じである。シヤ
ワーノズルの形状も、本発明ではフルコーン型ノ
ズルを用いたが、フラツトコーン型ノズルを混ぜ
たり、ノズル数を変えることによつて、ホトマス
クの汚れ具合により適切なシヤワー洗浄が可能で
あり、より一層の効果が得られる。
なつたが、電解液にはアンモニア水以外炭酸水で
も良く、要するに静電気を帯びないでフイルタに
より清浄度が維持出来る薬液なら良い。又シヤワ
ー槽においてもイソプロピルアルコール以外のア
ルコール系有機薬品なら効果は同じである。シヤ
ワーノズルの形状も、本発明ではフルコーン型ノ
ズルを用いたが、フラツトコーン型ノズルを混ぜ
たり、ノズル数を変えることによつて、ホトマス
クの汚れ具合により適切なシヤワー洗浄が可能で
あり、より一層の効果が得られる。
図は本発明の実施例を表わした模型的断面図で
ある。 １……電解液循環用ポンプ、２……アンモニア
水、３……電解液槽の内槽、４……電解液槽の外
槽、５……シヤワー用密閉槽、６……シヤワーノ
ズル、７……タンク、８……アルコール系有機薬
品循環用ポンプ、９……イソプロピルアルコー
ル、１０……ホトマスク、１１……アルコール系
有機薬品用フイルタ、１２……蒸気槽用密閉槽、
１３……トリクロロトリフルオロエタン、１４…
…ヒーター、１５……冷却パイプ、１６……電解
液用フイルタ。
ある。 １……電解液循環用ポンプ、２……アンモニア
水、３……電解液槽の内槽、４……電解液槽の外
槽、５……シヤワー用密閉槽、６……シヤワーノ
ズル、７……タンク、８……アルコール系有機薬
品循環用ポンプ、９……イソプロピルアルコー
ル、１０……ホトマスク、１１……アルコール系
有機薬品用フイルタ、１２……蒸気槽用密閉槽、
１３……トリクロロトリフルオロエタン、１４…
…ヒーター、１５……冷却パイプ、１６……電解
液用フイルタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ホトマスクを電解液に濡らす第１の工程と、
次に前記ホトマスクをアルコール系有機薬品でシ
ヤワー洗浄する第２の工程と、その後前記ホトマ
スクをフツ化炭化水素系の蒸気を用いて蒸気洗浄
及び乾燥する第３の工程とを含むことを特徴とす
るホトマスクの洗浄方法。 ２ 槽下部から液体を導入して上部からオーバー
フローさせる手段を有する第１の洗浄槽と、槽内
にシヤワー装置を有する第２の洗浄槽と、槽内に
低沸点物質の蒸気を発生させる手段を有する第３
の洗浄槽を具備し、フオトマスクを保持した保持
治具が前記各洗浄槽を順次処理移動する機構を備
えていることを特徴とするホトマスクの洗浄装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070503A JPS59195654A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | ホトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070503A JPS59195654A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | ホトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59195654A JPS59195654A (ja) | 1984-11-06 |
| JPS649621B2 true JPS649621B2 (ja) | 1989-02-17 |
Family
ID=13433393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58070503A Granted JPS59195654A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | ホトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59195654A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161685A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-29 | 佐波 二三雄 | 機械部品等の洗浄方法 |
| JPH0320734A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Matsushita Electron Corp | 洗浄装置 |
| JP2577867Y2 (ja) * | 1990-12-28 | 1998-08-06 | 東京瓦斯株式会社 | 浴槽洗浄用ノズル |
| JP2001192699A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-17 | Minolta Co Ltd | 洗浄方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712831A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-22 | Standard Oil Co | Carbonylation of olefin unsaturated compound |
| JPS57141614A (en) * | 1981-02-25 | 1982-09-02 | Canon Inc | Manufacture of electrooptical display device |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP58070503A patent/JPS59195654A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59195654A (ja) | 1984-11-06 |
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