JPH05134777A - 定電流回路 - Google Patents
定電流回路Info
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- JPH05134777A JPH05134777A JP32658091A JP32658091A JPH05134777A JP H05134777 A JPH05134777 A JP H05134777A JP 32658091 A JP32658091 A JP 32658091A JP 32658091 A JP32658091 A JP 32658091A JP H05134777 A JPH05134777 A JP H05134777A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 14
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 定電流を出力する出力トランジスタの飽和を
防止する。 【構成】 定電流出力トランジスタ２の出力電流を分流
するための分流用トランジスタ３を設ける。このトラン
ジスタ３の導通状態をトランジスタ２の出力端電位ＶＣ
２に応じて制御する。そのために、ＶＣ２の電位をトラ
ンジスタ４にて検出し、この検出状態に応じてトランジ
スタ３のベース電位を制御する。 【効果】 負荷状態により出力電位ＶＣ２が上昇する
と、トランジスタ４の電流ＩＲ１が増大し、トランジス
タ３のベース電位ＶＢ３が上昇する。よってトランジス
タ３の導通状態が深くなり、出力電流Ｉ２がトランジス
タ３にて分流され、ＶＣ２の上昇が抑えられるので、ト
ランジスタ２の飽和防止ができる。
防止する。 【構成】 定電流出力トランジスタ２の出力電流を分流
するための分流用トランジスタ３を設ける。このトラン
ジスタ３の導通状態をトランジスタ２の出力端電位ＶＣ
２に応じて制御する。そのために、ＶＣ２の電位をトラ
ンジスタ４にて検出し、この検出状態に応じてトランジ
スタ３のベース電位を制御する。 【効果】 負荷状態により出力電位ＶＣ２が上昇する
と、トランジスタ４の電流ＩＲ１が増大し、トランジス
タ３のベース電位ＶＢ３が上昇する。よってトランジス
タ３の導通状態が深くなり、出力電流Ｉ２がトランジス
タ３にて分流され、ＶＣ２の上昇が抑えられるので、ト
ランジスタ２の飽和防止ができる。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は定電流回路に関し、特に負荷回路
のバイアス電流を設定するためのトランジスタ定電流回
路に関するものである。
のバイアス電流を設定するためのトランジスタ定電流回
路に関するものである。
【０００２】
【従来技術】図２はこの種の定電流回路の例を示す。定
電流値を決定するＰＮＰトランジスタ１とこの定電流値
を出力するＰＮＰトランジスタ２は、同一形状、同一サ
イズであり、同一電気的特性を有し、トランジスタ１，
２の電流増幅率βは十分大きく、ベース電流はコレクタ
電流に比し無視できるものとする。
電流値を決定するＰＮＰトランジスタ１とこの定電流値
を出力するＰＮＰトランジスタ２は、同一形状、同一サ
イズであり、同一電気的特性を有し、トランジスタ１，
２の電流増幅率βは十分大きく、ベース電流はコレクタ
電流に比し無視できるものとする。
【０００３】また、トランジスタ２のコレクタ電位は両
トランジスタのベース電位よりも低くなるように電流源
回路と負荷回路とは設計されているものとする。
トランジスタのベース電位よりも低くなるように電流源
回路と負荷回路とは設計されているものとする。
【０００４】両トランジスタ１，２のエミッタは電源Ｖ
ccに接続され、トランジスタ１のベースとコレクタ及び
トランジスタ２のベースとは共通接続されて図示せぬ電
流源回路に接続されている。トランジスタ２のコレクタ
から図示せぬ負荷回路へ定電流バイアスが出力される。
ccに接続され、トランジスタ１のベースとコレクタ及び
トランジスタ２のベースとは共通接続されて図示せぬ電
流源回路に接続されている。トランジスタ２のコレクタ
から図示せぬ負荷回路へ定電流バイアスが出力される。
【０００５】かかる構成において、トランジスタ１，２
のベース電流ＩＢは、 ＩＢ＝ＩＢ１＋ＩＢ２ ……（１） となり、トランジスタ１とトランジスタ２とは同じ電気
的特性を持っているので 、 ＩＢ１＝ＩＢ２ ……（２） となる。
のベース電流ＩＢは、 ＩＢ＝ＩＢ１＋ＩＢ２ ……（１） となり、トランジスタ１とトランジスタ２とは同じ電気
的特性を持っているので 、 ＩＢ１＝ＩＢ２ ……（２） となる。
【０００６】トランジスタ１のコレクタ電流ＩＣ１は、 ＩＣ１＝ＩＢ１×β ……（３） となる。電流源電流Ｉ１は、 Ｉ１＝ＩＣ１＋ＩＢ ……（４） となる。トランジスタ２のコレクタ電流ＩＣ２は、 ＩＣ２＝ＩＢ２×β ……（５） となり、これが負荷回路に流込む。
【０００７】トランジスタ１，２は同じ電気的特性を持
つので、トランジスタ１のベース電流ＩＢ１とトランジ
スタ２のベース電流ＩＢ２とは等しい。よって、式
（２）（３）（５）よりトランジスタ１のコレクタ電流
ＩＣ１は、 ＩＣ１＝ＩＣ２ ……（６） となる。
つので、トランジスタ１のベース電流ＩＢ１とトランジ
スタ２のベース電流ＩＢ２とは等しい。よって、式
（２）（３）（５）よりトランジスタ１のコレクタ電流
ＩＣ１は、 ＩＣ１＝ＩＣ２ ……（６） となる。
【０００８】全ベース電流ＩＢはトランジスタ１のコレ
クタ電流ＩＣ１に対して非常に小さく無視できるので、
電流源電流Ｉ１は、 Ｉ１＝ＩＣ１ ……（７） となる。トランジスタ１のコレクタ電流ＩＣ１とトラン
ジスタ２のコレクタ電流ＩＣ２とは等しいので、式
（６）（７）より電流源電流Ｉ１は、 Ｉ１＝ＩＣ２ ……（８） となる。
クタ電流ＩＣ１に対して非常に小さく無視できるので、
電流源電流Ｉ１は、 Ｉ１＝ＩＣ１ ……（７） となる。トランジスタ１のコレクタ電流ＩＣ１とトラン
ジスタ２のコレクタ電流ＩＣ２とは等しいので、式
（６）（７）より電流源電流Ｉ１は、 Ｉ１＝ＩＣ２ ……（８） となる。
【０００９】すなわち、この種の定電流回路は、電流源
電流Ｉ１と同じ電流値の電流を図示せぬ負荷回路に流す
ことができる回路となっている。
電流Ｉ１と同じ電流値の電流を図示せぬ負荷回路に流す
ことができる回路となっている。
【００１０】この様な従来の定電流回路では、トランジ
スタ２のコレクタ電流ＩＣ２と負荷回路とにより、その
コレクタ電位が定まるので、温度変化や素子のバラツキ
により負荷回路の負荷状態が変化し、トランジスタ２の
コレクタ電位が変動すると、トランジスタ１，２のベー
ス電位よりも高くなることがある。そうすると、トラン
ジスタ２が飽和する可能性があって好ましくない。
スタ２のコレクタ電流ＩＣ２と負荷回路とにより、その
コレクタ電位が定まるので、温度変化や素子のバラツキ
により負荷回路の負荷状態が変化し、トランジスタ２の
コレクタ電位が変動すると、トランジスタ１，２のベー
ス電位よりも高くなることがある。そうすると、トラン
ジスタ２が飽和する可能性があって好ましくない。
【００１１】
【発明の目的】本発明の目的は、定電流を負荷へ供給す
るトランジスタの飽和動作を防止することが可能な定電
流回路を提供することである。
るトランジスタの飽和動作を防止することが可能な定電
流回路を提供することである。
【００１２】
【発明の構成】本発明によれば、定電流値を決定する第
１のトランジスタと、前記定電流を負荷へ供給する第２
のトランジスタとを有する定電流回路であって、この定
電流の出力端と基準電位点との間に設けられ前記定電流
出力を分流するための第３のトランジスタと、前記出力
端の電位に応じて前記第３のトランジスタの導通状態を
制御する制御手段とを含むことを特徴とする定電流回路
が得られる。
１のトランジスタと、前記定電流を負荷へ供給する第２
のトランジスタとを有する定電流回路であって、この定
電流の出力端と基準電位点との間に設けられ前記定電流
出力を分流するための第３のトランジスタと、前記出力
端の電位に応じて前記第３のトランジスタの導通状態を
制御する制御手段とを含むことを特徴とする定電流回路
が得られる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１４】図１は本発明の一実施例を示した回路図で
あるる。本実施例では、定電流回路のバイアス電流を流
すトランジスタが１個、バイアス電流を流すトランジス
タの飽和を防止するＮＰＮトランジスタが２個、飽和を
防止するトランジスタに流す電流値を設定する抵抗が２
個の場合について説明する。
あるる。本実施例では、定電流回路のバイアス電流を流
すトランジスタが１個、バイアス電流を流すトランジス
タの飽和を防止するＮＰＮトランジスタが２個、飽和を
防止するトランジスタに流す電流値を設定する抵抗が２
個の場合について説明する。
【００１５】なお、トランジスタ２の飽和を防止するト
ランジスタ３と４とは、同じ形、同じ大きさのトランジ
スタを同一方向に配置するので同じ電気的特性を持つも
のとする。また、トランジスタ３と４との増幅率βは十
分大きく、ベース電流はコレクタ電流に対して非常に小
さく無視できるものとする。
ランジスタ３と４とは、同じ形、同じ大きさのトランジ
スタを同一方向に配置するので同じ電気的特性を持つも
のとする。また、トランジスタ３と４との増幅率βは十
分大きく、ベース電流はコレクタ電流に対して非常に小
さく無視できるものとする。
【００１６】まず構成について述べる。トランジスタ１
と２とのエミッタと飽和防止回路１０のトランジスタ４
のコレクタとは、電源Ｖccに接続されている。トランジ
スタ１のベースとコレクタとトランジスタ２のベースと
は、図示していない電流源回路に接続されている。
と２とのエミッタと飽和防止回路１０のトランジスタ４
のコレクタとは、電源Ｖccに接続されている。トランジ
スタ１のベースとコレクタとトランジスタ２のベースと
は、図示していない電流源回路に接続されている。
【００１７】トランジスタ２のコレクタと飽和防止回路
１０のトランジスタ３のコレクタとトランジスタ４のベ
ースとは、図示していない負荷回路に接続されている。
トランジスタ３のベースは飽和防止回路１０の抵抗Ｒ１
を用いてトランジスタ４のエミッタに接続され、飽和防
止回路１０の抵抗Ｒ２を用いてグランドに接続されてい
る。
１０のトランジスタ３のコレクタとトランジスタ４のベ
ースとは、図示していない負荷回路に接続されている。
トランジスタ３のベースは飽和防止回路１０の抵抗Ｒ１
を用いてトランジスタ４のエミッタに接続され、飽和防
止回路１０の抵抗Ｒ２を用いてグランドに接続されてい
る。
【００１８】次に、動作について説明する。まず、飽和
防止回路１０について説明する。なおトランジスタ３に
コレクタ電流ＩＣ３が流れているときのベース−エミッ
タ間電圧をＶＢＥ３とする。トランジスタ３のベース−
エミッタ間電圧がＶＢＥ３より小さくなると、トランジ
スタ３にコレクタ電流ＩＣ３が流れなくなる。しかし、
トランジスタ２のコレクタ電位ＶＣ２の変動に関係な
く、常にトランジスタ４にコレクタ電流が流れる。トラ
ンジスタ４にコレクタ電流が流れているときのベース−
エミッタ間電圧をＶＢＥ４とする。
防止回路１０について説明する。なおトランジスタ３に
コレクタ電流ＩＣ３が流れているときのベース−エミッ
タ間電圧をＶＢＥ３とする。トランジスタ３のベース−
エミッタ間電圧がＶＢＥ３より小さくなると、トランジ
スタ３にコレクタ電流ＩＣ３が流れなくなる。しかし、
トランジスタ２のコレクタ電位ＶＣ２の変動に関係な
く、常にトランジスタ４にコレクタ電流が流れる。トラ
ンジスタ４にコレクタ電流が流れているときのベース−
エミッタ間電圧をＶＢＥ４とする。
【００１９】トランジスタ３にコレクタ電流ＩＣ３が流
れているとき、トランジスタ３のベース電位ＶＢ３は、 ＶＢ３＝ＶＢＥ３ ……（９） となり、抵抗Ｒ２に流れる電流ＩＲ２は、 ＩＲ２＝ＶＢ３／Ｒ２ ＝ＶＢＥ３／Ｒ２ ……（１０） となる。抵抗Ｒ１に流れる電流ＩＲ１は、 ＩＲ１＝ＩＲ２＋ＩＢ３ ……（１１） となる。
れているとき、トランジスタ３のベース電位ＶＢ３は、 ＶＢ３＝ＶＢＥ３ ……（９） となり、抵抗Ｒ２に流れる電流ＩＲ２は、 ＩＲ２＝ＶＢ３／Ｒ２ ＝ＶＢＥ３／Ｒ２ ……（１０） となる。抵抗Ｒ１に流れる電流ＩＲ１は、 ＩＲ１＝ＩＲ２＋ＩＢ３ ……（１１） となる。
【００２０】トランジスタ３のベース電流ＩＢ３が抵抗
Ｒ２に流れる電流ＩＲ２に対して非常に小さく無視でき
るように抵抗Ｒ２を設定すると、抵抗Ｒ１に流れる電流
ＩＲ１は、 ＩＲ１＝ＩＲ２ ……（１２） となる。抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２に流れる電流が等しいの
で、トランジスタ４のエミッタ電位ＶＥ４は、 ＶＥ４＝ＶＢ３×（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ２ ＝ＶＢＥ３×（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ２ ……（１３） となる。
Ｒ２に流れる電流ＩＲ２に対して非常に小さく無視でき
るように抵抗Ｒ２を設定すると、抵抗Ｒ１に流れる電流
ＩＲ１は、 ＩＲ１＝ＩＲ２ ……（１２） となる。抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２に流れる電流が等しいの
で、トランジスタ４のエミッタ電位ＶＥ４は、 ＶＥ４＝ＶＢ３×（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ２ ＝ＶＢＥ３×（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ２ ……（１３） となる。
【００２１】トランジスタ４には常にコレクタ電流が流
れているので、トランジスタ４のベース電位、すなわち
トランジスタ２のコレクタ電位ＶＣ２は、 ＶＣ２＝ＶＢ３×（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ２＋ＶＢＥ４ ＝ＶＢＥ３×（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ２＋ＶＢＥ４ ……（１４） となる。
れているので、トランジスタ４のベース電位、すなわち
トランジスタ２のコレクタ電位ＶＣ２は、 ＶＣ２＝ＶＢ３×（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ２＋ＶＢＥ４ ＝ＶＢＥ３×（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ２＋ＶＢＥ４ ……（１４） となる。
【００２２】トランジスタ３にコレクタ電流ＩＣ３が流
れているとき、トランジスタ２のコレクタ電位ＶＣ２は
抵抗Ｒ１とＲ２とによって設定することができ、トラン
ジスタ３のコレクタ電流ＩＣ３が変化しても、設定した
電位を一定に保つことができる。
れているとき、トランジスタ２のコレクタ電位ＶＣ２は
抵抗Ｒ１とＲ２とによって設定することができ、トラン
ジスタ３のコレクタ電流ＩＣ３が変化しても、設定した
電位を一定に保つことができる。
【００２３】トランジスタ２のコレクタ電位ＶＣ２が設
定した電位より低くなると、トランジスタ２のコレクタ
電位ＶＣ２は、 ＶＣ２＝ＶＢ３×（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ２＋ＶＢＥ４ ＜ＶＢＥ３×（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ２＋ＶＢＥ４ ……（１５） となり、トランジスタ３のベース電位ＶＢ３は、 ＶＢ３＜ＶＢＥ３ ……（１６） となる。
定した電位より低くなると、トランジスタ２のコレクタ
電位ＶＣ２は、 ＶＣ２＝ＶＢ３×（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ２＋ＶＢＥ４ ＜ＶＢＥ３×（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ２＋ＶＢＥ４ ……（１５） となり、トランジスタ３のベース電位ＶＢ３は、 ＶＢ３＜ＶＢＥ３ ……（１６） となる。
【００２４】従って、トランジスタ３のベース−エミッ
タ間電圧はＶＢＥ３より小さくなるので、トランジスタ
３にコレクタ電流ＩＣ３が流れなくなる。
タ間電圧はＶＢＥ３より小さくなるので、トランジスタ
３にコレクタ電流ＩＣ３が流れなくなる。
【００２５】次に、回路全体の動作について説明する。
まず、トランジスタ３にコレクタ電流ＩＣ３が流れてい
るときのトランジスタ２のコレクタ電位ＶＣ２を、トラ
ンジスタ１と２とのベース電位ＶＢと同電位になるよう
に抵抗Ｒ１とＲ２とを設定する。
まず、トランジスタ３にコレクタ電流ＩＣ３が流れてい
るときのトランジスタ２のコレクタ電位ＶＣ２を、トラ
ンジスタ１と２とのベース電位ＶＢと同電位になるよう
に抵抗Ｒ１とＲ２とを設定する。
【００２６】トランジスタ１と２とのエミッタとトラン
ジスタ４のコレクタとに、電源電圧Ｖccを供給する。ト
ランジスタ２のコレクタ電位ＶＣ２がトランジスタ１と
２とのベース電位ＶＢより低いとき、トランジスタ３の
ベース電位ＶＢ３はＶＢＥ３より低くなり、トランジス
タ３のベース−エミッタ間電圧がＶＢＥ３より小さくな
る。
ジスタ４のコレクタとに、電源電圧Ｖccを供給する。ト
ランジスタ２のコレクタ電位ＶＣ２がトランジスタ１と
２とのベース電位ＶＢより低いとき、トランジスタ３の
ベース電位ＶＢ３はＶＢＥ３より低くなり、トランジス
タ３のベース−エミッタ間電圧がＶＢＥ３より小さくな
る。
【００２７】従って、トランジスタ３にコレクタ電流Ｉ
Ｃ３が流れなくなるので、負荷電流Ｉ２は、 Ｉ２＝ＩＣ２−ＩＢ４ ……（１７） となる。トランジスタ４のベース電流ＩＢ４がトランジ
スタ２のコレクタ電流ＩＣ２に対して非常に小さく無視
できるので、負荷電流Ｉ２は、 Ｉ２＝ＩＣ２ ……（１８） となり、式（８）（１８）より負荷電流Ｉ２は、 Ｉ２＝Ｉ１ ……（１９） となる。
Ｃ３が流れなくなるので、負荷電流Ｉ２は、 Ｉ２＝ＩＣ２−ＩＢ４ ……（１７） となる。トランジスタ４のベース電流ＩＢ４がトランジ
スタ２のコレクタ電流ＩＣ２に対して非常に小さく無視
できるので、負荷電流Ｉ２は、 Ｉ２＝ＩＣ２ ……（１８） となり、式（８）（１８）より負荷電流Ｉ２は、 Ｉ２＝Ｉ１ ……（１９） となる。
【００２８】温度変化や構成素子のバラツキによって負
荷回路の負荷が変化し、トランジスタ２のコレクタ電位
ＶＣ２が上昇し、トランジスタ１と２のベース電位ＶＢ
と同電位になると、トランジスタ３のベース電位ＶＢ３
はＶＢＥ３となり、トランジスタ３にコレクタ電流ＩＣ
３が流れる。トランジスタ３にコレクタ電流ＩＣ３が流
れるとことより、負荷電流Ｉ２が減少し、トランジスタ
２のコレクタ電位ＶＣ２の上昇はトランジスタ１と２と
のベース電位ＶＢで止まる。
荷回路の負荷が変化し、トランジスタ２のコレクタ電位
ＶＣ２が上昇し、トランジスタ１と２のベース電位ＶＢ
と同電位になると、トランジスタ３のベース電位ＶＢ３
はＶＢＥ３となり、トランジスタ３にコレクタ電流ＩＣ
３が流れる。トランジスタ３にコレクタ電流ＩＣ３が流
れるとことより、負荷電流Ｉ２が減少し、トランジスタ
２のコレクタ電位ＶＣ２の上昇はトランジスタ１と２と
のベース電位ＶＢで止まる。
【００２９】すなわち、温度変化や構成素子のバラツキ
によってトランジスタ２に接続する負荷回路の負荷の変
化によって、トランジスタ２のコレクタ電位ＶＣ２が上
昇した場合に、トランジスタ３のコレクタ電流ＩＣ３に
よって負荷電流Ｉ２を制御し、トランジスタ２のコレク
タ電位ＶＣ２をトランジスタ１と２とのベース電位ＶＢ
より高くならないようにすることで、トランジスタ２の
飽和を防止できることができる。
によってトランジスタ２に接続する負荷回路の負荷の変
化によって、トランジスタ２のコレクタ電位ＶＣ２が上
昇した場合に、トランジスタ３のコレクタ電流ＩＣ３に
よって負荷電流Ｉ２を制御し、トランジスタ２のコレク
タ電位ＶＣ２をトランジスタ１と２とのベース電位ＶＢ
より高くならないようにすることで、トランジスタ２の
飽和を防止できることができる。
【００３０】図３は本発明の他の実施例の回路図であ
る。本実施例では、定電流回路のバイアス電流を流すト
ランジスタが２個、バイアス電流を流すトランジスタの
飽和を防止するトランジスタが４個、飽和を防止するト
ランジスタに流す電流値を設定する抵抗が４個の場合に
ついて説明する。
る。本実施例では、定電流回路のバイアス電流を流すト
ランジスタが２個、バイアス電流を流すトランジスタの
飽和を防止するトランジスタが４個、飽和を防止するト
ランジスタに流す電流値を設定する抵抗が４個の場合に
ついて説明する。
【００３１】なお、バイアス電流値を決定するトランジ
スタ１とバイアス電流を流すトランジスタ２と５とは、
同じ形、同じ大きさのトランジスタを同一方向に配置す
るので同じ電気的特性を持ち、トランジスタ１と２と５
との増幅率βは十分大きく、ベース電流はコレクタ電流
に対して非常に小さく無視できる。
スタ１とバイアス電流を流すトランジスタ２と５とは、
同じ形、同じ大きさのトランジスタを同一方向に配置す
るので同じ電気的特性を持ち、トランジスタ１と２と５
との増幅率βは十分大きく、ベース電流はコレクタ電流
に対して非常に小さく無視できる。
【００３２】また、トランジスタ２のコレクタ電位ＶＣ
２とトランジスタ５のコレクタ電位ＶＣ５は、トランジ
スタ１と２と５とのベース電位ＶＢＢより低くなるよう
に、電流源回路と各負荷回路夫々が設計されている。
２とトランジスタ５のコレクタ電位ＶＣ５は、トランジ
スタ１と２と５とのベース電位ＶＢＢより低くなるよう
に、電流源回路と各負荷回路夫々が設計されている。
【００３３】また、トランジスタ２の飽和を防止するト
ランジスタ３と４と同様に、トランジスタ５の飽和を防
止するトランジスタ６と７とは、同じ形、同じ大きさの
トランジスタを同一方向に配置するので同じ電気的特性
を持ち、トランジスタ６と７との増幅率βは十分大き
く、ベース電流はコレクタ電流に対して非常に小さく無
視できる。
ランジスタ３と４と同様に、トランジスタ５の飽和を防
止するトランジスタ６と７とは、同じ形、同じ大きさの
トランジスタを同一方向に配置するので同じ電気的特性
を持ち、トランジスタ６と７との増幅率βは十分大き
く、ベース電流はコレクタ電流に対して非常に小さく無
視できる。
【００３４】まず構成について述べる。トランジスタ
１，２のエミッタとトランジスタ４のコレクタとトラン
ジスタ５のエミッタと飽和防止回路２０のトランジスタ
７のコレクタは、電源に接続されている。
１，２のエミッタとトランジスタ４のコレクタとトラン
ジスタ５のエミッタと飽和防止回路２０のトランジスタ
７のコレクタは、電源に接続されている。
【００３５】トランジスタ１のベースとコレクタとトラ
ンジスタ２のベースとトランジスタ５のベースとは、図
示していない電流源回路に接続されている。トランジス
タ２，３のコレクタとトランジスタ４のベースとは、図
示していない負荷回路に接続されている。
ンジスタ２のベースとトランジスタ５のベースとは、図
示していない電流源回路に接続されている。トランジス
タ２，３のコレクタとトランジスタ４のベースとは、図
示していない負荷回路に接続されている。
【００３６】トランジスタ３のベースは、抵抗Ｒ１を用
いてトランジスタ４のエミッタに接続され、抵抗Ｒ２を
用いてグランドに接続されている。トランジスタ５のコ
レクタと飽和防止回路２０のトランジスタ６のコレクタ
とトランジスタ７のベースとは、図示していない負荷回
路に接続されている。
いてトランジスタ４のエミッタに接続され、抵抗Ｒ２を
用いてグランドに接続されている。トランジスタ５のコ
レクタと飽和防止回路２０のトランジスタ６のコレクタ
とトランジスタ７のベースとは、図示していない負荷回
路に接続されている。
【００３７】トランジスタ６のベースは、飽和防止回路
２０の抵抗Ｒ３を用いてトランジスタ７のエミッタに接
続され、飽和防止回路２０の抵抗Ｒ４を用いてグランド
に接続されている。
２０の抵抗Ｒ３を用いてトランジスタ７のエミッタに接
続され、飽和防止回路２０の抵抗Ｒ４を用いてグランド
に接続されている。
【００３８】次に、動作について説明する。まず、飽和
防止回路２０について説明する。尚、トランジスタ６に
コレクタ電流ＩＣ６が流れているときのベース−エミッ
タ間電圧をＶＢＥ６とし、トランジスタ６のベース−エ
ミッタ間電圧がＶＢＥ６より小さくなると、トランジス
タ６にコレクタ電流ＩＣ６が流れなくなる。しかし、ト
ランジスタ５のコレクタ電位ＶＣ５の変動に関係なく、
常にトランジスタ７にコレクタ電流が流れる。
防止回路２０について説明する。尚、トランジスタ６に
コレクタ電流ＩＣ６が流れているときのベース−エミッ
タ間電圧をＶＢＥ６とし、トランジスタ６のベース−エ
ミッタ間電圧がＶＢＥ６より小さくなると、トランジス
タ６にコレクタ電流ＩＣ６が流れなくなる。しかし、ト
ランジスタ５のコレクタ電位ＶＣ５の変動に関係なく、
常にトランジスタ７にコレクタ電流が流れる。
【００３９】トランジスタ７にコレクタ電流が流れると
きのベース−エミッタ間電圧をＶＢＥ７とする。また、
飽和防止回路２０は飽和防止回路１０と同じ電気的特性
を持つ。
きのベース−エミッタ間電圧をＶＢＥ７とする。また、
飽和防止回路２０は飽和防止回路１０と同じ電気的特性
を持つ。
【００４０】トランジスタ６にコレクタ電流ＩＣ６が流
れているとき、トランジスタ５のコレクタ電位ＶＣ５は
抵抗Ｒ３とＲ４とによって設定することができ、トラン
ジスタ６のコレクタ電流ＩＣ６が変化しても、設定した
電位を一定に保つことができる。また、トランジスタ５
のコレクタ電位ＶＣ５が設定した電位より低くなると、
トランジスタ６のベース−エミッタ間電位はＶＢＥ６よ
り小さくなり、トランジスタ６にコレクタ電流ＩＣ６が
流れなくなる。
れているとき、トランジスタ５のコレクタ電位ＶＣ５は
抵抗Ｒ３とＲ４とによって設定することができ、トラン
ジスタ６のコレクタ電流ＩＣ６が変化しても、設定した
電位を一定に保つことができる。また、トランジスタ５
のコレクタ電位ＶＣ５が設定した電位より低くなると、
トランジスタ６のベース−エミッタ間電位はＶＢＥ６よ
り小さくなり、トランジスタ６にコレクタ電流ＩＣ６が
流れなくなる。
【００４１】次に、図３の回路動作について説明する。
まず、トランジスタ３にコレクタ電流ＩＣ３が流れてい
るときのトランジスタ２のコレクタ電位ＶＣ２と、トラ
ンジスタ６にコレクタ電流ＩＣ６が流れているときのト
ランジスタ５のコレクタ電位ＶＣ５を、トランジスタ１
と２と５とのベース電位ＶＢＢと同電位になるように、
抵抗Ｒ１とＲ２及び抵抗Ｒ３とＲ４とを夫々設定する。
まず、トランジスタ３にコレクタ電流ＩＣ３が流れてい
るときのトランジスタ２のコレクタ電位ＶＣ２と、トラ
ンジスタ６にコレクタ電流ＩＣ６が流れているときのト
ランジスタ５のコレクタ電位ＶＣ５を、トランジスタ１
と２と５とのベース電位ＶＢＢと同電位になるように、
抵抗Ｒ１とＲ２及び抵抗Ｒ３とＲ４とを夫々設定する。
【００４２】トランジスタ２のコレクタ電位ＶＣ２がト
ランジスタ１と２と５とのベース電位ＶＢＢより低いと
き、トランジスタ３のベース−エミッタ間電圧がＶＢＥ
３より小さくなり、トランジスタ３にコレクタ電流ＩＣ
３は流れないので、負荷電流Ｉ２は、 Ｉ２＝Ｉ１ ……（２０） となる。
ランジスタ１と２と５とのベース電位ＶＢＢより低いと
き、トランジスタ３のベース−エミッタ間電圧がＶＢＥ
３より小さくなり、トランジスタ３にコレクタ電流ＩＣ
３は流れないので、負荷電流Ｉ２は、 Ｉ２＝Ｉ１ ……（２０） となる。
【００４３】温度変化や構成素子のバラツキによって負
荷回路の負荷が変化してトランジスタ２のコレクタ電位
ＶＣ２が上昇し、トランジスタ１と２と５とのベース電
位ＶＢＢと同電位になると、トランジスタ３のベース−
エミッタ間電圧はＶＢＥ３となり、トランジスタ３にコ
レクタ電流ＩＣ３が流れる。
荷回路の負荷が変化してトランジスタ２のコレクタ電位
ＶＣ２が上昇し、トランジスタ１と２と５とのベース電
位ＶＢＢと同電位になると、トランジスタ３のベース−
エミッタ間電圧はＶＢＥ３となり、トランジスタ３にコ
レクタ電流ＩＣ３が流れる。
【００４４】トランジスタ３にコレクタ電流ＩＣ３が流
れることにより、負荷電流Ｉ２が減少し、トランジスタ
２のコレクタ電位ＶＣ２の上昇は、トランジスタ１と２
と５とのベース電位ＶＢＢで止まる。
れることにより、負荷電流Ｉ２が減少し、トランジスタ
２のコレクタ電位ＶＣ２の上昇は、トランジスタ１と２
と５とのベース電位ＶＢＢで止まる。
【００４５】トランジスタ５のコレクタ電位ＶＣ５がト
ランジスタ１と２と５とのベース電位ＶＢＢより低いと
き、トランジスタ６のベース−エミッタ間電圧ＶＢＥ６
より小さくなり、トランジスタ６にコレクタ電流ＩＣ６
は流れないので、負荷電流Ｉ３は、 Ｉ３＝Ｉ１ ……（２１） となる。
ランジスタ１と２と５とのベース電位ＶＢＢより低いと
き、トランジスタ６のベース−エミッタ間電圧ＶＢＥ６
より小さくなり、トランジスタ６にコレクタ電流ＩＣ６
は流れないので、負荷電流Ｉ３は、 Ｉ３＝Ｉ１ ……（２１） となる。
【００４６】温度変化や構成素子のバラツキによって負
荷回路の負荷が変化してトランジスタ５のコレクタ電位
ＶＣ５が上昇し、トランジスタ１と２と５とのベース電
位ＶＢＢと同電位になると、トランジスタ５のベース−
エミッタ間電圧はＶＢＥ６となり、トランジスタ６にコ
レクタ電流ＩＣ６が流れる。トランジスタ６にコレクタ
電流ＩＣ６が流れることにより、負荷電流Ｉ３が減少
し、トランジスタ５のコレクタ電位ＶＣ５上昇は、トラ
ンジスタ１と２と５とのベース電位ＶＢＢで止まる。
荷回路の負荷が変化してトランジスタ５のコレクタ電位
ＶＣ５が上昇し、トランジスタ１と２と５とのベース電
位ＶＢＢと同電位になると、トランジスタ５のベース−
エミッタ間電圧はＶＢＥ６となり、トランジスタ６にコ
レクタ電流ＩＣ６が流れる。トランジスタ６にコレクタ
電流ＩＣ６が流れることにより、負荷電流Ｉ３が減少
し、トランジスタ５のコレクタ電位ＶＣ５上昇は、トラ
ンジスタ１と２と５とのベース電位ＶＢＢで止まる。
【００４７】温度変化や構成素子のバラツキによってト
ランジスタ２と５との２個のトランジスタに接続する２
個の負荷回路の負荷の変化によって、２個のトランジス
タのコレクタ電位が上昇した場合、トランジスタ２につ
いては、トランジスタ３のコレクタ電流ＩＣ３によって
負荷電流Ｉ２を制御し、トランジスタ２のコレクタ電位
ＶＣ２をトランジスタ１と２と５とのベース電位ＶＢＢ
より高くならないようにすることで、トランジスタ２の
飽和を防止する。
ランジスタ２と５との２個のトランジスタに接続する２
個の負荷回路の負荷の変化によって、２個のトランジス
タのコレクタ電位が上昇した場合、トランジスタ２につ
いては、トランジスタ３のコレクタ電流ＩＣ３によって
負荷電流Ｉ２を制御し、トランジスタ２のコレクタ電位
ＶＣ２をトランジスタ１と２と５とのベース電位ＶＢＢ
より高くならないようにすることで、トランジスタ２の
飽和を防止する。
【００４８】トランジスタ６については、トランジスタ
６のコレクタ電流ＩＣ６によって負荷電流Ｉ３を制御
し、トランジスタ５のコレクタ電位ＶＣ５をトランジス
タ１と２と５とのベース電位ＶＢＢより高くならないよ
うにすることで、トランジスタ５の飽和を防止すること
ができる。
６のコレクタ電流ＩＣ６によって負荷電流Ｉ３を制御
し、トランジスタ５のコレクタ電位ＶＣ５をトランジス
タ１と２と５とのベース電位ＶＢＢより高くならないよ
うにすることで、トランジスタ５の飽和を防止すること
ができる。
【００４９】すなわち、バイアス電流を流す２個以上の
トランジスタのコレクタに１個ずつ飽和防止回路を接続
することで、バイアス電流を流す２個以上の飽和を防止
することができる。
トランジスタのコレクタに１個ずつ飽和防止回路を接続
することで、バイアス電流を流す２個以上の飽和を防止
することができる。
【００５０】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明によれば、定電
流出力用のトランジスタのコレクタ出力に、負荷に応じ
て電流を分流する制御回路を設けたので、当該トランジ
スタのコレクタ電位をそのベース電位よりも高くならな
いようにすることができ、当該トランジスタの飽和防止
が可能となるという効果がある。
流出力用のトランジスタのコレクタ出力に、負荷に応じ
て電流を分流する制御回路を設けたので、当該トランジ
スタのコレクタ電位をそのベース電位よりも高くならな
いようにすることができ、当該トランジスタの飽和防止
が可能となるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の回路図である。
【図２】従来の定電流回路の例を示す図である。
【図３】本発明の他の実施例の回路図である。
１，２，５ ＰＮＰトランジスタ ３，４，６，７ ＮＰＮトランジスタ １０，２０ 飽和防止回路 Ｒ１〜Ｒ４ 抵抗
Claims (2)
- 【請求項１】 定電流値を決定する第１のトランジスタ
と、前記定電流を負荷へ供給する第２のトランジスタと
を有する定電流回路であって、この定電流の出力端と基
準電位点との間に設けられ前記定電流出力を分流するた
めの第３のトランジスタと、前記出力端の電位に応じて
前記第３のトランジスタの導通状態を制御する制御手段
とを含むことを特徴とする定電流回路。 - 【請求項２】 前記第３のトランジスタは前記第１及び
第２のトランジスタの導電型とは逆導電型であって前記
出力端と基準電位点との間に接続されており、前記制御
手段は、出力端がベース入力とされた前記逆導電型の第
４のトランジスタと、前記第４のトランジスタのエミッ
タと前記基準電位点との間に直列接続された第１及び第
２の抵抗とを有し、前記第１及び第２の抵抗の接続点を
前記第３のトランジスタのベース入力としたことを特徴
とする請求項１記載の定電流回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32658091A JPH05134777A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 定電流回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32658091A JPH05134777A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 定電流回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05134777A true JPH05134777A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=18189405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32658091A Pending JPH05134777A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 定電流回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05134777A (ja) |
-
1991
- 1991-11-14 JP JP32658091A patent/JPH05134777A/ja active Pending
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